等离子体物理

摘要： 采用十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二胺、硅酸乙酯与膨润土反应,制备具有较好吸附性能的多孔黏土异质结构材料(porous clay heterostructures, PCHs),并使用PCHs对挥发性有机化合物甲苯进行动态吸附,以探究甲苯气体初始质量浓度、总流速对于PCHs吸附量的影响。试验结果表明:PCHs相较膨润土,前者比表面积有极大增加,总孔容和表面孔道分布增加,最可几孔径减小,且对甲苯气体吸附容量明显提升;当甲苯气体初始质量浓度越高、总流速越大时,PCHs对甲苯的饱和吸附量越大。

摘要： 《核聚变与等离子体物理》(季刊)是中国核学会核聚变与等离子体物理学会会刊,是中文物理学类、原子能技术类核心期刊,由核工业西南物理研究院主办,1980年创刊,国内外公开发行。《核聚变与等离子体物理》是《万方数据——数字化期刊群》源刊、《中国学术期刊(光盘版)》源刊、《中国科技期刊数据库》源刊、《中国科学引文索引》源刊、《中国学术期刊文摘(中文版)》源刊和《中国学术期刊文摘(英文版)》源刊。

摘要： 超快激光是指脉冲宽度为皮秒(10-12s)/飞秒(10-15s)级别(甚至更窄)的脉冲激光,它是推动基础科学实现重大突破、孕育颠覆性技术的利器,是驱动战略性新兴产业发展的动力源泉。面向世界科技前沿,超快超强激光能创造出前所未有的超快时间、超高强场、超高温度和超高压力等极端物理条件,是推动等离子体物理、原子分子物理、粒子物理与核物理等学科发展的重要基础科学研究工具。

摘要： 1.专著、论文集、学位论文、报告[序号]主要责任者.文献题名[文献类型标识].出版地:出版者,出版年.起止页码(任选).[1]刘国均,陈绍业,王凤翥,等,图书馆目录[M].北京:高等教育出版社,1957.15-18.[2]辛希孟.信息技术与信息服务国际研讨会论文集:A集[C].北京:中国社会出版社,1994.[3]张筑生.微分半动力系统的不变集[D].北京:北京大学数学系数学研究所,1983.[4]俞莹.核设备的退役与去污[R].北京:中国原子能科学研究院,1986.2.期刊文章[序号]主要责任者.文献题名[J].刊名,年,卷(期):起止页码.[5]王惠山,姜韶风,卢大伦.氢中性束在等离子体中透射情况的分析与计算[J].核聚变与等离子体物理,1998,18(3):30.

摘要： 《原子与分子物理学报》是四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,主要报导原子与分子物理及其交叉学科(包括:凝聚态物理、激光物理、等离子体物理、光学、化学物理、非线性动力学等)的理论、实验及其应用等方面的研究成果和进展.

摘要： 《原子与分子物理学报》是四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,主要报导原子与分子物理及其交叉学科(包括:凝聚态物理、激光物理、等离子体物理、光学、化学物理、非线性动力学等)的理论、实验及其应用等方面的研究成果和进展.

摘要： 《原子与分子物理学报》是四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,主要报导原子与分子物理及其交叉学科(包括:凝聚态物理、激光物理、等离子体物理、光学、化学物理、非线性动力学等)的理论、实验及其应用等方面的研究成果和进展.

摘要： 《原子与分子物理学报》是四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,主要报导原子与分子物理及其交叉学科(包括:凝聚态物理、激光物理、等离子体物理、光学、化学物理、非线性动力学等)的理论、实验及其应用等方面的研究成果和进展.

摘要： 《原子与分子物理学报》是四川省物理学会和四川大学联合主办的专业性学术刊物,主要报导原子与分子物理及其交叉学科(包括:凝聚态物理、激光物理、等离子体物理、光学、化学物理、非线性动力学等)的理论、实验及其应用等方面的研究成果和进展.1.开设栏目1.1研究论文:透彻、完整、清晰地报导具有学术价值的新的实验、理论结果和进展.研究论文一般分引言、理论或实验方法、结果与讨论、结论等部分,不超过8000字.要求在引言及相关部分对该研究内容相关的背景及现状、本工作所解决的问题及意义有清楚、简洁和客观的叙述.

摘要： 王正汹,1979年出生,中共党员,大连理工大学物理学院党委书记、教授、博士生导师,从事磁约束核聚变的大规模计算机模拟研究20余年。国家杰出青年科学基金获得者,国家磁约束核聚变重大专项首席科学家,国家重大科技基础设施“聚变堆主机关键系统综合研究设施”科技委员会委员。曾获得国际爱因斯坦奖、亚太等离子体物理杰出青年奖、中国青年五四奖章等。

摘要： 等离子体技术不仅是一个关系国家能源、环境、国防安全的战略技术,而且是一个现代工业中的重要应用技术.在国内,关于等离子体技术的研究和教学远远落后于等离子体技术在工程中的应用,具体体现在很多领域如微电子、光学镀膜等领域引进的具有20世纪90年代国际先进水平的生产线大量使用了等离子体技术,但高等理工学校在人才培养环节中却缺乏关于等离子体理论和实践方面的系统学习和训练.本文就如何在高等院校系统开设等离子体物理和等离子体技术应用方面的实验进行了初步的探讨，并就多功能直流辉光放电等离子体装置的研发和相关实验项目的开设进行了详细的介绍.

