耗散功率
耗散功率的相关文献在1978年到2022年内共计92篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、物理学
等领域,其中期刊论文80篇、会议论文4篇、专利文献146129篇;相关期刊65种,包括中国经贸、安徽科技学院学报、湖南大学学报(自然科学版)等;
相关会议4种,包括中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会、中国高等学校电力系统及其自动化专业第二十四届学术年会、中国电子学会现代设计与先进制造技术学术会议等;耗散功率的相关文献由153位作者贡献,包括一凡、唐道济、彭建春等。
耗散功率—发文量
专利文献>
论文:146129篇
占比:99.94%
总计:146213篇
耗散功率
-研究学者
- 一凡
- 唐道济
- 彭建春
- B·R·麦克丹尼尔
- L·T·克拉克
- 上田公大
- 吕召会
- 安宁
- 宋健
- 杨帮宇
- 森中浩之
- 牧野博之
- 王坤
- 王申南
- 益子耕一郎
- Anton F.P.Van Putten
- B·J·蒂洛森
- D·B·吴
- Herrm.F
- Michelangelo Marchese1
- M·R·罗姆
- Ronald N.Clarke
- S·拉古纳特
- S·甘纳什
- W·A·罗伯逊
- 万欣
- 于存贵
- 任秋成
- 何晓雄
- 何朝来
- 何禹清
- 余俊芳
- 侯学理
- 冯建
- 凌方庆
- 刘久怀1
- 刘伟
- 刘凯
- 刘加忠
- 刘宇荣
- 刘小亭
- 刘思奇
- 刘思奇1
- 刘斌
- 刘永才
- 刘道广
- 刘金宝
- 叶文浩
- 吉胜
- 吴慧栋
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摘要:
意法半导体最新的智能驱动高边开关IPS2050H和IPS2050H-32可设置两个限流值,适用于启动电流很大的容性负载。这两款新双通道开关的输入电压范围为8 V至60V,输入引脚最大耐受电压为65 V,确保该器件在工业应用中具有很高的设计灵活性和工作可靠性。内部集成的功率MOSFET晶体管的导通电阻Rds(on)很小,因此能效很高,热耗散功率很低。
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摘要:
ST发布高集成度车规音频放大器,意法半导体的TDA7901车规功放单片集成G类功放开关管降压控制器,并支持高清音频,这个独步市场的特性组合带来出色的听觉体验和高能效。在G类放大中,TDA7901降压控制器根据音频信号电平,自动优化桥接负载(BTL)功率级的电源电压,最终的平滑的模拟音频在正常音量下具有接近D类功放的能效。因为耗散功率比传统A/B类放大器低很多,所以降低了对散热器的要求。单片集成降压控制器有助于系统减重瘦身,还可以降低物料清单成本,简化电路设计,无需开发电压轨控制固件。
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张鑫;
于存贵;
牛志鹏;
梁林;
邹利波
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摘要:
以某大口径火炮为研究对象,应用有限元数值仿真技术建立挤进过程弹炮耦合模型,对挤进过程能量转化与耗散规律进行了研究.通过Fortran二次开发结合ABAQUS/Explicit模块,计算得到摩擦耗散功率与塑性变形功率,通过对不同坡膛锥度的挤进模型进行数值仿真,获得耗散功率随坡膛锥度变化的规律,以摩擦耗散功率和塑性变形功率最大值为优化目标,以坡膛锥度为优化变量,采用线性加权法建立坡膛结构评价函数,利用多岛遗传算法求得最优值.通过对比分析对优化结果进行验证,结果表明:优化后的坡膛结构使得挤进过程摩擦耗散功率最大值与塑性变形功率最大值分别减小了6.1%和19.0%.
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吴慧栋;
孙铜生;
凌方庆
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摘要:
为研究微波干燥时不同物料对电磁场的影响,依据电磁波传播特性,使用COMSOL Multiphysics软件对微波真空干燥箱干燥稻谷与小麦时的场分布进行模拟,观察频率为2.45 GHz、功率为600 W环境下,微波干燥不同物料时腔体内部的电磁场与耗散功率的差异以及水分浓度差异,并以实验验证结果,发现物料特性对微波场以及干燥效率的影响规律。结果表明物料的介电常数、密度等属性对实现最佳干燥效果存在显著影响,介电常数较大的物料对于微波能的吸收具有更大优势的正确性,对后续食品干燥研究提供指导意义。
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钱晓东;
张翠云
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摘要:
介绍了一种PMOSFET耗散功率的理论估算方法,采用前级推挽式逆变器为实验平台,完成热阻实验验证.结果表明,该估算方法与实际测试结果接近,为设计散热片提供了理论依据,加快了产品开发进度,具有较好的实际应用价值.
