DFN封装

摘要： MLX90818是一款经过出厂校准的、量程范围从1．0～5．5bar的绝对压力传感器，非常适合在常见的自然吸气、燃油直喷和涡轮增压发动机中应用。这款高集成度的传感器提供一个外部用于温度测量的NTC的信号处理通道，采用4mm×5mm的小型DFN封装。

摘要： STS3x是全新高精数字温度传感器，基于SHT3x湿度传感器相同的芯片，采用8pin DFN封装，大小仅为2．5×2．5mm2，高度仅为0．9mm。

摘要： 引言 LTC 3622双路1A同步单片式降压型稳压器可实现适用于电池供电型系统和便携式设备以及通用负载点调节的紧凑、高效率电源。纤巧型14引脚、3mmX4mmDFN封装可接受2．7V至17V的输入电压，能采用0．6V至VIN输入产生两个准确度为±1％的可调输出，同时在两个通道上提供高达1A的输出电流。

摘要： Microchip TechnologyInc（美国微芯科技公司）不久前宣布推出全新电机驱动器MCP8063。新器件通过汽车AEC—Q100标准认证，采用4mm×4mm8引脚DFN封装，尺寸小但性能卓越。能以1．5A峰值相电流实现180度正弦波驱动多种三相无刷直流电机和风扇应用的产品，减少了PCB面积，可达到节能的静音运行效果。此外，MCP8063还具有多重安全保障，如热关断、过流限制和锁定保护等。

摘要： 恩智浦半导体（NXPSemiconductorsN．V）近日推出首款1．1mm×1．mm×0．37mm超薄DFN封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成，其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3．2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能，非常适用于空间受限的便携式应用中的电源管理和负载开关，这是因为外形大小、功率密度和效率在这些应用中都是极为关键的因素。

摘要： 2014年7月8日，凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出双相、3MHz、电流模式、同步升压型DC／DC转换器LTC3124，该器件提供输出断接和浪涌电流限制功能。双相运行显著地降低了电感器和电容器峰值纹波电流，从而最大限度地减小了组件尺寸，同时与同等单相器件相比，LTC3124可提供更低的输出纹波。

摘要： 麦瑞半导体公司推出精度达±0．5％的MIC826电压监控器，该监控器采用节省空间的1．6mm×1．6mm薄型DFN封装，具备手动复位输入、看门狗定时器和双输出等特点。

摘要： Maxim推出业内尺寸最小的12引脚、18位逐次逼近型（SAR）模，数转换器（ADC）MAXlll56。MAXll156在微型3mmX3mmTDFN封装中集成了内部基准和基准缓冲器，与竞争方案相比大幅降低成本并节省至少70％的电路板空间。该款高性能ADC可提供18位分辨率，超摆幅（Beyond—the—RailsTM）技术能够在＋5V单电源供电条件下支持±5V的输入信号范围。该技术无需使用负电源，大大简化设计。

摘要： Microchip推出PIC12／16F15XX8位单片机（MCU）系列新款低成本、低引脚数PIC12LF1552，它是Microchip旗下体积小（2mm×3mm UDFN封装）、成本低且拥有硬件I^2C支持的PIC MCU，

摘要： 这款BC69PA中功率晶体管是业内首款采用2mm×2mm3管脚无引脚DFN封装的产品，采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。

摘要： 本发明公开了一种集成电路器件的封装工艺，所述器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上；包括以下步骤：S1.先将硅微粉80份和阻燃剂10份与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份和脱模剂3份，混合均匀。本发明方法制备得到的器件有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题，内部气孔的发生率低。

摘要： 本发明一种DFN器件的封装结构，包括一种无引线框架载体，载体表面设有多个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面设有第二金属焊盘，第二金属焊盘表面设有焊料层，焊料层连接芯片下焊盘或者键合线一端，键合线另一端连接芯片上焊盘。载体的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层，或者载体的表面及第一金属焊盘的四周，设有第二塑封层、第二塑封层表面及第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层。第二金属焊盘的横截面积大于第一金属焊盘的横截面积，或者第二金属焊盘偏出第一金属焊盘一侧。本发明解决了引线框架封装体引脚电极和塑封料在同一平面易虚焊，封装体切割线导致毛刺，框架变形的问题。

摘要： 本发明提供了一种带电感DFN封装方法，属于集成电路封装技术领域，它解决了现有的一些集成电路封装装置在输送封装部件的过程中，容易出现跑偏，而致封装零件无法精确进入工作区内的问题。本带电感DFN封装方法，包括封装台、加工区本体、第一传送带、第二传送带、第三传送带和支撑台，第一传送带的两侧均设置有第一支架。本发明能够在传送过程中，对集成电路板、封装底盒或封装盒盖的两侧进行限位，防止它们跑偏，使它们精确进入加工区内，无需工作人员再次进行调整，而且在传送过程中，采用灰尘吸附的方式对集成电路板进行除尘，有效防止灰尘四处漂浮，提升除尘效果，并在封装完毕后，将封装电路从传送带上推下来，进行自动下料。

