记忆丧失

摘要： 阿尔茨海默症是一种常见的神经退行性疾病,是导致患者痴呆最主要的原因[1]。其早期特点是轻度的记忆丧失,后逐渐发展到广泛的执行和认知功能受损[2]。我国是全世界老龄化规模最大和发展速度最快的国家[3],90%~95%的阿尔茨海默症患者为65岁以上的老年人[1],故准确诊断尤为重要。对住院医师规范化培训学员进行阿尔兹海默症相关量表评估的教学,有助于提高疾病的检出率,做到早发现、早治疗。

摘要： 目前,研究人员正在通过一个具有潜力的靶点--一种名为小胶质细胞的免疫细胞--来寻找治疗阿尔茨海默病的关键线索。1907年,德国精神病学家阿洛伊斯·阿尔茨海默(Alois Alzheimer)发表了一份病例报告,报道了一种会影响大脑皮层的不同寻常的疾病。在德国法兰克福的一家精神病院有一名51岁的妇女,她出现了包括记忆丧失、精神错乱和方向感迷失在内的多种症状。对于如今受阿尔茨海默病影响的数百万个家庭来说,这样的场景或许并不陌生。

摘要： 变得更聪明不需要博士学位,但是需要特定的练习方法。如果给您的大脑一些新体验,将物理感觉——视觉、嗅觉、触觉、味觉和听觉与情感感觉结合起来,就会刺激大脑不同区域之间更多的联系,使神经细胞更具活力,防止脑力衰退与记忆丧失。用鼻子提醒一天的开始您可能从来没有将味道与一天的开始联系起来。然而通过将一种气味,比如香草、柑橘或薄荷味与起床活动联系起来,它会快速疏通您的神经通路,开始新的一天。

摘要： 阿尔茨海默病(AD)是一种起病隐匿的进行性发展的神经系统退行性疾病。临床上以记忆障碍、失语、失用、失认、视空间技能损害、执行功能障碍以及人格和行为改变等全面性痴呆表现为特征。65岁以后发病者称老年性痴呆。老年性痴呆会使患者生活质量严重下降,给家庭带来沉重的经济负担,照料者缺乏及情绪问题,因此需要我们早期识别并预防疾病的发生。一、老年性痴呆早期的十大症状1.记忆丧失:早期主要症状,主要为近记忆减退,缓慢进展,不易发现。

摘要： 情绪低落蔬菜是人体关键功能正常运转所需的多种维生素和矿物质的重要来源。没吃够蔬菜,而是吃大量的高脂、高碳含量食物或加工程度高的食品,会造成能量匮乏,导致疲劳、记忆丧失和情绪波动。把高脂食物换成更多的蔬菜,就能避免情绪低落,获得持久的能量供给。

摘要： 发表在《阿尔茨海默病与痴呆》杂志上的报告称,如果经常发现自己白天打瞌睡,这可能是罹患阿尔茨海默病的信号。白天打瞌睡是因为大脑中白天保持清醒的区域在记忆丧失疾病的早期受到了破坏的缘故,不仅如此,科学家们还发现,白天觉醒所涉及的大脑区域的损伤是由一种叫做tau蛋白的蛋白质引起的。

摘要： 发表在《神经学》上的一项研究显示,一个简单的血测试即可以帮助精确定位阿尔茨海默病的早期征象。研究人员说,阿尔茨海默病症状如记忆丧失、混乱,是淀粉样β蛋白的有害斑块开始积聚在大脑中的结果。他们的研究发现,测量血液中的淀粉样蛋白水平就可以判断蛋白质是否已经积聚在大脑中。

摘要： 最近发表在《国际老年精神病学》杂志的一项新的研究报告指出,中年的压力与老年更大的记忆丧失存在联系,这一现象只存在于老年女性中,在男性身上没有发现。研究包括超过900名成年人在1980至2004年分别做了4次访问,在他们平均年龄是47岁的那次访问中,大约47%的男性和50%的女性说他们在过去的一年里至少有过一次压力事件,比如离婚、孩子出生、亲人去世、失业、严重伤害、生病、孩子搬走或退休。在第3次和第4次访问中,为了衡量他们的记忆力,要求他们在读了20个单词20 min后复述刚才的记忆。在第4次访问中,至少有一个中年压力事件的女性单词记忆平均下降了一个单词,这是其他人的两倍。在第4次访问中,至少有一个中年压力事件的女性,识别单词能力也下降了1.7个,而没有压力事件的则下降了1.2个。