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摘要:
意法半导体最新推出两款快速启动的智能型功率开关器件(IPS),以满足更高的安全型应用需求。IPS160HF和IPS161HF,其导通延迟时间小于60μs,能够满足SIL Class-3的C、D类接口应用的标准要求。这两款产品具有8~60 V的宽输入电压范围,120 mΩ的最大开关导通电阻(RDS(on)),10μs的电压上升/下降时间,20μs的传输延迟,兼具灵活性、低耗散功率和快速响应。升级的诊断功能可以指示开路负载、过流关断和过热关闭,简化安全需求型的功能设计。
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雷冉;
戚连锁;
庄劲武;
王帅;
刘思奇
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摘要:
短路脉冲电流的上升速率大于晶闸管的开通扩散速率, 导致晶闸管硅芯片导通局部电流密度变大造成过热击穿.建立了晶闸管开通过程的电热模型, 针对仿真参数开通速度和仿真加载项功耗进行研究.试验测量晶闸管开通过程中斜率电阻变化趋势, 得到晶闸管的开通速度;将开通过程中的晶闸管等效为时变电阻, 得到晶闸管的功耗时间特性.通过仿真, 得到窄脉冲大电流工况下晶闸管开通过程温度分布特性.设计单脉冲电流发生电路摸底测试了晶闸管的极限耐受电流, 并验证了仿真结果的准确性.仿真结果中晶闸管的最大温升能够准确反映器件状态, 为晶闸管在窄脉冲大电流工况下器件选型和冗余量评估提供了依据.%A thermal model for uneven distribution of thyristor dissipated power density was established according to the turn-on process of thyristor.This paper focuses on the thyristor turn-on speed and accurate acquisition of the thyristor power consumption in the simulation.Through the experimental measurement of the slope resistance during the thyristor turn-on process, the full turn-on time of the thyristor is obtained, by which the turn-on speed of the thyristor is obtained.Based on the obtained change law of slope resistance, the thyristor in the turn-on process is equivalent to a time-varying resistance.The voltage and the power consumption of the thyristor is obtained based on the known current.The calculation results show that the highest temperature of the thyristor is concentrated in the first open area.The current limit of the thyristor is obtained through experiments.And the calculation results show that the maximum temperature rise of the thyristor under this current condition exceeds 300 K, which causes the overheat breakdown of the thyristor.This paper provides the basis for the thyristor device selection under narrow pulse and high current conditions and the redundancy accessment.
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高列华1
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摘要:
二极管耗散功率过大是导致产品失效的常见原因,文中针对二极管的耗散功率过大导致产品烧毁失效的现象进行分析,并结合用户电路进行分析和模拟实验最终确定引起产品耗散功率过大的原因,对分析此类二极管的失效有借鉴意义。
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雷冉1;
戚连锁1;
庄劲武1;
王帅1;
刘思奇1
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摘要:
短路脉冲电流的上升速率大于晶闸管的开通扩散速率,导致晶闸管硅芯片导通局部电流密度变大造成过热击穿。建立了晶闸管开通过程的电热模型,针对仿真参数开通速度和仿真加载项功耗进行研究。试验测量晶闸管开通过程中斜率电阻变化趋势,得到晶闸管的开通速度;将开通过程中的晶闸管等效为时变电阻,得到晶闸管的功耗时间特性。通过仿真,得到窄脉冲大电流工况下晶闸管开通过程温度分布特性。设计单脉冲电流发生电路摸底测试了晶闸管的极限耐受电流,并验证了仿真结果的准确性。仿真结果中晶闸管的最大温升能够准确反映器件状态,为晶闸管在窄脉冲大电流工况下器件选型和冗余量评估提供了依据。
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温景超;
万欣;
周伟松;
刘道广;
张斌
- 《中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会》
| 2014年
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摘要:
研究了不同测试电流下功率MOSFET寄生二极管正向压降-温度(VF-T)特性曲线之间的关系,结果发现不同测试电流下的二极管VF-T特性曲线在绝对零度时交于一点,且该点为材料在绝对零度时的禁带宽度所对应的压降值;给出了器件结壳稳态热阻随加热电流以及加热电压变化的主要原因.此外,还研究了器件最大耗散功率随壳温的变化,并确定热安全工作区,对器件的散热设计和实际应用具有重要意义.
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