离子晶体

摘要： 高中化学对典型晶体的晶胞、金属晶体的原子堆积模型、离子晶体中离子的配位数及决定因素进行了介绍,这些内容是化学竞赛选手深入理解晶体堆积方式的重要铺垫。以字母表示晶体堆积方式是竞赛培训的难点之一,其涉及阴阳离子堆积、空隙、空隙占有率、空层等诸多知识,要求竞赛选手对晶胞有深入的认识。

摘要： 在近年的高考试题中,对四大晶体内容主要从两方面考查:①有关晶胞的计算;②晶体微粒间的相互作用力以及物理性质的比较。问题主要涉及常见晶体的构型及对常见晶体的构型的类推迁移,晶胞中粒子数、晶体密度、NA、M、晶体体积、微粒间距离、微粒半径等的计算,这里就离子晶体方面的重点与考点进行归纳总结。

摘要： β-镓酸盐(β-gallate)型化合物是一种非常有应用前景的固态离子导体,在储能领域具有重要的应用价值.该类型化合物导电层中往往可以容纳过量的碱金属离子,使得该体系体现出复杂的晶格动力学行为,这也为进一步理解其导电机制带来了困难.压力与温度两个参量均可以通过改变原子间的间距而影响材料的结构,在研究材料的动力学过程,尤其在研究离子的扩散过程方面有很大的应用价值.迄今为止,对于温度依赖的β-镓酸盐型化合物的特性研究很少,且尚无β-镓酸盐型结构化合物的高压研究.由于激光拉曼散射技术在研究物质晶格动力学方面的独特优势,尤其压力与温度依赖的拉曼光谱可以提供重要的结构信息,是研究物质晶格动力学行为的有效实验手段.使用大腔体静高压技术成功合成了一种新型的β-镓酸盐型K0.294 Ga1.969 O3(KGO)晶体,利用扫描电镜、能谱对晶体进行了表征,通过单晶X射线衍射对其晶体结构进行了解析,并与β-Ga2 O3的晶体结构进行了对比分析.利用高压和变温拉曼光谱研究了KGO导电层中无序碱金属离子的晶格动力学行为.研究发现,由尖晶石层与疏松的离子导电层交替排列而成的β-镓酸盐型KGO晶体结构在压力23.3 GPa条件下仍可保持稳定;由于振动模式不同,高频拉曼模与低频拉曼模的压力系数存在着显著差异,并表现出显著的对压力诱导非谐性.在约300°C,KGO中K+发生热激活,表现在与碱金属K+运动相关的低频拉曼模的强度迅速增加,而与Ga-O多面体相关的高频振动模强度增加缓慢,与此同时,K+在沿着导电平面的方向上发生了无序扩散过程.研究结果将有助于深入地理解β-镓酸盐型结构化合物的导电机制,而且对于实现β-镓酸盐型化合物精确的计算控制和掺杂尤为重要.

摘要： 首先引进离子晶体在德拜模型下的量子热容相关理论,并具体讨论了高、低温极限条件下热容的具体表达式.以此为基础,结合相关热力学统计原理,深入地研究了离子晶体系统的熵函数,给出了其解析表达式,并进一步具体讨论了高温极限和低温极限的情形.

摘要： 一、有关铵盐的知识归纳1.铵盐的组成与结构特点:铵盐是由铵根离子(化学式为NH_(4)^(+),其空间构型为正四面体形)与酸根离子组成的离子化合物,钱盐都是离子晶体。注意(1)鞍盐都是由非金属元素组成的离子化合物。(2)在鞍盐中,既含有离子键,又含有极性共价键。

摘要： 离子晶体的填隙问题是高考物质结构与性质选考部分的计算难点,结合三版高中化学教材从概念介绍、堆积模型、形成、数目与位置以及填隙模型五个角度对离子晶体的空隙填充问题进行了深入的分析和解释,以期对部分教师和学生的困惑和误区解决有所帮助.

摘要： 离子晶体的填隙问题是高考物质结构与性质选考部分的计算难点,结合三版高中化学教材从概念介绍、堆积模型、形成、数目与位置以及填隙模型五个角度对离子晶体的空隙填充问题进行了深入的分析和解释,以期对部分教师和学生的困惑和误区解决有所帮助.

摘要： 在《普通高中化学课程标准(2020年版)》中提出了五方面的化学学科核心素养,其中包括"证据推理与模型认知",在课程内容中要求学生了解晶体中微粒的空间排布存在周期性,认识简单的晶胞;借助分子晶体、共价晶体、离子晶体、金属晶体等模型认识晶体结构特点。在实际教学过程中也借助实物模型、计算机软件模拟及视频等多种直观的手段帮助学生理解晶体的结构特点。本文将从几何角度进一步分析探讨离子晶体的填隙模型,帮助学生对离子晶体模型有一个更深刻.

