纯镁

摘要： 镁是地球上储量最丰富的轻金属元素之一,利用镁和空气中的氧分别作为负极和正极的活性反应物可构筑镁空气电池,抑制强活泼性的镁在放电过程中的自腐蚀是提高镁空气电池放电效率的主要手段.本工作研究电解质添加剂硅酸钠对空气电池中镁阳极腐蚀行为及放电性能的影响.动电位极化、电化学阻抗技术,结合浸泡腐蚀形貌观察、X线能谱分析的研究结果表明,Na2SiO3可与镁反应生成硅酸镁保护膜,在3.5％的NaCl电解质溶液中,当其添加浓度达到0.01 mol/L时可获得89.44％的缓蚀效率,浓度继续增大,缓蚀效率不再显著增加.恒电流极化腐蚀形貌的观察以及镁空气电池的放电曲线测试表明Na2Si03抑制了镁在NaCl溶液中的自腐蚀,2 mA/cm2以及4 mA/cm2放电电流密度下,0.01 mol/L Na2SiO3添加剂可使得放电平台时间分别比空白电解质中增加约11 h和6 h,电池放电效率得到明显提高.

摘要： 目的:研究纯镁微弧氧化-NaOH-Zn膜层的抗菌性.方法:超声微弧氧化组(MAO)设为A组,化学镀锌10min的MAO纯镁(MAO-Zn)设为B组,碱处理后化学镀锌10min的MAO纯镁(MAO-NaOH-Zn)设为C组.进行抗菌试验,对比实验结果.结果:C组24h黄色葡萄球菌和大肠杆菌菌落数明显低于B组、A组,C组抗菌率明显高于B组、A组,差异具有统计学意义(P＜0.05).结论:纯镁微弧氧化-NaOH-Zn膜层有较强的抗菌性,应用于口腔植入材料能够预防感染,且经微弧氧化处理能够解决镁基材料降解过快的问题.

摘要： 以纯镁为细化对象,研究Al-2.8Nb-0.3B(中间合金)作为晶粒细化剂对铸态纯镁微观组织、拉伸变形及断裂行为的影响.结果表明:随着中间合金的添加量由0增加至7.14％,晶粒由毫米级的柱状晶细化至平均直径约196μm的等轴晶,最大拉伸应力由53.8 MPa提升至185.4 MPa,滑移线的平均间距由17.9μm减至1.3μm.纯镁经7.14％中间合金细化后的拉伸断裂过程与细化前的存在显著区别:细化前,晶粒内部首先产生滑移线,随后裂纹在最深的滑移台阶处萌生、扩展,并最终断裂;细化后,晶粒内部同样先产生滑移线,但随后裂纹沿晶界处的第二相β-Mg17Al12萌生裂纹和扩展,直至最终断裂.纯镁经7.14％中间合金细化后,合金发生显著的细晶强化,但细化后合金晶界处形成数十微米的 β-Mg17Al12相,降低了合金的延展性.

摘要： 目的:探讨纯镁载聚乳酸-乙醇酸共聚物[poly(lactic-co-glycolic acid),PLGA]对体内骨结合能力及降解速率的影响.方法:纯镁微弧氧化(micro arc oxidation,MAO)膜层为对照组(MAO组),纯镁载PLGA膜层为实验组(PLGA组),将2种涂层的镁钉植入家兔下颌骨内.分别于2、4、8和12周后分期处死家兔,在不脱钙的情况下截取载钉的下颌骨,并进行锥形束CT(CBCT)、微型CT(Micro-CT)、激光共聚焦显微镜和扫描电镜检测.结果:CBCT结果显示,PLGA组较MAO组低密度影像小,骨结合好;Micro-CT结果显示,PLGA组较MAO组降解速率低;扫描电镜和激光共聚焦显微镜可见PLGA组促新骨生成能力强于MAO组.结论:纯镁载PLGA膜层能够促进骨结合,并降低镁基体的降解速率.

