DDRⅡ

摘要： 2009年是让众多电脑发烧友欢呼雀跃的一年,45nm来了,i7来了,DDRⅢ也来了。2008年末IT大鳄Intel发布的酷睿（Core）i7处理器,用其全新Nehalem架构、LGA 1366接口、完美支持DDRⅢ的特性,将电脑换代的烽火刚刚点燃,而与Intel共分天下的处理器厂商AMD,也在前不久正式公布了其采用45nm工艺制程的最新AM3接口羿龙Ⅱ处理器发布的消息,更是让疑惑于2009年DDRⅢ平台能否普及的用户们坚定了信心。

摘要： 适逢年终岁末，素来在技术上孜孜以求的全球第一存储厂商KINGMAX，其产品线之一KINGMAX DDRⅡ 1066又收获了一个颇具成就感的年度大奖——2007年度中国IT网络调查推荐产品奖。这是由中国计算机用户协会和中国互联网协会主办、百家中文网媒参与合作的一次大型IT调查，是唯一覆盖了IT产品市场和消费者的综合性调查活动，受到了众多专家和网友的关注，在IT业界拥有广泛影响力。

摘要： 介绍一种新型静态存储器——DDRⅡSRAM(静态随机存储器)的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序。为实现动态背景信号生成,节省FPGA(现场可编程门阵列)内部资源,引入DDRⅡSRAM存储基带信息,通过DDR控制器控制基带信息高速读取,实现信号生成。深入分析实际DDRⅡSRAM工作原理及内部组成,利用FPGA实现存储器控制器的设计。基于软件无线电思想,通过它的快速、灵活、容易修改的特点,设计并实现在高速数据通信系统中,DDRⅡSRAM用于处理器和接口连接的外设之间的数据交换。FPGA芯片选用XILINX公司的VIRTEX-4芯片,存储器选用CY7C1420系列芯片。从设计仿真和实验板调试结果可验证,存储器具有很高的传输速度和稳定性能。该实验成果已用于某动态背景信号生成系统中。

摘要： 笔记本进入双核时代．所支持的内存等级也随之提升．由威刚科技推出的DDRⅡ8001GB笔记本内存，给大家带来高稳定性的大容量高频率内存笔记本内存解决方案。

摘要： 奔腾D8系列缺货升价；AM2接口CPU持续升价；DDR价格回落，DDRⅡ平稳过节；1000元中端显卡抢摊市场。

摘要： 随着微软Windows Vista操作系统的迅速普及，电脑内存的2GB新标杆日益成为人们关注的最新话题。为满足市场的最新需求，近日，KingmaxMars系列DDRⅡ667、DDR11800内存全面升级，开始向市场提供单条2GB的产品。

摘要： 在Intel和AMD新一代处理器的引导下，DDRⅡ内存迎来了春天。作为国际存储巨头之一，PNY的研发及生产能力不容置疑。续之前DDRⅡ667、800等产品大受业界好评之后，PNY最近推出1GDDRⅡ1066高端内存。以高新的技术及优秀的品质，再次给存储行业及游戏玩家带来惊喜。

摘要： 11月30日，微软公司正式在中国大陆宣告了其新一代操作系统WindowsVista的发布，而现有的计算机，大多数的内存容量小于1G，因此，想在老的计算机上运行Windows Vista就勉为其难了，所以，新的WindowsVista操作系统，基本上是面对新上市的计算机，也就是说主频3G左右，而内存至少在1G以上的DDRⅡ内存。而对于一些计算机的玩家来说，2G的DDRⅡ内存，只能算运行WindowsVista的基本配置了。

摘要： 一种新事物的出现是否会成为众人观瞻的芒点，取决于它是否出现在适当的时机。有道是赶早不如赶15，乱世才出英雄啊!如今IT界，Vista的出现无可厚非地成为了这个动荡乱世的标志性词语，于是应运而生的英雄们充斥了这个风云骤起的时代。本来只燃战火于台式PC机的疆域，不料笔记本这个种族的强势介入，凭借其不可一世的潜力，使得这一点星星之火顷刻间煞有燎原之势，战火硝烟顿时间弥漫了整个IT界。这使得内存领域的矛盾日益加剧，不可安于一时的势态注定了一场声势浩大的变革。

摘要： 本发明公开一种兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源及升压方法，电荷泵电源包括：若干电荷泵、电源监测电路和逻辑控制电路；所述若干电荷泵用于实现输入电源vext到目标高压的转换；所述电源监测电路用于监测电源电压的电平高低；所述逻辑控制电路用于根据电源监测电路的输出结果，产生相应的使能信号，控制若干电荷泵的工作，将输入电源vext提升至目标高压。本发明能同时兼容DDR1、DDR2和DDR3，在DDR1、DDR2和DDR3下都具有较好的转换效率和适宜的电流驱动能力。

