缺陷态

摘要： 缺陷态光子晶体可以用于制作良好的谐振器、偏振器、滤光器等光学器件,具有重要的应用价值。本文发展了光子晶体缺陷态问题的PG有限元界面问题计算方法,有效地处理了各种不同组元体系、几何结构、界面形状、材料属性以及模态的光子晶体缺陷态问题。数值结果表明,二组元结构单点缺陷对带隙的影响较小,只是使局部范围内的波继续传播而产生一条缺陷带,多点缺陷使一些特定范围内的波可以传播而产生多条缺陷带,线缺陷产生的影响较大,可以使整个禁带消失。结合线缺陷与点缺陷,波导结构中的侧点缺陷可以有效地应用于光子晶体阻带内诱导窄通带或在波导的通带内诱导非常窄的阻带。三组元结构引入了不均匀介质、复杂介质形状以及不同几何结构的缺陷态。通过计算与分析发现Ω_(3)区域的介质形状对结果影响比较有限,表面层越不光滑禁带越窄,n型缺陷态在TM模中的高频区域更容易产生禁带。对于TE模来说,n型与v型的缺陷态更容易产生禁带。

摘要： 针对声子晶体中负折射现象产生的原因以及调控波导的方法,本文研究了工字型钢在空气中正方形排布所形成流固混合型声子晶体的波动特性。数值计算是通过有限元方法进行的。根据等频率曲线确定声子晶体产生负折射的频率,并进行模拟验证。通过引入线性缺陷,设计直线和折线型波导,调控波的传播。并通过引入耦合共振缺陷,研究结构中耦合共振波导的波动特性。结果表明:在?=0°的声子晶体中,5255 Hz时波仅沿y方向传播。在?=45°的声子晶体中,3045 Hz时波的传播会出现负折射现象。只有在特定的频率范围内,波在Z型线性波导中能够较好地传播。在不同的频率范围内,波在2种直线型耦合共振波导中均能够较好地传播。相关结果为流固混合型声学器件的设计提供一定的数值基础。

摘要： 设计了一种由圆柱形散射体嵌入环氧树脂基体而组成的周期阵列局域共振型声子晶体板结构,分析了其平直带区域以及缺陷态的能量集中特性,并研究了其振动能量采集特性.首先基于超元胞法结合有限元方法分析了5×5完美声子晶体结构和缺陷态声子晶体结构的能带曲线和能量传输特性;考虑点缺陷局域共振声子晶体结构的能量集中特性,利用压电材料代替超元胞中某点的散射体材料引入点缺陷,分析其振动能量采集特性,结果表明单个5×5点缺陷超胞结构共振频带较窄;为提升俘能效率,提出两种由3个具有不同缺陷态数量和构型的5×5超元胞结构并联而成的5×15声子晶体板结构,机电耦合特性分析结果表明:所提出的局域共振型声子晶体板结构克服了单个点缺陷超胞结构缺陷模过少、共振频带过窄的局限性,拓宽了俘能器的工作频带,提高了输出电压;此外,引入不同的缺陷态数量和构型,可以进一步拓宽俘能带宽,实现更好的俘能效果.

摘要： 本文设计了一种由两侧挖孔的六棱柱单胞周期性排列而成的新型光力晶体纳米梁谐振腔,利用有限元法计算了该结构在不同缺陷态下的带隙特性.基于移动边界效应和光弹性效应机制,采用一阶微扰理论并借助光力耦合系数计算法获得了光力晶体纳米梁谐振腔的光力耦合率,同时分析了谐振腔声学模态的对称性,并对光力耦合机制进行了探索.研究表明:改变缺陷数量或优化几何结构均可改善光学模式和机械模式的重叠性;对于同种缺陷不同数量的谐振腔结构,缺陷数量只会影响光力耦合率中移动边界效应和光弹性效应的作用方式,而几乎不会改变其耦合率的大小.分析具有梯度缺陷的光力晶体纳米梁谐振腔的振动模态对称性发现,只有关于x-y,x-z,y-z平面偶对称的振动模态才能与光学模态产生强耦合,并得到高达2.25 MHz的光力耦合率.

