能量释放率
能量释放率的相关文献在1980年到2022年内共计297篇,主要集中在力学、一般工业技术、建筑科学
等领域,其中期刊论文253篇、会议论文32篇、专利文献156221篇;相关期刊152种,包括科学技术与工程、辽宁石油化工大学学报、西北工业大学学报等;
相关会议29种,包括第十五届北方七省市区力学学会学术会议、2014年中国计算力学大会、武汉(南方十省)电工理论学会第26届学术年会等;能量释放率的相关文献由668位作者贡献,包括陈浩然、白瑞祥、黄宝宗等。
能量释放率—发文量
专利文献>
论文:156221篇
占比:99.82%
总计:156506篇
能量释放率
-研究学者
- 陈浩然
- 白瑞祥
- 黄宝宗
- 张凤鹏
- 王波
- 矫桂琼
- WANG Ri-zhi
- 刘伟庆
- 张行
- 徐燕
- 樊蔚勋
- 王亮
- 王利民
- 邹俭鹏
- 陶亮
- 仲政
- 任明法
- 何宇廷
- 侯密山
- 倪新华
- 冯文杰
- 刘淑红
- 刘鹏飞
- 庄茁
- 张双寅
- 张爱锋
- 张茹
- 张阿盈
- 彭向和
- 曾祥国
- 李星
- 李艳松
- 杨刚
- 杨娟
- 柴亚南
- 段士杰
- 范天佑
- 薛明琛
- 谢禹钧
- 邹振民
- 郭乙木
- 郭馨艳
- 陈向明
- 陶伟明
- 黄培彦
- 乔丕忠
- 于丰
- 于健
- 任中俊
- 何晓婷
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张江风;
田笑含;
张晓玲;
孟庆端
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摘要:
批量生产中经常发生的锑化铟(InSb)芯片碎裂问题制约着InSb红外焦平面探测器(IRFPAs)成品率的提升.经分析认为:低周期液氮冲击下发生在器件边沿区域的InSb芯片破碎与该区域中迸溅金点的存在有关.为从理论上明晰迸溅金点对InSb芯片局部碎裂的影响,本文建立了包含迸溅金点的InSb IRFPAs结构模型,分析了迸溅金点的存在对应力分布的影响.在此基础上,在应力集中处预置不同长度的初始裂纹用以描述InSb晶片中的位错,以能量释放率为判据,探究InSb芯片碎裂与迸溅金点和位错线长短的关系.结论如下:1)迸溅金点的存在对InSb芯片碎裂的影响是局部的,在迸溅金点与InSb芯片接触区域的两侧会形成两个应力集中点;2)环绕预置裂纹的能量释放率会随着预置裂纹长度的增加而加速增大,当预置裂纹长度接近InSb芯片上表面时,能量释放率近乎指数增加,并在预置裂纹贯穿InSb芯片时达到最大值;3)迸溅金点引起的InSb芯片破碎属于Ⅰ型断裂失效模式,在多周期液氮冲击中,位错线在应力集中效应的驱使下逐步扩展,直至贯穿InSb芯片,最终形成宏观碎裂失效现象.
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孔令云;
阮庆松
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摘要:
文章基于虚拟裂纹闭合法(virtual crack closure technique,VCCT),提出复合式路面疲劳裂纹扩展寿命理论模型,借助现有有限元软件,开发模拟复合式路面疲劳裂纹扩展过程的子程序,用其计算路面结构在裂纹扩展中的能量释放率,通过相关公式求得复合式路面的疲劳裂纹扩展寿命。研究结果表明,使用VCCT计算代价较小,计算精度较高,利用子程序可高效计算路面结构的能量释放率,最终计算结果接近于实际疲劳寿命。
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刘利;
左应红;
牛胜利;
朱金辉;
李夏至
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摘要:
为了精确计算早期核辐射,建立了中子及次级γ在大气中输运的蒙特卡罗计算模型,并利用几何分裂算法与时间分裂算法等减方差技巧提高计算效率,计算得到了距源点不同距离球面上中子与中子次级γ的信息,给出了不同位置不同时间的氮俘获γ能量释放率。开展了氮俘获γ能量释放率的规律性研究,并分析了中子能量对氮俘获γ的影响。结果表明,氮俘获γ能量释放率先随源点的距离增加而增大,在距源点约500 m达到峰值,而后随距离增加指数衰减。氮俘获γ能量释放率在时间上服从指数衰减规律,衰减时间在0.1 s左右。引入表征氮俘获γ辐射强度参数a和特征衰减时间参数τ,拟合得到了不同距离不同时间氮俘获γ能量释放率的快速计算公式。研究表明,氮俘获γ辐射强度、衰减时间及其空间分布均与中子能量密切相关。