摘要： 六方最密堆积和立方最密堆积是金属晶体中最常见的结构,其正四面体空隙和正八面体空隙的分布是学生学习的难点.本文将揭示密置双层-最密堆积-离子晶体结构中空隙的分布规律,进而将典型离子晶体结构与最密堆积中的空隙分布相关联.这对学生掌握空隙分布的规律性,理解金属和离子晶体结构,提升晶体结构的学习效果大有帮助.

摘要： 本文针对学生在学习离子晶体结构时,对晶体结构的理解尤其是影响离子晶体结构中的几何因素的理解存在较大疑惑,无法从根本上理解晶胞参数与阴阳离子的半径关系的问题,由此提出从离子晶体结构分析思想即堆积-填隙模型的角度认识离子晶体结构,指导学生在高中化学中关于离子晶体结构的学习.

摘要： 电子壳模型势函数在离子晶体的原子级计算机模拟中有广泛应用,其势参数主要通过拟合晶体的实验数据或电子结构数据得到。提出了通过拟合双原子分子的量子化学从头计算电子结构数据来获得该势函数的方法,并由H2分子的电子结构数据建立了H原子间的电子壳模型势函数。此外,还应用该势函数对H+2分子离子进行了计算。该势函数拟合方案更适合于共价键型的分子。

摘要： 本文建立了宏观电动力学模型理论，分析了冲击作用下极性晶体中偶极振荡产生的THz波段的电磁辐射，分析了这种电磁辐射的相干性，它预示着一种新型的相干THz波辐射源；数值模拟了冲击波在离子晶体中传播时诱导的相干THz波辐射，对于10THz左右的电磁辐射，其相干长度接近mm量级，若增加晶体沿冲击波方向的尺度，预计相干长度会进一步提升，分析了冲击脉冲形状、晶体横向和纵向周期性对辐射谱的影响.通过数值模拟结果说明了晶格沿冲击波传播方向的周期性是辐射THz波具有相干性最本质的原因，这种相干THz波辐射谱能够用来分析冲击作用下物质在原子尺度上的物理特性.

摘要： 针对我国垃圾焚烧飞灰高氯含量的特点,在高温TGA-DTA热分析实验研究基础上,对PbCl2高温挥发过程进行热力学和动力学分析,最终建立高温挥发动力学模型。在空气气氛下、20～900 °C的温度范围内对PbCl2高温挥发过程进行研究,实验采用3种升温速率(10 °C/min、15 °C/min、20 °C/min)。结果表明：PbCl2的高温挥发反应主要是PbCl2离子晶体的相变过程；随着升温速率的升高,挥发反应向高温方向移动；PbCl2的高温挥发反应可以用零级反应动力学描述,并得到其动力学"三因子".

摘要： 该文采用苟清泉等人给出的有关离子的解析波函数，根据Bleick和Mayer计算满电子壳层原子间力的方法先计算出LiF，NaF，KF三种晶体中正负离子间的排斥势函数，再进一步计算了晶体的零温物态方程和结构相变压力。结果发现三种晶体分别在68.8GPa，20GPa和7.76GPa的高压下发生从NaCl型结构到CsCl型结构的相变。发生结构相变时相应的体积跃变分别为5.831℅9.47℅和11.65℅，计算结果和以往实验结果到较一致。

摘要： 本文对掺稀土离子的硫酸三甘肽(TGS)晶体的电滞回线、介电常数、热释电系数进行了分析和讨论.

摘要： 本文对掺稀土离子的硫酸三甘肽(TGS)晶体的电滞回线、介电常数、热释电系数进行了分析和讨论.

摘要： 本文对掺稀土离子的硫酸三甘肽(TGS)晶体的电滞回线、介电常数、热释电系数进行了分析和讨论.

摘要： 本发明提供溶解性优良、易于处理的3‑羟基异戊酸(以下称为HMB。)一价阳离子盐的晶体及其制造方法。在使pH4.0～9.0的包含含一价阳离子的化合物的HMB的水溶液中析出HMB一价阳离子盐的晶体后，从该水溶液中收集HMB一价阳离子盐的晶体。

摘要： 本发明提供了一种晶体管的离子注入方法和晶体管，其中，离子注入方法包括：在形成栅氧化层的衬底上形成待制备的晶体管的栅极结构，所述栅极结构的两侧区域分别为源极预留区域和漏极预留区域；在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙；在形成所述侧墙后，以指定注入角度对所述源极预留区域和所述漏极预留区域进行离子注入，其中，所述指定注入角度为所述栅极结构的铅垂线与所述离子注入的轨迹线之间的角度，以所述铅垂线为起点时所述轨迹线与所述侧墙分布于所述铅垂线的对侧。通过本发明技术方案，改善了离子注入过程的阴影效应，提升了晶体管的器件可靠性。

摘要： 本发明涉及制备SbMx纳米颗粒的方法，其中M为选自Sn、Ni、Cu、In、Al、Ge、Pb、Bi、Fe、Co、Ga的元素，且0≤x<2，包括如下步骤：在无水极性溶剂中将锑盐和任选的合金化金属用氢化物还原，将形成的固体产物与溶液分离，优选借助离心分离，并将产物用水洗涤。