摘要： 硫化亚锡(SnS)是一种Ⅳ-Ⅵ族层状化合物半导体材料,其禁带宽度与太阳能电池最佳带隙1.5 eV非常接近,并且在可见光范围内光的吸收系数很大(α>104 cm-1),因此SnS是一种很有应用前景的材料。本文利用太阳能电池模拟软件wxAMPS模拟了MoS_(2)/SnS异质结太阳能电池,主要研究SnS吸收层的厚度、掺杂浓度和缺陷态等因素对太阳能电池性能的影响。研究发现:SnS吸收层最佳厚度为2μm,最佳掺杂浓度为1.0×10^(15) cm^(-3);同时高斯缺陷态浓度超过1.0×10^(15) cm^(-3)时,电池各项性能参数随着浓度的增加而减小,而带尾缺陷态超过1.0×10^(19) cm^(-3)·eV-1时,电池性能才开始下降;其中界面缺陷态对太阳能电池影响比较严重,界面缺陷态浓度超过1.0×10^(12) cm^(-2)时,开路电压、短路电流、填充因子和转换效率迅速下降。另外,通过模拟获得的转换效率高达24.87%,开路电压为0.88 V,短路电流为33.4 mA/cm 2。由此可知,MoS_(2)/SnS异质结太阳能电池是一种很有发展潜力的光伏器件结构。

摘要： 稀土或过渡金属离子掺杂荧光材料因其环保、易于制备、高效率、低成本、长发光寿命、全光谱、高亮度等性能在多重防伪、光学信息存储、温度传感等众多领域具有广泛的应用,特别是在LED照明领域.然而,荧光材料热稳定性差是阻碍其快速发展的核心问题.近年来,关于在热扰动作用下,缺陷态对载流子的俘获及释放过程,作为抑制LED用荧光材料热猝灭效应的有效途径被广泛研究.本文主要概述了LED用荧光材料中缺陷态对其热稳定性影响的研究现状,以及缺陷态作为陷阱中心对载流子的俘获、释放及其抑制LED用荧光材料热猝灭效应的机理,并对当前研究中存在的问题进行了总结和展望.

摘要： 本文结合可见-近红外-中红外瞬态吸收光谱技术对离子交换法制备的少层MoS2中缺陷介导的载流子动力学进行了详细的解析.在近红外瞬态吸收光谱中观察到的宽带漂白信号表明少层MoS2纳米片带隙中分布着大量的缺陷态.实验结果明确揭示了载流子被缺陷态的快速捕获以及进一步的复合过程,证明带隙中的缺陷态对MoS2光生载流子动力学过程起着至关重要的作用.在中红外瞬态吸收光谱中观察到的正信号到负信号的转变进一步证实了在导带下小于0.24 eV处存在被载流子占据的缺陷态.这些在少层MoS2纳米片中存在的缺陷态可以作为有效的载流子捕获中心来辅助光生载流子在皮秒时间尺度内完成非辐射复合过程.

摘要： The grain boundaries defect is solved by titanium ion (Ti4+) doping.Ti4+ has small radius which is proved to form at the grain boundary of polycrystalline perovskite.By control doping of titanium ion,grain size become more uniform,which leads to more continuous perovskite thin film.Studies suggest that the defects in grain boundary of polycrystalline perovskite are passivated by doping Ti4+,which results in the trap states concentration greatly decrease.And experimental test clearly exhibits more excellent performance of short-circuit current density (Jsc=22.3 mA· cm-2),open-circuit voltage (Voc=1.10 V),fill factor (FF=72.4％) and photovoltaic conversion efficiency (PCE=17.4％) with low amount Ti4+ doping compared with pure planar heterojunction perovskite solar cells (AM1.5).%采用钛离子掺杂钙钛矿薄膜的方法修饰钙钛矿晶界缺陷.研究表明钛离子富集在晶界处,有效地钝化了晶界缺陷,同时有助于连续、平整、高质量薄膜的形成.经过钛离子掺杂后的钙钛矿太阳能电池电流(JSC)达到22.3 mA·cm-2,开路电压(VOC)达1.1V,填充因子(FF)高达72.4％,光电转换效率(PCE)优化至17.4％,远高于未掺杂钙钛矿太阳能电池.

