芯片尺寸

摘要： 应用在功率模块以及高速处理器等器件上的半导体芯片具有功率密度高和芯片尺寸大等特点,对封装的散热和热应力释放都有很高的要求。两个元件之间的热膨胀系数(CTE)不匹配产生的热应力会危及相对薄弱的节点,导致芯片翘曲甚至开裂。由于热应力随着芯片工作温度和尺寸的增加而变大,对于大尺寸和大功率半导体芯片封装,热应力的威胁比传统封装严重得多。这使得开发能释放热应力、具有高热导率以及稳定连接界面的热界面(TIM)成为巨大的挑战。

摘要： 上海微电子首台2.5D/3D先进封装光刻机正式发运日前,上海微电子装备(集团)股份有限公司(以下简称“上海微电子”)举行首台2.5D/3D先进封装光刻机发运仪式,这标志着中国首台2.5D/3D先进封装光刻机正式交付客户。据介绍,此次发运的产品是上海微电子新一代的先进封装光刻机,主要应用于高端数据中心高性能计算(HPC)和高端AI芯片等高密度异构集成领域,可满足2.5D/3D超大芯片尺寸的先进封装应用需求,对丰富上海微电子的产品种类有着重要意义。

摘要： 6月6日晚间,扬杰科技披露对外收购公告,公司被确认为湖南楚微半导体科技有限公司(以下简称“楚微半导体”)40%股权转让项目的受让方,转让价格为2.95亿元。交易完成后,楚微半导体将成为扬杰科技的参股子公司。据了解,楚微半导体以半导体晶圆制造和服务为主业,目前已实现8寸线的规模化生产,月产达1万片,产能持续爬坡中。通过参股楚微半导体,扬杰科技将完善公司的芯片尺寸和全系列产能,突破产能瓶颈,强化中高端功率器件布局。

摘要： 数十KK级别的巨量转移技术是推动MicroLED商用的关键环节,现有LED芯片转移方式无法满足,需要全新的技术实现:MicroLED显示技术在芯片制作、巨量转移、检测修复等领域尚有很多技术问题要解决。MicroLED是未来最具潜力的新型显示技术:LEDinside定义MicroLED指无蓝宝石衬底,且芯片尺寸至少小于75pm的微型LED芯片,MicroLED阵列可以达到超高密度像素级别并具备自发光特性。

摘要： “万壑泉声松外去,数行秋色雁边来”。微电子技术和集成电路的迅速发展,使得显示设备逐渐向小型化、轻量化、节能化等方向发展,深刻影响了显示技术的发展。随着用户需求不断提升,各种显示技术如雨后春笋般涌现出来,Micro-LED成为以高真实度、互动和个性化显示为主要特点的第三代显示技术。Micro-LED具有芯片尺寸小、集成度高、自发光等特点。

摘要： 你想要处理器拥有更多的计算能力?那就加入更多的硅。但复杂性和成本正在破坏这一准则。AMD公司的塞缪尔·纳菲格(Samuel Naffziger)今年稍早在旧金山召开的国际固态电路会议(ISSCC)上对工程师表示:"芯片的绝对尺寸一直在无止境地增长,即将达到芯片制造设备的极限。与此同时,对于固定的芯片尺寸,每平方毫米的成本一直在不断增长,现在仍在加速。"

摘要： 联想Z6青春版作为全球首款支持北斗三号信号系统的手机,填补了我国国产双频北斗手机的空白,对于北斗民用化进程有巨大的促进作用。联想Z6青春版搭载的HD8040北斗高精度导航定位芯片基于华大北斗Cynosure平台架构,在一颗芯片上集成了射频、基带、处理器、存储器等单元,既缩小了芯片尺寸,又极大地优化了功耗,真正实现了单芯片双频北斗高精度定位解决方案。

摘要： 12月4日,英特尔在一项名为“自旋电子学”的技术领域取得了进展,未来芯片尺寸可缩小5倍,能耗最多可降低30倍。英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员展示了他们的“自旋电子学”方面的研究进展,这项新技术可以将未来的芯片尺寸缩小到目前的五分之一,能耗将降低10到30倍。

摘要： 目前SMD白光LED工艺流程已经发展很成熟,在封装材料上主要会涉及到支架,芯片,封装胶水,荧光粉和金线等材料,在封装过程中必须对这些封装材料进行优化获得高性价比的封装产品.在大功率封装和照明应用中使用的LED封装中这些材料随技术发展都已经得到了很好的解决,但对于智能手机LCD液晶屏背光源的010和020系列小尺寸LED封装,这些材料对封装的影响的研究还不充分,这两种系列封装结构是随超薄智能手机出现而出现的,由于它们的外观尺寸要比现有的封装结构尺寸要小很多,随之而来有许多问题需要研究和解决,本文主要讨论关于芯片大小和荧光粉颗粒度对封装整体效果和品质的影响,因为封装尺寸越小,芯片大小和荧光粉颗粒度的对封装影响的就越明显,特别是对光学效果和光学一致性,本文主要讨论芯片大小和荧光粉颗粒度的影响,本文采用通用的芯片大小和主流荧光粉,主要讨论光效对比,光分布,显示指数等和芯片大小和荧光粉颗粒度密切相关的参数,为了使实验结果具有普适性,本文没有选择光通量作为参数讨论,因为光通量由于受到芯片制程及荧光粉厂家有密切相关.

