硅芯片

摘要： 2022年初,北京——氮化镓(GaN)功率芯片的行业领导者Navitas Semiconductor(纳斯达克代码:NVTS)宣布开设新的电动汽车(EV)设计中心,进一步扩展到更高功率的氮化镓市场。与传统的硅解决方案相比,基于氮化镓的车载充电器(OBC)的充电速度估计快3倍,节能高达70%。据估计,氮化镓OBC、DC-DC转换器和牵引逆变器将有望延长电动汽车续航里程,或将电池成本降低5%,和原先使用硅芯片相比,氮化镓功率芯片有望加速全球EV的普及提前三年来到。据估计,到2050年,将电动汽车升级到使用GaN之后,道路部门的二氧化碳排放量每年有望减少20%,这也是《巴黎协定》的减排目标。

摘要： “很多科技,发展到一定程度就到达尽头,你无法再超越了,不是你不努力,而是物理规则到达终点了,象硅芯片,精细到1nm就无法再突破了,到达硅的电击穿物理极限了……”新闻年年有,今年特别多,继新冠疫情开始到现在,号称全球医疗水平最强的美国疫情失控,死亡过百万,但美国人民还在为戴与不戴口罩而对薄公堂。

摘要： 自摩尔定律诞生后的半个多世纪里,半导体行业一直按照戈登·摩尔的预测高速发展。然而,随着硅芯片已逼近物理成本和经济成本上的极限,芯片工艺制程发展减缓,摩尔定律面临失效危机。如何抓住后摩尔时代的发展机遇,在半导体芯片产业占据优势地位,成为各国苦思的问题。后摩尔时代,无论是继续进行芯片微缩并降低能耗,还是在硅基板上集成更多的功能.

摘要： Silicon Labs(亦称“芯科科技”)正式成为全球率先获得高级别物联网(IoT)软硬件安全保护PSA认证的硅芯片创新者。由Arm联合创立的PSA认证是备受推崇的物联网软硬件及设备安全项目,其为Silicon Labs集成Secure Vault的EFR32MG21无线SoC授予了PSA 3级认证。

摘要： 目的 分析硅芯片纳米微流体技术在捕捉孕妇外周血中胎儿有核红细胞(fnRBC)和胎盘滋养层细胞(EVT)的应用效果.方法 选取2018年5月至2019年12月该院产科门诊进行产前筛查的孕妇,利用生物抗原抗体的生化特性辨认,再通过硅芯片纳米微流体技术捕捉最大量的fnRBC和EVT.结果 孕妇平均年龄(36.9±2.8)岁,平均孕周(20.2±2.3)周,在8 mL母体血中,第1次捕捉fnRBC平均个数为(20.6±6.1)个/mL,第2次为(20.4±5.8)个/mL,两次间差异无统计学意义(t=2.362,P>0.05);第1次捕捉EVT平均个数为(67.6±7.9)个/mL,第2次为(67.2±8.2)个/mL,两次比较差异无统计学意义(P>0.05).免疫荧光鉴定fnRBC纯度为(95±2)％,EVT纯度为(93±1)％.结论 通过硅芯片纳米微流体技术能较准确捕捉、分离和识别孕妇外周血液样本中的fnRBC和EVT.

摘要： 我们身边的手机、电脑以及各种电子设备的核心都是集成电路,也就是用硅制成的芯片。可以说,硅是现代信息技术的基石。不过,近年来,硅基芯片的发展逐渐接近了瓶颈,研究者开始将目光放到硅以外的材料上,比如错、碎化稼,以及石墨烯和碳纳米管(石墨烯就是按照六边形蜂窝状结构排列的单层碳原子,把石墨烯卷成圆筒,就得到了碳纳米管),其中碳基芯片更是集低成本、低功耗、高灵敏度等优势于一身。

