等离子体刻蚀

摘要： 本文通过高分辨X射线衍射(HRXRD)、激光拉曼光谱(Raman)、晶格畸变检测等测试分析方法对多组高温高压(HTHP)Ⅰb、HTHPⅡa和化学气相沉积(CVD)型(100)面金刚石单晶样品进行对比研究。HRXRD和Raman的检测结果均表明HTHPⅡa型金刚石单晶的结晶质量接近天然金刚石,其XRD摇摆曲线半峰全宽和Raman半峰全宽分别为0.015°~0.018°和1.45~1.85 cm^(-1)。晶格畸变检测仪的检测结果表明,HTHPⅡa型金刚石单晶的应力分布主要有两种:一种几乎无明显应力分布,另一种沿方向呈对称的放射状分布,其他区域无晶格畸变。HTHPⅠb和CVD型金刚石单晶应力分布均相对分散,晶格畸变复杂,与其HRXRD和Raman的检测结果相符。进一步利用等离子体刻蚀法对三种类型金刚石单晶(100)面位错缺陷进行对比分析,结果表明,HTHPⅡa型金刚石位错密度为三者中最低,仅为1×10^(3) cm^(-2)。本研究为制备高质量大尺寸CVD金刚石单晶的衬底选择提供了实验依据。

摘要： 从心脑血管药效学平台技术体系到肿瘤临床精准用药技术,从用于7-5纳米逻辑芯片制造的先进等离子体刻蚀设备到阿里巴巴达摩院量子计算实验室……这些来自长三角地区科技感十足的创新成果在浙江湖州"碰面"了。6月6日上午,在湖州举行的第二届长三角一体化发展高层论坛上,2020长三角一体化(网上)创新成果展正式开幕。

摘要： 采用微波电子回旋共振(ECR)等离子体装置,对用原子层沉积(ALD)方法在阳极氧化铝模板(AAO)上制备的HfO2薄膜进行了纳米图案化研究.用CF4、Ar和O2等离子体,对HfO2薄膜进行了反应离子束刻蚀,以移除HfO2.采用高分辨率扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和能量色散X射线光谱显微(EDX)分析,对样品刻蚀前后的形貌、结构和化学成分进行了表征.实验表明,HfO2的刻蚀具有定向性,利于高深宽比微机械结构的加工.在其他参数固定的情况下,深宽比高达10:1的结构中HfO2的刻蚀速率是微波功率、负脉冲偏压、CF4/Ar/O2混合比(Ar含量在0～100％)和工作气压的函数.在0.3 Pa气压、600 W微波功率、100 V偏置电压下,HfO2拥有0.36 nm/min的可控刻蚀速率,利于HfO2的精准图案化.刻蚀形貌表明,在CF4/Ar/O2等离子体刻蚀之后,刻蚀面非常光滑,具有0.17 nm的均方根线粗糙度.

摘要： 由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致,使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移,很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法,可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹,实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明,离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面,从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。

摘要： 目的研究等离子体刻蚀工艺对高碳马氏体不锈钢表面渗铬层组织和结合强度的影响。方法首先利用微波等离子体化学气相沉积方法对8Cr17马氏体不锈钢表面进行四种不同工艺参数的刻蚀处理,然后利用双层辉光等离子体表面渗铬技术在刻蚀处理后的8Cr17不锈钢表面制备铬合金层。用扫描电子显微镜、激光共聚焦、辉光放电光谱仪和X射线衍射仪分别表征刻蚀表面形貌和渗铬层组织,用划痕仪测试渗铬层与基体的结合强度。结果氢和氢+氩等离子体刻蚀后,8Cr17不锈钢基体表面粗糙度增加,且含碳量减少。渗铬层由表面富Cr层、Cr_xC_y扩散层、基体组成,其物相主要包括Cr、Cr_(23)C_6、Cr_7C_3。表面经氢气刻蚀1 h和2 h后,形成的渗铬层厚度分别为7、7.5μm,氢气+氩气刻蚀1 h和2 h后,渗铬层厚度分别为8.1、9μm,其中氢气+氩气刻蚀1 h的基材表面渗铬层较致密,与基体结合牢固。结论等离子体刻蚀预处理可通过改变8Cr17钢表面的组织形貌,降低表面含碳量,增加扩散层厚度,提高渗层与基体的结合强度。

