碳化硅材料

摘要： 介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解。

摘要： 碳化硅材料凭借其具有一定的压阻效应、较大的带隙、较强的抗腐蚀性能等优点,在压力传感器领域有不错的应用前景,可广泛应用于高温、强辐射、强腐蚀等硅材料无法胜任的极端恶劣的环境中。本文以国内碳化硅高温压力传感器的研究现状为背景,简单介绍几种不同结构类型的碳化硅高温压力传感器。

摘要： 5月12日消息,英飞凌今日宣布,为提高碳化硅(SiC)的供应安全,已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应合约,供应包括磊晶在内的各种碳化硅材料,英飞凌因此可获得更多基材,以满足对SiC型产品日益渐增的需求。英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示,SiC半导体市场预计在未来五年内的年成长率可达30%-40%,与昭和电工合作扩大英飞凌的晶圆供应商基础,是在此一持续成长市场中多源策略重要的一步,将稳固地支援达成中长期的目标。

摘要： 3月12日,德国FmunhoferIZM研究所宣布与意大利汽车制造商Marelli开发出用于高性能电动车的纯碳化硅逆变器模块,与此前最大的不同之处在于,这种被称为EDI(增强直接冷却)的模块结构没有基板,并极大地及提升了转换效率和散热效果。据介绍,新型碳化硅模块完全基于碳化硅材料,转换效率高达99.5%,相比同级别的硅基模块,其重量和体积减少了50%,冷却系统的散热量提高了50%。

摘要： 欧冶炉预还原竖炉围管部位是还原煤气与炉料进行能量交换的关键部位,耐火材料的长寿与稳定是决定预还原效果与生产指标的核心.2021年欧冶炉经历了6年的生产运行,还原竖炉围管耐火出现磨损侵蚀脱落问题,影响围管耐材的长寿.文章对八钢欧冶炉还原竖炉围管耐材优化的过程进行了分析,提出了预还原竖炉围管耐材长寿的新方案.

摘要： 近期,新日本无线(JRC)研制出小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS,并开始提供样片。如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。JRC为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一代电力设备的发展。这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A,与传统硅的快速恢复二极管相比,可以实现低损耗和高速切换工作。

摘要： 5月12日,习近平在山西太原考察调研。上午,总书记来到了山西转型综合改革示范区,了解示范区改革创新发展情况。在示范区政务服务中心的大厅内,总书记参观了信息技术创造区,半导体区,生物产业区的科技产品展示。在中国电科山西碳化硅材料产业基地展台前,习近平接过一片由山西烁科生产的高纯半绝缘4H-SIC单晶衬底仔细观看。

摘要： 据中央纪委国家监委网站指出,目前中国电科(山西)碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产,6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证,为客户提供小批量的产品试用,预计年底达到产业化应用与国际水平相当。

摘要： 近日,江北新区举行"芯片之城"地标产业签约仪式。活动中,超芯星半导体项目和中安半导体项目与新区签约,未来都将落户新区研创园。据了解,江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化,是国内领先的碳化硅材料供应商,碳化硅作为三代半导体材料,将在轨道交通、5G、新能源汽车等领域有广泛的应用前景。目前公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体,实现厚度突破,属于技术领先的三代半产品。

摘要： 国内高压电机防晕技术经过几十年的发展历程,走自主创新之路,结合国外先进技术,形成了具有自主知识产权的防晕技术.本文首先介绍了定子线棒防晕原材料(槽内和端部防晕材料),槽内低阻防晕层为石墨/炭黑材料,确定了其阻值范围选择原则;高阻防晕材料由石墨/炭黑材料发展为具有非线性特性的碳化硅材料,进一步均衡了线棒端部场强分布.其次介绍了多胶模压绝缘结构的线棒端部防晕技术,经过多年研究确定了线棒端部防晕材料及结构选择原则,防晕技术从涂刷防晕漆发展为一次成型防晕技术,防晕层表面覆盖漆及附加绝缘提高了防晕效果,线棒导线内屏蔽层工艺改善了绝缘场强分布.在多胶绝缘防晕技术基础上,哈电成功开发VPI(真空压力浸渍)绝缘一次成型防晕技术,已应用到定子线棒上.最后介绍了优化防晕结构的计算方法从传统的阻容链结构发展到目前的有限元分析方法,提高了大型机组防晕材料及结构优化设计的求解效率和精度,为进一步开发新机组防晕技术奠定基础.

