碳化硅颗粒

摘要： 利用碳化硅颗粒在高温氧化气氛中表面生成一层致密的SiO2薄膜,让SiO2与水泥中的化合物发生水化物反应,生成类水产物C-S-H凝胶,既能对水泥强度做出贡献,又能使碳化硅颗粒锚定在水泥水化产物表面,并再次提升复合材料的力学性能。通过SEM显微镜,分析微观结构,解释复合材料的力学性能的提升原理。

摘要： 采用球磨工艺将碳化硅颗粒与TC11钛合金粉末混合,通过放电等离子体烧结工艺制备了碳化硅颗粒增强钛基复合材料(SiCp/TC11),并研究了复合材料的微观结构和力学性能.结果表明,SiCp/TC11复合材料内部无孔洞,烧结致密.碳化硅颗粒与钛基体发生反应,生成碳化钛颗粒.随着碳化硅颗粒含量的增加,SiCp/TC11复合材料的晶粒尺寸逐渐减小,维氏硬度升高.添加0.5％(质量分数)的碳化硅颗粒后,SiCp/TC11复合材料的室温屈服强度和抗拉强度分别提高了31.3％和14.1％,500°C高温抗拉强度提高了6.9％.SiCp/TC11复合材料强度的提高主要归因于晶粒细化、固溶强化以及载荷传递.

摘要： 碳化硅颗粒增强铜基复合材料作为近年来备受关注的高性能材料之一,其不仅导电导热性好、抗腐蚀能力强、抗磨耗性高,而且具有优异的力学性能.本文综述了近几年来有关碳化硅颗粒增强铜基复合材料的制备报道,主要论述了包括粉末冶金法(PM)、无压熔渗法、放电等离子烧结法(SPS)、机械合金化以及搅拌摩擦加工技术(FSP)等在内的制备工艺,阐述了以不同工艺制备的复合材料在摩擦性能、抗拉性能、抗腐蚀性以及机械强度等性能方面的研究近况,并对材料的存在问题和发展方向进行展望.

摘要： 1心磨磨辊齿形的获得方法心磨磨辊加工方法主要有双辊压砂对研法和单辊旋转喷砂法,实际中,单辊旋转喷砂法自动化程度高、效率高、质量好,为普遍的加工方法,上述方法均为基于刀具的金属切削原理,碳化硅颗粒对磨辊表面施加挤压力,金属表面被挤压变形,其锋利的刀锋挤入全属表层内部而产生铸铁小碎块或粉末状铸铁屑。

摘要： 针对目前市场上的防刺服价格高、柔韧性差、难以在军民领域得到普及的问题,通过在涤纶机织物上涂覆不同粒径的碳化硅(SiC)颗粒制得了一种柔性防刺复合材料,涂覆方式分为单次涂覆和双次涂覆.通过扫描电子显微镜观察和多层动态穿刺性能测试研究了SiC颗粒大小和涂覆方式对该复合材料防刺性能的影响,并且分析了6层单面双层涂覆方式制备的柔性防刺复合材料的耗散吸能模式.结果表明:采用180μm SiC颗粒制得的复合材料防刺性能最好;当采用双次涂覆方式时,采用单面双层涂覆方式制得的复合材料防刺性能优于采用双面单层涂覆方式;单面双层涂覆方式制备的复合材料主要有2种能量耗散模式.

摘要： In this paper, the current research situations of SiC particle reinforced aluminum matrix composites man-ufactured by selective laser melting (SLM) at home and aborad are synthetically reviewed. And the technical difficulties of SiC particle reinforced aluminum matrix composites processed by SLM technology are also analyzed. The application cases of SiC particle reinforced aluminum matrix composites in the field of aerospace and the advantages of SLM technology are then introduced. Finally, the paper makes a prospect of the research of SiC particle reinforced aluminum matrix composites processed by SLM technology.%综合评述了选区激光熔化(SLM)成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料国内外研究现状,分析了选区激光熔化成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料的技术难点,介绍了碳化硅颗粒增强铝基复合材料在航空航天领域应用案例及选区激光熔化技术优势,最后对选区激光熔化成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料研究进行了展望.