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徐燕;
杨娟
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摘要:
基于电磁复合材料力学,运用Stroh型公式和复变函数方法,针对压电压磁材料中含正n边形孔边裂纹反平面问题进行了研究。利用Schwarz-Christoffel变换技术,结合Cauchy积分公式和留数定理,导出了磁电全非渗透型边界条件下任意正n边形裂纹尖端场强度因子和能量释放率的解析解。当缺失磁场时,所得解退化为已有结果,以此验证方法的有效性。通过数值算例,对比分析了n=3,n=4和n=5三种特殊情形对应的孔口边长、裂纹长度和受到的力、电和磁载荷对等效场强度因子和无量纲能量释放率的影响规律。研究结果发现,正n边形孔洞的尺寸和裂纹长度均会促进裂纹扩展,且前者的影响更显著一些;正n边形边的数量增加会阻止裂纹的扩展;在磁电全非渗透型边界条件下,机械载荷始终促进裂纹的扩展,电位移载荷可以促进或抑制裂纹的扩展,磁载荷对裂纹的扩展贡献较少。本研究结果适用于任意正n边形孔边裂纹求解问题,为压电压磁材料元器件的优化设计和断裂特性分析提供了新思路。
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于耀庭;
何芝仙;
时培成
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摘要:
计算齿根具有裂纹的齿轮啮合刚度是求解含裂纹的齿轮传动系统动力学问题的基础.提出一种计及齿根裂纹表面自由能的计算齿轮啮合刚度的能量方法,该法将法向力作用下裂纹齿轮的弹性势能视为无裂纹齿轮的弹性势能与裂纹产生过程中释放的裂纹表面自由能之和.裂纹表面自由能通过裂纹应力强度因子与能量释放率之间的关系获得,齿根裂纹应力强度因子用权函数法求解.计算结果表明:齿根裂纹对齿轮啮合刚度影响很大;随着裂纹长度增加,裂纹齿轮啮合刚度减小,其求解结果与ANSYS软件计算结果一致.
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邓友生;
李龙
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摘要:
利用奇异应力边界多裂纹开裂的几何模型,研究了KⅠ和KⅡ型等值条件下Ⅱ型断裂对Ⅰ型断裂韧性值的干扰效应.基于能量释放率与裂纹分叉理论,引入扰动系数ε建立多裂纹能量释放率模型,对比不同ε对能量型开裂驱动力的影响,同时结合断裂力学中的J积分理论,分析、量化了扰动效应,给出了受II型弱载荷影响的潜在Ⅰ型裂纹扩展的断裂准则,并与有限元结果进行对比.研究表明,等值条件下干扰系数ε在0.317%~0.438%之间,说明在Ⅰ型断裂韧性值测试过程中受到微弱Ⅱ型断裂的影响;随着分析步逐渐增加,干扰系数ε减小,说明断裂韧性值测试过程中干扰效应逐渐减弱;量化了Ⅱ型弱载荷Ⅰ型断裂韧性测试中的干扰效应,有助于更好地分析实验过程中分散的测量数据,为复杂裂纹的边翼分叉和偏折研究提供新思路.
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徐燕;
杨娟
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摘要:
基于压电复合材料力学,通过引入合适的数值保角映射函数,运用Stroh公式和复变函数方法,研究了压电复合材料中含正六边形孔边两不对称裂纹的反平面问题.首先由压电复合材料反平面问题的本构方程和力-电平衡方程推导出其控制方程,结合留数定理和Cauchy积分公式,求解出电不可通和电可通边界条件下裂纹尖端场强度因子和能量释放率的解析表达式.数值算例分析了正六边形的孔洞边长、裂纹几何尺寸以及机电载荷对等效场强度因子和能量释放率的影响规律.研究结果表明:正六边形孔洞边长和裂纹长度的增加会导致等效场强度因子的增大;在电不可通和电可通边界条件下,能量释放率随着正六边形的边长、裂纹的长度和机械载荷的增加而增加.在电不可通边界条件下电位移既可以促进又可以抑制裂纹的扩展,而在电可通边界条件下电位移对裂纹扩展没有影响.