摘要： 目前SMD白光LED工艺流程已经发展很成熟,在封装材料上主要会涉及到支架,芯片,封装胶水,荧光粉和金线等材料,在封装过程中必须对这些封装材料进行优化获得高性价比的封装产品.在大功率封装和照明应用中使用的LED封装中这些材料随技术发展都已经得到了很好的解决,但对于智能手机LCD液晶屏背光源的010和020系列小尺寸LED封装,这些材料对封装的影响的研究还不充分,这两种系列封装结构是随超薄智能手机出现而出现的,由于它们的外观尺寸要比现有的封装结构尺寸要小很多,随之而来有许多问题需要研究和解决,本文主要讨论关于芯片大小和荧光粉颗粒度对封装整体效果和品质的影响,因为封装尺寸越小,芯片大小和荧光粉颗粒度的对封装影响的就越明显,特别是对光学效果和光学一致性,本文主要讨论芯片大小和荧光粉颗粒度的影响,本文采用通用的芯片大小和主流荧光粉,主要讨论光效对比,光分布,显示指数等和芯片大小和荧光粉颗粒度密切相关的参数,为了使实验结果具有普适性,本文没有选择光通量作为参数讨论,因为光通量由于受到芯片制程及荧光粉厂家有密切相关.

摘要： 目前SMD白光LED工艺流程已经发展很成熟,在封装材料上主要会涉及到支架,芯片,封装胶水,荧光粉和金线等材料,在封装过程中必须对这些封装材料进行优化获得高性价比的封装产品.在大功率封装和照明应用中使用的LED封装中这些材料随技术发展都已经得到了很好的解决,但对于智能手机LCD液晶屏背光源的010和020系列小尺寸LED封装,这些材料对封装的影响的研究还不充分,这两种系列封装结构是随超薄智能手机出现而出现的,由于它们的外观尺寸要比现有的封装结构尺寸要小很多,随之而来有许多问题需要研究和解决,本文主要讨论关于芯片大小和荧光粉颗粒度对封装整体效果和品质的影响,因为封装尺寸越小,芯片大小和荧光粉颗粒度的对封装影响的就越明显,特别是对光学效果和光学一致性,本文主要讨论芯片大小和荧光粉颗粒度的影响,本文采用通用的芯片大小和主流荧光粉,主要讨论光效对比,光分布,显示指数等和芯片大小和荧光粉颗粒度密切相关的参数,为了使实验结果具有普适性,本文没有选择光通量作为参数讨论,因为光通量由于受到芯片制程及荧光粉厂家有密切相关.

摘要： 目前SMD白光LED工艺流程已经发展很成熟,在封装材料上主要会涉及到支架,芯片,封装胶水,荧光粉和金线等材料,在封装过程中必须对这些封装材料进行优化获得高性价比的封装产品.在大功率封装和照明应用中使用的LED封装中这些材料随技术发展都已经得到了很好的解决,但对于智能手机LCD液晶屏背光源的010和020系列小尺寸LED封装,这些材料对封装的影响的研究还不充分,这两种系列封装结构是随超薄智能手机出现而出现的,由于它们的外观尺寸要比现有的封装结构尺寸要小很多,随之而来有许多问题需要研究和解决,本文主要讨论关于芯片大小和荧光粉颗粒度对封装整体效果和品质的影响,因为封装尺寸越小,芯片大小和荧光粉颗粒度的对封装影响的就越明显,特别是对光学效果和光学一致性,本文主要讨论芯片大小和荧光粉颗粒度的影响,本文采用通用的芯片大小和主流荧光粉,主要讨论光效对比,光分布,显示指数等和芯片大小和荧光粉颗粒度密切相关的参数,为了使实验结果具有普适性,本文没有选择光通量作为参数讨论,因为光通量由于受到芯片制程及荧光粉厂家有密切相关.

