禁带

摘要： 受到电子学领域双层扭曲石墨烯的启发,莫尔光子晶格的多种莫尔构型被证明具有光子局域等特性。将两个相同周期的Lieb子晶格旋转角36.87°叠加构造了Lieb莫尔晶格,并基于平面波展开法计算了其能带结构。结果表明,相比于常规的Lieb晶格,Lieb莫尔晶格的无量纲化光子禁带宽度最高可增加0.25,并且禁带中心发生了蓝移,因而更适合在光通信领域的应用。数值计算结果表明在Lieb莫尔晶格的能带结构中还具有平带,其特性可通过改变介质柱的几何参数进行调控,最高平整度可达到0.0018722。通过计算平整度最高时的电场分布,发现了局域的现象。基于Lieb晶格的莫尔构型可为光子晶体研究提供新的方法,也为研究复杂光子晶体结构提供新的平台。

摘要： 受天然晶体中电子能带理论研究方法的启发,一系列的理论和实验证实,如果结构功能材料中的介电常数在光波长上进行周期性变化,光子和周期性结构相结合,将会产生类似于半导体中电子禁带的能带结构,称之为光子带隙,这种周期性结构称为光子晶体,这一概念由Yablonovitch和John分别提出。

摘要： 随着密集波分复用(DWDM)技术的发展,对多波长滤波器提出了更高的要求.为了给基于一维光子晶体的多波长滤波器提供支撑技术,本文先对一维四组元周期性结构光子晶体的传输矩阵进行简要的推导.接着,从该光子晶体的结构出发,基于传输矩阵法绘制了一维四组元周期性结构光子晶体的归一化透射率曲线,并与普通的一维两组元周期性结构光子晶体的归一化透射率曲线进行对比研究,分析了一维四组元周期性结构光子晶体在一个禁带周期内光子禁带数增加的原因.进而,从一维光子晶体的光子带隙机理出发,深入研究了不同折射率比、不同周期数对一维四组元周期性结构光子晶体带隙的影响.研究表明,一维四组元周期性结构光子晶体的禁带宽度由四层材料各相邻层的折射率差共同确定,具体宽度表现为各禁带的均值,但带隙特性更加完美.

摘要： 本文针对实际工程应用中的振动噪声问题,尤其是在如高温、高声压级、强气流等特殊工作环境下低频振动和噪声控制技术存在的瓶颈和关键问题,对弹性波/声波在颗粒多孔材料、金属多孔材料和广义声子晶体结构中的传播特性和减振降噪的机理及应用展开了深入的研究.系统研究了颗粒介质内部在弹性波作用下的流变特性和耗能机制,研究了非阻塞性颗粒阻尼技术中不同设计参数对耗能特性的影响,以及柔性约束颗粒阻尼减振机理.研究了多物理场条件下声波在多孔金属介质中的传播损耗机制,自行研制了国内首个适用于高温、高声强条件的多物理场声学实验测试平台.提出了具有缝隙特征的广义声子晶体的概念和结构设计方法,突破了相同晶格常数下声子晶体只能产生超声禁带的局限,揭示了这种结构的禁带产生机理及影响因素,拓宽了声子晶体概念和研究范围.相关的研究工作为多孔介质与超结构在实际工程的减振降噪中提供了新的理论依据和技术途径.

摘要： 随着密集波分复用(DWDM)技术的发展,对多波长滤波器提出了更高的要求。为了给基于一维光子晶体的多波长滤波器提供支撑技术,本文先对一维四组元周期性结构光子晶体的传输矩阵进行简要的推导。接着,从该光子晶体的结构出发,基于传输矩阵法绘制了一维四组元周期性结构光子晶体的归一化透射率曲线,并与普通的一维两组元周期性结构光子晶体的归一化透射率曲线进行对比研究,分析了一维四组元周期性结构光子晶体在一个禁带周期内光子禁带数增加的原因。进而,从一维光子晶体的光子带隙机理出发,深入研究了不同折射率比、不同周期数对一维四组元周期性结构光子晶体带隙的影响。研究表明,一维四组元周期性结构光子晶体的禁带宽度由四层材料各相邻层的折射率差共同确定,具体宽度表现为各禁带的均值,但带隙特性更加完美。

摘要： 2006年，Chen等人通过理论计算和数值模拟证明了一维兰姆波声子晶体中存在禁带。由于兰姆波器件在声学滤波和声学换能领域都存在极大的应用价值，故声波在兰姆波声子晶体内的传播特性日益受到关注。本文主要讨论了用平面波展开法研究兰姆波声子晶体时普遍存在的计算资源耗费大的问题，引入了逐步逼近的平面波展开法，大大提高了算法的效率和可靠性，并用此方法研究了两种结构参数(填充率和板厚与晶格常数的比值)对禁带的影响。

摘要： 对目前光通信系统中的几种光滤波技术的原理、性能及应用进行研究比较,分析现阶段的应用情况和存在的问题,并特别提出一种新型滤波技术--光子晶体滤波器.着重介绍一维光子晶体滤波器的滤波原理和发展前景,尤其是其光子禁带和缺陷态特性与介质的折射率、周期数等重要参数的关系,如何使光子晶体滤波器具有更优良的性能和多种滤波形式.

