美国高通公司

摘要： 高通发布全球首款5G+AI无人机平台近日,美国高通公司推出全球首个由5G和AI赋能的无人机平台和参考设计--Qualcomm Flight RB55G平台。据悉,该全新解决方案可助力加速消费级、企业级和工业级无人机的开发,助力计划采用无人机解决方案并发挥智能边缘优势的行业拥抱创新机遇。

摘要： 对高通而言,中国已经是,将来也一直会是解决国际知识产权纠纷的重要法域。尊敬的各位领导、嘉宾,朋友们,大家下午好。首先,感谢大会组织方提供的宝贵机会,让我能与在座各位分享高通公司在创新方面的经验和理念。我是马克·斯奈德,高通公司高级副总裁兼副总法律顾问,很荣幸能够再次参加这个一年一度的盛会。在我看来,大会应当是为中国知识产权同仁们在知识产权保护领域付出的巨大努力和取得的卓越成就而举行的年度庆典。

摘要： 4月30日,美国高通公司发布2020年第二季度财报显示,第二季度收入52.1亿美元,约合人民币367亿元,同比增长6.6%。这一成绩超过分析师预期,股价因此上涨5%。有分析认为,中国引领全球5G手机市场是高通股价逆势上涨的原因之一。

摘要： 2019年2月26日,在西班牙巴塞罗那的世界移动通信大会上,吉利宣布将与美国高通公司以及高新兴公司合作,为旗下部分量产车型提供基于高通汽车5G平台以及C-V2X技术的产品,而首批量产车型或将于2021年推出。

摘要： 高通宣布推出支持屏下超声波指纹的商用解决方案:Qualcomm 3D超声波传感器,它是一款能够穿透不同类型污渍准确识别指纹的移动解决方案。

摘要： 1月18日,在“政产学研大数据融合应用(贵州)研讨会”上,“贵州大数据智库平台”正式发布。该平台投用后,利用大数据与人工智能技术生成了首份关于贵州农业与扶贫内容的大数据报告。据介绍,“贵州大数据智库平台”是统筹规划政务数据资源和社会数据资源、快速推进大数据与政务、经济、社会、科技等方面深度融合应用的平台。该平台以大数据驱动为基础,以服务政府智慧决策为核心,以新一代信息技术和人工智能为支撑,打通“云上贵州”各云平台之间的数据及业务通道,为贵州省各级政府的决策提供全过程的精确知识服务和支撑。华芯通第一代服务器芯片产品数据交付生产预计2018年下半年上市1月初,贵州华芯通第一代服务器芯片研发取得重大进展,产品数据已交付工厂生产,预计将于今年下半年正式投入市场。华芯通第一代服务器芯片采用了目前国际上最先进的10纳米工艺,从性能上可以达到甚至超越国际主流中高端服务器芯片水平。与此同时,华芯通研发团队在引进消化吸收美国高通公司先进技术的基础上,在芯片里添加了自主研发的我国“商用密码算法”模块和软件解决方案,确保了芯片应用的安全可控。

摘要： 美国高通公司中国区董事长孟模出席论坛时指出，5G时代的信息传播将配备智能技术和传感器，支持人与人、人与物、物与物，以及环境之间的信息交互，这将带来更多用户侧的创新应用。在他看来，5G的大连接加上人工智能，将引领信息传播的未来，带来全新的传播形式、互动方式、信息来源以及信息处理流程。

摘要： 华芯通是贵州省人民政府与美国高通公司在2016年联合出资成立的,做服务器芯片。经过两年半的努力,今年11月,华芯通推出了自己的第一款产品,第一代ARM架构国产通用服务器芯片异龙4800,并宣布实现量产。今年芯片人才招聘很难我们这么短的时间内能从开发、流片到量产,遇到了一些困难。一个大的难题是人才招聘,在中国做芯片的,尤其是做高端芯片的人比较少,特别是在中兴事件以后,大家对芯片设计人才的需求更大了,我们要在国内外招聘一些真正杰出的人才是比较具有挑战的。

摘要： 在日前召开的首届中国国际智能产业博览会上,美国高通公司总裁克里斯蒂安诺·阿蒙在主题演讲时透露,高通与大唐电信共同开发了基于蜂窝车联网的芯片组,并将在2019年支持商业部署。阿蒙称,现在正处在行业变革新的开端,即5G和无线技术的开端,“在5G时代,人工智能赋能的5G技术,同时也能够推动移动通讯技术,提高5G的速度,提高我们的通讯速率”。阿蒙透露,高通发布了世界上首个针对不同厂商供应芯片组,它是由蜂窝车联网技术支持,由大唐电信和高通共同开发,并将在2019年支持商业部署,“比如汽车制造商和基础设施的制造商,这将是一个很好的中国汽车行业的增长机会”。