摘要： As lithography progresses into the sub-100 nanometer (nm) realm, the capital investment and technology needed to achieve smaller DRAM cell and chip sizes-and therefore reduced cost per bit-can be formidable. A solution many memory companies are trying to develop is to scale the cell area factor from a typical value of 8 down to 6(F2) for a given feature size F. Micron is the first manufacturer to implement the 6F2 cell architecture into production-four years ahead of the industry timeline. Converting to 6F2 utilizes 25 percent less array space than conventionally manufactured 8F2 arrays, and boosts manufacturing efficiency by approximately 20 percent. This paper discusses a manufacturable 6F2 DRAM technology, showing scalability to at least 78nm half-pitch feature size that results in the smallest DRAM cell size (0.036 μm2) reported to date. The 6F2 cell design enables the simplification of photo and etch processes and maximizes the capacitor cell area. An MIM capacitor that employs composite high-k dielectric materials is integrated into the process. This novel cell technology is suitable for 2Gb-and 4Gb-density DRAM with a competitive die size for volume production.

摘要： As lithography progresses into the sub-100 nanometer (nm) realm, the capital investment and technology needed to achieve smaller DRAM cell and chip sizes-and therefore reduced cost per bit-can be formidable. A solution many memory companies are trying to develop is to scale the cell area factor from a typical value of 8 down to 6(F2) for a given feature size F. Micron is the first manufacturer to implement the 6F2 cell architecture into production-four years ahead of the industry timeline. Converting to 6F2 utilizes 25 percent less array space than conventionally manufactured 8F2 arrays, and boosts manufacturing efficiency by approximately 20 percent. This paper discusses a manufacturable 6F2 DRAM technology, showing scalability to at least 78nm half-pitch feature size that results in the smallest DRAM cell size (0.036 μm2) reported to date. The 6F2 cell design enables the simplification of photo and etch processes and maximizes the capacitor cell area. An MIM capacitor that employs composite high-k dielectric materials is integrated into the process. This novel cell technology is suitable for 2Gb-and 4Gb-density DRAM with a competitive die size for volume production.

摘要： As lithography progresses into the sub-100 nanometer (nm) realm, the capital investment and technology needed to achieve smaller DRAM cell and chip sizes-and therefore reduced cost per bit-can be formidable. A solution many memory companies are trying to develop is to scale the cell area factor from a typical value of 8 down to 6(F2) for a given feature size F. Micron is the first manufacturer to implement the 6F2 cell architecture into production-four years ahead of the industry timeline. Converting to 6F2 utilizes 25 percent less array space than conventionally manufactured 8F2 arrays, and boosts manufacturing efficiency by approximately 20 percent. This paper discusses a manufacturable 6F2 DRAM technology, showing scalability to at least 78nm half-pitch feature size that results in the smallest DRAM cell size (0.036 μm2) reported to date. The 6F2 cell design enables the simplification of photo and etch processes and maximizes the capacitor cell area. An MIM capacitor that employs composite high-k dielectric materials is integrated into the process. This novel cell technology is suitable for 2Gb-and 4Gb-density DRAM with a competitive die size for volume production.

摘要： 本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法。该芯片尺寸封装方法包含下列步骤：研磨一圆片的一底面；设置一基底的一底面于一载具；通过一粘着层接合已研磨的该圆片的该底面至该基底的一顶面；分离该载具；耦合该圆片的多个连接垫至该基底的多个外部连接垫，其中这些连接垫形成于该圆片的一顶面，且这些外部连接垫形成于该基底的一底面；以及切割该圆片为多个芯片尺寸封装结构。

摘要： 根据本发明，芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外，为改善CSP的可靠性，提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力，并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后，锯切半导体晶片，得到单个CSP。

摘要： 一种无基板的倒装芯片的芯片尺寸封装结构，属于半导体封装领域，其特征在于，包括倒装芯片(1)、凸点(2)、模塑料(3)和底部填充料(4)，还包括Cu焊盘(5)和焊球(6)。本发明主要采用Cu板(箔)及其蚀刻代替传统通用的BT Core(双马来酰亚胺三嗪树脂芯板)刚性基板或者其他挠性基板以及工艺等来实现再布线和内外部的互连，省去了基板层的制造，大大降低了生产成本，生产社会效益显著。

摘要： 本发明提供一种芯片尺寸封装结构及其芯片尺寸封装方法。该芯片尺寸封装方法包含下列步骤：研磨一圆片的一底面；设置一基底的一底面于一载具；通过一粘着层接合已研磨的该圆片的该底面至该基底的一顶面；分离该载具；耦合该圆片的多个连接垫至该基底的多个外部连接垫，其中这些连接垫形成于该圆片的一顶面，且这些外部连接垫形成于该基底的一底面；以及切割该圆片为多个芯片尺寸封装结构。