摘要： 对于高能量高电荷态的重离子轰击材料的情况,由于材料内电子的阻止本领远远大于核阻止本领,所以入射重离子将激发其径迹内的电子.被剥离电子的原子由于库仑力的作用相互排斥,将库仑能转化为动能.在极端的时间内(fs)电子复位,中和被剥离电子的原子,但由于这些原子具有很高的能量,它们将通过碰撞把能量传递给周围的原子,引起库仑爆炸,导致材料内局部区域的非晶化.实验上无法观察到库伦爆炸过程,但是利用分子动力学模拟方法,通过求解牛顿力学方程,可以在皮秒量级时间内和纳米尺度范围内描绘材料微观结构的变化.我们利用分子动力学软件LAMMPS模拟了库仑爆炸过程,并利用可视化软件直观地观察到了体系内原子的运动情况.本文中,以电子电离时间为参量,考察不同的电离时间对库仑爆炸效应的影响.电子复位后的体系微观结构的演化的模拟将持续30ps,观察到随着电离时间的增长非晶化区域随之增大.

摘要： 本文研究一种新型燃料棒,它把碳化硅复合材料引入燃料包壳中,可以使得碳化硅的高机械强度和抗氧化性等优点在燃料包壳中得以体现,通过在燃料包壳外包覆一层碳化硅复合材料,阻止燃料棒温度上升到1300K时发生的锆水反应.建立了运行条件下新型燃料元件及其周围冷却剂温度场和流场的三维数值计算模型,并通过对新型燃料棒和传统燃料棒在正常运行情况下的传热、温度分布等特性进行比较,得出新型燃料棒在传热方面的特性,为碳化硅在燃料棒上的应用提供理论依据.

摘要： 为研究激光加工对SiC表面润湿性的影响,使用激光加工的方法设计并加工了不同加工功率和不同加工次数情况下的凸台微织构.实验表明激光加工随着加工功率的增加,织构表面的接触角先增加后减小,呈现非单调性;随着激光加工次数的增加,接触角也出现先增加后减小的趋势.EDS分析表明,表面O含量变化较大,且成非单调变化,并与接触角的非单调性有关.

摘要： 为研究激光加工对SiC表面润湿性的影响,使用激光加工的方法设计并加工了不同加工功率和不同加工次数情况下的凸台微织构.实验表明激光加工随着加工功率的增加,织构表面的接触角先增加后减小,呈现非单调性;随着激光加工次数的增加,接触角也出现先增加后减小的趋势.EDS分析表明,表面O含量变化较大,且成非单调变化,并与接触角的非单调性有关.

摘要： 为研究激光加工对SiC表面润湿性的影响,使用激光加工的方法设计并加工了不同加工功率和不同加工次数情况下的凸台微织构.实验表明激光加工随着加工功率的增加,织构表面的接触角先增加后减小,呈现非单调性;随着激光加工次数的增加,接触角也出现先增加后减小的趋势.EDS分析表明,表面O含量变化较大,且成非单调变化,并与接触角的非单调性有关.

摘要： 为研究激光加工对SiC表面润湿性的影响,使用激光加工的方法设计并加工了不同加工功率和不同加工次数情况下的凸台微织构.实验表明激光加工随着加工功率的增加,织构表面的接触角先增加后减小,呈现非单调性;随着激光加工次数的增加,接触角也出现先增加后减小的趋势.EDS分析表明,表面O含量变化较大,且成非单调变化,并与接触角的非单调性有关.

