Cu掺杂

摘要： 采用固相反应法制备了Sr_(3)YCo_(4-x)Cu_(x)O_(10.5+δ)(x=0~1.0)系列多晶。利用热重-差示扫描量热分析、X射线衍射等表征了多晶的有序化相变,以及Cu掺杂对结构、热电输运性能和磁性能的影响。在固溶范围内(x=0~0.4),观察到XRD的有序峰(103)和(215),说明四方Sr_(3)YCo_(4-x)Cu_(x)O_(10.5+δ)多晶为超结构,这与合成时1000°C以上的吸氧(δ)放热相变有关;当x=0.6~1.0时,978°C在晶界处形成了单斜杂相。当x=0~0.4时,多晶呈半导体输运行为。随着Cu掺杂量的增加,空穴载流子浓度和迁移率增大,电阻率明显下降;此外,Co^(3+)离子自旋态降低,自旋熵增大,载流子浓度和自旋熵的共同作用使x=0~0.2多晶的热电势不变,x=0.4的热电势降低。磁化强度和铁磁转变温度(T_(c))降低,磁结构由G-型反铁磁转变为铁磁。在进行二次烧结后,300 K时电阻率明显降低,热电势为一次烧结的2倍,认为二次烧结提高结晶程度及铁磁有序排列。

摘要： 将泡沫镍浸入CuCl_(2)溶液中预处理后通过微波合成工艺在泡沫镍表面合成了Cu掺杂Ni_(3)S_(2),详细研究了Cu掺杂对Ni_(3)S_(2)电解水性能的影响.研究发现,Cu的掺入可以有效改善Ni_(3)S_(2);在碱性与中性电解液中对H_(2)O的吸附与分解,从而提高Ni_(3)S_(2);基催化剂电解水的性能,在1 mol/L KOH电解液中电流密度为10 mA·cm^(-2)时过电位仅为121 mV,中性电解液中相应过电位为218 mV.

摘要： 本研究基于量子化学的密度泛函理论(DFT)研究了CO在理想和氧缺陷Cu_(1)/CeO_(2)(110)表面上的吸附,并且对CO分子在催化剂表面不同位点的吸附特性进行了计算和分析。结果表明,Cu掺杂可以显著提高CO在催化剂表面的吸附性能,顶位是CO最稳定的吸附位,CO在空穴位上的吸附能力很弱。与理想表面相比,线性缺陷的构造可以进一步提高CO在催化剂表面的吸附性能。对吸附构型PDOS的分析表明,大量的轨道杂化是CO在Cu_(1)/CeO_(2)(110)表面吸附性能较强的原因。

摘要： 近日,新加坡南洋理工大学和西安工业大学的联合研究团队以Cu掺杂金属硫化物SnS_(2)(Cu-SnS_(2))为基础,设计了一种高选择性还原CO_(2)制备甲酸甲酸盐的电化学催化剂。相关研究成果发表于《德国应用化学》杂志。

摘要： 采用微波诱导液相无焰燃烧法快速制备LiMn_(1.925)Cu_(0.075)O_(4)正极材料.通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)测试手段表明,Cu掺杂未改变尖晶石LiMn_(2)O_(4)的晶体结构;随着焙烧时间的延长,颗粒尺寸逐渐增大,晶界逐步清晰;Cu^(2+)进入LiMn_(2)O_(4)晶格中.电化学测试表明,二次焙烧8 h的LiMn_(1.925)Cu_(0.075)O_(4)正极材料表现出优异的电化学性能.在1 C倍率下,首次放电比容量为110.9 mA·h·g^(−1),循环400次后容量保持率63.9%;在5 C和10 C高倍率下可实现1000次循环,首次放电比容量分别为108.9、94.8 mA·h·g^(−1),保持率分别为61.3%、68.1%.Cu掺杂有效抑制Mn的溶解和Jahn-Teller效应,提高材料的结构稳定性与电化学性能.