摘要： 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO

摘要： 本发明提供了一种DDR控制系统及DDR存储系统，以集成在同一片上系统中的MCU内核和FPGA内核组成的SoC架构为基础，基于FPGA内核中的逻辑资源来实现MCU和片外DDR存储器之间的DDR控制系统，该DDR控制系统为片内DDR控制系统，包括MCU总线映射模块、DDR数据缓存模块以及DDR控制器模块，且基于FPGA可编程的特点，实现DDR控制器模块的数量以及MCU总线映射模块映射出的子系统总线的数量可以动态调整，用户可以动态配置MCU外部的DDR控制器模块的数量，并进一步通过DDR控制器模块动态配置所接入的片外DDR存储器，以达到片外DDR存储器的功能和数据动态可配的目的，提高了MCU的扩展性和易用性，有助于用户快速应用DDR存储器。

摘要： 本发明公开一种兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源及升压方法，电荷泵电源包括：若干电荷泵、电源监测电路和逻辑控制电路；所述若干电荷泵用于实现输入电源vext到目标高压的转换；所述电源监测电路用于监测电源电压的电平高低；所述逻辑控制电路用于根据电源监测电路的输出结果，产生相应的使能信号，控制若干电荷泵的工作，将输入电源vext提升至目标高压。本发明能同时兼容DDR1、DDR2和DDR3，在DDR1、DDR2和DDR3下都具有较好的转换效率和适宜的电流驱动能力。

摘要： 本发明提供DDR型沸石膜，其特征在于：在基质上成膜，膜的主要成分为二氧化硅，同时选自二氧化碳(CO

摘要： 本发明提出了一种DDR控制器及DDR数据刷新控制方法，其中，DDR控制器包括：温度采集模块，配置用于采集DDR的环境温度信息；ECC模块，配置用于统计DDR读写数据的误码率，并与预设的误码率阈值进行比较以生成对应的刷新频率指令；刷新决策模块，配置用于根据DDR的环境温度信息以及预设的温度阈值确定DDR的工作状态；以及接收来自ECC模块的对应的刷新频率指令，并结合DDR的工作状态确定是否执行对应的刷新频率指令，并更新DDR的刷新频率；寄存器组模块，配置用于存储DDR的工作状态、误码率以及DDR的刷新频率。本发明通过综合DDR控制器的工作状态及在当前工作作态下的误码率而动态的提升或降低刷新频率，能够在保证DDR的可靠性的基础上充分发挥DDR控制器的读写能力。

摘要： 本发明是一种FGPA控制的DDR映射多个DDR_FIFO实现系统及方法。本发明涉及数字通信领域技术领域，本发明为了解决FPGA内高速数据缓存通道数量固定的问题，实现当DDR能够满足多个数据通道的总带宽和总缓存容量时，用户可根据缓存通道数量创建相应数量的DDR_FIFO，每个DDR_FIFO映射DDR中的一段地址，可根据需求调整每个DDR_FIFO缓存容量，DDR_FIFO的数据输入和输出都具有异步时钟，用于解决数据跨时钟域的问题，使用方式和FPGA内的FIFO相同，有效提高FPGA开发效率和硬件利用率。

摘要： 本申请公开了一种兼容DDR3、DDR4标准接收端的内部参考电压电路。该电路包括：N位控制逻辑电路、DAC电路、驱动电路；所述N位控制逻辑电路，基于使能信号EN将输入的N位二进制码转换为控制所述DAC电路的2N位量化码和1位输出控制码C0,N＝8；所述DAC电路，用于根据所述2N位量化码和输出控制码C0产生DDR3或DDR4标准接收端所需要的参考电压；所述驱动电路，用于驱动所述DAC电路产生的所述参考电压到DDR3或DDR4标准接收端的参考电压输入端。本申请提供的上述参考电压电路结构简单，输出调节范围宽，抗干扰能力强，并能根据需要选择输出DDR3或DDR4标准接收端所需的参考电压。

摘要： 本实用新型公开一种兼容DDR1、DDR2和DDR3的电荷泵电源，包括：若干电荷泵、电源监测电路和逻辑控制电路；所述若干电荷泵用于实现输入电源vext到目标高压的转换；所述电源监测电路用于监测电源电压的电平高低；所述逻辑控制电路用于根据电源监测电路的输出结果，产生相应的使能信号，控制若干电荷泵的工作，将输入电源vext提升至目标高压。本实用新型能同时兼容DDR1、DDR2和DDR3，在DDR1、DDR2和DDR3下都具有较好的转换效率和适宜的电流驱动能力。

摘要： 本申请公开了一种支持DDR3和DDR4标准接收端的内部参考电压电路。该电路包括：N位控制逻辑电路、DAC电路、驱动电路；所述N位控制逻辑电路，基于使能信号EN将输入的N位二进制码转换为控制所述DAC电路的2N位量化码和1位输出控制码C