磁电耦合

摘要： 为了进一步提高水雾降尘效率,提出一种新型联合降尘技术并确定其最佳技术参数至关重要。采用交叉实验法,对不同磁场强度、荷电电压下的液滴表面张力进行测量,并运用Materials Studio模拟软件对水分子进行动力学模拟,得到磁化、荷电及磁电耦合作用下液滴表面张力的变化规律。结果表明:磁化、荷电及磁电耦合作用均能使液滴表面张力发生变化,其改善能力的强弱为磁电耦合作用>荷电作用>磁化作用,当荷电电压为9 kV、磁场强度为300 mT时,是获得最小表面张力的最佳磁电耦合参数。

摘要： 弱磁应力检测技术可以实现对铁磁材料应力损伤的有效检测。然而由于弱磁信号形成机理复杂,很难实现定量化计算分析。文中基于铁磁材料形成静磁场的磁电耦合特性,建立了弱磁应力检测数学模型,计算了地磁场下弱磁信号在不同分量的磁力学特性及磁传递特性。研究结果表明地磁场对检测信号的影响随应力增加逐渐减弱;弱磁信号切向峰值与法向零点与应力损伤中心位置重合;弱磁信号随应力增加呈线性增加,随传播距离增加呈指数衰减;“线性区”弱磁信号识别效率高。

摘要： 多铁性材料是一种同时具有铁电、铁弹、铁磁等两种或者两种以上"铁性"的材料,可以通过多种序参量的耦合产生新的效应,在电子信息、传感、存储、无线网络等领域具备广阔的应用前景。当前在室温下具有强磁电耦合效应的多铁性材料仍然是学者们研究的重点,但基于多铁材料的器件还没有实现应用。应变工程是一种可以有效影响多铁材料物理性质的调控手段,通过晶格与电子、自旋、轨道等的相互作用来影响材料的电、磁、光、声等物理特性,因此通过应变调控多铁性薄膜结构和性能,受到了研究人员的广泛关注。本文通过调研多铁性材料中应变工程的研究,总结了应变调控手段及其对材料物理性能的影响,期望为多铁性材料的研究和发展提供研究思路。

摘要： 我校物理电子工程学院陈瑞博士2021年获批国家自然科学基金项目:阻挫磁体R_(2)V_(2)O_(7)的分数量子磁化和磁致多铁性研究,批准号:12104388。阻挫磁体由于存在自旋涨落和磁阻挫的相互竞争而呈现出丰富的物理效应,其中量子磁化平台和磁致多铁性在凝聚态物理领域备受关注。前者是一种宏观量子效应,蕴含特殊的磁有序态或量子态;后者展现了本征的磁电耦合,可实现磁场调控铁电性或电场调控磁性。这两种效应关联着复杂的多自由度相互作用和多序参量相互耦合,具有重要的基础研究价值和科技应用前景,是凝聚态物理研究的重要前沿课题。

摘要： 南京理工大学阚二军教授课题组在二维材料磁电耦合理论研究方面,揭示了二维范德瓦尔斯体系中室温下铁电序对磁序的调控机制,相关研究成果以Toward Room-Temperature Electrical Control of Magnetic Order in Multiferroic van der Waals Materials为题发表在《纳米快报》(Nano Letters)上。

摘要： 机械天线被认为是目前能够实现甚低频和超低频天线小型化的新方案.本文针对1-1型和2-1型磁电机械天线的阻抗特性进行系统研究.基于天线振子的阻抗曲线和修正的Butterworth-van Dyke模型,分别获得阻抗最小频率f、串联谐振频率f以及谐振频率f.在此基础上,本文通过实验分析了驱动电压、偏置磁场和机械品质因数(Q值)对磁电机械天线阻抗特性的影响规律,并结合磁电机械天线的实际工作频率f,获得了1-1型和2-1型磁电机械天线的电阻和电抗分量.实验结果表明:无论是1-1型还是2-1型磁电机械天线,其电抗分量均小于100Ω,基本可以看成一个纯阻性振子.但是高Q值的磁电机械天线非线性效应强,且自身阻抗相对较小,难以支持高驱动电压的加载,辐射能力有限.本文对磁电机械天线的设计优化,特别是在认识其阻抗特性的基础上进行Q值选择,为下一代高辐射性能天线振子的设计提供了重要数据参考.