摘要： 3月14日，新加坡公司博通撤回了对美国高通公司的收购提议，这桩史上最大半导体并购案最终流产。

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 本发明涉及半导体集成电路领域，其公开了一种新型的高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的基于忆阻器件的低通滤波器，该低通滤波器具有输入端和输出端，其包括第一忆阻器件及负载电阻，所述第一忆阻器件的顶电极连接输入端，其底电极接输出端并通过所述负载电阻接地。此外，本发明还公开了基于忆阻器件实现的高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器，均具备高稳定性、功耗小且占用面积小、容易集成的优势，适用于对信号的滤波。

摘要： 本发明的一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器，包括设置在压电基板上的天线端子、发射端子和接收端子，天线端子与发射端子之间连接有发射滤波器，天线端子与接收端子之间连接有接收滤波器，所述接收滤波器具有串联臂以及与串联臂连接的多个并联臂，串联臂上设置有DMS滤波器和多个串联臂谐振器，每个并联臂上设置有并联臂谐振器；所述DMS滤波器与接收滤波器的所有并联臂谐振器进行共地连接。本发明所提供的双工器，在不增加额外器件以及结构复杂度的情况下，能够较好的改善了通带隔离度以及提高了高通频带低频侧的陡峭度，提高了双工器性能，具有较强的实用性。

摘要： 本发明的课题为，提供一种在高浓度铁基合金组成范围内具有相当高的玻璃形成能力，具有1.60T以上的高饱和磁通密度、低矫顽力、高有效磁导率、以及良好的非晶形成能力和优越的机械强度和延展性、加工性的高磁通密度软磁铁基非晶合金。通过以下特征以解决上述课题，含有作为合金元素的铁、硼、硅以及磷，合金组成表示为Fe

摘要： 本发明涉及一种高饱和磁通高传输能力高直流叠加的软磁材料，其包含如下含量的主成分：Fe2O3为58～65mol％、ZnO为11～15mol％、NiO为4～6mol％、余量为MnO；相对主成分的总重量还包含如下含量的副成分：CaO为0.01～0.04wt％，Nb2O5为0.02～0.05wt％，TiO2为0.02～0.08wt％，MoO3为0.01～0.03wt％，V2O5为0.02～0.06wt％。本发明软磁材料具有超越传统锰锌铁氧体性能上限的较高饱和磁通密度Bs和较大磁通偏移量ΔB，因而具有较强抗饱和性能和功率传输能力；相比金属磁芯材料具有较低的功耗，特别适合在直流叠加很大、电压较低、频率不高的多种应用场合实现更稳定的电感功能。

摘要： 通过在例如连接到放大器输入、输出或两者的多级阻抗匹配网络中使用低通型宽带阻抗变换器（LPMN）而不是宽带匹配网络，来提高宽带RF放大器（M1）的工作带宽。多级阻抗匹配网络包括串联连接的三个级。第一级是低通型宽带阻抗变换器（LMPN，LPMN1），其提供宽带低反射基波阻抗和用于二次谐波的高反射。第二级是控制二次谐波反射系数相位的位置的相移器。第三级是高通输入匹配电路（MN，MN1），其将复共轭器件输入阻抗变换为实阻抗。三级阻抗匹配网络提供用于宽带操作的基波和谐波频率阻抗以及二次谐波反射系数相位的可控性，其中，器件性能跨预期带宽是一致的。

摘要： 本发明提出一种具有带通和高通双重功能的基于体声波谐振器的滤波器，包括一条串联支路和N条并联支路，N为大于等于3的正整数，其中：串联支路中包含N+1个串联体声波谐振器；每条并联支路中包含1个电感和1个并联体声波谐振器，电感第一端连接在串联支路中的两个相邻的串联体声波谐振器之间，电感第二端与该电感所在的并联支路中的并联体声波谐振器的第一端连接，该并联支路中的体声波谐振器的第二端与电学地平面连接，并联支路之间接有跨接电容。该滤波器利用体声波谐振器和电感级联形成高滚降带通和高通滤波器。

摘要： 本实用新型公开了一种LC电路结构，所述结构包括：相连的电容和电感，所述电感为第一单层微带线，所述电容为沿一条直线间隔分布的第二单层微带线和第三单层微带线，所述第一单层微带线和所述第二单层微带线相连。在高频段工作状态下使用上述结构时，电感值更加精确，电容值可调节到极小状态，同时又避免了电容击穿情况的发生；并且，单层微带线的使用减小了电路的体积，节约了生产成本。相应地，本实用新型公开的低通LC电路结构、高通LC电路结构和高低通数字移相器，也同样具有上述技术效果。