摘要： 计算了包含单个和多个缺陷并保持对称性结构的一维光子晶体的透射谱.在光子晶体的禁带中得到了一个和多个完全透射峰.调整多个缺陷间的相对距离,相应透射峰间的距离也跟着发生变化,但其完全透射性保持不变.通过选择合适的材料和调整多个缺陷间的距离,可以在光子晶体的禁带中得到一个近完全透射带.

摘要： 由于TiO2纳米半导体材料禁带较宽，光吸收波长范围狭窄，主要在紫外区，利用太阳光的比例低，需要禁带合适，既能吸收可见光，光稳定性又好，易于制作，廉价无毒，化学和生物惰性，对环境不产生二次污染的半导体材料敏化纳米TiO2载体，结合使用提高光催化性能。

摘要： 本文采用一种局部网格共形FDTD技术对微带传输系统中的圆形光子带隙(PBG)结构进行分析.微带传输结构中地板上腐蚀出的周期圆孔,会在结构周期决定的中心频率附件产生一个禁带,因此被广泛应用.本文分析了一维圆形光带隙微带滤波结构的S参数,研究了S参数与圆孔周期,圆孔半径之间关系.

摘要： 本文以银柱体嵌入环氧树脂(epoxy)基体组成的正方周期结构为研究对象,采用平面波展开方法详细研究了二维理想声子晶体材料中弹性波的能带结构.数值计算发现,弹性波完全带隙的产生和消失与占有比f密切相关,完全带隙宽度与占有比f的变化关系较文献报导的复杂.

摘要： 本文给出了由ZrO/SiO组成的周期介质在光学频段的透射特性的测量结果.这些一维光子带隙材料在光学频段呈现出通带和禁带的特性.频率位于通带内的光波允许通过,而频率位于禁带内的光波被禁止传播.实验表明,对由ZrO/SiO(介质/介质)组成的一维光子带隙材料,禁带中的全反射随着介质层数的增加而增强,禁带的中心频率、禁带宽充可由介质层的厚度、介质层的周期数调节.由ZrO/SiO周期结构组成的这一简单结构可应用于微腔激光器中的微腔反射镜.

摘要： 本文通过运用Maxwell电磁波方程和B1och理论得到的含正负折射率材料其色散关系的解析式,来分别分析正折射率、负折射率材料的光子晶体的色散特性.

摘要： 本文通过运用Maxwell电磁波方程和B1och理论得到的含正负折射率材料其色散关系的解析式,来分别分析正折射率、负折射率材料的光子晶体的色散特性.

摘要： 本文通过运用Maxwell电磁波方程和B1och理论得到的含正负折射率材料其色散关系的解析式,来分别分析正折射率、负折射率材料的光子晶体的色散特性.

摘要： 本发明涉及一种宽禁带半导体电解质及其制备方法和宽禁带半导体电解质燃料电池及其组装方法，上述电解质为一种由共沉淀法制备的氧化镁纳米粉末，其具有6.29eV的宽带隙值，在420‑500°C下也具有可观的离子电导率，利用其组装形成的燃料电池在低温区间表现出优良的输出功率、较好的可重复性和超过100小时的稳定性，与现有的固体氧化物燃料电池相比，本发明提供的燃料电池可有效降低固体氧化物燃料电池的运行温度，在低温区间具有明显优势。

摘要： 本发明涉及微纳制造技术领域，介绍了一种全禁带三维光子晶体的压印成型制造方法及全禁带三维光子晶体结构。以高分子聚合物硅橡胶或聚甲基丙烯酸甲酯作为基体材料，采用纳米压印的方式在高分子聚合物基体材料中填入单分散胶体颗粒(聚苯乙烯、二氧化硅或二氧化钛)，使单分散胶体颗粒在高分子聚合物基体材料中形成面心立方结构。在压印模板凸起部分吸附单分散胶体颗粒，并以微接触式纳米压印工艺使单分散胶体颗粒在液态高分子聚合物基体材料上形成了具有面心立方111面的二维结构，其中单分散胶体颗粒即为面心立方111面上的基元，之后逐层叠加，最终形成具有面心立方结构的全禁带三维光子晶体。

摘要： 本发明公开了一种基于导电金属带的宽禁带半导体双面散热模块封装结构，不同桥臂的半导体功率芯片设置于不同的功率衬底上，减小模块的体积，极大提高了模块功率密度；功率垫片设置于顶部、底部功率衬底之间，起机械支撑和电气连接作用，在双面散热的基础上为每一个半导体功率芯片提供额外的散热路径，降低芯片之间热耦合程度，达到芯片均温效果，同时改善芯片散热环境；驱动回路与换流回路近于在空间上近于垂直，回路之间电磁耦合程度得到极大降低，模块可靠性得到进一步提升；换流回路使用导电金属带完成芯片所须的电气连接，模块寄生电感数值极大减小，其中源极导电金属带于连接处开有孔槽，可以使寄生电感分布均匀度得到提升，达到芯片均流效果。