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徐燕
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摘要:
目的解析研究磁电弹性中正三角形孔边均布3条裂纹问题的断裂性能。方法通过构造保角映射函数,利用复变函数方法,将解析函数边值问题转化为Cauchy积分方程组。结果借助Cauchy积分公式和留数定理分别获得了磁电非渗透边界条件和磁电渗透边界条件下裂纹尖端场强度因子和能量释放率的解析表达式。结论数值算例结果显示了在2种磁电边界条件下,三角形孔洞尺寸和机电磁3种外载荷对材料断裂行为的影响规律。
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许丹丹;
王恒;
成斌斌;
庄茁
- 《中国力学大会2011暨钱学森诞辰100周年纪念大会》
| 2011年
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摘要:
本文将扩充形函数引入到基于连续体的(continuum-based, CB)壳单元中,以模拟曲面壳体中沿任意方向扩展的裂纹。扩充形函数可以代表独立于网格的间断。计算三维裂纹应力强度因子时,应用“等效域积分”方法,采用最大能量释放率准则作为裂纹扩展判据。该方法能够获得管道中独立于单元网格的任意裂纹扩展路径。由于裂纹与网格独立,使得在裂纹扩展过程中无需对网格进行重新划分。文中给出了管道中不同断裂模式的数值算例。
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戴隆超;
黄银;
冯雪
- 《中国力学大会2011暨钱学森诞辰100周年纪念大会》
| 2011年
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摘要:
实验研究发现对于柔性电子器件中通常所采用的基本结构薄膜/基体结构而言,尽管薄膜厚度非常小,但是随着薄膜基体厚度比的逐渐增大结构所发生的破坏模式也是随之变化的。考虑这一现象,将结构破坏模式分为四种,分别建立与之对应的力学模型进行求解,得到能量释放率、应力强度因子,进行比较,并在此基础上进行分析,研究了应力强度因子、结构可弯曲性能等随薄膜基体厚度比的变化关系。理论分析结果可以较好解释实验现象,从而用于指导柔性电子器件的结构设计。
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Ma P;
马鹏;
Feng WJ;
冯文杰;
Su RKL;
苏启亮;
Li YS;
李艳松
- 《2014年中国计算力学大会》
| 2014年
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摘要:
本文应用扩展有限元法(X-FEM)分析了磁电弹性双材料界面裂纹问题.扩展有限元法以单位分解思想为基础,通过在常规有限元位移模式中引入Heaviside阶跃函数和裂尖渐进位移场函数,来模拟裂纹问题.本文描述了通过等效曲面积分计算断裂参数的方法,分析了积分区域、网格密度、拓扑改进和几何改进对断裂参数计算精度的影响,比较了结构化网格和局部细化网格的计算效率,并通过将扩展有限元法的计算结果与解析解的结果相对比验证了该方法的准确性和可靠性.
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Ma P;
马鹏;
Feng WJ;
冯文杰;
Su RKL;
苏启亮;
Li YS;
李艳松
- 《2014年中国计算力学大会》
| 2014年
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摘要:
本文应用扩展有限元法(X-FEM)分析了磁电弹性双材料界面裂纹问题.扩展有限元法以单位分解思想为基础,通过在常规有限元位移模式中引入Heaviside阶跃函数和裂尖渐进位移场函数,来模拟裂纹问题.本文描述了通过等效曲面积分计算断裂参数的方法,分析了积分区域、网格密度、拓扑改进和几何改进对断裂参数计算精度的影响,比较了结构化网格和局部细化网格的计算效率,并通过将扩展有限元法的计算结果与解析解的结果相对比验证了该方法的准确性和可靠性.
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Ma P;
马鹏;
Feng WJ;
冯文杰;
Su RKL;
苏启亮;
Li YS;
李艳松
- 《2014年中国计算力学大会》
| 2014年
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摘要:
本文应用扩展有限元法(X-FEM)分析了磁电弹性双材料界面裂纹问题.扩展有限元法以单位分解思想为基础,通过在常规有限元位移模式中引入Heaviside阶跃函数和裂尖渐进位移场函数,来模拟裂纹问题.本文描述了通过等效曲面积分计算断裂参数的方法,分析了积分区域、网格密度、拓扑改进和几何改进对断裂参数计算精度的影响,比较了结构化网格和局部细化网格的计算效率,并通过将扩展有限元法的计算结果与解析解的结果相对比验证了该方法的准确性和可靠性.
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Ma P;
马鹏;
Feng WJ;
冯文杰;
Su RKL;
苏启亮;
Li YS;
李艳松
- 《2014年中国计算力学大会》
| 2014年
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摘要:
本文应用扩展有限元法(X-FEM)分析了磁电弹性双材料界面裂纹问题.扩展有限元法以单位分解思想为基础,通过在常规有限元位移模式中引入Heaviside阶跃函数和裂尖渐进位移场函数,来模拟裂纹问题.本文描述了通过等效曲面积分计算断裂参数的方法,分析了积分区域、网格密度、拓扑改进和几何改进对断裂参数计算精度的影响,比较了结构化网格和局部细化网格的计算效率,并通过将扩展有限元法的计算结果与解析解的结果相对比验证了该方法的准确性和可靠性.
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