碳膜

摘要： 选择二维过渡金属碳化物Ti_(3)C_(2)MXene为增强体,与聚酰胺酸共混固化制成不同含量的MXene/PI(MXPI)复合薄膜,并研究其在氮气氛围、800~1200°C温区下的结构变化与碳化行为.结果表明:Ti_(3)C_(2)MXene用量为2%(质量分数)时,所得MXPI-2复合薄膜的热稳定更好,1200°C时的热失重率约为43.44%;经碳化所得碳膜以乱层石墨相为主,结构缺陷较少,具有一定的柔韧性,这将有助于推动碳膜在电子领域的广泛应用.

摘要： 针对粉体MOF衍生材料存在制备工艺复杂、薄膜厚度难以控制等问题,我们通过液相外延分步生长法制备了一种金属有机框架薄膜(PIZA?1),然后以其作牺牲模板,在惰性氛围中制备了一种CoSe2和N共掺杂的碳膜(CoSe2/N?CF),并用作DSSC对电极,其具有制备简单、粘结力强、厚度可调等优势.系统表征了CoSe2/N?CF形貌特点、结构性质及电化学性能,并深入研究了不同厚度薄膜、CoSe2颗粒大小对DSSC的光伏性能的影响.结果表明,CoSe2/N?CF?15电极具有优异的催化活性,所组装的DSSC获得了8.68％的光电转化效率(PCE),高于相同条件下Pt电极组装电池的PCE(7.97％).

摘要： 纳米压痕是一种常用的薄膜硬度评价方法.然而,当薄膜厚度＜ 10nm时,该方法难以去除基体对薄膜硬度的影响,因而无法获得薄膜自身的硬度,限制了纳米结构与硬度之间关系的认知,阻碍了超薄纳米结构薄膜的应用.本研究提出一种基于纳米压痕硬度标定下的纳米划痕硬度评价方法,并将其应用于纳米结构碳膜的硬度研究.首先,利用自行设计搭建的纳米刻划装置,通过对比碳膜在纳米划痕和纳米压痕方法下的残余变形深度,分析不受基体影响的临界薄膜厚度,得到纳米划痕深度不受基体影响的临界薄膜厚度.其次,采用压头形状等效接触模型,利用划痕的残余顶角、宽度和深度,通过计算压头前端的接触压力分布得到硅基体的纳米划痕硬度,与纳米压痕硬度标定结果一致.最后,将纳米划痕硬度方法应用在电子回旋共振等离子体溅射方法制备的3种不同纳米结构碳膜上,得到交联结构碳膜和非晶碳膜的硬度分别约为19.1 GPa和14.6 GPa,高于硅基体11.2 GPa的硬度,而石墨烯嵌入式碳膜的硬度约为2.7GPa.分析不同纳米结构碳膜的刻划机理表明,在sp2含量较高的纳米结构碳膜中,sp3含量并不是决定碳膜力学特性的唯一因素,小尺度、多石墨烯层间交联结构能够有效增加层间的剪切强度,薄膜展现出较好的耐刻划特性.研究结果有助于进一步拓展纳米划痕方法的应用,也为不同纳米结构碳膜的应用提供了理论基础.

摘要： 为了分析磁控溅射工艺对碳膜表面形貌及浸润性的影响,在室温下采用磁控溅射技术在硅片表面沉积碳膜,并利用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、静态接触角测量仪对所得碳膜进行表征。结果表明:随着溅射功率的提高,碳膜表面粗糙度先减小后增大,致密性逐渐改善,静态接触角先增大后减小;随着溅射时间的延长,碳膜的表面粗糙度逐渐增加,均匀性在一定的溅射时间内逐渐改善,静态接触角呈现先减小后增大再减小的趋势;随着溅射压强的增加,碳膜表面粗糙度先增大后减小,致密性在过高的溅射压强下会变差,静态接触角先减小后增大。

摘要： By changing the processing method on the surface of the substrate, different micron diamond film is prepared. Specific method is to use the magnetron sputtering plating on ceramic substrate on a thick layer of titanium, the titanium layer with different surface treatment,after put in microwave plasma chemical vapor deposition in the cavity preparation micron diamond film. Of different type film using diode structure to test the performance of their field emission electron, can achieve a good surface treatment under the electric field of 2. 1 V/μm, 9. 2 mA/cm2 excellent effect. And emission mechanism and the field emission properties were studied.%利用磁控溅射的方法,在相同的陶瓷衬底上面分别镀上3种不同金属,形成3种不同的金属衬底,对金属层进行相同的表面处理后,放入微波等离子体化学气相沉积腔中,制备出3种碳膜.对制备出不同的碳膜用扫描电镜、拉曼光谱、X射线衍射仪进行结构分析,并用二极管型结构测试了它们的场致发射电子的性能.找到了最适合场发射的金属衬底,进一步对不同金属衬底制备碳膜的场发射特性不同的原因进行了初步的研究.