摘要： 英国《自然·通讯》杂志发表的一项最新突破,英国科学家报告了一种新型硅芯片,可再现生物神经元的电行为。利用他们的方法,科学家有望开发出仿生芯片来修复神经系统中因病而导致功能异常的生物电路。科学家们花了多年的时间来制造更加酷似生物神经元的芯片模型。但是,试图在现代硅片上模拟天然构造时,依然存在着一定缺陷。

摘要： 采用YAG雷射制程技术制备微流道,不但处理速度快、低污染、低耗费,硅芯片经YAG雷射表面处理后所呈现微流道,实验得出雷射光斑直径受频率及电流强度所控制,随着频率减少及电流强度增加而变大,微流道宽度随着频率减少及电流强度增加而变宽,扫描速度对微流道宽度无明显影响。微流道深度随着频率及电流强度增加而变深,随着扫描速度增加而变浅。微流道热影响区在各制程参数下,其影响的变化差异并不明显,微流道表面粗糙度随着频率及电流强度的增加而变大,随着扫描速度的增加而降低,最佳制程参数为扫描速度10mm/s、电流10A及频率1KHz,其微流道表面及轨迹最为平整,且几何形状最佳。

摘要： 1谷歌将推出自研手机和电脑芯片据知情人士透露,谷歌最近成功研发出代号为Whitechapel的片上系统,并已经测试了数周。该处理器包含八个Arm内核以及一些额外的硅芯片,旨在加速谷歌的机器学习算法和改善谷歌智能助手应用的性能。据报道,该芯片的制造采用了三星的5LPE(5纳米)工艺。据称,谷歌也在尝试开发Chromebook的处理器。

摘要： 本文介绍了最新优化设计的双E型加速度传感器硅芯片结构的优化设计和工艺实现.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.

摘要： 本文系统地研究了纳米粒子在硅芯片表面的各种附着力,诸如范德瓦耳斯力,塑性形变吸附力,毛细现象凝聚力,静电力和重力附加力,以及高速流体对它的拖动力和提拉力,并简单计算了在各种情况下这些力的大小.介绍了干法清除纳米污染物的几种新方法,如超临界流体清除法,高速气凝胶清除法,激光清除法,气相化学清除法和光化学清除法.

摘要： 因为目前太阳电池硅芯片材料的短缺,以致于造成太阳电池上游材料成为厂商兵家必争之地.而由于太阳电池属于洁净能源之一,并且,太阳电池为取之不尽、用之不竭之能源.鉴于此诸多原因,本研究即利用再生晶圆作为太阳电池之材料,并藉由量测结果之特性分析来评估其可行性,使得太阳电池硅芯片材料短缺之情况能有所突破.

摘要： 硅芯片的应力分布以及芯片开裂控制是倒装焊芯片封装所涉及的主要问题,本文分析了影响硅芯片应力的主要因素,包括硅芯片及基板的几何参数、材料性质参数以及处理过程.

摘要： 本发明公开了一种硅纳米线芯片及基于硅纳米线芯片的质谱检测方法，检测方法，包括如下步骤：步骤一，制造硅纳米线芯片；将单晶硅片经表面洗涤预处理后经过金属辅助刻蚀、碱后刻蚀得到具有尖端的硅纳米线芯片；对硅纳米线芯片进行表面化学或纳米材料修饰；步骤二，硅纳米线芯片质谱性能评估；步骤三，顶端接触取样及原位离子化质谱检测；本发明充分利用硅纳米线芯片的纳米结构特性和半导体特性，将接触式萃取转印和免基质质谱检测集合于一体，大大简化了复杂样本的采集、预处理和检测过程；本发明制造出的硅纳米线芯片能够同时具备吸附、萃取功能与质谱检测功能，还能保留有空间异质性的样本的原位信息。

摘要： 本发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片，方法包括：在衬底上淀积第一介电层；刻蚀第一介电层形成第一开口结构；淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀第一金属层形成焊盘结构；在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层；刻蚀第三介电层形成第二开口结构；刻蚀第一介电层和第二介电层，形成第三开口结构；淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造。本发明可以使芯片焊盘结构位置低于像素电极位置，芯片整体平整度得到大幅度提高，从而可以精确控制液晶厚度，提高硅基液晶显示芯片性能。

