芯片级封装

摘要： 随着摩尔定律放缓,各种先进封装技术成为半导体产业的重要研究内容.同时,这些技术也为系统工程师们如何实现定制电路小型化提供了更多样的选择.在对已有SiP技术研究的基础上,基于国内工艺线,尝试使用扇出晶圆级封装技术实现一款控制模块,为该技术在数模混合系统小型化中的应用提供参考.

摘要： 芯片级封装是实现高光密度白光LED和减小封装体积的一种重要途径,而目前芯片级白光LED存在荧光层老化、荧光粉热猝灭等问题,严重影响白光LED的性能和可靠性.为此,本文结合荧光玻璃的技术优势,提出了荧光玻璃封装芯片级白光LED,并分析了白光LED光热性能.利用丝网印刷和低温烧结工艺在玻璃基片表面制备了荧光玻璃层,从而获得了晶圆级荧光玻璃片,再切割成芯片级荧光玻璃用于白光LED封装.分析了荧光玻璃层的微观形貌,荧光粉颗粒内嵌在玻璃基体中,膜层致密、无明显残余气孔;通过调节荧光玻璃层厚度优化了白光LED光学性能,当荧光玻璃层为120μm时,白光LED获得了最优光学性能,光效、色温和色坐标分别为111.8 lm/W、6876 K和(0.3074,0.3214);分析了荧光玻璃封装结构对白光LED光热性能的影响,荧光玻璃层靠近LED芯片封装具有更高的光效和更低的色温,同时白光LED表面温度更低.

摘要： 10月12日上交所官网披露,烟台德邦科技股份有限公司(简称“德邦科技”)科创板IPO获受理,这是一家专业从事高端电子封装材料研发及产业化的国家级专精特新重点“小巨人”企业。德邦科技的主要产品包括集成电路封装材料、智能终端封装材料、新能源应用材料、高端装备应用材料四大类别,产品广泛应用于晶圆加工、芯片级封装、功率器件封装、板级封装、模组及系统集成封装等不同的封装工艺环节和应用场景。

摘要： 在铝基板上贴片了不同间距的四颗芯片级封装发光二级管(CSP-LED)模组,测试了不同贴片间距CSP-LED模组的EL光谱、流明效率、光通量、相关色温等光电参数.结果显示,在小电流(20～400 mA)下,随着注入电流的增大,不同排布间距的蓝、白光样品的光电性能基本呈现相同的变化规律,即光通量、光功率呈线性增长,光效基本保持稳定;在大电流(1～1.5 A)下,随着芯片间排布间距减小,EL光谱积分强度降低,色温升高,红色比下降,排布间距为0.2 mm的光通量衰减了84.58％,相比之下排布间距为3 mm和5 mm的光通量衰减明显减缓,分别为8.96％和3.58％,这些现象与禁带宽度、热应力、非辐射复合等因素有关.结果表明,CSP白光LED光通量衰减主要是荧光粉退化导致的,考虑到实际生产成本问题,排布间距为3 mm时,有利于热量散出,进而提高LED光电性能特性及其自身的使用寿命.

摘要： 2020年5月19日上午,2019年度上海市科学技术奖励大会在上海展览中心召开,上海应用技术大学主持和合作完成的6项科技成果获得表彰。香料香精技术与工程学院肖作兵教授主持完成的“香气协同效应与释放技术研究及产业化”获上海市科技进步奖一等奖;材料科学与工程学院房永征教授主持完成的“芯片级封装LED关键技术研发及产业化”获上海市技术发明奖二等奖;轨道交通学院邹劲柏教授主持完成的“轨道交通无线通信专网关键技术及应用”获上海市科技进步奖二等奖.

摘要： 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开始供应Osram Opto Semiconductors的Oslon?Pure1010 LED。这是一款采用真正芯片级封装的1 mm×1 mm超小型LED,顶部发光和120度视角设计,使其非常适合用于高端零售照明、定制化板载芯片(CoB)设计和具有窄聚光需求的小型灯具设计。

摘要： 针对小型化双通带声表面波(SAW)滤波器的需求背景,对两端口、两通带的SAW滤波器的设计技术展开研究。通过搭建包含两组耦合模(COM)参数的双通带SAW滤波器声电协同仿真平台,分析优化滤波器性能,成功研制出CSP2520封装的双通带SAW滤波器,其中心频率分别为1995 MHz和2185 MHz,通带带宽均为40 MHz,插入损耗小于3 dB,通带间隔离度大于30 dB。测试与仿真结果基本一致。

摘要： 芯片级封装(简称“CSP”)器件凭借着微型化、出光品质高而备受青睐,各国LED企业纷纷加大研发力度及知识产权布局保护.本文采用专利技术功效图的分析方法,对中国和美国CSP LED器件的专利技术发展现状展开研究,并对国外主流厂商韩国三星、首尔半导体、飞利浦Luneds、日亚等公司的CSP LED器件专利进行剖析,比较各家大厂CSP LED器件的技术路线,从而分析出CSP LED专利技术的雷区与技术空白点,以便于指导国内LED企业在CSP LED器件专利的布局,尤其应着重于应用领域的外围专利申请,可通过广撒网的专利申请方式增加与国外LED龙头企业的竞争筹码.

