科技界

摘要： 岁月更替,万象更新。在2022年到来之际,《中国高新科技》期刊社全体员工向长期以来支持期刊社创新发展的科技界和社会各界人士,致以最诚挚的节日问候和新年祝福!2021年是党和国家历史上具有重要里程碑意义的一年,也是实施十四五规划的开局之年。

摘要： 随着科学技术的进步与社会经济的发展,人工智能领域迅猛发展,并成为了目前最前沿的高科技领域,人工智能产品已经被广泛应用到人们的生产与生活之中。电子信息技术作为一门新兴的科技技术,其应用范围已经深入到社会经济的各行各业,人工智能领域离不开电子信息技术,如何将电子信息技术科学的应用到人工智能领域,并以此推动人工智能科技水平的迅速提高,已经成为科技界探讨研究的重要课题。

摘要： 作为当今科技界最前沿的IT技术之一,区块链技术已经在很多方面给人们带来了惊喜,帮助人们解决了众多以前无法克服的难题。今天我们给大家科普一下,区块链与微电网相结合后带来了那些变化。

摘要： 从中国量子计算新突破、新一代“人造太阳”装置首次放电,到三代核电站“华龙一号”全球首推并网成功、“奋斗者”号载人潜水器坐底10909米深度……2020年,我国科技界好消息不断。

摘要： 两院院士是我国科学技术界和工程科技界最高层次的战略性、领军型人才。新中国成立后,镇江先后走出了38位两院院士,其中健在的28人,去世的10人。他们在各行业、各领域为国家作出了杰出贡献,是家乡的骄傲。多年来,镇江市高度重视院地合作,不断加强与本籍院士的联系。

摘要： 2021年2月4日,“科普中国-2020年度科普推选活动揭晓盛典”特别节目在央视播出,揭晓了2020年度十大科学传播事件。1.科学家座谈会召开,引发科技界热议2020年9月11日,科学家座谈会在北京召开,习近平总书记主持会议并发表重要讲话,引起科学界的热烈反响。

摘要： 多少年来,正是在党中央的坚强领导下,在全国科技界和社会各界共同努力下,我们的科技事业才能密集发力、加速跨越,各项重大创新成果竞相涌现,各项重大科技工程成就斐然。科技立则民族立,科技强则国家强。当前,科技创新已经成为国际战略博弈的主要战场。世界科技强国竞争,比拼的就是国家战略科技力量。习近平总书记强调,我国科技要“加速赶超甚至引领步伐”。只有占领前沿、引领前沿,才能实现超越目标。

摘要： 2021年美国拉斯维加斯消费电子展(CES)11日在线上开幕。这是CES创办50多年来首次以网络虚拟形式举办。受新冠疫情影响,本届CES改变了举办形式。展会主办方美国消费技术协会副主席卡伦·丘普卡说,今年CES首次以线上形式举办,以安全而有意义的方式使全球科技界“齐聚一堂”,将为世界各地受众提供在线了解最新科技动态的平台。

摘要： 非常高兴今天能够有机会作为科技界的代表,分享科大讯飞用人工智能推动民生发展、助力共同富裕的一些思考和做法。什么是共同富裕?我认为从每个人的现实生活出发,有四个时代之问要解答,同时,我们也能看到人工智能在其中发挥的重要作用。第一个时代之问:人工智能怎样助力教育公平,防止贫困代际传递?

摘要： 2021年已经步入尾声,过去的一年是科技界屡创新高、收获满仓的一年。这一年,恰逢中国共产党百年华诞,我国科技界更是取得多项重要突破。量子计算获得重大进展,使我国成为唯一在两个物理体系中实现量子计算优越性的国家;“中国天眼”正式向全世界开放,尽显大国风度;成功实现二氧化碳人工合成淀粉,为人类未来提供了全新的可能……

摘要： 本文讨论科技新闻工作是以报道科技界为己任的.面对新的世纪,科技新闻"坚持与时俱进",就必须适应时代要求,把展示中国科技界的创新能力当作自己的头等任务.

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 一种晶界改性方法，其包括在使特定合金存在于Nd‑Fe‑B系磁铁的表面的状态下对该Nd‑Fe‑B系磁铁进行加热处理，从而可在将Nd‑Fe‑B系烧结磁铁的剩余磁通密度的降低抑制在最小限的同时还使矫顽磁力增加。

摘要： 本发明提供了一种晶界层陶瓷材料、晶界层陶瓷基片的制备方法及其应用，属于芯片电容器技术领域。本发明提供的晶界层陶瓷材料包括以下质量份数的制备原料：SrTiO3 95.35～99.30份、Nb2O3 0.30～0.55份和改性添加剂0.30～5.00份；所述改性添加剂为BaCO3、Nd2O3、CaO、Sm2O3、Al2O3和SiO2中的一种或几种。本发明提供的晶界层陶瓷材料具有优异的电性能和可控性，由该晶界层陶瓷材料制备的晶界层陶瓷基片具有优良的重复性和一致性。