摘要： 引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7—x[PbTiO3]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶FeRh二元合金薄膜,从而获得单晶FeRh/MgO/PMN-PT多层膜异质结.利用XRD进行物相分析和结构表征,表明MgO缓冲层的插入促使单晶FeRh成功外延在铁电衬底PMN-PT上,其外延关系为FeRh[100](001)/MgO[100](001)/PMN-PT[100](001).利用磁光克尔测试设备对制备的单晶FeRh薄膜面内磁各向异性和电场调控效果进行研究,结果表明单晶FeRh薄膜表现出明显的面内四重对称性和显著的磁电耦合机制.在E=6 kV/cm的电场作用下,FeRh薄膜的磁光克尔信号显著降低,撤掉电场后,磁光克尔信号有所增强,但仍低于初始态.磁光克尔信号的强弱变化归因于PMN-PT衬底与FeRh薄膜的磁电耦合效应.

摘要： 教学和科研应互相协作,共同为培养人才服务.将团队承担的磁电耦合振动科学研究的内容转化为本科实验教学资源,确定研究型实验内容及方案,对该研究型实验方案中一种横向场激励下的利用谐振频率变化磁场传感器的研究过程做了详细的介绍.通过研究型实验课程的实施表明,正确处理好教学和科研的关系可以促进两者的共同发展,丰富实验教学内容,促进大型仪器设备的开放共享;同时还可以促进人才培养,壮大科研队伍,通过实验教学不断激发科研人员的创新思维.

摘要： 单相多铁材料同时具有(反)铁磁性、铁电性和铁弹性等两种或两种以上的基本铁性序,并且这些铁性序之间相互耦合,以及外场对其交叉调控产生的新效应,为新型信息多功能器件的设计和开发提供了契机。近年来,一类被称为极性磁体的多铁性材料在很高温度下即可具有非中心对称的特征,出现空间反转对称破缺,展现出丰富的物性,如高温磁电耦合和非互易输运等,成为多铁性研究领域新的关注点。简要总结了已有的极性磁体多铁性材料体系及其中所蕴含的新效应和新物性,并对这一研究分支所面临的挑战作出展望。

摘要： 多铁性序参量之间具有相互祸合作用，磁电祸合是其中一种。磁电耦合的本质:乘积效应，磁-力-电耦合。磁电复合材料的磁电耦合，利用压电效应和磁致伸缩效应。电磁调频的机理为应力改变了电磁复合材料杨氏模量，进而引起振子谐振频率变化。通过反馈自动跟踪谐振频率的变化，不断调节超声电源的频率与换能器的谐振频率一致，使超声换能器工作在谐振状态。仍然存在跟踪范围狭小、跟踪失效、电感不匹配等问题。

摘要： 当材料中的电（磁）偶极子在电场或者磁场中产生磁（电）的交叉响应时，磁电耦合效应即被建立起来。为了研究此效应对微纳米尺度热辐射的影响，本文在涨落电动力学的框架下，利用并矢格林函数方法和涨落耗散原理，建立了热辐射的宏观电磁模型。研究表明：磁电耦合能够强烈调制表面波，从而对热辐射产生较大影响。此研究有望对于利用这种介质（作为热源或热沉）进行微纳米尺度的热管理以及能量转换，起到积极的推动作用。

摘要： @@多铁性材料一般指电序(铁电/反铁电)和磁序(铁磁/反铁磁)集于一身的多功能材料。基于自发磁电耦合或场致磁电耦合，人们期望在这一类材料里既能通过电场来控制磁极化，也能通过磁场来控制电极化，这对于发展新型磁电器件具有非常重要的意义。钙钦矿铁氧化物BiFe03是目前唯一在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的多铁性材料，在过去几年里它吸引了广泛的研究兴趣。