摘要： 选用4种不同的固溶温度对铝基碳化硅板材进行热处理,研究不同固溶温度对铝基复合材料组织与性能的影响,通过抗拉屈服强度、硬度、断面收缩率、弹性模量等力学指标对其性能进行表征,结合显微组织、SEM断口形貌对各固溶温度下的材料组织与性能进行分析,结果表明:随着固溶温度升高,铝基碳化硅复合材料强度、维氏硬度先升后降,弹性模量、断面收缩率在试验温度区间先无明显变化,而是达到一定温度后急剧下降;提高温度有助于加强铝基体与SiC增强颗粒间界面结合强度.

摘要： 为研究Si C颗粒材料的导热性能,设计了一热探针法测热导率实验装置,对不同空隙率与含水率的Si C颗粒材料有效热导率进行了测量。实验结果表明:含水率一定时,有效热导率随空隙率的增大而减小,开始下降较快,当空隙率大于0.48以后逐渐变缓。空隙率一定时,有效热导率随含水率的增大而增大,开始增加较快,但当含水率超过15%后,含水率对整个有效热导率的影响程度变小。根据测量数据,拟合得到Si C颗粒材料有效热导率关于空隙率和含水率的预测公式。

摘要： 碳化硅晶须在合成时,一些原因会导致精度下降.其中一个主要的原因就是,碳化硅晶颗粒的产生,会影响晶须的纯度.在化学和物力性质上,碳化硅颗粒和碳化硅晶须具有较大的差异,这就使得提纯前的分散显得很重要.本文在研究过程中,以稻壳合成晶须和颗粒为研究对象,深入细致的考察了不同药剂体系和不同操作条件,对碳化硅晶须与颗粒体系分散性能的影响.

摘要： 采用半固态搅拌法制备SiC颗粒增强6061铝基复合材料,研究了SiC颗粒质量分数对SiCp/6061铝基复合材料拉伸力学性能和耐磨性能的影响.结果表明:半固态搅拌SiCp/6061铝基复合材料的SiC颗粒分布均匀、界面结合良好.随SiC颗粒质量分数的增加,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能逐渐提高,但伸长率逐渐下降.当SiC颗粒质量分数为25％时,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和磨损率分别为282MPa和4.563E-8mg/(mm·mm2),与6061铝合金相比,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能分别提高了64.2％和670％.

摘要： 采用半固态搅拌法制备SiC颗粒增强6061铝基复合材料,研究了SiC颗粒质量分数对SiCp/6061铝基复合材料拉伸力学性能和耐磨性能的影响.结果表明:半固态搅拌SiCp/6061铝基复合材料的SiC颗粒分布均匀、界面结合良好.随SiC颗粒质量分数的增加,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能逐渐提高,但伸长率逐渐下降.当SiC颗粒质量分数为25％时,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和磨损率分别为282MPa和4.563E-8mg/(mm·mm2),与6061铝合金相比,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能分别提高了64.2％和670％.

摘要： 采用半固态搅拌法制备SiC颗粒增强6061铝基复合材料,研究了SiC颗粒质量分数对SiCp/6061铝基复合材料拉伸力学性能和耐磨性能的影响.结果表明:半固态搅拌SiCp/6061铝基复合材料的SiC颗粒分布均匀、界面结合良好.随SiC颗粒质量分数的增加,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能逐渐提高,但伸长率逐渐下降.当SiC颗粒质量分数为25％时,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和磨损率分别为282MPa和4.563E-8mg/(mm·mm2),与6061铝合金相比,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能分别提高了64.2％和670％.

摘要： 采用半固态搅拌法制备SiC颗粒增强6061铝基复合材料,研究了SiC颗粒质量分数对SiCp/6061铝基复合材料拉伸力学性能和耐磨性能的影响.结果表明:半固态搅拌SiCp/6061铝基复合材料的SiC颗粒分布均匀、界面结合良好.随SiC颗粒质量分数的增加,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能逐渐提高,但伸长率逐渐下降.当SiC颗粒质量分数为25％时,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和磨损率分别为282MPa和4.563E-8mg/(mm·mm2),与6061铝合金相比,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能分别提高了64.2％和670％.

