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纳秒脉冲

纳秒脉冲的相关文献在1991年到2023年内共计528篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、物理学 等领域,其中期刊论文180篇、会议论文39篇、专利文献71914篇;相关期刊80种,包括渤海大学学报(自然科学版)、中国生物医学工程学报、西安交通大学学报等; 相关会议24种,包括全国第十六届分离流、漩涡和流动控制会议 、中国电机工程学会测试技术及仪表专业委员会2015年年会暨电力设备状态检修与故障诊断技术学术交流会、中国电机工程学会高电压专业委员会2015年学术年会等;纳秒脉冲的相关文献由1189位作者贡献,包括严萍、邵涛、章程等。

纳秒脉冲—发文量

期刊论文>

论文:180 占比:0.25%

会议论文>

论文:39 占比:0.05%

专利文献>

论文:71914 占比:99.70%

总计:72133篇

纳秒脉冲—发文趋势图

纳秒脉冲

-研究学者

  • 严萍
  • 邵涛
  • 章程
  • 王珏
  • 孙广生
  • 姚陈果
  • 张适昌
  • 李成祥
  • 张东东
  • 米彦
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 周洋洋; 申杰飞; 崔行磊; 方志
    • 摘要: 介质阻挡放电(DBD)因其能够在大气压下产生大面积等离子体,在材料改性领域具有广阔应用前景。为获得高活性、可调控、适用于憎水改性的DBD等离子体,本文以聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为憎水性反应媒质,以Ar作为工作气体,采用纳秒脉冲电源激励产生介质阻挡放电。改变电压幅值、重复频率、上升沿时间等激励源参数,通过电学特性、发光特性和光谱特性诊断方式,获得了激励源参数与放电均匀性和粒子活性的关系。结果表明,重复频率对粒子活性影响最显著,随着重复频率增加,光谱强度显著增大,粒子活性增强,这对于提高憎水改性效果具有显著作用。此外,增大电压幅值和上升沿时间也可提高粒子活性,但增大电压幅值会导致放电均匀性下降,而上升沿时间超过200 ns会对粒子活性产生抑制作用。
    • 黑雪婷; 高远; 窦立广; 李江伟; 陈根永; 邵涛
    • 摘要: 开发非合成气路线的 CH-CHOH 直接制取高碳液态化学品转化技术可有效规避传统工业中面临的高危反应条件、废水排放、原子经济性低等问题。该文以 CH、CHOH 为原料,采用纳秒脉冲放电等离子体驱动 CH-CHOH 直接合成 C-C液态产品,主要探究了 Ar 添加和脉冲上升沿、下降沿对 CH-CHOH 放电中电学特性和转化特性的影响,并进行机理探究。实验结果表明,CH-CHOH-HO 体系实验的主要气态产品为 H、CO、CH和 CH,主要液态产品为 CHOH、CHOH。总流速固定时,Ar 添加后产生的彭宁电离有利于液态产品的生成,总液体选择性最高为 16.4%;在电压和频率固定时,变化六种不同的上升沿、下降沿条件,发现较大的上升沿、下降沿有利于液态产品的生成,当上升沿、下降沿为 500ns 时,总液体选择性为 14.7%。
    • 郭帆; 贾伟; 谢霖燊; 陈志强; 吴伟; 谢彦召
    • 摘要: 百kV/cm高场强纳秒脉冲条件下,采用J.C.Martin经验公式估算SF_(6)气体击穿场强时,估算值与实验结果差异显著。为了进一步指导高场强脉冲气体开关设计,为开关工作状态调节提供依据,借鉴经典击穿场强经验公式形式建立了百kV/cm场强下SF_(6)气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延与实验参数之间的关系,基于实验数据拟合形成了修正系数的击穿场强和时延经验公式。研究表明,百kV/cm场强和纳秒脉冲条件下脉冲电压斜率对开关击穿特性有重要影响,击穿场强与击穿时延相互关联。百ns至μs脉冲与几十ns脉冲气体放电机理的区别引起放电过程中击穿时延组成发生变化,导致了经典击穿场强经验公式估算值与实验结果的显著差异。修正系数的击穿经验公式可为电磁脉冲模拟器输出开关提供更为精确的工程设计依据。
    • 李尧; 张昆; 李政; 张浩彬; 余洋
