DBR

摘要： 军用电子装备的生产组织具有"多品种、变批量"特征,其生产所用模具具有结构复杂、"三化"程度低、制造精度高等特点,直接导致了模具生产制造品种多、周期长,难以快速响应装备制造的个性化需求.针对这一现状,将TOC应用于复杂模具生产制造的组织管理中,通过DBR计划控制模式解决目前普遍存在的模具生产节奏跟不上装备生产计划需求和生产周期长的难题.

摘要： 基于设计的研究(DBR)是一种教育教学研究模式,是指在模拟真实的场景下分析、设计教育教学方法,通过不断的设计、应用、反馈、修正而逐渐的完善教学方案,提高教育教学水平的方式和方法.目前,很多专家和学者研究将DBR运用于翻转课堂中,采用最新的科学与技术,改变传统课堂的填鸭式教学,以提高教育教学水平.本文在此背景下探讨DBR下建立实践类课程翻转课堂的教学模式.

摘要： 半导体激光器因其效率高、体积小、发光范围广、价格低廉等优势一直作为激光器中最重要、最实用的一类,其中1.5 μm附近是半导体激光器中非常重要的一个波段,目前该波段已经在医疗、激光雷达、光纤通信、保密通信、军工等领域有广泛应用。1.5 μm附近半导体激光器在结构上一般使用分布式反馈型和分布式布拉格光栅型结构,在有源区上,量子阱结构目前发展得最为成熟,量子点结构也在不断研究过程中。本文围绕1.5 μm波段的半导体激光器,主要讨论量子阱激光器和量子点激光器,其中包含DFB和DBR结构,叙述纳米低维结构激光器的技术发展,分析其技术特点,对1.5 μm波段的半导体激光器的技术发展趋势进行了展望。

摘要： 基于Winhex软件,介绍了数据恢复的原理,以NFTS文件系统中的DBR是否被破坏,分两种情形,分别详细地提供了数据恢复的方法.通过实验证明可以有效解决DBR故障类数据恢复,该方法可以提高数据恢复的速度和准确度.

摘要： 每个逻辑分区中的EBR均与EBR1有直接联系，其映射关系都是在EBR1基础上的相对位置，只有得到了EBR1的位置才有可能完善分区的链式结构；通过搜索查找、计算跳转、分析辨别，反复识别区分DBR与EBR，直到第一个EBR的出现即为EBR1,也就是扩展分区的开始，进而完成分区的恢复。

摘要： 对比研究了倒装LED芯片的银镜倒装和DBR倒装两种技术方案各自特点.结果表明:银镜倒装芯片具有高电流密度驱动的优势;DBR倒装芯片具有良好的机械强度及工艺成熟特点.DBR在垂直方向入射的反射率较高,但大角度掠射的反射效果略差.金属反射膜虽然整体的反射率低一些,但各个角度反射率保持得很好,可以弥补DBR斜角入射反光的不足.

摘要： 鼓-缓冲-绳法(DBR)改变了传统生产管理的方式,它强调瓶颈工序生产计划与调度,其他工序围绕瓶颈工序工作.传统DBR理论缺乏对人员与设备双重资源约束条件下的分析,建立有效的双重资源指派规则有利于DBR理论的实现和双重资源约束的协调.以瓶颈工序优先选择为前提,将投料工序、瓶颈资源的前后工序的先后顺序组成六个指派规则,通过晶圆制造的实验证明不同双重约束指派规则对DBR理论有直接影响,投料工序安排到中间环节更有利于加工时间缩短和生产效率提升,员工闲置率更低.

摘要： 随着exFAT文件系统在闪存中的广泛应用,exFAT文件系统下数据被破坏故障也越来越多,特别是由于DBR被破坏后产生的“提示格式化”故障更为普遍.这类故障一旦处理不当将给用户的数据带来不可估量的损失.本文通过实际案例详细分析exFAT文件系统结构,介绍手动修复DBR方法及过程,有效解决了此类问题,具有普遍应用价值.