摘要： 近年来,越来越多的研究员开始关注光子晶体和声子晶体等人工周期复合材料和结构的研究,周期结构中的波动问题随之成为研究热点之一.在周期结构中引入多个缺陷时,在禁带中会产生多缺陷态,且多缺陷态之间存在着耦合作用.利用这一特性可以研究并制作谐振腔、窄带选频滤波器、分束器和耦合器等波导器件.在设计的周期变截面波导中,不仅会出现类似的多缺陷态,而且缺陷态之间也具有类似的耦合特性.研究表明,周期变截面波导中缺陷态的耦合作用更加明显,物理内涵也更为丰富,因此,对周期结构中缺陷态耦合特性的研究具有重要的科学意义和应用价值.

摘要： 对掺氧后a-SiNxOy发光机制与光生载流子的复合动力学过程进行深入研究,从而证实了a-SiNxOy薄膜N-Si-O缺陷态发光机制.在p-n结LED器件研究中也发现,EL来自于电注入的载流子在N-Si-O缺陷态上的复合发光,并且N-Si-O缺陷态也作为载流子注入通道,是p-n异质结高效发光的重要原因.此外,研究了N-Si-O缺陷态在硅氮氧薄膜光增益特性的作用.

摘要： SHJ太阳电池研发的硅片表面形貌控制，是获得高电流和开路电压的前提和基础；异质界面缺陷态控制技术，是实现高开路电压的关键；高透光率高迁移率TCO薄膜，是实现高电流和填充因子的关键。

摘要： 声波在周期变截面圆柱波导中传播时,受周期结构的影响,在谱带中会产生Bragg禁带和非Bragg禁带.在波导中引入缺陷后,Bragg禁带和非Bragg禁带中都会出现缺陷模.本文设计了一种周期变截面声波导,在其中心位置处加入缺陷后,Bragg禁带中会出现一个缺陷模,而非Bragg禁带中会出现两个缺陷模.从声压分布图上看,最大声压值都分布在波导的缺陷附近,是缺陷模的一个重要的特征.数值模拟和模式分析表明,非Bragg禁带与Bragg禁带中的缺陷模具有不同的模式成分:Bragg缺陷模的主要成分为基模,高阶模成分极少;而非Bragg缺陷模的主要成分是一阶模,随频率增加基模显著减少.

摘要： 近年来,人们对光子晶体、声子晶体等的研究非常活跃[1-3].声子晶体是弹性参数呈周期性变化的复合材料,当声波或弹性波在声子晶体中传播时形成能带结构,而且声子晶体具有带通和带阻特性.若在完整周期结构中引入各种缺陷,这必然会在一定程度上改变其能带结构,带来某些新的现象.对于声子晶体,缺陷是指在理想周期结构中引入微扰时对结构几何周期性的破坏,可以通过改变散射体的形状、尺寸、材料特性等方式,来形成各种缺陷,包括点缺陷、线缺陷和面缺陷.

摘要： 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积法制备n-i-p 微晶硅电池,发现对n/i 界面进行氢处理后电池的长波响应有很大的提高.为了解释氢处理n/i 界面改善微晶硅太阳电池长波响应机制,对微晶硅薄膜太阳电池进行了模拟分析,发现本征层缺陷态密度对电池长波响应影响较大.将模拟分析结果与实验结果对比,讨论了氢处理本征起始层改善微晶硅太阳电池长波响应机制.

摘要： 本文采用高压高功率的VHF-PECVD技术,通过改变电极间距同时调整硅烷浓度(SC)的方法沉积了一系列的微晶硅薄膜材料,测试其生长速率、次带吸收系数及微结构,研究电极间距对微晶硅薄膜生长速率及其性能的影响.结果表明,薄膜的沉积速率随电极间距的增大而提高,材料的晶化率先升高后降低;低缺陷态的器件质量级微晶硅材料要在适当的电极间距和非晶/微晶过渡区得到.本文在电极间距为12mm硅烷浓度为5.5﹪的条件下,得到生长速率12(A)/s次带吸收系数小于3cm-1的器件质量级微晶硅薄膜材料.

