色纯度

摘要： 采用高温固相法合成了一系列Eu^(2+)激活的Sr_(3)LnM(PO_(4))_(3)F(Ln=Gd,La,Y;M=Na,K)荧光粉,并通过X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光光谱等对样品的物相结构、形貌和发光特性进行了表征及分析。结果表明:成功合成了Sr_(3)LnM(PO_(4))_(3)F∶Eu^(2+)荧光粉,样品的粒径为2~10μm。荧光粉在蓝光区具有强烈的发射,归属为发光中心Eu^(2+)的4f^(6)5d→4f^(7)跃迁。当基质中的碱金属M由Na变成K时,Eu^(2+)的发光颜色由淡蓝色变成深蓝色,色纯度大幅提高,有效地调控了Eu^(2+)在氟磷灰石Sr_(3)LnM(PO_(4))_(3)F中的发光,进而发现了一种通过改变第二层配位原子来调控Eu^(2+)发光的策略。

摘要： 有机电致发光器件的发光颜色与色纯度在很大程度上受限于有机材料本身特性,而通过光学微腔效应可以从器件结构的改变来进行色纯度的调节。本文介绍了一种通过调节有机结构中空穴传输层和电子阻挡层厚度,从而改变器件微腔腔长,获得高纯度顶发射单色发光器件的方法。利用这种方法制作的有机顶发射绿色磷光器件结构为Si Substrate/Ag/ITO/NPB:F16CuPc(10 nm,3%)/NPB(x nm)/TCTA(y nm)/mCP:Ir(ppy)3(40 nm,6%)/Bphen:Liq(30 nm,40%)/Mg:Ag(12 nm,10%)/Alq3(35 nm),改变NPB和TCTA的厚度,获得了高色纯度发光器件,正向出射绿光的色坐标达到(0.2092,0.7167),接近标准绿光(0.21,0.71)。

摘要： 颜色的色品除用色坐标表示外,还可采用主波长和色纯度来表示.本文以色度学理论为基础,提出了一种提高LED灯具色纯度的方法,包括了获取待制作LED灯具的色系、选择LED类型、确定LED色坐标色域范围、制得各色灯罩等过程.实验结果表明采用此方法可有效提高LED灯具的色纯度,大大降低高色纯度LED灯具制作过程所需耗费成本;同时,可扩大LED灯具可选择的色域和主波长范围,增强了该制作方法的适用性.

摘要： 通过对螯合配体及辅助配体的设计与筛选,构筑了一种全新的天蓝光铱金属配合物(MeFPyPy)2Ir(dipc-MePy)(简称MFPMP),实现了三重态配体中心、三重态金属-配体电荷转移和/或三重态配体-配体电荷转移跃迁类型混合比例较优化的发光过程.以MFPMP作为发光体的磷光有机电致发光器件实现了半峰宽为52 nm,最大发光波长为476 nm的窄光谱、单峰型、高亮度、高效率天蓝光发射,并在1000 cd/m2的实用亮度下保持了25％以上的外量子效率(EQE),与目前报道的最高水平有机电致发光器件性能相当.本工作为进一步开发色纯度更高、更具有实用性的磷光配合物发光材料提供了一条可行的途径.

摘要： 利用共沉淀法制备了Er3+/Yb3+共掺杂YPO4上转换发光材料,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis)和上转换发射光谱(UPL)对合成样品的物相结构、形貌、化学成分和光学性能进行研究,并对Er3+和Yb3+的掺杂量(摩尔分数,％)对合成样品的物相结构及上转换发光性能的影响进行分析.结果 表明:制各样品为纯相四方晶系的Er3+Yb3+共掺杂YPO4晶体,Yb3+的掺杂量对产物的物相结构无显著影响.所制备产物在980 nm的近红外光激发下,发射出Er3+特征的上转换绿色光,其绿色光色纯度达到96％以上,色温接近日光.YPO4∶1％Er3+/20％Yb3+样品具有相对更优的上转换发光性能;过高浓度Yb3+和Er3+共掺杂导致样品出现浓度猝灭现象.此外,对制各样品的上转换发光材料发光机制及能量跃迁机理进行了讨论.

摘要： 采用高温固相法制备出了一系列Li3Ba2Tb3-x(WO4)8∶x Eu 3+(x=0.01~0.06)红色荧光粉,利用x射线、光致发光光谱(PL)和荧光热稳定性等对其结构和发光性能进行了分析表征.实验结果表明,Eu 3+较好地掺入到了Li3Ba2Tb3(WO4)8结构中去,成为了良好的发光中心,在487 nm的蓝光激发下,616 nm处有对应于Eu^3+的5D0→7F2跃迁的强烈橙红光发射.发射光谱的变化规律表明,随着Eu^3+掺杂量的变化,存在Tb^3+到Eu^3+的有效能量转移,且在x=0.05时荧光强度达到最大值.荧光粉的热释性结果显示,在接近275°C时其荧光性能才开始明显衰减,表明此类荧光粉具有较高的热稳定性.因此,Li3Ba2Tb3-x(WO4)8∶x Eu3+(x=0.01~0.06)是一种具有良好应用前景的红色荧光粉.

