磁阻

摘要： 为确保下运带式输送机的安全运行,提出采用永磁阻尼托辊,用以改善下运带式输送机的制动能力。在前人的计算基础上结合实际模型,推导了永磁阻尼托辊制动力矩的计算公式,利用Matlab探究了永磁阻尼装置制动力矩的影响因素。结果表明,制动力矩受永磁体磁极对数、永磁体厚度、气隙等因素的影响,为永磁阻尼托辊的设计提供理论依据。

摘要： 系统地研究了用脉冲激光沉积法(PLD)在(111)取向SrTiO_(3)单晶衬底上外延生长La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_(3)薄膜的电学和磁阻性能。利用综合物性测量系统(PPMS)测量研究了薄膜导电性和相应物性随薄膜厚度的变化规律。磁化和电阻作为温度函数的测量结果表明,从铁磁状态到顺磁状态的转变温度与薄膜厚度直接相关。电阻率(ρ(T))的温度依赖性已经用理论公式进行了拟合。在3 T的外加磁场下,在200 K下测量了10 nm厚膜的34.5%的磁电阻。

摘要： 通过实验探究,研究“ED型”变压器磁路中的磁通分布,并解释相关现象,阐述了“ED型”变压器的磁通分布不仅与磁路有关,而且与两个输出端外接电路有关.

摘要： 拓扑物态包括拓扑绝缘体、拓扑半金属以及拓扑超导体.拓扑物态奇异的能带结构以及受拓扑保护的新奇表面态,使其具有了独特的输运性质.拓扑半金属作为物质的一种三维拓扑态具有无能隙的准粒子激发,根据导带和价带的接触类型分为外尔半金属、狄拉克半金属和节线半金属.本文以拓扑半金属为主回顾了在磁场下拓扑物态中量子输运的最新工作,在不同的磁场范围内分别给出了描述拓扑物态输运行为的主要理论.

摘要： 大型建筑物中的金属含量和品质是衡量建筑物寿命和工程抗震能力的重要指标,采用电磁感应的无损探测建筑物中的金属含量和品质是一种非常有效实用的检测手段.利用互感原理,研究低频情况下的互感输出特性,给出低频情况下输入、输出电压比与频率和磁阻的关系,分析频率、磁阻对其的影响.研究结果表明,在低频情况下,设定合适原、次线圈的匝数比,磁阻对于互感特性影响比较明显,改变磁阻可以使输出输入电压比呈非线性关系减少;频率升高,磁阻对于互感特性影响降低.该研究结果为互感式金属探测器的设计提供了一种思路.

摘要： PdSe2薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得,本研究采用一种简单有效的可在SiO2/Si衬底上制备PdSe2薄膜的方法.通过高真空磁控溅射技术在SiO2/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜,将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化,获得PdSe2薄膜.根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe2薄膜的平均厚度约为30 nm.进一步研究硒化温度对PdSe2薄膜电输运性能的影响,当硒化温度为300°C时,所制得的PdSe2薄膜的体空穴浓度约为1×1018 cm–3,具有最大的室温迁移率和室温磁阻,分别为48.5 cm2·V–1·s–1和12％(B=9 T).值得注意的是,本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe2薄膜.随着硒化温度从300°C逐渐升高,由于Se元素容易挥发,Pd薄膜的硒化程度逐渐减小,导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低.本研究表明:真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe2薄膜的方法,在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值.

摘要： 利用ANSYS的建模软件SCDM和电磁仿真软件Maxwell,基于有限元法(FEM)对一体成型电感的等效磁路和电磁特性进行仿真分析.考察线圈结构参数对电感内部磁场强度、电流密度分布以及电感值和磁阻大小的具体影响.结果表明:随着线圈内径(D)增大,磁场逐渐趋于线圈外侧分布,线圈的电流密度分布趋于均匀,电感值先增大后减小,总磁阻则呈相反变化;此外,线圈交流电阻和电感值都随匝间距(w)增加而减小;考察范围内,一体成型电感在线圈内径D=5.1 mm、匝间距w=0.02 mm时可获得相对较大的电感值.