摘要： 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大，电荷充放电效应增强，测量得到的电容值随之增大。温度进一步上升(>380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K时，深能级缺陷对电容的影响几乎可以忽略不计，在此情况下，两种激励频率下的电容值趋于器件的反向耗尽电容值。

摘要： 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大，电荷充放电效应增强，测量得到的电容值随之增大。温度进一步上升(>380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K时，深能级缺陷对电容的影响几乎可以忽略不计，在此情况下，两种激励频率下的电容值趋于器件的反向耗尽电容值。

摘要： 本文通过实验研究表明，4H-SiC p-i-n紫外光电探测器由于深能级缺陷对测试频率有响应从而导致相同温度、相同偏压下其结电容值比1 MHz的值更大。另一方面，随着温度升高，被深能级缺陷俘获的载流子被热激活从而使有效空间电荷浓度增大，电荷充放电效应增强，测量得到的电容值随之增大。温度进一步上升(>380K)，几乎所有被深能级缺陷俘获的载流子均被热激活，电容增大的幅度趋缓。当温度达到460K时，深能级缺陷对电容的影响几乎可以忽略不计，在此情况下，两种激励频率下的电容值趋于器件的反向耗尽电容值。

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 本发明涉及了类碳化硼相‑碳化硅或类碳化硼相‑碳化硅‑碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相，所述类碳化硼相的化学组成为B12(B,C,Si)3，所述复相陶瓷中类碳化硼相的体积分数为40～90%。本发明以碳化硼和Si粉为原料，高温反应生成碳化硅粉体和类碳化硼粉体，再经烧结制得含有碳化硅相和类碳化硼相的复相陶瓷，即类碳化硼相‑碳化硅复相陶瓷材料，类碳化硼的晶格参数接近碳化硼，然后其比碳化硼更容易烧结，从而本发明提供的复相陶瓷兼具有碳化硼、碳化硅的优异性能，且易烧结，致密度高。

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。

摘要： 制造在石墨等碳基材的表面致密且均匀地包覆有碳化硅覆膜的碳化硅包覆碳基材。其特征在于，包括：准备在表面具有由没有悬空键的SP

摘要： 本发明涉及了类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法，所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相，所述类碳化硼相的化学组成为B12(B,C,Si)3，所述复相陶瓷中类碳化硼相的体积分数为40～90%。本发明以碳化硼和Si粉为原料，高温反应生成碳化硅粉体和类碳化硼粉体，再经烧结制得含有碳化硅相和类碳化硼相的复相陶瓷，即类碳化硼相-碳化硅复相陶瓷材料，类碳化硼的晶格参数接近碳化硼，然后其比碳化硼更容易烧结，从而本发明提供的复相陶瓷兼具有碳化硼、碳化硅的优异性能，且易烧结，致密度高。

摘要： 一种碳化硅外延基板的制造方法，其包括：在碳化硅单晶基板上外延生长第一层的步骤(S1)；和在所述第一层的最外表面形成第二层的步骤(S2)，所述第二层具有不同于所述第一层的化学组成或密度。所述第二层的厚度对所述第一层的厚度的比率大于0％且小于等于10％。

摘要： 本发明一实施方式中的碳化硅晶锭(1)包括分别含有供体或受体、且交替配置的多个第一结晶层(3)和多个第二结晶层(4)，第二结晶层(4)中的供体或受体的浓度大于与其上部或下部相接的第一结晶层(3)中的供体或受体的浓度。

摘要： 一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤。制备具有第一主表面(80a)、第二主表面(80b)以及第一侧端部(80c)的碳化硅单晶衬底(80)，第二主表面(80b)与第一主表面(80a)相反，第一侧端部(80c)将第一主表面(80a)和第二主表面(80b)彼此连接，第一主表面(80a)的宽度(D)的最大值大于100mm。碳化硅外延层(81)形成为与第一侧端部(80c)、第一主表面(80a)以及第一主表面(80a)和第一侧端部(80c)之间的边界(80d)接触。去除形成为与第一侧端部(80c)和边界(80d)接触的碳化硅外延层(81)。因此，可抑制形成在碳化硅衬底上的二氧化硅层中产生的破裂。

摘要： 本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度，使直径为0.5μm以上且1.5μm以下并且深度为50nm以上且500nm以下的大致圆形状的坑为1个/cm