摘要： 根据本发明,芯片尺寸封装CSP以晶片级制造。CSP包括芯片、用于再分布芯片的芯片焊盘的导电层、一个或两个绝缘层以及通过导电层与相应芯片焊盘相连并为CSP的端子的多个凸起。此外,为改善CSP的可靠性,提供了加强层、边缘保护层和芯片保护层。加强层吸收当CSP安装在线路板上并被长期使用时作用于凸起的应力,并延长凸起及CSP的寿命。边缘保护层和芯片保护层防止外力损坏CSP。在半导体晶片上形成所有构成CSP的元件之后,锯切半导体晶片,得到单个CSP。

摘要： 本发明公开了一种三维芯片堆叠芯片尺寸封装结构及制造方法，包含一个第一芯片和至少一个第二芯片，第一芯片具有上下两个表面，第一芯片的上表面设置有若干焊盘，焊盘上设置有焊盘导电层，第二芯片通过倒装和第一芯片上表面焊盘的导电层互连，第一芯片上设置有高于第二芯片的BGA球，第一芯片上表面、第二芯片和BGA球被模塑料包裹，BGA球顶部置于模塑料外。本发明在只封装第一芯片和其上设置有第二芯片和BGA球，能够更好的控制封装后的芯片高度；将BGA球直接与第一芯片连接，能够直接将热量传到至第一芯片，从而获得更好的散热效果，并且本封装结构中芯片的连接距离小，减小了芯片的翘曲，能够提供更好的电学性能。

摘要： 一种芯片尺寸等级的感测芯片封装体及其制造方法，该感测芯片封装体包括：感测芯片、间隔层及第一黏着层。感测芯片具有第一上表面与第一下表面，且包括：邻近第一上表面的感测组件及位于第一上表面且相邻感测组件的多个导电垫；多个第一贯通孔，位于第一下表面且露出所对应的导电垫表面；多个导电结构，设置于第一下表面；及重布线层，位于第一下表面及第一贯通孔内，用以连接导电垫及导电结构。间隔层设置于感测芯片上且环绕感测组件，且具有第二上表面、第二下表面及贯穿第二上表面与第二下表面的开口，开口对应于感测组件，且其内壁与感测组件保持预定的距离d，d>0。第一黏着层位于第二下表面与第一上表面之间。

摘要： 本实用新型公开了一种三维芯片堆叠芯片尺寸封装结构，包含一个第一芯片和至少一个第二芯片，第一芯片具有上下两个表面，第一芯片的上表面设置有若干焊盘，焊盘上设置有焊盘导电层，第二芯片通过倒装和第一芯片上表面焊盘的导电层互连，第一芯片上设置有高于第二芯片的BGA球，第一芯片上表面、第二芯片和BGA球被模塑料包裹，BGA球顶部置于模塑料外。本实用新型在只封装第一芯片和其上设置有第二芯片和BGA球，能够更好的控制封装后的芯片高度；将BGA球直接与第一芯片连接，能够直接将热量传到至第一芯片，从而获得更好的散热效果，并且本封装结构中芯片的连接距离小，减小了芯片的翘曲，能够提供更好的电学性能。

摘要： 本实用新型公开了一种带边缘保护的晶圆级芯片尺寸封装结构及切割后形成的芯片封装单元，晶圆级芯片尺寸封装结构包括晶圆和玻璃板，晶圆包括若干个芯片单元和形成与芯片单元之间并贯通芯片单元的预切割道，每个芯片单元包括硅基板、氧化层、钝化层、若干个PIN脚、通孔和金属线路层，金属线路层上植有多个焊球，通孔内和金属线路层外覆盖有第一绝缘层；玻璃板的一面铺设有第二绝缘层，第二绝缘层通过粘合层与氧化层压合在一起；第一绝缘层的周边延伸至预切割道内，并覆盖住氧化层的周侧。本实用新型能够将作用于晶圆或芯片单元的氧化层内的应力分散与钝化层或者绝缘层中，避免氧化层的断裂，达到提高产品的可靠性的目的。

摘要： 一种芯片尺寸等级的感测芯片封装体，其包括：感测芯片、间隔层及第一黏着层。感测芯片具有相对的第一上表面与第一下表面，且包括：邻近第一上表面的感测组件及位于第一上表面且相邻感测组件的多个导电垫；多个第一贯通孔，位于第一下表面且露出所对应的导电垫表面；多个导电结构，设置于第一下表面；及重布线层，位于第一下表面及第一贯通孔内，用以连接导电垫及导电结构。间隔层设置于感测芯片上且环绕感测组件，且具有第二上表面、第二下表面及贯穿第二上表面与第二下表面的开口，开口对应于感测组件，且其内壁与感测组件保持预定的距离d，且d0。第一黏着层位于第二下表面与第一上表面之间。