摘要： 采用循环伏安(CV)、动电位极化(Tafel)和电化学阻抗谱(EIS)技术、结合纯镁微弧氧化膜微观形貌,研究电压对膜层电化学腐蚀行为的影响.结果表明:电压对膜层耐蚀性影响显著,随着电压升高,膜层耐蚀性增强,这是因为较厚的膜层厚度为抵御腐蚀介质的侵蚀提供了良好的物理屏障.在整个腐蚀试验过程中,高电压下制备的膜层经历三个阶段:腐蚀介质逐渐渗入膜层,腐蚀介质渗透膜层到达膜基面侵蚀基体,腐蚀产物填充微孔和微裂纹等缺陷.相比而言,低电压下制备的膜层随着浸泡时间的延长,膜层外部疏松层和内部致密层的电阻均逐渐减小,致使耐蚀性降低,最终膜层完全失效.

摘要： 在硅酸盐、铝酸盐、硅酸盐与铝酸盐复合3种电解液体系中对纯镁表面进行微弧氧化处理,通过扫描电镜观察、能谱分析、X射线衍射分析和电化学测试等方法研究了微弧氧化膜的组织及性能.结果 表明:硅酸盐体系中得到的微弧氧化膜最厚,其厚度为34.54μm,组织相对致密均匀,主要由MgO和Mg2SiO4构成;复合体系中得到的微弧氧化膜的表面粗糙度最小,为0.19 μm,组织致密均匀,主要由MgO、Mg2SiO4和MgAl2O4构成;铝酸盐体系中得到的微弧氧化膜组织的致密性最差,主要由MgO和MgAl2O4构成;硅酸盐体系中得到的微弧氧化膜耐蚀性最好,其自腐蚀电流密度比基体的小一个数量级.

摘要： 基面织构在镁合金变形过程中起着很重要的作用,消弱基面织构是提高镁合金延展性的有效途径。本研究利用铸轧工艺制备了纯镁、AZ31、A4S2和A8S24种镁合金板材,基于中子衍射方法研究了板材不同位置处体织构分布情况,图1为4种板材(0002)基面织构分布极图。由图1可看出,纯镁板材拥有非常强的双峰基面织构,且不同位置处织构分布不均匀。

摘要： 利用微弧氧化处理技术以硅酸钠为主体,配以辅助添加剂NaF、KOH和固态石墨烯组成电解液,在纯镁表面制备致密均匀的含碳陶瓷层.用扫描电子显微镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析了纯镁微弧氧化陶瓷层的表面和元素成分.利用CHI600E电化学工作站,在3.5wt％ NaCl溶液中测试了陶瓷层的电化学腐蚀性能.结果表明,在Na2SiO3浓度12g/L电解液中添加石墨烯处理15min后的微弧氧化陶瓷层厚度约为15um,显微硬度达到380.81HV.电化学腐蚀试验表明Na2SiO3浓度12g/L电解液添加石墨烯微弧氧化陶瓷层与未加入微弧氧化陶瓷层相比,腐蚀速率明显减慢,耐蚀性能显著提高.纯镁表面含碳微弧氧化陶瓷层有效提高了纯镁表面的耐蚀性.

摘要： 以纯镁及AZ31B镁合金为实验材料，采用强流脉冲电子束装置对试样表面分别进行了脉冲次数为10、15、20次的辐照处理。研究了纯镁及AZ31B镁合金经强流脉冲电子束处理后的表面变化，并在实验和理论基础上对电子束改性过程中的温度场演化进行了数值模拟。模拟结果，解释了处理后的特殊表面形貌。

摘要： 回顾了目前用于体内植入的传统生物医用金属材料不足之处,简述了镁和镁合金作为可降解生物医用材料的优越性.分析了镁和镁合金耐蚀性较差的原因,总结了当前用于提高生物医用纯镁和镁合金耐蚀性的方法.另外,还对镁合金在体外进行腐蚀实验的结果能否用于预测其在体内的腐蚀行为进行了叙述.

摘要： 利用抗坏血酸作为测定纯铝、纯镁中硅含量的还原剂,可使溶液显色速度快、稳定时间长、分析结果精密度高,有利于对产品进行质量监控.

摘要： 介绍了处理前后的纯镁细胞毒性和溶血率试验的结果.试验结果表明,小鼠骨髓细胞与纯镁试样直接接触的细胞毒性实验中,纯镁没有对小鼠骨髓细胞的增殖产生明显的毒副作用;但未经处理的纯镁试样出现了较为严重的溶血现象.经过表面改性后,纯镁试样的溶血率在生物材料允许的<5﹪的范围之内.本阶段试验提示,经表面改性后的纯镁可能用作生物材料.