摘要： 采用电沉积技术在较低的电压(10.0 V)下以氯乙酸、硫酸钠和氯化胆碱混合水溶液为电沉积液,在304不锈钢基体上电沉积碳膜.通过扫描电镜(SEM)和拉曼光谱分析碳膜的形貌和结构,通过接触角仪测试碳膜的疏水性能,通过多功能材料表面性能综合测试仪(CFT-Ⅰ)测试碳膜的摩擦学性能.研究结果表明,硫酸钠的加入能够促使碳膜在304不锈钢上的沉积,添加氯化胆碱能够有效提高304不锈钢表面碳膜的疏水性能,降低碳膜的摩擦系数.

摘要： 利用ECR纳米表面加工系统制备了氧掺杂含量分别为0％、12％和24％的离子照射碳膜并分析氧掺杂含量对碳膜摩擦学性能的影响.利用XPS表征了氧掺杂对碳膜化学结构的作用,发现经氧掺杂后,碳膜中氧原子含量增加,sp3键含量增加.采用球盘型摩擦磨损试验机研究了氧掺杂对碳膜摩擦学性能的影响,结果表明经氧掺杂后,碳膜的摩擦系数基本不变,磨损寿命显著增加,并提出氧掺杂引起的sp3键含量增加是改善碳膜摩擦学性能的主要原因.

摘要： 本文中,利用Monte Carlo分子模拟的方法探讨了不同情况下碳膜对二氧化碳和氮气的分离作用机理。通过研究二氧化碳和氮气在不同孔尺寸碳膜中的平衡选择性,以及混合气体在膜孔内的密度分布,在一定程度上阐释了碳膜对该混合气的分离机理。模拟结果表明,二氧化碳在膜表面的吸附能力更强。随着分离条件的变化,吸附能力对膜孔中混合气体传递的影响也相应发生改变。因此,氮气和二氧化碳的平衡选择性也随之改变。

摘要： 随着电子工业及信息技术产业的迅猛发展,电子元器件日益趋向小型化和轻量化,导致印制板向高密度互连的方向发展,使导电胶在印制电路板中的应用得到了推广.碳膜印制板是导电胶印制板中的一种,以其低廉的价格、稳定的性能和特点得到广泛的应用.本论文就微动对碳膜印制板电接触性能造成的影响进行了分析和研究。

摘要： 考察了分别以Ar、N、CH作为辅助轰击气体,以及添加Ti、Cr元素对磁控溅射制备碳膜的摩擦磨损性能的影响。应用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)、纳米显微硬度计(Nano-identation)和Pin-on-disk磨损试验机考察了碳膜的表面形貌和摩擦学性能。结果表明:辅助轰击提高的碳膜的硬度,但与N和CH相比,Ar气提高碳膜的硬度和结合强度最为明显。其与GCr15组成摩擦副的摩擦系数<0.25;Cr在碳膜中以单质Cr、CrCx和CrOx的形式存在,正是由于大量单质Cr的存在,降低了碳膜的硬度和摩擦系数;Ti在碳膜中主要形成TiC,由此引起的磨粒磨损增加磨损率;载荷越大,碳膜的摩擦系数越小,磨屑起了关键作用。

摘要： 采用双控体积的巨正则系综分子动力学方法(DCV-CCMD)模拟不同温度下(T=303,400,500,600K)氢、氦、氖、氩、甲烷、氮、氧等七种气体在具有狭缝状膜孔的碳膜内的渗透.气体之间,气体分子与膜原子之间的相互作用均采用Shifted-Lennard-Jones势能模型.试验结果表明:小分子量的气体渗透性能较强,且所有气体的渗透系数均随温度增加而下降,属于克努森扩散.由于气体的扩散与气体的分子尺寸没有表现出明显的规律,所以在此条件下没有发生分子筛扩散.

摘要： 研究新型ECR(扩散式和封闭式)等离子体溅射技术在同一基体上实现制备超硬、导电、超光滑多种杂化纳米结构碳膜.利用XPS,HRTEM等高精度材料分析手段表征碳膜的纳米结构、各种杂化轨道的含量,及纳米碳膜各杂化区之间的界面键合关系.使用多功能原子力探针及多尺度摩擦磨损仪测试碳膜的电磁特性和摩擦学性能(主要指摩擦和磨损).阐明碳膜中各纳区组织结构与电磁行为和摩擦学行为的相关性.同时,揭示多尺度下碳膜摩擦学行为的变化规律.