摘要： 自旋电子器件是操控和利用电子自旋属性的器件,相比微电子器件具有能耗更低、密度更高、响应更快和非易失性等特点,是新一代信息器件发展和取得突破的一个重要方向。基于自旋电子器件的基本原理,如自旋极化、自旋注入、自旋传输、自旋弛豫、自旋探测等,综述了近10年来铁电材料应用于自旋电子器件领域的相关研究工作,主要包括多铁隧道结、铁电有机自旋阀、铁电调控自旋轨道耦合等,论述了自旋电子器件外场调控和多功能化相关的工作进展。由于铁电材料晶格-电荷-自旋-轨道4者之间的相互作用,铁电-自旋电子器件可通过外加电场调控电极化率、外加磁场调控自旋极化率以及外加电场调控界面效应(如晶格、界面电场、应力)等,对器件性能进行调制,有望应用于忆阻器、多阻态存储器、逻辑器件等。

摘要： 本文介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究.结果表明:磁阻型光电传感器的中心频率为50Hz,通频带为46Hz～55Hz,即通频带宽度为9Hz,经计算,可得其品质因数Q为5.56,若按可调式高品质有源滤波放大电路设计理论获得的计算值,该滤波电路的中心频率为50Hz,品质因数为8.01,带宽为6.24Hz,故理论值与实际所测的频率特性有些误差.

摘要： 本文利用X射线粉末衍射、Rietveld精修技术及电、磁测试手段对SrFeMn)MoO(0≤x≤0.45)的晶体结构及磁性进行了研究.研究结果表明:所有化合物均具有双层有序钙钛矿结构,饱和磁化强度、居里温度及低场磁阻由于Mn掺杂而显著降低,在x=0.45时出现正磁阻.我们提出的相分离模型认为(Mn,Mo)和(Mn,Mo)价态对在化合物中同时存在,Mn替代Fe有一饱和值.

摘要： 本文系统研究了V替代Fe对SrFeMoO的晶体结构和电磁特性的影响.结构精修表明V的掺入降低了B位有序度;电测量结果显示,SrFeMoO及低掺杂量的样品呈半导体性,V含量较高的样品在低温呈半导体特性,而在高温呈金属性;样品的居里温度和磁阻效应随掺杂量的提高也有所降低.

摘要： 在工矿企业里，低压配电控制系统中，常用到交流接触器，作为频繁启动的元件，用来进行配电和电动机控制，当接触器线圈断电后电磁铁不释放的剩磁现象,会使系统失控或者烧毁电机及损坏负载机械设备，甚至危及人身安全。本文通过实例分析了增加接触器“E”字形硅钢片的中柱面气隙，解决交流接触器断电后剩磁现象的可行性，现场实际应用中取得良好效果。

摘要： 在工矿企业里，低压配电控制系统中，常用到交流接触器，作为频繁启动的元件，用来进行配电和电动机控制，当接触器线圈断电后电磁铁不释放的剩磁现象,会使系统失控或者烧毁电机及损坏负载机械设备，甚至危及人身安全。本文通过实例分析了增加接触器“E”字形硅钢片的中柱面气隙，解决交流接触器断电后剩磁现象的可行性，现场实际应用中取得良好效果。

摘要： 在工矿企业里，低压配电控制系统中，常用到交流接触器，作为频繁启动的元件，用来进行配电和电动机控制，当接触器线圈断电后电磁铁不释放的剩磁现象,会使系统失控或者烧毁电机及损坏负载机械设备，甚至危及人身安全。本文通过实例分析了增加接触器“E”字形硅钢片的中柱面气隙，解决交流接触器断电后剩磁现象的可行性，现场实际应用中取得良好效果。

摘要： 在工矿企业里，低压配电控制系统中，常用到交流接触器，作为频繁启动的元件，用来进行配电和电动机控制，当接触器线圈断电后电磁铁不释放的剩磁现象,会使系统失控或者烧毁电机及损坏负载机械设备，甚至危及人身安全。本文通过实例分析了增加接触器“E”字形硅钢片的中柱面气隙，解决交流接触器断电后剩磁现象的可行性，现场实际应用中取得良好效果。