摘要： 报道一种由Terfenol-D(Tb1-xDyxFe2)和Cymbal组成的新型器件.在器件中Cymbal位于两片Terfenol-D之间.在横向极化和横向磁化的模式(T-T)下,其磁电电压系数在0.5kOe的偏置磁场作用下为41.0mV/Oe(1kHz),大于Terfenol-D/PZT/Terfenol-D结构的磁电电压系数.磁电电压系数提高的原因起源于具有高压电系数的Cymbal和高磁致伸缩系数的Terfenol-D之间的耦合.

摘要： 采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。将glass/FeCoSi和PZT驱动器粘接后用于研究电场调制FeCoSi薄膜的磁矩转动和各向异性场随外加电压的变化关系.利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜难磁化方向(难轴)的磁滞回线.结果表明,由于FeCoSi磁性薄膜的初始易磁化方向(易轴)沿着PZT产生应力的方向,当给PZT驱动器施加正向电压时,各向异性场随着电压增加而变大,剩磁比随电压的增加而减小.相反,当给PZT驱动器施加负向电压时,各向异性场随电压的增加而减小，但剩磁比随电压的增加而增大。得到各向异性场随电压的变化关系约为0.12 Oe/V，磁矩从初始易轴变为难轴所需施加的负向电压约为-80 V。电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调控在低功耗微波器件中有望得到广泛的应用。

摘要： 采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。将glass/FeCoSi和PZT驱动器粘接后用于研究电场调制FeCoSi薄膜的磁矩转动和各向异性场随外加电压的变化关系.利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜难磁化方向(难轴)的磁滞回线.结果表明,由于FeCoSi磁性薄膜的初始易磁化方向(易轴)沿着PZT产生应力的方向,当给PZT驱动器施加正向电压时,各向异性场随着电压增加而变大,剩磁比随电压的增加而减小.相反,当给PZT驱动器施加负向电压时,各向异性场随电压的增加而减小，但剩磁比随电压的增加而增大。得到各向异性场随电压的变化关系约为0.12 Oe/V，磁矩从初始易轴变为难轴所需施加的负向电压约为-80 V。电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调控在低功耗微波器件中有望得到广泛的应用。

摘要： 采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。将glass/FeCoSi和PZT驱动器粘接后用于研究电场调制FeCoSi薄膜的磁矩转动和各向异性场随外加电压的变化关系.利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜难磁化方向(难轴)的磁滞回线.结果表明,由于FeCoSi磁性薄膜的初始易磁化方向(易轴)沿着PZT产生应力的方向,当给PZT驱动器施加正向电压时,各向异性场随着电压增加而变大,剩磁比随电压的增加而减小.相反,当给PZT驱动器施加负向电压时,各向异性场随电压的增加而减小，但剩磁比随电压的增加而增大。得到各向异性场随电压的变化关系约为0.12 Oe/V，磁矩从初始易轴变为难轴所需施加的负向电压约为-80 V。电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调控在低功耗微波器件中有望得到广泛的应用。

摘要： 采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。将glass/FeCoSi和PZT驱动器粘接后用于研究电场调制FeCoSi薄膜的磁矩转动和各向异性场随外加电压的变化关系.利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜难磁化方向(难轴)的磁滞回线.结果表明,由于FeCoSi磁性薄膜的初始易磁化方向(易轴)沿着PZT产生应力的方向,当给PZT驱动器施加正向电压时,各向异性场随着电压增加而变大,剩磁比随电压的增加而减小.相反,当给PZT驱动器施加负向电压时,各向异性场随电压的增加而减小，但剩磁比随电压的增加而增大。得到各向异性场随电压的变化关系约为0.12 Oe/V，磁矩从初始易轴变为难轴所需施加的负向电压约为-80 V。电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调控在低功耗微波器件中有望得到广泛的应用。