摘要： 本文利用传输矩阵法,分析了具有分形结构的分层介质中光子带隙的特性,研究表明,对分形分层结构介质,在一定的条件下它比一般等周期结构的分层介质具有更宽的带隙,且更容易形成缺陷态.最后,讨论了光子带隙与分形维数之间的关系.

摘要： 作为一种新型材料，光子晶体具有奇特的控制光子传播状态的特性,可以用来制作全新概念和以往所不能制作的高性能光学器件,被视为21世纪最具潜力的新型材料之一，以其独特光子禁带特性得到广泛应用。本文介绍光子晶体的基本概念、特点及其传输机制，重点阐述光子晶体在光通信领域、微波领域以及现代电子技术领域的应用，并提出了光子晶体的研究发展趋势。

摘要： 作为一种新型材料，光子晶体具有奇特的控制光子传播状态的特性,可以用来制作全新概念和以往所不能制作的高性能光学器件,被视为21世纪最具潜力的新型材料之一，以其独特光子禁带特性得到广泛应用。本文介绍光子晶体的基本概念、特点及其传输机制，重点阐述光子晶体在光通信领域、微波领域以及现代电子技术领域的应用，并提出了光子晶体的研究发展趋势。

摘要： 与设置在包括硅的半导体本体内的一个或更多个局部发光缺陷有关的各种系统、设备、物品和方法。包括在一个或更多个缺陷中的相应缺陷支持相应束缚激子。在相应缺陷处定义相应一对计算态，并且该对计算态中的一个计算态包括相应激子的第一配置。可以根据本文描述的各种系统、设备、物品和方法来操纵存储在相应一对计算态中的信息。

摘要： 本发明涉及嵌入式软件领域，特别是涉及一种嵌入式系统内核态下程序缺陷修复的方法和装置。主要包括：将进程需要使用的补丁段所在的共享库传递给内核模块，内核模块将共享库加载到相应进程的进程空间；内核模块获取内存控制块中补丁段所对应的原内存段和补丁段的地址，将内存控制块中原内存段的地址替换为补丁段的地址。本发明可以在任意进程需要修复或者修改、新增程序功能时，方便的进行替换和修复，而不需要提前让进程做好初始化等相关操作，也不用在操作后重启进程，可以实现在线修复、修改或者新增功能，增强程序的健壮性。

摘要： 本发明提供了一种碳化硅表面缺陷态能量分布测量方法、系统及存储介质，先分别在不同施加电压、不同温度、不同电压脉冲时间的条件下，通过深能级瞬态谱仪器测量得到碳化硅晶圆与金属电极点构成的肖特基结构的瞬态电容变化曲线，然后根据瞬态电容变化曲线，得到耗尽层宽度曲线，再根据所述耗尽层宽度曲线，计算出瞬态电压曲线，最后根据瞬态电压曲线计算出碳化硅晶圆表面缺陷态的能级位置以及对应缺陷态密度，从而得出碳化硅晶圆的缺陷态态密度能级分布规律。

摘要： 本发明公开了一种高活性缺陷态氧化镁纳米薄片及其制备方法和应用。本发明以二价镁盐为原料，以有机醇为溶剂，首先采用溶剂热法低温合成前驱体，再经过控制煅烧处理制备表面缺陷浓度可控的氧化镁纳米薄片。获得的氧化镁纳米薄片尺寸较小，具有明显的多孔特征及丰富的表面氧空位和低配位原子，因而表现出优异的CO2捕获性能及光催化CO2还原活性。