摘要： 在工矿企业里，低压配电控制系统中，常用到交流接触器，作为频繁启动的元件，用来进行配电和电动机控制，当接触器线圈断电后电磁铁不释放的剩磁现象,会使系统失控或者烧毁电机及损坏负载机械设备，甚至危及人身安全。本文通过实例分析了增加接触器“E”字形硅钢片的中柱面气隙，解决交流接触器断电后剩磁现象的可行性，现场实际应用中取得良好效果。

摘要： 一种转子(12)，具有多个沿着旋转轴线(D)依次堆叠的转子叠片(2)，其中，-每个转子叠片(2)具有多个磁性薄片(4)，薄片彼此通过非磁性的凹槽(6)分开，-非磁性的凹槽(6)设计为弧形并且其两个端部(7)向着转子叠片(2)的外圆周(U)打开，-以固体的材料(16)填充转子叠片(2)的至少一部分的凹槽(6)。在改进转子(12)的功能性时的简单构造方面，已堆叠的转子叠片(2)在转子(12)的已组装状态中仅仅在旋转轴线(D)的方向上彼此连接。

摘要： 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100-aXa表示的铁磁材料M-X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为Xb1Xc2Xd3(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。

摘要： 一种开关磁阻式电动机，包括：重叠绕设在一磁阻马达的定子上的一第一绕组及一第二绕组，第一绕组包含呈Δ型接线的三相线圈，该第二绕组包含呈Y型接线的三相线圈，三个与一电容电池并联的桥臂，第一绕组的三相线圈分别对应电耦接在两两相邻桥臂之间，三个阻尼电容分别与第二绕组的三相线圈对应并联以构成三个谐振电路，当相邻两个桥臂被导通，电耦接在其间的该线圈会被电容电池的电压激磁，当相邻两个桥臂不导通，电耦接在其间的该线圈将消磁，并使与其相对应的该谐振电路发生谐振，而产生一谐振电流经由一三相桥式整流电路对电容电池充电。本发明同时公开一种磁阻马达的驱动电路及磁阻马达。

摘要： 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。

摘要： 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。

摘要： 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。

摘要： 一种开关磁阻式电动机，包括：重叠绕设在一磁阻马达的定子上的一第一绕组及一第二绕组，第一绕组包含呈Δ型接线的三相线圈，该第二绕组包含呈Y型接线的三相线圈，三个与一电容电池并联的桥臂，第一绕组的三相线圈分别对应电耦接在两两相邻桥臂之间，三个阻尼电容分别与第二绕组的三相线圈对应并联以构成三个谐振电路，当相邻两个桥臂被导通，电耦接在其间的该线圈会被电容电池的电压激磁，当相邻两个桥臂不导通，电耦接在其间的该线圈将消磁，并使与其相对应的该谐振电路发生谐振，而产生一谐振电流经由一三相桥式整流电路对电容电池充电。本发明同时公开一种磁阻马达的驱动电路及磁阻马达。

摘要： 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。

摘要： 一种磁阻抗器件包括半导体基片(22、322)和用于检测磁场的磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)。磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)被置于基片(22、322)上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成的。在此，磁阻抗器件(1、2、301、301A、301B)以以下方式来检测磁场：当交流电被施加给器件(1、2、301、301A、301B)时，器件(1、2、301、301A、301B)的阻抗依照该磁场而变化，并且阻抗是通过外部电路(312、313、314、315)来测量的。

摘要： 一种开关磁阻式电动机，包括：重叠绕设在一磁阻马达的定子上的一第一绕组及一第二绕组，第一绕组包含呈Δ型接线的三相线圈，该第二绕组包含呈Y型接线的三相线圈，三个与一电容电池并联的桥臂，第一绕组的三相线圈分别对应电耦接在两两相邻桥臂之间，三个阻尼电容分别与第二绕组的三相线圈对应并联以构成三个谐振电路，当相邻两个桥臂被导通，电耦接在其间的该线圈会被电容电池的电压激磁，当相邻两个桥臂不导通，电耦接在其间的该线圈将消磁，并使与其相对应的该谐振电路发生谐振，而产生一谐振电流经由一三相桥式整流电路对电容电池充电。本实用新型同时公开一种磁阻马达的驱动电路及磁阻马达。