摘要： 采用射频磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备了具有面内单轴各向异性的FeCoSi磁性薄膜。将glass/FeCoSi和PZT驱动器粘接后用于研究电场调制FeCoSi薄膜的磁矩转动和各向异性场随外加电压的变化关系.利用微聚焦磁光克尔效应测量了不同电压下FeCoSi磁性薄膜难磁化方向(难轴)的磁滞回线.结果表明,由于FeCoSi磁性薄膜的初始易磁化方向(易轴)沿着PZT产生应力的方向,当给PZT驱动器施加正向电压时,各向异性场随着电压增加而变大,剩磁比随电压的增加而减小.相反,当给PZT驱动器施加负向电压时,各向异性场随电压的增加而减小，但剩磁比随电压的增加而增大。得到各向异性场随电压的变化关系约为0.12 Oe/V，磁矩从初始易轴变为难轴所需施加的负向电压约为-80 V。电场对FeCoSi磁性薄膜磁矩转动和各向异性场的调控在低功耗微波器件中有望得到广泛的应用。

摘要： 该文结合耦合带滤波器的微波传输原理和铁氧体/压电层合磁电材料的铁磁共振效应,设计了一款应用在2-10GHz频段范围的磁电双可调双通带滤波器.分析了其工作机理,通过HFSS平台进行模拟仿真,结果表明滤波器通带部分的插入损耗约为-3dB,阻带部分最大插入损耗达到-20dB,同时验证了其磁电可调的有效性.

摘要： 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。

摘要： 本发明公开了一种基于解析法的表贴式永磁电机驱动系统场路耦合分析方法。根据电机的电压平衡方程，建立电机线电压向量、相电流向量、定子绕组磁链向量的耦合关系；通过磁场解析计算方法建立电机的相电流向量、定子绕组磁链向量、电机结构参数的耦合关系；建立电机线电压向量、相电流向量、电机结构参数的解析关系式；构建集总求解矩阵；求解集总求解矩阵，同时获得当前时间步长的相电流向量和矢量磁位的通解表达式中的所有待定系数向量，进而得到当前时间步长的定子绕组磁链向量并保存，进而对电机的输出转矩及转矩波动率进行分析。本发明能够同时计算相电流及矢量磁位，计算实时性好，能够在保证计算准确性的前提下有效提升计算效率。

摘要： 本实用新型公开一种基于光电耦合的永磁电机调磁装置和永磁电机，包括调磁绕组、第Ⅰ永磁体和调磁电路模块，调磁绕组按照同一个方向，缠绕在第Ⅰ永磁体充磁和去磁方向的两侧；调磁电路模块包括：供电电源，属于直流电源，通过调磁绕组对第Ⅰ永磁体的工作点进行调整；驱动电路元件，由升压电路组成，通过提高驱动电路的输出电流幅值，从而驱动开关元件，以控制调磁回路导通或截止；开关元件，接收驱动电路元件的开关信号以实现调磁回路开关控制；控制器，用于向控制元件发送高电平或低电平信号，以实现调磁脉冲电流宽度的控制；本实用新型采用低矫顽力永磁体调磁技术，进而实现永磁电机的调磁控制。

摘要： 本发明涉及一种利用永磁体提高磁电耦合器件的磁电耦合系数的方法，包括由磁致伸缩材料和压电材料所构成的复合结构磁电耦合器件，根据交变的磁场在磁电耦合器件产生幅值最大的交变电压时的磁场，在磁电耦合器件周围设计提供直流偏置磁场的永磁体分布位置，使得磁电耦合器件工作在最佳直流偏置磁场中。使用永磁体安放在磁电耦合器件周围，提供适当的直流偏置磁场，提高了磁电耦合系数并提高了磁电耦合器件的性能。相比于传统的使用电磁铁和亥姆霍兹线圈的方法来提高磁电耦合系数，本发明大大缩小了器件的尺寸，使其能够应用于便携设备之中。