摘要： 本文介绍了一个找出发光二极管LED在实际应用中如何使它的外加的安全工作电流(或电压)值与其彩色发光光谱能够进行最佳匹配的综合性物理实验的设计思想和实验方法,并以蓝光LED为例,对其伏安特性、发光光谱的峰值波长、主波长、半峰宽度、色纯度等物理量进行了实际测量和计算,涉及到电学、光学、色度学等多个学科领域,综合各方面数据进行了比较分析,找出了这些量之间的最佳匹配区域,对LED的使用具有很好的辅助作用。

摘要： 用量子点进行显示具有高性能、低成本等优势.作为一项"颠覆性技术",量子点显示将在显示行业掀起一场技术革命,为我国显示产业突破国外技术和专利封锁,占据产业科技制高点,实现"换道超车"提供了良好的契机.主要介绍了量子点发光显示关键材料与器件研究的相关进展,以及其在中国显示行业的应用现状与前景.%The use of quantum dot ,the best emissive materials ever made in history ,is revolutionary in display in-dustry ,which may lead to a new generation of high-performance and low-cost display devices .The development of quantum-dot based display technology in China shall make China have a leading position in the competition of next-generation display technologies .This paper mainly introduces the research progress and application prospect of the key materials and devices of quantum dot based display technology .

摘要： 本文介绍了一种测量分析LED在通电后正常工作时,其光谱谱线及峰值波长随工作电流的变化产生偏移以及由此而引起的色纯度变化的综合性物理实验,并给出了实验方法及测量计算结果.

摘要： 本文中提出了一种方法,将CIE 1931xy色度图分成了三个区,选定520nm色度点与等能白光连线作为参考轴，使用向量法计算其它主波长与其之间的夹角,并进行了计算，采用Slogistic函数进行拟合,拟合优度R2达到0.999.得到了一种简便、精确的计算光谱主波长及色纯度的方法。

摘要： 本文从实验生产的角度出发,研究了不同掺杂浓度下Alq3:DCJTB系统的红色OLED器件,综合考虑了掺杂浓度、发光效率和色纯度这三者之间的关系,优化红色OLD器件的制作工艺,制备了高效率、高色饱和度的红光器件,为生产制作红光OLED器件做准备。

摘要： 本文从实验生产的角度出发,研究了不同掺杂浓度下Alq:DCJTB系统的红色OLED器件,综合考虑了掺杂浓度、发光效率和色纯度这三者之间的关系,优化红色OLED器件的制作工艺,制备了高效率、高色饱和度的红光器件,为生产制作红光OLED器件做准备.

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： The interface between the organic layer and the ITO layer in organic 1iglt-emitting diode (OLED) iscrucial to device performance. We used the semiconductor silver oxide to modify TTO anode in polymerlight-emitting diodes(PLED)，and the device efficiency was increased, which was attributed to the balamceableinjection of hole and electron by suppressing the hole injection. Meanwhile, the morphology of the AgOx cm the ITO surface was investigated by atomic force microscopy (AFM).

摘要： 提供一种发光二极管，具有LED层，所述LED层配置为从发光表面发射具有泵浦光波长的泵浦光，所述LED层包括多个III族氮化物层。在所述LED层的发光表面上设置容器层，容器表面包括开口，所述开口通过所述容器层到所述LED层的发光表面来限定容器容积。在所述容器容积中设置颜色转换层，所述颜色转换层配置为吸收泵浦光和发射转换光，所述转换光的转换光波长大于所述泵浦光波长。在开口上方的容器表面上设置透镜，所述透镜在所述透镜与所述颜色转换层相对的一侧上具有凸面。在所述透镜的凸面之上设置泵浦光反射器层压板，所述泵浦光反射器层压板具有阻带，所述阻带配置为反射以第一波长为中心的泵浦光。

摘要： 本申请涉及一种多墨水通道打印机输出数据的色纯度增强方法，通过按照像素遍历多墨水通道打印机输出图像，全局分析其中墨量占比较小的每一墨水通道，并结合墨量清除阈值、衰减半径、清除方式选择阈值参数，采用特别小的墨量直接清除，比较小的墨量采用概率清除与比例清除混合算法确定清除量，且将清除量按照像素恒亮规则、灰成分替换规则转换至适当通道上，从而消除或者尽量减小这些小墨量通道数据对打印输出结果的影响，达到增强多墨水通道打印机输出结果视觉纯净度且保持原渐变图像过渡流畅的目的。