摘要： A circuit design technology and packaging application plan of wafer level package ( WLCSP ) is depicted based on two channel multifunction chipset which adopts 0.18 μm SiGe BiCMOS technology and vector sum struc-ture. Testing results show that the chip gain is over 12 dB,the output power is greater than 7 dBm,the RMS phase error is less than 7°,channel isolation more than 28 dB,the single channel current is less than 90 mA. The chip can greatly reduce the cost and volume of phased array systems,and it provides the basis for the development of 5 G communications,satellite communications and other applications.%论述了一种基于芯片级封装(WLCSP)的双通道多功能芯片电路设计技术和封装应用方案,采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺并基于有源矢量合成结构进行设计,测试结果表明该芯片增益大于12 dB,输出功率大于为7 dBm,移相精度小于7°,通道隔离度大于28 dB,单通道功电流小于90 mA,该芯片可大幅降低相控阵系统成本和体积,为5 G通信、卫星通信等应用领域提供研制基础.

摘要： 芯片级封装是使芯片在PCB基板上的安装尺寸等于或接近于芯片尺寸的高密度的组装技术,是表面安装技术深入发展和新一代电路组装的标志.芯片级封装的优点使它成为目前和今后最具优势(选)的高密度电路组装方法之一.而HDI/BUM板是受芯片级封装技术推动而发展起来的新一代PCB产品,它将推动PCB全面走向高密度化(微导通孔化、导线微细化、介质层薄型化等)、严格的CTE(元件引脚与PCB)匹配和紧密的板面高平整度化之要求.最后介绍了HDI/BUM板的关键生产工艺.

摘要： 物联网时代来临,光传感器市场也有着巨大发展潜力;本研究提出一具有自由曲面之芯片级封装传感器发射端组件结构及其自由曲面设计技术,藉由此项技术可使一次光学组件具备有二次光学的光型可设计特性;此算法引入能量守恒原理对自由曲面设计中司乃尔定律的点光源假设进行修正,并使用Lighttools进行光束追迹模拟;于8次的迭代后取得归一相关系数0.995的设计结果,以此曲面设计进行实际样品测试也取得与设计目标一致的表现,芯片级自由曲面发射器组件可提供光传感器一微型化且具光型可调性解决方案.

摘要： 本文提出了一种可以解决硅微机械传感器常规高温键合引起掺杂的再分布,热效应带来的应力以及温度超过硅铝共晶点引起器件失效等问题的金,金键合新方法.该技术与器件制造工艺兼容,键合温度低,有足够键合强度,对器件起到支撑和保护作用,实现了MEMS器件的芯片级封装.该技术已用于加速度计制造工艺中.

摘要： 电子工业的迅速发展，对PCB的制作提出更高的要求。随着表面安装技术的深入发展和芯片级封装(CSP)的兴起，要求PCB表面涂敷层具有较好的共面性，并且可以多次焊接及提供良好的焊点。化学锡工艺作为一种新的替代热风整平的PCB表面处理工艺，不仅能较好的满足当前电子产品的要求，而且适合人们对环保的要求。本文主要通过对化学锡工艺的应用，对其生产流程、工艺原理、性能特点及生产中出现的问题作以介绍。

摘要： 消费类电子产品的主要特征是小型化和多样化.为了实现小型化,将集成电路封装在芯片级封装内,或者根本不使用封装,即倒装芯片.新一代无源器件的尺寸已经减小到0201或是以芯片级封装的形式集成到陶瓷或硅芯片内.还有可能将无源器件集成到基板内.潜在的发展趋势是使用模板集成电路和无源器件集成到插线层(interposer),然后将其组装到母板上.由于这种技术日趋复杂,具有较细特征尺寸的基板是必需的,特别是用作插线层.例如用微孔、陶瓷材料内置层压基板,如象在玻璃陶瓷、硅基板、聚酰亚胺或聚脂箔和玻璃上镀铜或薄膜.在考虑组装工艺时,必须采用再流焊接工艺以适应新的元件的需求如芯片级封装和母板上的倒装芯片.在模块中可使用新的组装工艺,如导电胶进行粘结.环保意识也是一种趋势,其焦点是消除铅和卤化物的使用,用粘接的方法替代焊接、减少VOC的排放量,且设计不仅要面向组装,而且要面向分解.