摘要： 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示需要40个周期以上才能达到反射率高于99﹪的DBR。腔层折射率对DBR反射率有影响,生长顺序为LH…LH时,腔层的折射率大于高折射率层的膜系前几个周期的反射率会先下降,再增加;若腔层的折射率小于高折射率层的,反射率会单调增加,这是由于反射光相位相消相长引起的。考虑色散关系,对各种生长厚度所允许的偏差进行了模拟。发现当周期厚度不变,高折射率层厚度偏厚或偏薄,中心波长分别红移或蓝移,而且高反射带带宽都变窄,中心波长反射率都降低。对DBR加腔层结构和整个VCSEL结构模拟显示:腔层厚度偏厚或偏薄,腔膜往长波或短波方向偏移。模拟光场分布显示,DBR生长顺序相反时在腔内形成的驻波波峰波谷位置相反。因此设计DBR生长顺序要考虑腔层折射率是高还是低于DBR材料的折射率。生长各层时厚度要力求精确,因为DBR各层厚度偏差会导致中心波长偏移反射率降低和高反射带变窄。腔层厚度偏差会导致腔膜移动。

摘要： 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示需要40个周期以上才能达到反射率高于99﹪的DBR。腔层折射率对DBR反射率有影响,生长顺序为LH…LH时,腔层的折射率大于高折射率层的膜系前几个周期的反射率会先下降,再增加;若腔层的折射率小于高折射率层的,反射率会单调增加,这是由于反射光相位相消相长引起的。考虑色散关系,对各种生长厚度所允许的偏差进行了模拟。发现当周期厚度不变,高折射率层厚度偏厚或偏薄,中心波长分别红移或蓝移,而且高反射带带宽都变窄,中心波长反射率都降低。对DBR加腔层结构和整个VCSEL结构模拟显示:腔层厚度偏厚或偏薄,腔膜往长波或短波方向偏移。模拟光场分布显示,DBR生长顺序相反时在腔内形成的驻波波峰波谷位置相反。因此设计DBR生长顺序要考虑腔层折射率是高还是低于DBR材料的折射率。生长各层时厚度要力求精确,因为DBR各层厚度偏差会导致中心波长偏移反射率降低和高反射带变窄。腔层厚度偏差会导致腔膜移动。

摘要： 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示需要40个周期以上才能达到反射率高于99﹪的DBR。腔层折射率对DBR反射率有影响,生长顺序为LH…LH时,腔层的折射率大于高折射率层的膜系前几个周期的反射率会先下降,再增加;若腔层的折射率小于高折射率层的,反射率会单调增加,这是由于反射光相位相消相长引起的。考虑色散关系,对各种生长厚度所允许的偏差进行了模拟。发现当周期厚度不变,高折射率层厚度偏厚或偏薄,中心波长分别红移或蓝移,而且高反射带带宽都变窄,中心波长反射率都降低。对DBR加腔层结构和整个VCSEL结构模拟显示:腔层厚度偏厚或偏薄,腔膜往长波或短波方向偏移。模拟光场分布显示,DBR生长顺序相反时在腔内形成的驻波波峰波谷位置相反。因此设计DBR生长顺序要考虑腔层折射率是高还是低于DBR材料的折射率。生长各层时厚度要力求精确,因为DBR各层厚度偏差会导致中心波长偏移反射率降低和高反射带变窄。腔层厚度偏差会导致腔膜移动。

摘要： 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示需要40个周期以上才能达到反射率高于99﹪的DBR。腔层折射率对DBR反射率有影响,生长顺序为LH…LH时,腔层的折射率大于高折射率层的膜系前几个周期的反射率会先下降,再增加;若腔层的折射率小于高折射率层的,反射率会单调增加,这是由于反射光相位相消相长引起的。考虑色散关系,对各种生长厚度所允许的偏差进行了模拟。发现当周期厚度不变,高折射率层厚度偏厚或偏薄,中心波长分别红移或蓝移,而且高反射带带宽都变窄,中心波长反射率都降低。对DBR加腔层结构和整个VCSEL结构模拟显示:腔层厚度偏厚或偏薄,腔膜往长波或短波方向偏移。模拟光场分布显示,DBR生长顺序相反时在腔内形成的驻波波峰波谷位置相反。因此设计DBR生长顺序要考虑腔层折射率是高还是低于DBR材料的折射率。生长各层时厚度要力求精确,因为DBR各层厚度偏差会导致中心波长偏移反射率降低和高反射带变窄。腔层厚度偏差会导致腔膜移动。