摘要： 采用简单的水热法合成了纳米片组装的分级NiO微球(NiO HMs),并利用煅烧法制备出掺杂不同比例Cu(1.5%、3%、4.5%)的Cu-NiO HMs复合材料,通过不同表征方法对其形貌结构进行分析.研究材料的可见光催化还原CO_(2)的性能.结果表明Cu负载量的提高有利于材料的光吸收性能和催化稳定性.当掺杂量为4.5%时,复合材料表现出最佳的CO_(2)还原活性,其CH_(3)OH的产率达到了585μmol/g cat,4 h.此外还探究了复合材料的CO_(2)光催化还原机理.

摘要： 以Cu(NO_(3))2·3H_(2)O为铜源,采用水热法在180 °C条件下制备了不同Cu掺杂量的BiVO_(4)光催化材料,其在可见光下具有强大的氧化还原能力。通过X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、电化学阻抗谱等表征手段对样品进行表征与分析,并以500 WXe灯为模拟可见光源,罗丹明B染料(RhB)为目标污染物,进行光催化性能研究。研究结果显示,Cu掺杂改变了 BiVO_(4)的形貌,当Cu掺杂量(质量分数)为1 %时,在500~800 nm范围内可见光吸收显著,使得光催化活性达到最佳,对RhB(10 mg·L^(-1))的降解率可达81.6%,较同条件下制备的纯BiVO_(4)光催化效率提高了近20%。

摘要： 采用溶胶-凝胶法,在450°C煅烧下制备了纯TiO2和不同浓度Cu掺杂TiO2纳米粉末.通过XRD、PL、SEM等测试方法对样品的晶体结构、光生电子和空穴的复合率以及微观形貌进行表征,并选用罗丹明B作为目标污染物,研究其光催化性能的影响.结果表明450°C热处理后样品均为锐钛矿,Cu掺杂后能够细化晶粒,抑制光生电子与空穴的复合,但并未提高TiO2光催化活性,这可能是Cu掺杂后引起了更严重的团聚减小了比表面积造成的.

摘要： 以Cu(NO3)2·3H2O为铜源,采用水热法在180°C条件下制备了不同Cu掺杂量的BiVO4光催化材料,其在可见光下具有强大的氧化还原能力.通过X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱、荧光光谱、电化学阻抗谱等表征手段对样品进行表征与分析,并以500WXe灯为模拟可见光源,罗丹明B染料(RhB)为目标污染物,进行光催化性能研究.研究结果显示,Cu掺杂改变了BiVO4的形貌,当Cu掺杂量(质量分数)为1％时,在500～800 nm范围内可见光吸收显著,使得光催化活性达到最佳,对RhB(10 mg·L-1)的降解率可达81.6％,较同条件下制备的纯BiVO4光催化效率提高了近20％.

摘要： 本发明公开一种石墨烯掺杂Cu/Cu

摘要： 本发明公开了一种精确控制Cu掺杂Pt空心纳米材料中Cu含量的方法，包括以下步骤：（1）将Cu

摘要： 本发明涉及一种氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料的制备方法，以酞菁铜提供氮源、铜源，通过氩气气氛中高温热处理酞菁铜与氧化石墨烯的混合粉体，制备了氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料。所制备的氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料中，Cu-Cu2O纳米颗粒负载在氮掺杂石墨烯片上。本发明提供的制备方法安全简单，产量高，易重现，易于工业化生产。采用本发明生产的氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料在光催化、氧催化、超级电容器等方面有很好的应用前景和经济价值。