摘要： 以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。

摘要： 本发明公开一种掉电记忆电路的掉电记忆方法，包括：通过设置供电电容和电压检测电容；在掉电记忆电路掉电时，IC芯片检测电压检测电容的电压以在低功耗模式和正常模式进行切换。由于本发明方法通过供电电容向IC芯片供电，并使IC芯片向电压检测电容供电并检测电压检测电容的电压以在低功耗模式和正常模式之间切换来延长供电电容的放电时间，从而可以在掉电记忆电路掉电时延长IC芯片保存工作参数的时间。

摘要： 在本揭示文件的一些态样中，揭示一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法。在一些态样中，记忆体装置包含第一电压调节器，用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压；耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络，其中电阻器网络包含多个电阻器，且其中电阻器中的各者串联并耦接至多个电阻器中的相邻者；及包含多个开关的开关网络，其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。

摘要： 本揭示文件的一些态样提出一种记忆体装置、记忆体系统以及操作记忆体装置的方法。此记忆体装置包含以多个行与多个列所排列的多个记忆体单元；多条字元线各自耦接至相对应的一行上的记忆体单元；多条位元线各自耦接至相对应的一列上的记忆体单元；以及多条第二字元线各自耦接至相对应的一列的记忆体单元。

摘要： 本揭示文件揭示了一种记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的制造方法。该记忆体装置包括多个记忆体单元，记忆体单元中各自包括彼此串联耦合的存取晶体管与电阻器。记忆体单元的电阻器各自形成为设置于基板上方的多个互连结构中的一者。记忆体单元的存取晶体管设置相对于第一金属化层，此第一金属化层含有来自基板的多个互连结构。

摘要： 本揭露是一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以将输入数据写入至记忆体单元。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有大于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以延长记忆体单元的寿命。记忆体单元可包括电阻式记忆体装置或相位变化随机存取记忆体装置。在一个态样中，响应于判定记忆体单元已故障，记忆体控制器向记忆体单元施加第二脉冲以修复记忆体单元。在一个态样中，在记忆体单元故障之前，记忆体控制器周期性地向记忆体单元施加第二脉冲。

摘要： 一种记忆体装置、动态随机存取记忆体阵列与记忆体阵列，记忆体装置包括记忆体阵列，记忆体阵列具有：记忆体阵列的第一列中的第一记忆体单元；记忆体阵列的第一列中的第二记忆体单元；第一读取位元线，在列方向上延伸且连接至第一记忆体单元以自第一记忆体单元读取数据；及第二读取位元线，在列方向上延伸且连接至第二记忆体单元以自第二记忆体单元读取数据。

摘要： 本发明涉及信息检索技术领域，尤其涉及一种记忆眼镜及基于该记忆眼镜的记忆方法。该记忆方法包括步骤：根据一大脑中枢检测单元检测的用户大脑神经元细胞兴奋的程度判定用户大脑神经元细胞是否处于兴奋状态；当确定用户大脑神经元细胞未处于兴奋状态时控制一摄像头拍摄一图像；获取该摄像头拍摄的该图像并分析出该图像中的第一搜索对象；根据该第一搜索对象从一数据库中搜索该第一搜索对象的相关内容；及将搜索结果显示在该显示单元上。本发明中的记忆眼镜能够根据人的大脑中枢的兴奋状况决定是否需要进行信息的自动查询，从而提高用户查询的体验感。

摘要： 以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流，可有利达成稳定编程。依据另一实施例，可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器，或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。

摘要： 本实用新型公开了一种记忆棉枕芯、记忆棉枕及记忆棉枕套装，所述记忆棉枕芯上设有凹槽，所述凹槽内设有多个透气穿孔。本实用新型的有益效果为：所述记忆棉枕芯的结构设计，符合人体工学原理：后颈部完全依照颈部曲线设计，完全服贴，真正起到舒适支撑无异物感；另外整个记忆棉枕芯依照人的头部，两侧颞骨及两颊，支撑两侧颞骨且避开耳朵，托扶两侧脸颊；依照人的颈部以及肩膀的曲线及弧度，记忆棉枕在佩戴上贴服左右侧颈部及肩膀；记忆棉枕前端凹陷，完全依照人的下颚曲线，真正托扶下颚；且能够有效减少闷热感，保持干爽。