摘要： 本发明公开了一种3D缺陷态铁单原子催化剂氮化碳，其中主料按重量份计包括：三聚氰胺1‑10份、尿素1‑10份、无水乙醇10‑100份、六水合氯化铁0.1‑3份、氯化钠0.5‑15份和泊洛沙姆1‑10份。本发明通过制备缺陷态氮化碳，有效的解决了光生载流子复合速率快的问题，更有利于光生电子e‑和光生空穴h+分离，增加了材料对污染物的氧化和还原能力，且改变了其形貌特征，材料从原有的单片层状堆叠为3D形态，π→π*的共轭体系形成增强了材料对可见光的吸收效率，并通过加入铁单原子催化剂，实现了与过氧化氢共同发生芬顿反应的能力，光芬顿的体系形成让材料能够高效的降解水中的四环素。

摘要： 一种缺陷态声学超材料的亥姆霍兹共振效应声电收集装置及方法，属于噪声控制和新能源发电的技术领域。其特征包括：噪声收集模块、声音放大模块、声电转换模块和电路模块；所述噪声收集模块包括喇叭口、薄膜、音叉；所述声音放大模块包括蜗状声音放大管；所述的声电转换模块包括声学超材料结构板、亥姆霍兹共振器和压电片；所述的声学超材料结构板由柱状孔、凹槽组成；所述电路模块包括升压电路、整流电路、稳压电路、逆变电路和蓄电池；蜗状声音放大管小口端与噪声收集模块连接，大口端与声电转换模块连接，声学超材料结构板上开设的部分柱状孔与亥姆霍兹共振器颈部相连，亥姆霍兹共振器底部设有压电片与电路模块相连。

摘要： 本发明公开了一种基于深能级缺陷态的CdTe宽光谱探测器及其工作方法，特点是使用分子束外延系统并通过范德华外延方式调控制备具有深能级的CdTe外延薄膜。采用简单的水溶法，可实现CdTe外延薄膜的大面积剥离与转移。将CdTe外延薄膜转移到表面含有SiO2薄层膜的重掺Si晶圆衬底上，再利用标准的光刻工艺，结合金属热蒸镀技术实现所设计的CdTe宽光谱探测器。利用本发明，可使CdTe光电探测器的探测范围得到拓展，截止波长从原来的870纳米拓展到1.65微米，实现由紫外到长波近红外波段的宽谱探测，故在光纤通信波段1.3到1.6微米的光电器件，以及中心波长为1.25微米和1.6微米的白天和夜间微弱辉光的成像应用等方面具有巨大应用前景。

摘要： 本发明公开了一种氧缺陷态氧化亚铜纳米燃烧催化剂、制备方法及其应用。该制备方法先将铜‑胺配合物溶液进行水解后，制得Cu

摘要： 本发明属于水处理技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的缺陷态催化膜及其制备方法和应用。本发明在三电极体系中，以泡沫镍为工作电极，2‑甲基咪唑的甲醇溶液为电解质溶液，在一定电势下运行一定时间；然后将硝酸钴的甲醇溶液加入电解质溶液中，调整电势后运行一定时间，再将得到的泡沫镍基ZIF‑67膜在一定氧气氛围下煅烧，得到金属有机骨架衍生的缺陷态催化膜。本发明的制备方法无需额外引入掺杂剂或酸碱刻蚀剂，制得的催化膜富含大量氧空位，以此活化单过硫酸氢钾产生氧活性物种可选择性降解富电子有机污染物，且对复杂体系具有高的耐受性(pH、无机盐)，半衰期较长(2μs)，具有广阔的应用前景。

摘要： 本发明公开了一种醇解PET的缺陷态氧化锌纳米片催化剂的制备方法，包括如下步骤：(1)将氯化锌、表面活性剂加到第一混合溶剂中，搅拌反应，得到含有Zn‑CTAB的混合反应液；(2)将乙醇胺水溶液和第二混合溶剂加到步骤(1)得到的含有Zn‑CTAB的混合反应液中，搅拌反应，得到白色悬浮液，经固液分离，得到固体部分经真空干燥，得到缺陷态ZnO纳米片前驱体；(3)将步骤(2)得到的缺陷态ZnO纳米片前驱体煅烧即得。本发明制备的缺陷态氧化锌纳米片可作为催化剂应用于废弃PET的醇解，产物收率高达92.7％，无金属残留，且催化剂易回收，可循环使用，具有潜在的应用前景。