摘要： 本发明公开一种石墨烯掺杂Cu/Cu

摘要： 本发明公开了一种水溶性Cu掺杂的Cu：CdTe量子点的微波制备方法。该方法包括将摩尔比为5.1∶1的硼氢化钠和碲粉置于水中，在氮气保护下，置于微波合成仪中，加热到70～80°C搅拌反应1-2分钟，然后加热到90-95°C搅拌反应2-3分钟，得到碲氢化钠溶液；然后在容器中加入镉盐、铜盐和修饰剂水溶性N-乙酰-L-半胱氨酸溶液，并注入上述的碲氢化钠溶液，再从溶液上面往下面通入氮气2-3分钟，得到Cu掺杂的Cu：CdTe量子点前体溶液；最后将前体溶液置于微波反应器中加热反应得到水溶性Cu掺杂的Cu：CdTe量子点溶液。本方法节能高效，加热快速均匀且无污染，便于控制。

摘要： 本发明涉及一种氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料的制备方法，以酞菁铜提供氮源、铜源，通过氩气气氛中高温热处理酞菁铜与氧化石墨烯的混合粉体，制备了氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料。所制备的氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料中，Cu-Cu2O纳米颗粒负载在氮掺杂石墨烯片上。本发明提供的制备方法安全简单，产量高，易重现，易于工业化生产。采用本发明生产的氮掺杂石墨烯负载Cu-Cu2O纳米复合材料在光催化、氧催化、超级电容器等方面有很好的应用前景和经济价值。

摘要： 本发明提供一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器的制备方法，属于半导体薄膜领域。该忆阻器自下而上依次为衬底、下电极、阻变层和上电极，阻变层材料采用TixOy掺入Cu的TixOy‑Cuz薄膜。TixOy薄膜中掺入Cu是由于Cu作为一种过渡金属，其离子半径与TixOy中Ti离子的半径相近，TixOy掺入Cu后，TixOy的能带能够包含Cu的能带边缘，有利于捕获TixOy激发出的光生电子，从而改变TixOy薄膜忆阻器的性能；此方法制备的忆阻器具有性能稳定、重复性好等优点，在未来半导体薄膜领域具有很好的应用前景。

摘要： 本发明的一种γ‑Ga2O3或Cu掺杂γ‑Ga2O3纳米晶及其制备方法和用途属于纳米材料合成和光伏器件技术领域。制备方法包括将镓源、铜源和表面活性剂混合加入去离子水搅拌形成均匀混合溶液，加入乙二醇，加入沉淀剂，进行水热反应，清洗，离心等步骤；制备的纳米晶作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池。本发明首次利用低温水热法制备出γ‑Ga2O3及Cu掺杂γ‑Ga2O3纳米晶，并首次将其用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层中，有望促进超宽带隙半导体材料Ga2O3在光伏器件领域的发展。

摘要： 本发明公开了一种金属有机框架衍生的Cu掺杂CeO2负载PdCu合金催化剂及其制备方法，所述PdCu合金催化剂由CeO2载体、Cu离子和Pd纳米颗粒组成，所述催化剂中Cu呈现高分散状态，既掺杂到CeO2中，又与Pd形成合金。通过将聚乙烯吡咯烷酮保护的Pd颗粒溶于乙醇和水组成的混合溶剂中，加入有机配体、硝酸铜和硝酸铈，经加热回流后得到Cu、Ce双节点金属有机框架作为前驱体；再经N2下焙烧得到Cu掺杂CeO2负载Pd催化剂。所述催化剂中Pd和Cu、Cu和Ce、Pd和Ce之间均可以产生相互作用，对于电催化析氢反应表现出良好的催化活性。

摘要： 本发明提供了一种Cu掺杂的Sb2Te3体系相变材料、相变存储器及制备方法装置，属于微纳米电子技术领域。其中，Sb‑Te体系相变材料通过Cu元素掺杂，在局部富Cu的情况下形成同时具备四面体以及八面体结构的Cu3Te2键合。强键合的四面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的非晶稳定性及数据保持能力，晶体构型八面体结构提高Sb‑Te体系相变材料的结晶速度。本发明还提供了包含该相变材料的相变存储器以及相变材料的制备方法。本发明的相变材料能同时改善器件的速度和非晶稳定性，提升相变存储器的综合性能。