摘要： 本发明公开了一种高色纯度高热稳定性红色荧光材料及其制备方法，该红色荧光材料的化学式为Sr2Eux(ScTi)1‑xO6，其中x为发光中心离子Eu3+掺杂的摩尔百分数，0.001≤x≤0.06；按照化学式中各元素的化学计量比分别称取原料，混合后溶解于硝酸中并用去离子水稀释，得到金属离子混合盐溶液，先将溶液在温度为40～80°C的条件下搅拌，然后将溶液置于500～700°C的条件下预煅烧得到前驱体粉末，最后将前驱体粉末在空气气氛中煅烧，研磨后即得。本发明提供的红色荧光材料，Eu3+成功取代Sc3+和Ti4+部分，纯度高，在近紫外和蓝光区域具有有效的光吸收，其色纯度可达98～99％，热稳定性好，与传统红色荧光粉相比抗热劣化效果提高了20～30％。

摘要： 本发明公开了一种高色纯度天然棕色棉抗菌纱线的加工方法，将天然棕色棉与染色纤维混合作为原料，所述原料中，天然棕色棉的质量含量为90％～99.8％；将原料共混纺纱，得高色纯度天然棕色棉抗菌纱线。经本发明方法加工的天然棕色棉纱线，色彩纯度明显提升，色系不变；对比现有方法，本发明得到的天然棕色棉纱线抗菌性能基本不变。本方法简便、易于在现有纺纱加工设备上进行，加工成本低。

摘要： 本发明可容易地测量在多个测量点上每个的色纯度量。一个调整线圈(9)设置在彩色阴极射线管(1)的颈部。而且,设置了彩色图像拾取装置(4),用于摄取彩色阴极射线管的屏幕。红、绿和蓝色中任一个的单色信号输入给该彩色阴极射线管。此后,当改变流过调整线圈的电流时,彩色拾取装置获得的图像拾取信号被分解成红、绿和蓝色信号分量,并测量每个信号的强度。接着,利用提供给调整线圈的电流值和彩色阴极射线管上红、绿和蓝色发光区域之间的位置距离来确定对调整线圈的单位电流值的电子束移动量。由此,根据对调整线圈的单位电流值的电子束移动量获得测量点处的色纯度量。

摘要： 本发明公开了一种新型高亮度高色纯度钛酸盐上转换绿色荧光粉及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明的荧光粉，其化学组成如下：La4‑x‑yTi9O24:xEr,yYb，其中：0.01≤x≤0.09，0＜y≤0.40。本发明的荧光粉可利用高温固相法和溶胶‑凝胶法制得。该新型钛酸盐绿色荧光粉在980nm的激光器的激发下可以发出很强的绿光并且其色纯度可以达到97％左右。本发明的工艺流程简单，合成的稀土铒离子、镱离子掺杂的钛酸盐材料发光效果好。

摘要： 本发明公开了一种高色纯度天然棕色棉抗菌纱线的加工方法，将天然棕色棉与染色纤维混合作为原料，所述原料中，天然棕色棉的质量含量为90％～99.8％；将原料共混纺纱，得高色纯度天然棕色棉抗菌纱线。经本发明方法加工的天然棕色棉纱线，色彩纯度明显提升，色系不变；对比现有方法，本发明得到的天然棕色棉纱线抗菌性能基本不变。本方法简便、易于在现有纺纱加工设备上进行，加工成本低。

摘要： 一种高色纯度、高稳定性的发光绿色荧光粉及其制备方法，该荧光粉呈四方晶体结构，化学式为(Mg1‑x‑ySrxMny)4B6O13，式中，x为Sr2+掺杂Mg2+位的摩尔比，0.1≤x≤0.3，y为Mn2+掺杂Mg2+位的摩尔比，0.005≤y≤0.02。其制备方法为：称取各原料及助溶剂，球磨混合均匀，放置于马弗炉中干燥，再置于空气中煅烧，煅烧温度为800～1000°C，煅烧时间为5～7h，自然冷却到室温后得到绿色荧光粉。本发明制备的荧光粉分散性较好，晶格发育完整，发光效率高，稳定性好；整个发光体系原料来源丰富易得，制备方法简单易行且灵活，生产成本低，可用于高品质背光源、投影、照明等领域。

摘要： 一种高色纯度蓝色荧光粉及其制备方法，属于发光材料制备应用技术领域。本发明提供了一种荧光粉，其化学式为BaSiF6:7mol%Ce3+,x mol%Eu2+，其中0.05≤x≤1，通过溶液燃烧法制备。本发明制备的荧光粉在362nm的激发下在440nm处具有发射，其色纯度为96~97%。本发明提供的制备方法工艺简单，产品性能稳定，适合工业化生产。

摘要： 本实用新型公开了一种高色纯度LED灯，包括灯筒、面环、灯罩、光源组件，灯筒具有容纳腔，光源组件安装于容纳腔内，灯罩嵌设于面环的内侧壁，面环与灯筒的顶部密封连接，灯罩的内侧面贴附有蓝光滤波片；灯罩与面环的内侧壁之间设置有第一密封圈，面环与灯筒的连接处设置有第二密封圈。蓝光滤波片为光学玻璃结构，不受水汽影响其滤光性能，并且在面环与灯筒、灯罩的连接处设置两级密封圈，可进一步降低水汽进入灯筒内部，减少起雾和起潮，保障照明效果。