摘要： 本发明公开一种DFN封装芯片的检测装置，包括基板和芯片检测电路板，所述芯片检测电路板通过螺钉安装在基板的顶部，所述基板的底部通过螺钉安装有步进电机，所述步进电机的活动端贯穿基板的表面并延伸至基板的上方，所述步进电机的活动端通过联轴器固定安装有固定轴，所述固定轴的一端通过螺钉安装有第一支撑板，所述连接块的一端通过螺钉安装在直线电机的活动端表面，所述连接块的另一端通过螺钉安装有推板，所述推板的底部沿着长条凹型板的内壁滑动。本发明便于芯片的输送，既节约了人力，又显著提高了检测的效率和芯片装载于检测电路板上的位置精度，从而保证检测的准确性，避免误检。

摘要： 本发明提供了一种薄型DFN的3D封装方法，其特征在于，包括如下步骤：(S1)磨划：(S2)一次装片：(S3)一次固化：(S4)二次装片：(S5)二次固化：(S6)等离子清洗：(S7)键合：(S8)塑封：(S9)后固化：(S10)表面处理：(S11)切割分离：(S12)测试、打印、编带。

摘要： 本实用新型公开一种用于DFN封装器件的封装加工装置，包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构，所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方，所述打磨机构安装于第三框架上方；所述第一框架、第二框架、第三框架各自相对的两个内壁上均安装有一电磁滑轨，位于第一框架、第二框架、第三框架同一侧内壁上的电磁滑轨连通，相对设置的电磁滑轨之间连接有一移动块；所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头，所述顶板一侧与支撑板固定连接，此顶板的另一侧设置有一挡板。本实用新型丰富了装置的内涵、提高了对半导体器件加工的自动化程度，还可以避免打磨过程中产生的碎屑飞溅。

摘要： 本实用新型公开一种DFN封装器件的封装加工设备，包括支撑板、第一框架、第二框架和打标器，所述第一框架、第二框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方；所述第一框架、第二框架各自相对的两个内壁上均安装有一电磁滑轨，位于第一框架、第二框架同一侧内壁上的电磁滑轨连通，相对设置的电磁滑轨之间连接有一移动块；所述支撑板相背于第二框架的一侧安装有一电机，此电机的输出轴上连接有一第一齿轮，所述支撑板上可转动地安装有一转盘，所述转盘的另一侧表面上安装有至少两个连接块，此连接块均与第二框架固定连接。本实用新型既可以避免人工翻面带来的误差而影响打标的精度，又可以节约人力和操作时间，提高作业的效率。

摘要： 本实用新型公开了一种新型DFN5060封装元件及封装框架，封装体内,芯片安置区周围布置有阻隔槽和用于固定芯片的坑，增强了产品的潮湿敏感度等级和芯片安装的稳定性；框架上设有多个芯片安装单元，所述芯片安装单元为矩形，芯片安装单元内布置并排的2个芯片安装部，总共布置480个芯片安装部，框架密度大于1.7Unit/cm2，提高材料利用率、节约生产成本。

摘要： 本实用新型提供了一种DFN封装结构，属于DFN加工技术领域，包括主体机构，所述主体机构包括封装机本体，所述封装机本体的内腔设置有输送机，所述输送机的顶部设置有封装编带，所述封装机本体的一侧设置有与封装编带配合使用的收卷机，所述封装机本体的内腔设置有与封装编带配合使用的贴片机；吸尘机构，所述吸尘机构设置于收卷机的顶部，所述吸尘机构包括收集盒，所述收集盒设置于收卷机的顶部。本实用新型通过设置吸尘机构，通过外界控制开关启动吸风扇，通过吸风扇将收卷机中的空气吸入收集盒中，从而达到防止空气中灰尘落在封装编带上的效果，通过过滤网对空气中的灰尘进行过滤，从而达到对灰尘进行收集的效果。

摘要： 本实用新型公开了一种叠放式的DFN1006封装的双芯结构，包括黑胶，所述黑胶的外表面设置有引脚，所述引脚的上表面设置有基岛，一侧所述基岛的上表面设置有第一芯片，所述基岛和第一芯片之间处设置有第一导电胶，所述第一芯片通过第一导电胶与基岛进行固晶，所述第一芯片的上表面设置有第二芯片，所述第一芯片和第二芯片之间处设置有第二导电胶，所述第二芯片通过第二导电胶与第一芯片进行固晶。本实用新型中，将多个基岛的芯片叠放到一个基岛上，第一芯片跟传统结构一样，直接固晶在基岛上，第二芯片则以第一芯片为基岛，直接固晶到第一芯片上，从而减少了对引脚基岛的占用尺寸，实现了固晶的多层作业。