    • 摘要: 针对应用于激光主动成像系统中的大能量纳秒脉冲光纤激光器光源,介绍了实现大能量短脉冲激光输出的典型结构;概括了相关方向的国内外研究进展,分析了不同技术途径的优缺点;最后对大能量纳秒脉冲光纤激光器的应用和发展前景进行展望。
    • 强刊编辑部
    • 摘要: 对于大多数高压电气设备,固体电介质是不可缺少的组成部分,其作用包括机械支撑和电气绝缘两方面,提高固体电介质的绝缘能力具有重要意义。然而对于固体电介质体击穿现象,其研究还有待进一步加深,特别是在微秒和纳秒等短脉冲条件,固体电介质的击穿呈现出与静态或工频不同的现象,使得这一研究变得更为复杂。此外,随着脉冲功率技术的迅猛发展,如何评估和设计绝缘结构,使其具有满足使用要求的寿命也是在建立脉冲功率装置时非常关心的问题。
    • 白卫; 卢胜标; 刘冲
    • 摘要: 提出一种用于电力杆塔缺陷检测脉冲电源拓扑及其样机实现。该脉冲电源的拓扑采用新型开关器件,可满足脉冲快速、可调需求。电力杆塔缺陷检测需要在几十千伏的电压下产生具有亚纳秒上升时间的脉冲电源,为实现这一点,将传统脉冲电源引入固态开关器件。所提出的脉冲电源设计为由多个堆叠的同轴层组成的拓扑结构,其中每层由包含多个开关器件的印刷电路板(PCB)组成。然后,对所提出的脉冲电源进行3D电磁仿真分析,并设计5 kV脉冲电源样机,测试样机在2.5 kV、50Ω负载下可实现6 ns的脉冲上升时间,验证所提电源能够产生灵活脉冲波形,从而验证所提出设计方法的有效性。
    • 摘要: 2022年8月,由我刊青年编委赵亮博士著作的《纳秒脉冲固体电介质击穿特性及机理》一书由科学出版社正式出版。全书围绕“特性机理设计”的总体思路,以部分应用为牵引,着眼于解决高压绝缘结构在设计、应用、评估中所面临的问题,汇集了固体绝缘研究领域的最新学术成果。希望本书能给读者提供有用的参考。
    • 胡迪; 刘亚韪; 方志; 王森
    • 摘要: 为了在提高放电等离子体活性的同时保持较为稳定的放电,文中利用纳秒脉冲电源驱动大气压氩气中针—水结构气液放电,研究了不同脉冲电压和频率下的放电电学特性、发光图像和发射光谱强度,并讨论了相关参数对放电特性的影响原因。结果表明:在氩气纳秒脉冲气液放电中,脉冲电压和频率不会对放电模式产生影响。随着脉冲电压的增大,上升沿电流、下降沿电流和平均功率均增大,且上升沿电流总是大于下降沿电流;当脉冲频率增大时,上升沿电流和平均功率增大,下降沿电流逐渐减小。等离子体特性方面,在不同脉冲电压和频率下均测到了较强的Ar(4p→4s)、H(656 nm)和O(777 nm)谱线和较弱的H(486 nm)谱线,并且4种激发态活性粒子的发射光谱强度均随着脉冲电压和频率的增大而增大。
    • 张玉; 郭飞
    • 摘要: 目的 研究纳秒脉冲脉宽参数与细胞凋亡之间的量效关系.方法 将纳秒脉冲电场参数组合(电场强度7、10、14 kV/cm,脉宽50、100、200 ns,脉冲个数30,频率1 Hz)作用于离体SKOV3细胞,利用An-nexin V FITC/PI双染法检测细胞凋亡率和坏死率;通过激光共聚焦显微镜检测细胞膜和线粒体跨膜电位变化情况;仿真计算纳秒脉冲作用时膜电位、微孔密度及电导率的实时动态变化.结果 脉冲处理后细胞膜跨膜电位下降程度随脉宽增加而增加,而线粒体跨膜电位下降程度随脉宽增加而减小,且100 ns脉冲同时诱导最大的细胞凋亡率(32.14±3.76)%及较小的坏死率(5.04±1.72)%;仿真计算中膜电位变化规律与实验结果 吻合,其中50 ns脉冲诱导最高的微孔密度(2.93×1015/m2)和电导率(0.004 S/m).结论 通过合理选择纳秒脉冲脉宽参数可以在一定程度上调控细胞的生物电效应.
    • 于维鑫; 朱文超; 程晓; 黄邦斗; 章程; 邵涛
    • 摘要: 采用一台高重频、快上升沿纳秒脉冲电源作为激励源,对典型的双电极合成射流激励器进行放电,通过粒子图像测速法(particle image velocimetry,PIV)测量放电实验中激励器稳定流场特性以及发展速度.分析实验结果发现,随着重复频率的提高,合成射流的平均发展速度也随之增大,1 kHz时的平均速度最高达到28.28 m/s,并在单脉冲能量远低于微秒脉冲的情况下,实现了更快的稳态流场控制,表明高重复频率下,更多次数的脉冲放电可提高激励总能量,有效地弥补纳秒脉冲单脉冲输出能量不足的缺点.而且频率越高,流场发展速度越快,说明高重频工作模式会对输出总能量有补偿作用.
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