摘要： 金刚石由于其独特的物理、化学和电学性质,以及以薄膜形式生长的可行性,是制造可靠、长寿命,微机电/纳米机电系统(MEMS/NEMS)材料的理想选择.近年来化学气相沉积金刚石薄膜生长的进展促进了金刚石在微机电系统的应用,实现了基于金刚石的MEMS和NEMS开发的新时代.但是由于其难以精确加工,目前仍未能大规模应用.本文对当前金刚石基MEMS的研究进展进行了阐述,主要探讨了当前主要应用的金刚石基MEMS系统的加工方法,并进行了进一步的展望.

摘要： 在常规的等离子体刻蚀基础上,介绍了一种基于循环方式的逐层刻蚀方法及进一步改善的方案,可以有效解决常规等离子体刻蚀的深宽比相关效应,提高刻蚀选择比,降低刻蚀粗糙度和损伤.%This paper introduced a cyclic layer-by-layer etching process based on plasma etching technology. Layer-by-layer etching technology could solve several conventional plasma etching problems, such as aspect ratio dependent etching effect. Furthermore, layer-by-layer etching process could achieve relatively high etching selectivity and low etching roughness and etching damage.

摘要： 本文采用等离子体刻蚀的方法在氮化铝薄膜上制备了氮化铝纳米锥阵列，形成的氮化铝锥具有高长径比和分布均匀的特点，并能通过改变刻蚀参数对氮化铝锥的彤貌和密度进行控制。场发射特性测试结果显示氮化铝锥阵列的场电子发射能力较氮化铝薄膜有很大程度的提高，具有较低的开启电场，并能在低外电场情况下可获得较高的发射电流密度。氮化铝纳米锥不仅作为宽带隙纳米材料，同时还具有负电子亲和势以及显示出的优异场发射特性都使其在场发射器件及其它真空电子学领域具有广泛的应用潜力。

摘要： 本文采用傅里叶红外光谱仪(FTIR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.

摘要： 半导体芯片制造中至少有三分之一的过程与等离子体有关,而等离子体刻蚀是其中必不可少的工艺之一.Hybrid model计算时间段，速度快Hybrid model能够尽可能全面的考虑化学反应动力学，并且给出IEDF，能够正确给出偏压ICP放电的等离子体密度和离子能量变化的趋势，与实验测量基本吻合，可扩展为复杂的工业气体如SF6、C4F8等，加入刻蚀槽模型可模拟实际工艺过程.

摘要： 采用高碘酸钠作为氧化剂选择性氧化壳聚糖,以硅偶联剂KH550为交联剂,处理氧等离子体刻蚀的羊毛织物,用现代分析测试手段红外光谱、热分析、SEM对表面改性羊毛进行结构表征,研究不同处理工艺对羊毛染色性能的影响.结果表明:经氧等离子体刻蚀羊毛的表面引入了-OH、COOH等亲水性基团,进一步会与氧化壳聚糖、硅偶联剂之间形成交联作用,纤维表面反应性活性基团变多,羊毛的染色性能提高.改性羊毛表面K/S值随着氧化壳聚糖及硅偶联剂用量、处理温度的增加而增加,当氧化壳聚糖用量为3g/L,KH550用量5％,时间60min,温度50°C,弱酸性红B、酸性大红G在改性羊毛织物上的表面色深值K/S比较高.