摘要： 采用光学传输矩阵法推导出多层膜的反射率公式,在此基础上对晶格匹配AlInN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)和由其构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构进行数值模拟。模拟结果显示需要40个周期以上才能达到反射率高于99﹪的DBR。腔层折射率对DBR反射率有影响,生长顺序为LH…LH时,腔层的折射率大于高折射率层的膜系前几个周期的反射率会先下降,再增加;若腔层的折射率小于高折射率层的,反射率会单调增加,这是由于反射光相位相消相长引起的。考虑色散关系,对各种生长厚度所允许的偏差进行了模拟。发现当周期厚度不变,高折射率层厚度偏厚或偏薄,中心波长分别红移或蓝移,而且高反射带带宽都变窄,中心波长反射率都降低。对DBR加腔层结构和整个VCSEL结构模拟显示:腔层厚度偏厚或偏薄,腔膜往长波或短波方向偏移。模拟光场分布显示,DBR生长顺序相反时在腔内形成的驻波波峰波谷位置相反。因此设计DBR生长顺序要考虑腔层折射率是高还是低于DBR材料的折射率。生长各层时厚度要力求精确,因为DBR各层厚度偏差会导致中心波长偏移反射率降低和高反射带变窄。腔层厚度偏差会导致腔膜移动。

摘要： DBR是生产计划的核心,是实现生产组织优化的关键.本文通过DBR在生产组织中的实践,优化了生产过程,实现了管理上的突破,增强了组织的竞争力,为现代管理理念在国有企业中的实践,做出了可贵的探索.

摘要： DBR是生产计划的核心,是实现生产组织优化的关键.本文通过DBR在生产组织中的实践,优化了生产过程,实现了管理上的突破,增强了组织的竞争力,为现代管理理念在国有企业中的实践,做出了可贵的探索.

摘要： DBR是生产计划的核心,是实现生产组织优化的关键.本文通过DBR在生产组织中的实践,优化了生产过程,实现了管理上的突破,增强了组织的竞争力,为现代管理理念在国有企业中的实践,做出了可贵的探索.

摘要： DBR是生产计划的核心,是实现生产组织优化的关键.本文通过DBR在生产组织中的实践,优化了生产过程,实现了管理上的突破,增强了组织的竞争力,为现代管理理念在国有企业中的实践,做出了可贵的探索.

摘要： 该文报导InGaAs/GaAs谐振腔增强型(RCE)光调制器的结构设计。首先作者们计算了InGaAs/GaAs多量子阱结构二维激子吸收系数和量子限制Stark效应，对谐振腔增强型光调制器的结构参数进行了理论分析，优化设计出适合于倒装焊工艺的谐振腔增强型光调制器微结构。

摘要： 本发明公开了一种DBR滤波器，所述DBR滤波器包括：耦合单元和至少一个DBR谐振腔，所述至少一个DBR谐振腔通过所述耦合单元串接；所述DBR谐振腔包括：DBR单侧枝节和补偿单元，所述至少一个DBR谐振腔的所有DBR单侧枝节设置于所述耦合单元的一侧，所述至少一个DBR谐振腔的所有补偿单元设置于所述耦合单元的另一侧。本发明同时还公开了一种DBR双工器。采用本发明的技术方案，既保证了DBR滤波器的通带要求，又使得DBR滤波器的尺寸仅为原有DBR滤波器尺寸的一半，大大减小了DBR滤波器及DBR双工器的尺寸，且隔离性更好。

摘要： 本发明公开了一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法，采用离子束刻蚀方法对垂直腔面发射激光器的DBR层中低折射率层进行介孔刻蚀，从而提高组成DBR两层折射率差，该方法操作简单，控制精准，能够保证获得介孔的尺度和精度，能够实现高反射率的同时，降低DBR的周期数。具体在纳米阵列器件制备过程中，采用了聚焦离子束切割设备对芯片进行了直接选区刻蚀，利用了聚焦离子束切割设备的优势，相对于干法刻蚀技术，减少了蒸镀保护层，能够避免干法刻蚀精度差所引起的损伤，而离子束刻蚀导致的辐照损伤也可以通过湿法腐蚀去除。本发明方法简单可控，能够保证获得介孔的尺度和精度，实现高反射率，低周期数的DBR。