摘要： PIC方法是计算等离子体物理中广泛使用的一种计算方法.通常情况下需要使用大量的计算粒子以达到高的计算精度,这导致非常庞大的计算量.因而PIC方法的加速研究对于减少其时间成本非常有意义.在本文中设计了一个基于NVIDIAKeplerGPU的PIC算法,并使用CUDA在GPU上将该算法实现.在PIC方法中最耗时间的两个函数collision和nlover被移植到GPU.在实验中使用了NVIDIA新发布的Kepler K20 GPU进行这两个函数的性能测试,相比于Intel SandyBridge E5—2650,最高获得了30倍的加速.

摘要： 真空系统在EAST全超导托卡马克装置中是非常重要的组成部分,它主要由内真空室抽气系统和外真空室抽气组成。内真空室抽气系统主要由主抽系统、偏滤器抽气系统、低杂波抽气系统组成,主要为等离子体的稳定运行提供清洁的超高真空环境;外真空室抽气系统主要由主抽系统、电流引线段抽气系统及低温阀箱抽气系统组成,主要为超导磁体的正常运行提供真空绝热条件。EAST真空抽气系统经过三轮物理实验的不断改造和完善,目前基本满足了等离子体物理实验的需要。

摘要： 用精确局部基构造出的新差分格式求解一些困难的等离子体物理问题，避免了传统方法引起解的非物理振荡和解的畸变。理论和数值实验表明新方法能解决一些用现有方法无法满意计算的数值问题。

摘要： 本文对采用电流丝模型编写的CF编码做了一些改进,通过4点磁通来实时给出等离子体的位置;计算机CPU采用了P4630,采集器改用epp接口,试验结果表明,重建系统能够以每0.48ms～0.66ms一次的速度实时给出等离子体的水平和垂直位置.可以用做HL-2A等离子体位置控制的反馈信号.

摘要： 本文对采用电流丝模型编写的CF编码做了一些改进,通过4点磁通来实时给出等离子体的位置;计算机CPU采用了P4630,采集器改用epp接口,试验结果表明,重建系统能够以每0.48ms～0.66ms一次的速度实时给出等离子体的水平和垂直位置.可以用做HL-2A等离子体位置控制的反馈信号.

摘要： 本文对采用电流丝模型编写的CF编码做了一些改进,通过4点磁通来实时给出等离子体的位置;计算机CPU采用了P4630,采集器改用epp接口,试验结果表明,重建系统能够以每0.48ms～0.66ms一次的速度实时给出等离子体的水平和垂直位置.可以用做HL-2A等离子体位置控制的反馈信号.

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率。将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。

摘要： 本发明涉及平面型等离子体诊断装置，其特征在于，包括：发送天线，用于向等离子体施加频率可变的微波；接收天线，用于从上述等离子体接收上述微波；以及本体部，以相互绝缘的方式包围上述发送天线与上述接收天线，上述发送天线的用于施加微波的上部面与上述接收天线的用于接收微波的上部面为平面型，上述发送天线与上述接收天线的上述上部面的侧面相互相向。

摘要： 一种等离子体蚀刻方法，包括：第1工序，在惰性气体的等离子体、即第1等离子体(PL1)中将基板(S)吸附于单极式静电卡盘(15)上之后，停止生成第1等离子体；和第2工序，在卤素类蚀刻气体的等离子体、即第2等离子体(PL2)中对基板(S)进行了蚀刻之后，停止生成第2等离子体。然后，在第1工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了正电压的状态下停止生成第1等离子体(PL1)，在第2工序中，在从单极式静电卡盘(15)向基板(S)施加了负电压的状态下停止生成第2等离子体(PL2)。

摘要： 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。

摘要： 等离子体处理装置(11)具有：从排气孔(13)向下方侧延伸的第一排气路(15)；与第一排气路(15)的排气方向的下游侧端部连接，在与第一排气路(15)垂直的方向上延伸，在相对于排气方向正交的断面上是宽度方向比上下方向长的横长断面形状的第二排气路(16)；与第二排气路(16)的排气方向的下游侧端部连接，在与第二排气路(16)垂直的方向上延伸的第三排气路(17)；与第三排气路(17)的排气方向的下游侧端部连接，对处理容器(12)内减压的泵(18)；设置在第二排气路(16)内，具有能够封闭第二排气路(16)，且对排气方向的上游侧与下游侧之间的压力进行调整的压力调整用阀板(20)的压力调整阀(21)；设置在第三排气路(17)内，具有进行第三排气路(17)的开闭的关闭阀板(22)的关闭阀(23)。

摘要： 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。

摘要： 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。

摘要： 根据本发明实施例的等离子体发生器设置为通过防止等离子体到电弧的转变以近大气压的压力产生高密度和稳定的等离子体。该等离子体发生器包括用于设置基板的板状下电极；以及在板状下电极上的圆柱旋转电极，其中圆柱旋转电极包括导电主体和绝缘屏蔽层，导电主体连接到电源且包括在导电主体的外圆周表面上的多个毛细管单元；绝缘屏蔽层由绝缘材料或电介质材料制成，暴露多个毛细管单元的下表面，并且屏蔽其它部分。