摘要： 一种兼具高居里温度和高磁电耦合性能的层状磁电复合材料及其制备方法，将Li

摘要： 与光电耦合器兼容的高速磁电隔离信号耦合器件，属于接口数据信号通讯技术领域。现有技术中光电耦合器存在体积大、速度慢、不易集成、不防辐射和容易老化等缺点；巨磁阻磁电耦合器件需要专用的驱动器，意外的电源掉电后，输出信号的状态在重新启动后不确定，会产生巴克豪森噪音、限制翻转速度。本发明其特征在于包括由线圈及与线圈隔离并接受磁信号的高灵敏度磁敏传感器和放大比较电路三部分，线圈由相串联的两层金属平面线圈组成，其优点在于信号磁场转换效率高、体积小、灵敏度高、能耗低、可与光电耦合器兼容。

摘要： 本发明涉及多靶点光磁电耦合神经调控装置及方法。该装置包括：光磁电耦合模块，包括经颅磁刺激模块、神经肌肉电刺激模块和多通道光学信号采集模块；神经调控分析模块，包括信号传输模块、对比分析模块和分析结果的数据存储模块；参数控制模块，能够依据神经调控分析模块对大脑皮层光信号的分析比对结果，动态调控经颅磁刺激模块和神经肌肉电刺激模块的刺激模式和刺激参数，以提升经颅磁刺激和神经肌肉电刺激的有效性，经颅磁刺激模块和神经肌肉电刺激模块能够同时刺激多个脑区及肢体，也能够按时序刺激多个目标靶点，对比分析模块能够调取数据存取模块中在任意时刻的指标数据，通过比对前后两个时刻的指标信息，能够判定神经调控的量效。

摘要： 本发明公开了一种基于磁电耦合作用制备可食用蛋白源膜的方法，该方法以天然蛋白质为原料，用去离子水加热溶解形成蛋白质溶液后，再添加一定量的甘油，之后先在磁场条件下进行交联反应，其后脱泡并延流涂膜，然后以电场辅助干燥，获得可食用蛋白源膜。本发明利用磁场和电场作为辅助手段，以天然蛋白质为原料，添加甘油作为增塑剂，对蛋白质变性、交联和干燥成膜过程进行作用，成膜效率远大于单纯的变性交联方式，并且成膜后的拉伸强度、断裂延伸率、保湿性、膜含水量等性能均有显著提升，同时工艺条件温和，对产品品质无不良影响，具有很好的工业化生产潜力。

摘要： 本发明公开了一种基于磁电耦合的体声波磁场传感器及其优化方法，其结构包括磁性复合薄膜和体声波谐振器；磁性复合薄膜包括FeGaB磁致伸缩薄膜以及插入在FeGaB磁致伸缩薄膜中的Al2O3薄膜；体声波谐振器包括依次设置的Mo电极薄膜、AIN压电薄膜和硅基底。本发明设计的体声波磁场传感器采用了复合磁膜薄膜，抑制了涡流损耗并增强了软磁特性；同时采用压磁相/压电相双层结构设计，提高了磁电(ME)耦合效率；利用谐振增强ME耦合效应，通过设计压电相/压磁相、电极层的厚度，使传感器工作在复合薄膜的铁磁谐振频率，进一步提高了能量转化效率。由此得到体声波磁电耦合磁场传感器的性能优化方法。

摘要： 本发明涉及一种单轴磁电耦合原子气多层结构的光学传输特性的分析方法及系统，方法包括以下步骤：S1、建立相干驱动原子气媒质与普通介质构造的多层周期结构模型；S2、计算出相干驱动原子气媒质的有效参数的表达式；S3、用四元向量表示普通介质层中的电磁波，确定两种材料层交界面处的边界条件；S4、计算多层周期结构的传输矩阵；S5、求出原子气媒质与普通介质构造的多层周期结构的反射透射谱。本发明的相干驱动磁电耦合原子气媒质与普通介质构造多层结构，作为测试模型具有应用价值；同时，本发明涉及基于传输矩阵计算方法和四元向量法，为分析多层的特异材料结构提供了一种光学方法，产生有益的技术效果。