摘要： 干法刻蚀(等离子体刻蚀)技术产生的等离子体会对半导体制造工艺以及微电子Ic制造工艺中的刻蚀腔室内衬产生腐蚀.本文综述了国内外腔室防等离子体腐蚀用材料的发展历程与现状,从耐等离子体刻蚀材料、悬浮液等离子喷涂技术和在线监测技术领域的发展展望了抗等离子体刻蚀涂层的未来发展趋势。

摘要： 微纳米加工中，等离子体刻蚀技术因具有高刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势得到了广泛应用。但传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个样品表面，需要复杂且昂贵的掩膜来得到特定图形或结构。而将尺度微型化的微等离子体，除继承了宏观等离子体的优良特性外，还可实现局部无掩膜三维立体加工，因而受到广泛关注。目前文献报道的微等离子体无掩膜刻蚀器件通常只能获得百微米量级的刻蚀分辨率，这远远不能满足微纳米加工的精度需求。为此，本文提出了一种新的微等离子体无掩膜加工方法。将微放电器集成在压电悬臂梁探针阵列上，等离子体在倒金字塔空心针尖内产生，通过尖端的纳米孔导出到样品表面，从而实现亚微米甚至更高分辨率的无掩膜扫描并行加工。

摘要： 采用了不同条件的等离子体(O2,Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,然后通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现：经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,这说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用；另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体得到有效的去除。

摘要： 利用双亲嵌段共聚物PSb-P2VP胶束自组装的方法,在硅衬底表面形成一单层六角有序的负载金盐的反胶束阵列,氧等离子体刻蚀能在保持颗粒有序性的同时,完全去除聚合物并使金盐还原为单质金,从而在衬底表面得到裸露的金纳米颗粒.这一方法能在多种不同衬底上制备各种金属纳米颗粒阵列,它们具有颗粒尺寸均匀、六角有序分布的优点.颗粒的大小(1～20nm)和间距(30～200nm)可通过嵌段共聚物的链长、金盐的浓度及样品的提拉速度进行调控.

摘要： 量子不可克隆定理是基于量子态的叠加原理,但是该定理的证明过于简单,并没有排除所有可能的克隆情况,证明过程中有些环节没有详细论证.而量子力学本来是非常复杂的理论,互补原理也说明不能采用一种思路来说明一切问题.从科学的发展史来看,许多在一定阶段不可能的事,比如测量和复制,在对微观或者深入的属性了解后就往往就能实现测量、复制.假如通过间接的测量或者更加微观的特性能进行测量量子态,则能成功进行量子态的克隆.量子力学中的波粒二象性、不确定性关系等等难于理解,但是却与人类社会中的许多现象绝妙地类似,从更加微观的角度分析,如果量子态也存在类似基因的成分,可以绕开量子不可克隆定理的证明中假定的情况进行克隆.

摘要： 量子不可克隆定理是基于量子态的叠加原理,但是该定理的证明过于简单,并没有排除所有可能的克隆情况,证明过程中有些环节没有详细论证.而量子力学本来是非常复杂的理论,互补原理也说明不能采用一种思路来说明一切问题.从科学的发展史来看,许多在一定阶段不可能的事,比如测量和复制,在对微观或者深入的属性了解后就往往就能实现测量、复制.假如通过间接的测量或者更加微观的特性能进行测量量子态,则能成功进行量子态的克隆.量子力学中的波粒二象性、不确定性关系等等难于理解,但是却与人类社会中的许多现象绝妙地类似,从更加微观的角度分析,如果量子态也存在类似基因的成分,可以绕开量子不可克隆定理的证明中假定的情况进行克隆.

摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括反应腔室，其具有进气单元、夹持基片的静电夹盘和设于基片外周侧的聚焦环。聚焦环包括固定设置的第一部分和可移动地设置在第一部分上的第二部分。第二部分的最小内径大于第一部分的内径。驱动单元用于驱动聚焦环的第二部分在接触第一部分的第一位置和距第一部分上表面5mm‑15mm的第二位置之间垂直移动。该聚焦环的第二部分位于第一位置时配合该第一部分共同调节基片附近的工艺气体及其等离子体的分布，当位于第二位置时遮蔽到达基片边缘的工艺气体及其等离子体。本发明能够根据不同需要调节等离子体分布。