摘要： 本文采用了普通封装方式和CSP封装方式对2835-LED光源进行封装,并研究了两种封装方式在不同温度及不同电流状态下热阻的变化.由测试结果可知,采用CSP封装的LED芯片与采用普通封装的LED芯片相比,具有更好的温度稳定性和电流稳定性.此外,本文还分别研究了在不同电流和不同温度下,采用CSP封装的LED芯片相比于普通封装的LED芯片的色温变化;由测试结果可知,采用CSP封装的2835-LED光源可以获得更低的色温区间,且可调控色温区间较宽,能够有更多的调控选择和更舒适的光色.

摘要： 本文采用了普通封装方式和CSP封装方式对2835-LED光源进行封装,并研究了两种封装方式在不同温度及不同电流状态下热阻的变化.由测试结果可知,采用CSP封装的LED芯片与采用普通封装的LED芯片相比,具有更好的温度稳定性和电流稳定性.此外,本文还分别研究了在不同电流和不同温度下,采用CSP封装的LED芯片相比于普通封装的LED芯片的色温变化;由测试结果可知,采用CSP封装的2835-LED光源可以获得更低的色温区间,且可调控色温区间较宽,能够有更多的调控选择和更舒适的光色.

摘要： 本文采用了普通封装方式和CSP封装方式对2835-LED光源进行封装,并研究了两种封装方式在不同温度及不同电流状态下热阻的变化.由测试结果可知,采用CSP封装的LED芯片与采用普通封装的LED芯片相比,具有更好的温度稳定性和电流稳定性.此外,本文还分别研究了在不同电流和不同温度下,采用CSP封装的LED芯片相比于普通封装的LED芯片的色温变化;由测试结果可知,采用CSP封装的2835-LED光源可以获得更低的色温区间,且可调控色温区间较宽,能够有更多的调控选择和更舒适的光色.

摘要： 本文采用了普通封装方式和CSP封装方式对2835-LED光源进行封装,并研究了两种封装方式在不同温度及不同电流状态下热阻的变化.由测试结果可知,采用CSP封装的LED芯片与采用普通封装的LED芯片相比,具有更好的温度稳定性和电流稳定性.此外,本文还分别研究了在不同电流和不同温度下,采用CSP封装的LED芯片相比于普通封装的LED芯片的色温变化;由测试结果可知,采用CSP封装的2835-LED光源可以获得更低的色温区间,且可调控色温区间较宽,能够有更多的调控选择和更舒适的光色.

摘要： 封装的发光器件包括具有上表面和下表面的载体衬底(20)、从衬底(20)上表面延伸到衬底下表面的第一和第二导电通孔(22S、B)以及在衬底上表面与第一导电通孔(22A)电接触的焊盘(24)。具有第一和第二电极的二极管(16)安装在焊盘上，第一电极(26)与焊盘(24)电接触。在二极管(16)上形成钝化层(32)，暴露二极管(16)的第二电极。在载体衬底的上表面上形成导电迹线(33)，与第二导电通孔(22B)和第二电极电接触。导电迹线在钝化层上并延伸过钝化层，以接触第二电极。封装发光器件的方法包括提供包括生长衬底和生长衬底上外延结构的外延片，将载体衬底焊接到外延片的外延结构，形成通过载体衬底的多个导电通孔，在外延结构中限定多个隔离的二极管，以及将至少一个导电通孔电连接到多个隔离的二极管中相应的二极管。

摘要： 本实用新型涉及一种芯片级LED封装支架、LED拼板、芯片级LED封装体及LED板，芯片级LED封装体包括芯片级LED封装支架、LED芯片及覆盖在该支架与LED芯片上的保护胶，芯片级LED封装支架包括基底、金属电极及其延伸出的金属引脚，金属电极包括：第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极，第一电极与其余金属电极分别有间距的相邻排布在基底上，第一电极与其余金属电极连接相反极性的电源，连接方式为一正四负或一负四正，设置多个金属电极的结构，实现多芯片的连接；在封装作业上，可根据芯片不同类型的需求，改变固晶和焊线的方式完成，支架通用性强；LED拼板由多个芯片级LED封装支架拼接而成；LED板由多个芯片级LED封装体拼接而成。