摘要： 采用粉末冶金法制备出纯镁和不同磷酸三钙(TCP)含量的Mg/TCP复合材料,通过析氢、失重、溶液pH变化等测试考察了其在Hank's溶液中的腐蚀行为,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了腐蚀形貌和产物.结果发现,加入适量TCP,有利于Mg/TCP复合材料耐蚀性能的提高,但过量的TCP反而降低耐腐蚀性;经Hank's溶液浸泡后,复合材料试样表面有羟基磷灰石(HA)的沉积,而纯镁试样表面则未检测到HA,说明Mg/TCP复合材料具有较好的骨诱导作用.

摘要： 本发明公开了一种从高镁锂比盐湖卤水中制取高纯草酸镁和碳酸锂的方法，包括以下步骤：1)过滤除去盐湖卤水中的悬浮物与固体杂质；2)在步骤1)后的盐湖卤水中加入草酸，在温度为20～60°C、pH＝3～5、搅拌速度为150～500rpm的条件下反应30～180min，反应完成后过滤得到低镁锂比卤水和草酸镁沉淀；用40～60°C热水洗涤草酸镁沉淀3～5遍，在80～102°C下干燥60～120min得到纯度≥98％的高纯草酸镁；3)在步骤2)得到的低镁锂比卤水中加入除杂剂，得到精制卤水，在精制卤水中加入碳酸钠得到碳酸锂晶体，对碳酸锂晶体进行过滤、洗涤、干燥得到碳酸锂。本发明的方法制取的草酸镁纯度高。

摘要： 本发明公开了一种从高镁锂比盐湖卤水中制取高纯草酸镁和碳酸锂的方法，包括以下步骤：1)过滤除去盐湖卤水中的悬浮物与固体杂质；2)在步骤1)后的盐湖卤水中加入草酸，在温度为20～60°C、pH＝3～5、搅拌速度为150～500rpm的条件下反应30～180min，反应完成后过滤得到低镁锂比卤水和草酸镁沉淀；用40～60°C热水洗涤草酸镁沉淀3～5遍，在80～102°C下干燥60～120min得到纯度≥98％的高纯草酸镁；3)在步骤2)得到的低镁锂比卤水中加入除杂剂，得到精制卤水，在精制卤水中加入碳酸钠得到碳酸锂晶体，对碳酸锂晶体进行过滤、洗涤、干燥得到碳酸锂。本发明的方法制取的草酸镁纯度高。

摘要： 本产品属于耐火材料定型含碳耐火制品领域，具体涉及一种镁碳超细粉结合的高纯镁碳砖及其制备方法，制品可用于钢包使用环境最恶劣的渣线部位；本发明特点在于以二钙电熔镁砂和鳞片石墨为主要原料构建高纯体系镁碳砖，具有在高温下的强度高、抗渣性能优良和抗热震性好的特性；还引入经特殊工艺处理的镁碳超细粉，其中位粒径小于10μm，具有较高的活性、分散性和填充性能，高温下有利于原位生成纳米晶须，提高制品体积密度和高温强度；本发明制备的镁碳砖在马钢长材事业部70t钢包渣线部位多次试用，可使该渣线砖的使用寿命由原来的50次提高至100余次，其平均使用寿命为103次，高于传统镁碳砖近一倍，达到国际先进水平。

摘要： 本发明实施例公开了一种可降解纯镁或镁合金表面改性方法及纯镁或镁合金材料，用于解决现有的医用纯镁或镁合金材料在植入人体后不耐腐蚀且容易发生细菌感染的技术问题。本发明实施例包括以下步骤：S1、将纯镁或镁合金进行预处理；S2、采用配备锌阴极弧源的金属离子注入机对纯镁或镁合金进行离子注入；S3、采用配备铜阴极弧源的金属离子注入机对完成步骤S2的纯镁或镁合金进行离子注入；S4、使用气体注入机对完成步骤S3的纯镁或镁合金进行氧气注入；S5、纯镁或镁合金表面形成含铜元素和锌元素的涂层。