摘要： 用脉冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行了比较。对沉积在蓝宝石衬底上的场发射体碳膜进行了其他性能测量。文中对结果进行了讨论。

摘要： 本文介绍了激光沉积非晶碳膜电子场发射特性研究的结果。

摘要： 常规方法很难去除渗碳零件表面的积碳，采用强去油剂加工强渗透剂可以快速清洗，省时和降低成本。

摘要： 本文分析探讨了铜合金管材原始表面皮膜对耐蚀性的影响，提出了为防止海水淡化装置用铜合金管材形成表面皮膜的研制工艺。实践证明：该工艺先进、新颖、独特，具有节能环保、自动化程度高、低投入高产出、适合于规模化工业生产等特点。rn 该研制工艺在产品的制造工艺上有创新，技术处于国际领先地位。

摘要： 本发明涉及电声产品技术领域，特别是涉及一种硅碳振膜、硅碳振膜的制备方法及设有该振膜的声学单元，包括：制备碳质振膜；提供已经制备好的硅胶振膜；将所述碳质振膜与所述硅胶振膜通过二次成型方式紧密连接在一起；通过制备硅碳振膜，制备的硅碳振膜具有质轻，音域宽，弹性和刚性好，且耐高温，耐疲劳，受水分等外界环境的影响小等优点，将硅胶振膜与碳质振膜采用二次成型的方式制成一种新型硅碳振膜，从而可方便的安装于电子扬声器的声学单元上，也可与电子扬声器的声学单元直接一体成型，相比于传统的技术方案或者纯碳质振膜或纯硅胶振膜，具有更高的灵敏度和辨识度、工艺操作简单，成型便捷，能够实现大规模制备。

摘要： 本发明提供能够在低温下制造金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法。本发明的方法中，使用N‑三烷基甲硅烷基‑1,2,3‑三唑化合物和由通式(1)表示的1,2,4‑三唑化合物中的至少一者作为氮源，进行金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的成膜。(式中，R可以相同或不同，表示氢原子、碳原子数为1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或者碳原子数为1～5的三烷基甲硅烷基。需要说明的是，2个以上的R可以相互键合形成环。)

摘要： 本发明提供能够在低温下成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜的方法和装置。将含有通式(1)所表示的胍化合物的氮源和金属源或半金属源供给至成膜对象物上，成膜金属碳氮化膜或半金属碳氮化膜。(式中，多个R可以相同或不同，分别表示氢原子、碳原子数1～5的直链状、支链状或环状的烷基、或碳原子数1～9的三烷基甲硅烷基。其中，多个R可以相互键合形成环)

摘要： 本发明的课题是提供可以容易地形成完全不含有分散剂、或即使含有分散剂其含量也极其少的CNT等的碳材料膜的含有分散剂的碳材料膜、以及使用了该含有分散剂的碳材料膜的图案化碳材料膜等碳材料膜的制造方法，该含有分散剂的碳材料膜，其特征在于，含有具有光响应性、且由下述通式(I)表示的茋系或偶氮苯系分散剂。[式中，R

摘要： 本发明涉及电声产品技术领域，特别是涉及一种硅碳振膜、硅碳振膜的制备方法及设有该振膜的声学单元，包括：制备碳质振膜；提供已经制备好的硅胶振膜；将所述碳质振膜与所述硅胶振膜通过二次成型方式紧密连接在一起；通过制备硅碳振膜，制备的硅碳振膜具有质轻，音域宽，弹性和刚性好，且耐高温，耐疲劳，受水分等外界环境的影响小等优点，将硅胶振膜与碳质振膜采用二次成型的方式制成一种新型硅碳振膜，从而可方便的安装于电子扬声器的声学单元上，也可与电子扬声器的声学单元直接一体成型，相比于传统的技术方案或者纯碳质振膜或纯硅胶振膜，具有更高的灵敏度和辨识度、工艺操作简单，成型便捷，能够实现大规模制备。

摘要： 一种无定形碳膜，以碳为主成分，包含30at％以下的氢、20at％以下的氮以及3at％以下的氧，且在将该碳的总量设为100at％时，具有sp2杂化轨道的碳量为70at％以上且小于100at％，所述氢、氮以及氧的含量都不包括0at％。氮和氧在膜表面侧浓化而存在，利用X射线光电子光谱法从表层检测到的氧的含有率为4at％以上15at％以下、氮的含有率为10at％以上30at％以下。无定形碳膜兼具导电性和亲水性，显示出适合于燃料电池用隔板等的表面性状。

摘要： 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp

摘要： 本发明提供一种流体分离用碳膜，所述流体分离用碳膜可分离、纯化高压的流体，耐压性优异，不易破损。本发明涉及一种流体分离用碳膜，其具有：具有共连续多孔结构的芯层、和形成于前述芯层的周围的实质上不具有共连续多孔结构的皮层。

摘要： 一种无定形碳膜，以碳为主成分，包含30at％以下的氢、20at％以下的氮以及3at％以下的氧，且在将该碳的总量设为100at％时，具有sp2杂化轨道的碳量为70at％以上且小于100at％，所述氢、氮以及氧的含量都不包括0at％。氮和氧在膜表面侧浓化而存在，利用X射线光电子光谱法从表层检测到的氧的含有率为4at％以上15at％以下、氮的含有率为10at％以上30at％以下。无定形碳膜兼具导电性和亲水性，显示出适合于燃料电池用隔板等的表面性状。

摘要： 本发明的非晶碳膜是包含碳和氢的非晶碳膜，其中该非晶碳膜包含30原子％以下且大于0原子％的氢，并且当将碳的总量作为100原子％时，具有sp