摘要： 一种等离子体系统，包括：源电极、RF源功率生成单元、RF源功率输出单元以及源功率输出管理单元。源功率输出管理单元基于关于连续波RF源功率的幅度的信息来确定脉冲RF源功率的幅度和占空比。

摘要： 本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变。更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。

摘要： 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大变化。

摘要： 一种等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法，所述等离子体刻蚀装置包括：刻蚀腔室；晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。本发明方案可以在聚焦环变薄时，降低晶圆边缘区域的刻蚀速率，减少甚至避免对晶圆边缘区域的刻蚀效果的影响，提高半导体器件的品质。

摘要： 本发明提供一种等离子体刻蚀方法与等离子体刻蚀装置及其射频源系统，用以改善射频功率输出的稳定性。其中的等离子体刻蚀方法，包括多个工作周期，每一周期包括两个阶段：第一阶段，施加并保持偏置功率(P)与射频功率(P1)；第二阶段，设置偏置功率为零，同时调高射频功率(P2)；在所述周期内，射频功率的频率保持不变。更优的实施方式是，在所述周期内保持等离子体阻抗稳定。

摘要： 本发明提供等离子体刻蚀方法及等离子体刻蚀后处理方法，包括如下步骤：1）提供一待刻蚀目标材料层；2）于待刻蚀目标材料层的表面形成图形化掩膜层；3）依据图形化掩膜层对待刻蚀目标材料层进行干法刻蚀，以在待刻蚀目标材料层内形成凹槽，凹槽的内表面形成有第一损伤层；4）使用第一处理气体对第一损伤层进行第一次刻蚀后处理，第一次刻蚀后处理后凹槽的内表面形成有第二损伤层；5）使用第二处理气体对第二损伤层进行第二次刻蚀后处理，第二次刻蚀后处理后凹槽的内表面残留有第二损伤层残留层。本发明可以防止形成的半导体元器件的电器性能不良及物理性能不良，进而确保半导体元器件的可靠性。

摘要： 本发明提供了一种等离子刻蚀装置及等离子体刻蚀方法，通过在刻蚀腔室外的排气管道上安装样品采集通道，可以将排放气体部分收集到样品离子化腔，通过样品离子化腔将排放气体中的物质进行质量分离，从而得到待检测物质；待检测物质经加速腔加速进入样品检测设备，通过样品检测设备对待检测物质进行元素种类或元素含量检测，从而判断出刻蚀过程是否达到终点；待检测物质还可以通过样品采集通道的出口排出到排气管道内，进而被排出排气管道；因此，本发明能够在刻蚀面积很小的时候进行高精度的终点检测。

摘要： 本发明提供一种用于等离子体刻蚀的聚焦环，包括绝缘体材料的下环、导体材料的中环以及上环。本发明亦提供一种包括该聚焦环的等离子体刻蚀装置，其中，对聚焦环的加载预设电压，该预设电压为针对不同的等离子体放电模型，获取刻蚀腔室中一个射频周期内的平均电压的近似最大值。在等离子体刻蚀过程中，虽然上环逐渐被腐蚀掉，但由于中环限制了晶圆边缘附近的电场分布，上环高度变化对晶圆边缘的等离子体特性影响较小，尤其是对离子入射角度影响较小，能够保证晶圆边缘的刻蚀剖面的垂直度不发生较大变化。

摘要： 本实用新型公开一种等离子体刻蚀机反应腔的内衬和具有其的等离子体刻蚀机反应腔。等离子体刻蚀机反应腔的内衬以可拆卸的方式固定于所述等离子体刻蚀机反应腔的内壁，包括与等离子体刻蚀机反应腔的内壁相贴合的柱形侧壁，所述柱形侧壁设有与等离子体刻蚀机反应腔基片进出口位置对应的开口、以及与等离子体刻蚀机反应腔的抽气孔位置对应的匀流通路。本实用新型可以在保护反应腔体内壁不受污染的同时，大幅度的提高反应腔获得高真空度的速率，提高刻蚀效率。