摘要： 本发明提供了一种协同获得低∑晶界和锯齿晶界的方法，采用形变控冷热处理，引入低∑晶界和锯齿晶界，即：高温固溶处理→冷轧变形→高温保温处理→控冷处理→低温保温处理→水冷。本发明在不改变合金成分的前提下，协同获得两类低∑晶界和锯齿晶界的特殊晶界，具有工艺简单、易于实现的优点；本发明处理的镍基高温合金，低∑晶界比例不低于60％，∑3晶界的比例不低于50％；可将部分平直随机晶界转变为锯齿晶界，保证锯齿晶界的平均振幅不低于0.5μm，本发明处理的镍基高温合金，可形成较强的特殊晶界网络、引入更多的特殊三叉晶界、打断平直随机晶界的连通性，有望抑制沿晶开裂，提高镍基高温合金的高温蠕变性能，具有广泛的应用前景。

摘要： 本发明属于电池领域，公开了通过增加共格孪晶界比例提高纯铜晶界腐蚀抗力的方法，包括以下步骤：对纯铜进行反复室温多向锻造，然后600°C再结晶退火10min，使其达到组织均匀化；将组织均匀化的纯铜进行小变形冷轧，轧制变形量为5%，然后在650°C下真空退火5~15 min。本发明通将纯铜经过小变形高温短时间退火得到初次再结晶组织，初次再结晶组织的晶界特征分布虽然已经具有一定比例的∑3特殊晶界，但是其中共格孪晶界的比例不高，存在相当数量的非共格孪晶界，本发明在初次再结晶的基础上延长退火时间，进一步让晶粒有所长大，结果表明，随着晶粒的长大，共格孪晶界的比例在单调增加，最终超过50%，极大的提高了纯铜的晶界腐蚀抗力。

摘要： 本发明公开了一种玻璃板界位计与界位测量方法。玻璃板界位计设有前玻璃板(1)、后玻璃板(2)、前压盖(7)、后压盖(10)、前夹紧架(6)、后夹紧架(3)、前斜面透镜(8)和后斜面透镜(9)。前斜面透镜与前玻璃板和导视孔(11)相对，后斜面透镜与后玻璃板和观测孔(12)相对，前斜面透镜的斜面与后斜面透镜的斜面相平行。前夹紧架、后夹紧架、前斜面透镜和后斜面透镜围出测量腔(5)，后斜面透镜至后夹紧架外侧面(31)的距离小于前斜面透镜至后夹紧架外侧面的距离。本发明公开了使用上述玻璃板界位计进行界位测量的方法。本发明可用于测量油相与水相之间的界位。

摘要： 本发明涉及一种晶界层晶粒晶界性能的微米级电极制备方法及测试方法。其中，制备方法包括：在晶界层上表面均匀涂覆一层光刻胶并进行固化；使用图形化掩膜版对表面涂覆固化有光刻胶的微米级金电极进行曝光，显影后使用溶液在曝光后的微米级金电极上形成光刻胶保护图层；使用蚀刻液蚀刻无光刻胶保护图层的微米级金电极后，进行清洗得到微米级电极。本发明在制备的晶界层基片晶粒上直接镀上微米级金电极材料，在金相显微镜下即可获取适用于测试晶界层基片的电性能的微米级电极块，通过定位，可具体到某一微观晶粒晶界性能的测试，并且实现该晶粒晶界性能的重复测试，从而在晶界层性能上实现机理上的研究。

摘要： 一种调控晶界硼重分布改善超级奥氏体不锈钢晶界第二相析出的方法，属于超级奥氏体耐热钢制备与应用技术领域，目的在于通过阶梯固溶和低温保温处理实现了最大含量硼在超级奥氏体不锈钢的晶界偏聚，从而提高了超级奥氏体不锈钢的热塑性和耐蚀性能。本发明通过阶梯固溶和低温保温联合处理不改变超级奥氏体不锈钢的晶粒度等组织结构，仅使得更高含量的硼重新分布到晶界。通过晶界硼重新分布调控元素扩散速率，改善第二相析出数量和形态，进一步提高热塑性和耐蚀性。

摘要： 本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La2O3和Nb2O5；烧结助剂：SiO2和Li2CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一种或多种；烧结助剂用于降低瓷料烧结温度并促进晶粒发育；受主材料作为氧化烧结的晶界绝缘化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次烧结完成晶界层陶瓷基板制备，分别为还原半导体化烧结和氧化晶界层绝缘烧结。本发明在陶瓷材料中掺加助烧剂并采用二次烧结方式制备陶瓷基板，一方面节省能源，另一方面可以在较低烧结温度下得到较大尺寸粒径，有利于介电常数提高；同时，在晶界绝缘化过程中，添加ZnO，提升产品绝缘电阻和绝缘强度。

摘要： 本发明公开了一种烧结钕铁硼晶界扩散工装及晶界扩散的方法，属于稀土永磁材料技术领域。一种烧结钕铁硼晶界扩散工装，包括：料盒框架；卡箍盲板；三瓣型卡箍；承物台；料盒件；本发明提高了重稀土氧化物的还原及扩散效率，解决了常规工艺氧化重稀土扩散矫顽力提升一致性差的难题；避免了钙蒸气冷凝结块对热处理炉钼片的损伤；采用分层码料，提高了料盒框架的装载量，降低了单位扩散成本；通过料盒件，使磁片厚度方向平行于水平方向排列，有效改善了热处理后磁片弯曲的问题；通过对镀膜后磁片表面的耐高温物质附着和热处理控制氧分压操作，解决了粘连问题，本发明大大改善了磁片的外观和性能一致性，热处理后永磁体矫顽力大幅度提高。