摘要： 本发明公开了涉及氧化物材料制备技术领域，尤其涉及一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料及其应用。第一个目的在于提供一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料，该锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的化学通式为(Mg1‑xMnx)TiO3，其中x为Mn4+掺杂的摩尔比，0.1≤x≤0.6；该锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的带隙宽度从3.4‑3.7eV减小到1.4‑2.91eV。该材料带隙会随掺杂的Mn元素含量变化而变化，使材料体系相对纯MgTiO3的带隙具有显著降低的优点。第二个目的在于提供一种锰掺杂MgTiO3窄禁带材料的应用，所制备材料在太阳能利用领域具有更为广阔的应用。

摘要： 本发明公开一种宽禁带航空功率变换器在线故障诊断方法，属于航空电源状态监测与诊断领域。本发明方法利用Gompertz模型的变形公式改进鸟群算法（Bird Swarm Algorithm，BSA），并对MLP的初始权值和偏置进行优化，将优化后的MLP模型用于宽禁带航空功率变换器故障诊断，该方法简称G‑BSA‑MLP。与现有方法相比，本发明方法避免了陷入局部最优和出现早熟收敛等问题，合理平衡了算法的全局搜索能力与局部搜索能力，提高了算法的收敛速度以及收敛精度。

摘要： 本发明提供了一种宽禁带铜镓硒光吸收层及其制备方法，所述宽禁带铜镓硒光吸收层包括铜镓硒薄膜层和覆设于铜镓硒薄膜层上的铟镓薄膜层，铜镓硒薄膜层和铟镓薄膜层的界面经由退火工艺形成有InCu反位缺陷。其制备方法包括：将基底加热至第一温度，在基底上共蒸镓和硒；提高基底的温度至第二温度，在基底上共蒸铜和硒；保持基底的温度为第二温度，在基底上共蒸铟、镓和硒；保持基底的温度为第二温度，在硒气氛下对基底进行退火处理，制备获得宽禁带铜镓硒光吸收层。本发明还提供了包括所述宽禁带铜镓硒光吸收层的太阳能电池。本发明提供的宽禁带铜镓硒光吸收层在具备宽禁带的基础上又能获得更高效率太阳能电池，可以更好地适用于叠层太阳能电池。

摘要： 本发明属于半导体器件技术与核科学技术领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上生长n型β‑Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属Ti/Au膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半导体能带结构控制，通过使用表面活性剂进行宽禁带半导体生长形态调控，实现宽禁带半导体的生长形态调控及能带结构控制。

摘要： 本发明公开一种禁带和颗粒阻尼协同作用的局域共振非线性超材料装置，包括局域共振单元和刚性散体颗粒；所述局域共振单元由基体梁、竖向杆件、质量块组成；所述基体梁侧面等间距的挖设有若干槽孔；每个槽孔上方的基体梁通过所述竖向杆件与所述质量块连接，所述质量块内设有凹槽，所述凹槽和槽孔内均放置有所述刚性散体颗粒的空间，每个槽孔通过玻璃胶实现封闭，利用刚性散体颗粒之间构成的颗粒阻尼效应，改善超材料中隔振降噪的频率区间。

摘要： 本发明公开了一种适用于高温环境的宽禁带功率模块的双面倒装封装结构，包括顶部陶瓷基板、底部陶瓷基板、第一SiC MOSFET器件、第二SiC MOSFET器件、第三SiC MOSFET器件、第四SiC MOSFET器件、第五SiC MOSFET器件、第六SiC MOSFET器件、第七SiC MOSFET器件、第八SiC MOSFET器件、第一钼柱、第二钼柱、第三钼柱、第四钼柱、第五钼柱、第六钼柱、第七钼柱、第八钼柱、第一金属引出端子、第二金属引出端子、第三金属引出端子、第四金属引出端子、第五金属引出端子、第六金属引出端子及第七金属引出端子，该结构具有高集成度、低寄生参数、高散热效率、高功率密度以及便于级联的特点。

摘要： 本实用新型涉及半导体器件测试装置，公开了一种宽禁带功率半导体器件动态性能测试装置，其包括脉冲信号发生器、驱动单元和提供测试装置电源的供电电源；脉冲信号发生器提供脉冲信号至驱动单元；其驱动单元包括驱动母板和与驱动母板插拔连接的驱动子板；且待测宽禁带功率半导体器件置于驱动子板上。通过本实用新型设计的测试装置由于驱动子板与驱动母板的插拔连接其测试灵活，根据不同的测试需求更换不同的驱动子板；同时通过本实用新型设计的测试装置其寄生电感小。