摘要： 本发明提供了一种闪烁晶体，所述闪烁晶体可包括与铊和另一种元素共掺杂的卤化铯。在一实施例中，所述闪烁晶体可包括CsX:Tl，Me，其中X表示卤素，Me表示5A族元素。在一特定实施例中，所述闪烁晶体可具有碘化铯主体材料、包含铊阳离子的第一掺杂剂和包含锑阳离子的第二掺杂剂。

摘要： 本发明公开稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体、键合晶体、及晶体的制备方法和用途。稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体的分子式为AxR1‑xGa3(BO3)4；A选自Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和/或Yb；R选自Y、Gd和/或Lu；0.005≤x≤0.5。键合晶体为四硼酸镓盐晶体和稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体的键合晶体；四硼酸镓盐晶体的分子式为RGa3(BO3)4，R选自Y、Gd和/或Lu。本发明提供的厘米级以上尺寸的高光学质量的稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体AxR1‑xGa3(BO3)4和键合晶体具有良好的物理化学性能，较高的热导率以及宽的透光波段，是一种性能优良的固体激光增益介质。

摘要： 提供了循环锂离子的电化学电池以及用于抑制或最小化枝状晶体形成的方法。电化学电池包括正极、负极以及设置于其间的隔膜。包括用一种或多种捕获基团官能化的一种或多种聚合物的至少一种过渡金属离子捕获部分可以作为涂层、孔隙填料、取代侧基或粘合剂被包括在电化学电池内。该一种或多种捕获基团可以选自由以下组成的组：冠醚、铁载体、菌素、邻二氮杂菲、亚氨基二乙酸二锂盐、草酸盐、丙二酸盐、延胡索酸盐、琥珀酸盐、衣康酸盐、膦酸盐及其组合，并且可以结合到电化学电池内存在的金属离子，以最小化或抑制负极上枝状晶体突起的形成。

摘要： 本发明公开了一种二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体的助熔剂体系及基于该助熔剂体系的晶体生长方法。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价离子掺杂β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂，体系中铋氧化物和碱金属氟化物的摩尔比为(0.8～0.75)：(0～0.1)。本发明采用铋氧化物‑碱金属氟化物体系为助溶体系，该体系能够在900～1280°C下完全熔融原料中的Ga2O3和金属氧化物，在本发明的工艺条件下，最终能够生长出晶体尺寸可控、成分均一的高质量的Ni2+、Cu2+、Zn2+等二价金属离子掺杂的β‑Ga2O3晶体。

摘要： 提供一种实现比以往高的离子交换能力的层状双氢氧化物晶体。本实施方式所涉及的层状双氢氧化物晶体(1)由下述式(1)表示，另外，该层状双氢氧化物晶体由多个晶粒(10)构成，该晶粒具有多个板状晶体(11)、(11)、……层叠而成的层叠结构，多个晶粒(10)、(10)、……的粒径在微米级上一致。[Ni2+1‑xFe3+x(OH)2]·[(Cl‑)X/2]…(1)(其中，0.25＜x≤0.9)。

摘要： 本发明提供了一种闪烁晶体，所述闪烁晶体可包括共掺杂有铊和另一种元素的卤化铯。在一个实施例中，所述闪烁晶体可包括CsX:Tl、Me，其中X表示卤素，Me表示掺杂剂，所述掺杂剂选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组，所述闪烁晶体中的选自由铬(Cr)、锆(Zr)、钴(Co)、锰(Mn)、镉(Cd)、镝(Dy)、铥(Tm)、钽(Ta)和铒(Er)组成的组的元素的掺杂剂浓度在1×10‑7mol％至0.5mol％范围内。在特定实施例中，所述闪烁晶体可具有碘化铯主体材料、包含铊阳离子的第一掺杂剂和包含阳离子的第二掺杂剂。

摘要： 本发明涉及石墨烯技术领域，公开了离子凝胶在石墨烯转移和制备石墨烯晶体管中的应用以及石墨烯晶体管及其制备方法。所述离子凝胶含有由1‑乙基‑3‑甲基咪唑‑双(三氟甲基磺酸基)咪唑和聚乙二醇双丙烯酸酯单体组成的离子液体和引发剂。使用所述离子凝胶进行石墨烯转移，不需要去除离子凝胶，解决了PMMA残留在石墨烯上形成的捕获陷阱；降低了成本和避免使用有毒溶剂。所述离子凝胶弹性模量大，不容易出现裂缝；此外，本发明方法制备石墨烯晶体管，离子凝胶直接充当栅极介电层，不需要再单独进行栅极介电层的制备，简化了工艺。得到的石墨烯晶体管，阈值电压、回滞均减小，同样栅极电压下提高了源流电流，提高了迁移率。