摘要： 采用半固态搅拌法制备SiC颗粒增强6061铝基复合材料,研究了SiC颗粒质量分数对SiCp/6061铝基复合材料拉伸力学性能和耐磨性能的影响.结果表明:半固态搅拌SiCp/6061铝基复合材料的SiC颗粒分布均匀、界面结合良好.随SiC颗粒质量分数的增加,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能逐渐提高,但伸长率逐渐下降.当SiC颗粒质量分数为25％时,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和磨损率分别为282MPa和4.563E-8mg/(mm·mm2),与6061铝合金相比,SiCp/6061铝基复合材料的抗拉强度和耐磨性能分别提高了64.2％和670％.

摘要： 本文采用液态浸渗工艺制备了微米级SiC颗粒增强的Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料,通过分析时效温度和时效时间对复合材料显微组织和力学性能变化,揭示峰时效处理工艺对SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料组织和性能发热影响.结果表明:SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu材料在125°C/21h表现为峰时效.复合材料的时效过程经过了前期提升、时效峰值与后期缓降的三个阶段.分析表明,微米级SiC颗粒的加入与热处理工艺相结合,同步提高了位错强化、细晶强化、Orowa强化效果,从而强化了材料的力学性能.

摘要： 本文采用液态浸渗工艺制备了微米级SiC颗粒增强的Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料,通过分析时效温度和时效时间对复合材料显微组织和力学性能变化,揭示峰时效处理工艺对SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料组织和性能发热影响.结果表明:SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu材料在125°C/21h表现为峰时效.复合材料的时效过程经过了前期提升、时效峰值与后期缓降的三个阶段.分析表明,微米级SiC颗粒的加入与热处理工艺相结合,同步提高了位错强化、细晶强化、Orowa强化效果,从而强化了材料的力学性能.

摘要： 本文采用液态浸渗工艺制备了微米级SiC颗粒增强的Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料,通过分析时效温度和时效时间对复合材料显微组织和力学性能变化,揭示峰时效处理工艺对SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料组织和性能发热影响.结果表明:SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu材料在125°C/21h表现为峰时效.复合材料的时效过程经过了前期提升、时效峰值与后期缓降的三个阶段.分析表明,微米级SiC颗粒的加入与热处理工艺相结合,同步提高了位错强化、细晶强化、Orowa强化效果,从而强化了材料的力学性能.

摘要： 本文采用液态浸渗工艺制备了微米级SiC颗粒增强的Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料,通过分析时效温度和时效时间对复合材料显微组织和力学性能变化,揭示峰时效处理工艺对SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料组织和性能发热影响.结果表明:SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu材料在125°C/21h表现为峰时效.复合材料的时效过程经过了前期提升、时效峰值与后期缓降的三个阶段.分析表明,微米级SiC颗粒的加入与热处理工艺相结合,同步提高了位错强化、细晶强化、Orowa强化效果,从而强化了材料的力学性能.

摘要： 本文采用液态浸渗工艺制备了微米级SiC颗粒增强的Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料,通过分析时效温度和时效时间对复合材料显微组织和力学性能变化,揭示峰时效处理工艺对SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu合金基复合材料组织和性能发热影响.结果表明:SiC颗粒增强Al-Zn-Mg-Cu材料在125°C/21h表现为峰时效.复合材料的时效过程经过了前期提升、时效峰值与后期缓降的三个阶段.分析表明,微米级SiC颗粒的加入与热处理工艺相结合,同步提高了位错强化、细晶强化、Orowa强化效果,从而强化了材料的力学性能.

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 本发明涉及二次颗粒形式的纳米颗粒化学计量掺杂或非掺杂碳化硅SiC，其由SiC一次颗粒的团聚体组成，其中一次颗粒的粒径范围为40～100nm，二次颗粒的平均尺寸为1～10μm。此外，本发明涉及包含根据本发明的SiC的二次锂离子电池的阳极和具有该阳极的二次锂离子电池。

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4)，第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。

摘要： 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

摘要： 本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。

摘要： 本发明提供含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器，所述含碳化硅颗粒含有碳化硅，所述碳化硅含有具备6H多晶型的碳化硅和具备15R多晶型的碳化硅中的至少一种碳化硅，所述碳化硅中的所述具备6H多晶型的碳化硅和所述具备15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上。所述方法是使用所述含碳化硅颗粒制造碳化硅质烧结体的方法，所述碳化硅质烧结体是通过使用所述含碳化硅颗粒得到的，所述过滤器包含所述碳化硅质烧结体。