摘要： 本发明属于金属材料制备领域，具体涉及一种由工业纯镁生产超高纯金属镁的方法。该方法直接对工业镁锭进行真空蒸溜，真空室的真空度控制在1.0－10Pa，原料区域温度控制在700－850°C，冷凝区域温度分三段控制：第一段温度在500－600°C，第二段温度在350－500°C，第三段温度在250－350°C。相对于金属镁而言，高沸点、低饱和蒸气压的杂质将冷凝在第一段冷凝区，低沸点、高饱和蒸气压的杂质将冷凝在第三段冷凝区，主要的金属镁将冷凝在中间区域，从而直接生成超高纯金属镁。本发明获得纯度大于或等于99.996wt%超高纯金属镁，完全能够满足国防、航空航天、高端电子行业和核工业等高端科技领域的需求。

摘要： 本发明公开了一种高纯镁精炼剂及高纯镁精炼工艺，所述精炼剂由主料、辅料和辅助添加料构成，所述主料由下列组分组成：MgCl

摘要： 本发明涉及一种电子束对金属镁锭扫描获取高纯镁装置及提纯方法，包括真空升华室、冷凝室和真空导流管，所述真空导流管两端分别连接所述真空升华室和冷凝室并向内延伸；所述真空升华室内设有加热托盘，所述加热托盘设置于所述真空导流管下方；所述冷凝室设有结晶坩埚，所述结晶坩埚设置于所述真空导流管下方；所述真空升华室内设有电子加热枪；使镁金属直接由固态不经过液态直接升华为气态，后续冷凝成固态，达到高纯镁的提纯效果，大大节约了电能，同时由于没有坩埚材料的污染纯度大大提高。

摘要： 本发明公开一种由工业镁锭生产高纯镁的方法，将工业镁锭在充有保护气体的熔锅中充分熔化，利用压力差将熔锅中的镁液通过管道吸入一次真空蒸馏炉中；在一次真空蒸馏炉内进行蒸馏，镁和锌挥发进入气相并在真空炉的冷凝盘进行冷凝得到含锌镁液，由汇流盘进行汇集后进入二次蒸馏炉；高沸点杂质与未挥发的金属镁液通过蒸发盘流出真空炉进行后处理；二次真空蒸馏炉内对含锌镁液进行蒸馏，锌和部分镁挥发进入气相并在真空炉的冷凝盘进行冷凝得到高锌镁液，未挥发的镁为纯度达到99.99％的高纯镁；本发明可实现高纯镁的低成本连续化工业生产。

摘要： 本实用新型公开一种纯镁球化转包用新型隔板及设有该新型隔板的纯镁球化转包，该隔板包括一个内凹的球面，内凹的球面上设有通孔，通孔将由该隔板分隔出的位于转包包体内的两个腔室连通。由于金属镁锭在遇到高温铁液时迅速气化，镁蒸气激烈膨胀，形同爆炸，反应压力在反应室内径向传播，并与半径的立方成正比，金属镁锭到该隔板的内凹的球面的每一处的距离相等，金属镁锭气化时，该隔板的每一处受力相等，因而，不会使与隔板接触的其中一处的铁液相对静止，导致相对静止处的隔板与转包的内壁连接的位置结渣，也不会导致隔板的接近转包的内壁的通反应孔堵塞，使反应室堵塞，降低生产效率，且该隔板不存在薄弱处，延长该隔板的使用寿命。

摘要： 一种镁法脱硫液硫酸镁联产高纯镁砂和硫酸铵的系统，属于工业废水处理技术领域。使脱硫液硫酸镁中的镁部分转化成高纯镁砂，其余部分转化成轻质碳酸镁，使硫酸镁中的硫全部转化成硫酸铵高品质、高效益和大市场需求的化工产品，缩短了现有技术工艺繁琐问题和降低了操作难度，在规避脱硫石膏固废形成同时，也消除了七水硫酸镁潜在可溶性固废隐患，在全面实现超低排放目标同时，贡献出变废为宝和便于产业化发展的废液处理模式，特别适合燃煤电厂使用，尤其是对传统石灰石‑石膏脱硫工艺切换镁法脱硫具有现实的指导作用和长远的发展意义。