摘要： 本发明公开了一种DBR结构及设有该DBR结构的LED芯片，包含：至少三组膜系，其中，第一组膜系的中心波长为λ

摘要： 本发明公开了一种基于微槽结构的DBR激光器的折射率传感器及其制备方法，该折射率传感器包括泵浦光源、单模光纤、光波分复用器、带有微槽结构的DBR激光器、隔离器、偏振控制器和光功率计；其中，所述带有微槽结构的DBR激光器通过单模光纤与光波分复用器连接，光波分复用器分别通过单模光纤与泵浦光源以及隔离器相连，隔离器与偏振控制器、光功率计依次串联连接。本发明利用不同折射率材料对DBR激光器出射激光造成的不同损耗的特点，采用一种简单可靠的方案对材料折射率进行测量，测量精度可达61.9dB/单位折射率，具有巨大的潜在应用价值和广阔的市场前景。

摘要： 本发明公开了一种DBR滤波器，所述DBR滤波器包括：耦合单元和至少一个DBR谐振腔，所述至少一个DBR谐振腔通过所述耦合单元串接；所述DBR谐振腔包括：DBR单侧枝节和补偿单元，所述至少一个DBR谐振腔的所有DBR单侧枝节设置于所述耦合单元的一侧，所述至少一个DBR谐振腔的所有补偿单元设置于所述耦合单元的另一侧。本发明同时还公开了一种DBR双工器。采用本发明的技术方案，既保证了DBR滤波器的通带要求，又使得DBR滤波器的尺寸仅为原有DBR滤波器尺寸的一半，大大减小了DBR滤波器及DBR双工器的尺寸，且隔离性更好。

摘要： 一种半导体DBR、半导体发光器件及制造半导体DBR的方法。该半导体DBR包括第一多层结构、第二多层结构以及保护层。第一多层结构包括：多个第一半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第一半导体层中的对应一对第一半导体层之间；第二多层结构包括：多个第三半导体层，一个或更多个第二半导体层，每个第二半导体层都插入在多个第三半导体层中的对应一对第三半导体层之间；保护层插入在第一多层结构与第二多层结构之间。第二半导体层具有比第一半导体层低的分解温度。第三半导体层具有比第二半导体层低的分解温度。

摘要： 一种衬底上的分布式布拉格反射器（DBR）结构，包括高折射率层（612）和低折射率层，该高折射率层（612）包括氧化钛，该低折射率层具有高碳区和与高折射率层（612）接触的至少一个低碳区。高折射率层（612）和低折射率层的多个层被堆叠。典型地，高折射率层（612）和低折射率层的多个层被堆叠至小于10微米的厚度，高折射率层（612）和低折射率层的相应层中的每一个具有小于0.2微米的厚度。

摘要： 本申请公开了一种具有导电DBR结构的GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制备方法。所述VCSEL包括第一、第二半导体层和设置在该两者之间的有源层，所述第一、第二半导体层分别与第一、第二DBR结构连接，所述第二DBR结构为导电DBR结构，所述导电DBR结构是采用电学击穿工艺对介质DBR结构进行处理后形成；所述第一、第二半导体层中的任一者为n型半导体层，另一者为p型半导体层。本申请VCSEL因采用了导电介质DBR结构，故而电极注入效率高，能在较大电流下稳定工作，寿命长，且制作工艺简单，可控性好，成本低，产品良率高。

摘要： 本发明涉及一种高折射率对比的Al2O3 AlxGa1‑xAs DBR VCSEL制作方法，包括以下步骤：将MQW层上方的主要DBR AlxGa1‑xAs/AlyGa1‑yAs(x>y，0≤y<1)中高Al%组分AlxGa1‑xAs的部分进行完全氧化，使其转变成Al2O3，在所需的光学路径上形成Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构，并通过控制较临近MQW的低Al%组分AlzGa1‑zAs的氧化速率控制中心未被氧化的AlzGa1‑zAs电流孔径的大小；然后，将外围部分完全氧化所形成的Al2O3以化学刻蚀方式去除，保留光学路径的Al2O3/AlyGa1‑yAs DBR堆叠结构；去除外围部分的Al2O3所形成的空间以原子层沉积、溅镀、蒸镀及电镀中的一种或多种组合方式填充欧姆金属，以形成低电阻的电学导通路径。

摘要： 本发明提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法，所述方法包括：将晶圆背镀DBR层朝上，对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层；将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明所提出的蚀刻背镀DBR层的方法，工序流程简单方便。首先对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸不平的DBR层。然后可通过蚀液对凹凸不平的DBR层进行充分蚀刻，达到剥离DBR层的效果。整个过程人工参与度较低，减少机械与人工成本。也减小了因人工造成破片的几率。