摘要： 本申请提供了一种芯片级封装方法，所述芯片级封装方法包括：提供胶层；提供膜层，所述膜层设置于所述胶层的一侧；对所述胶层进行多段切割，并取出所述胶层的至少部分，以形成多个间隔设置的胶块；提供光学元件，将所述光学元件设置于所述多个胶块背离所述膜层的一侧；及对所述光学元件、所述多个胶块及所述膜层进行切割，以得到单个光学支撑结构。相对于传统的光学芯片封装流程，本申请提供的所述芯片级封装方法步骤较更加简洁，且由所述多个胶块支撑所述光学元件，所述胶块具有更好的缓冲作用，使得所述感光芯片及所述光学元件不易损坏。本申请提供了一种芯片级封装结构及光电装置。

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

摘要： 本发明提供了一种芯片级封装白光芯片及其封装方法，其中，该方法中包括：S1将LED芯片依次排列在第一高温膜表面；S2将第二高温膜紧密贴于LED芯片表面；S3将荧光粉和硅胶均匀混合得到的荧光胶填满LED芯片之间的缝隙并固化；S4去除第二高温膜，切割得到单颗四周包括荧光胶的LED芯片；S5将第三高温膜紧密贴于步骤S4中LED芯片表面；S6将钛白粉、二氧化硅以及硅胶均匀混的得到的白胶填满LED芯片之间的缝隙并固化；S7去除第三高温膜，并在LED芯片表面贴荧光膜片；S8去除第一高温膜，切割得到单颗芯片级封装白光芯片，以此增大了LED芯片的发光角度，提高LED芯片的发光亮度，改善光斑。

摘要： 本申请提供了一种芯片级封装方法，所述芯片级封装方法包括：提供胶层；提供膜层，所述膜层设置于所述胶层的一侧；对所述胶层进行多段切割，并取出所述胶层的至少部分，以形成多个间隔设置的胶块；提供光学元件，将所述光学元件设置于所述多个胶块背离所述膜层的一侧；及对所述光学元件、所述多个胶块及所述膜层进行切割，以得到单个光学支撑结构。相对于传统的光学芯片封装流程，本申请提供的所述芯片级封装方法步骤较更加简洁，且由所述多个胶块支撑所述光学元件，所述胶块具有更好的缓冲作用，使得所述感光芯片及所述光学元件不易损坏。本申请提供了一种芯片级封装结构及光电装置。

摘要： 所述芯片级封装结构包括：基板、第一阶层、感光芯片、第二阶层及光学元件，所述基板的一侧围设有所述第一阶层，所述第一阶层具有容置空间，所述感光芯片设置于所述基板的一侧，且位于所述容置空间内，所述第二阶层围设于所述第一阶层背离所述基板的一侧，所述光学元件设置于所述第二阶层。所述感光芯片设置于所述容置空间内，提高了所述芯片级封装结构的空间利用率，节约了制造成本。同时，所述第二阶层用于承载或支撑所述光学元件，且形成了通孔。光线可经由所述光学元件及通孔入射至所述感光芯片，使得所述感光芯片正常工作。本申请还提供了一种光电装置及芯片级封装方法。

摘要： 本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

摘要： 本发明涉及半导体领域，公开了一种堆叠装配封装结构及芯片、芯片级封装芯片、电子设备。本发明中，堆叠装配封装结构包含：第一芯片以及第二芯片；第一芯片的基板底面的接点位置设有导电插件；第二芯片设有用于插入导电插件的插件连接部；第一芯片与第二芯片通过导电插件与插件连接部进行电性连接。通过这种方式，从而可以将第一芯片插设在第二芯片上，以实现两者之间的电性连接，使得芯片在堆叠装配封装时的组装较为方便，且易于维修时的拆装，并且与现有技术相比，去除掉了回流焊的过程，即简化了芯片堆叠装配封装的生产操作步骤。

摘要： 本实用新型适用于发光芯片的封装技术领域，提供了一种发光芯片的芯片级封装结构以及封装模具，结构包括：发光芯片、覆盖所述发光芯片的封装胶层以及用于提高光线发散率的导光部，所述导光部位于所述发光芯片的光线直射路径上并正对所述发光芯片。本实用新型实施例通过设置导光部，将发光芯片直射出的光线引导发散，使得最后射出封装胶层的光线分布更均匀，同时提高有效的发光角度，有利于后续的调光控制，也能兼顾发光角度和动态调光功能，对于调节对比度、灰度等级等过程会因为光线更均匀而调制出更好的效果。