摘要： 本申请涉及一种硅光芯片及基于硅光芯片的激光雷达，该硅光芯片包括分束模块、延迟模块、混频模块和探测模块。通过分束模块对信号光进行分束后，得到的本振光包括偏振方向正交的TE偏振光和TM偏振光；然后通过延迟模块对TE偏振光或者TM偏振光进行传输延迟，使得TE偏振光与TM偏振光之间存在传输时间差，从而可以利用一个混频器实现TE偏振光与反射光中的TE光的混频以及TM偏振光与反射光中的TM光的混频，如此，可以大大简化FMCW芯片和激光雷达系统的复杂性和成本。

摘要： 本发明公开了一种硅基光电集成芯片装置和带有该装置的发射系统，该装置包括：片上集成的电光调制器，用于接收输入的光源，并将输入的电调制信号调制为光信号；片上集成的光学滤波器，用于对来自所述片上集成的电光调制器的调制后的光信号进行滤波，输出经过调制和滤波后的光信号；至少一个片上集成的光学耦合器，用于将所述经过调制和滤波后的光信号输出。本发明采用片上集成的光学滤波器对发射系统的带宽进行粗补偿和采用片上集成的电光调制器进行细补偿从而提高了带宽补偿效率，提高了信噪比，减小了装置体积，降低了制造成本。

摘要： 本申请涉及一种硅光芯片及基于硅光芯片的激光雷达，该硅光芯片包括分束模块、延迟模块、混频模块和探测模块。通过分束模块对信号光进行分束后，得到的本振光包括偏振方向正交的TE偏振光和TM偏振光；然后通过延迟模块对TE偏振光或者TM偏振光进行传输延迟，使得TE偏振光与TM偏振光之间存在传输时间差，从而可以利用一个混频器实现TE偏振光与反射光中的TE光的混频以及TM偏振光与反射光中的TM光的混频，如此，可以大大简化FMCW芯片和激光雷达系统的复杂性和成本。

摘要： 本申请涉及一种硅光芯片及基于硅光芯片的激光雷达，硅光芯片包括分束模块、延迟线、混频模块、反射光处理模块和探测模块。本申请的硅光芯片通过反射光处理模块对测量光的反射光进行处理，将与TE偏振方向正交的TM偏振光进行旋转后输出两路TE偏振光，然后通过混频模块分别将两路TE偏振光与本振光进行混频，且两路本振光中一路本振光通过延迟线进行了传输延迟，从而可以利用一个平衡探测器对混频模块输出的第一混频光束和第二混频光束进行探测，如此，本申请可以在提升物体检测能力的同时降低芯片和系统复杂性。

摘要： 本发明公开了一种硅基液晶显示芯片制造方法及硅基液晶显示芯片，方法包括：在衬底上淀积第一介电层；刻蚀第一介电层形成第一开口结构；淀积第一金属层填充第一开口结构形成焊盘通孔塞，刻蚀第一金属层形成焊盘结构；在第一金属层上淀积第二介电层和第三介电层；刻蚀第三介电层形成第二开口结构；刻蚀第一介电层和第二介电层，形成第三开口结构；淀积第二金属层填充第三开口结构和第二开口结构，形成像素电极通孔塞和像素电极结构；刻蚀第三介电层和第二介电层露出焊盘结构，完成硅基液晶显示芯片的制造。本发明可以使芯片焊盘结构位置低于像素电极位置，芯片整体平整度得到大幅度提高，从而可以精确控制液晶厚度，提高硅基液晶显示芯片性能。

摘要： 本实用新型提供了一种用于硅光芯片的四芯透镜光纤及硅光芯片封装结构，该四芯透镜光纤包括包层以及位于包层内并排设置的四根光纤纤芯，各所述光纤纤芯的头部均加工有楔形透镜，且各所述楔形透镜的上切面均位于同一平面，下切面也均位于同一平面，所述楔形透镜的上切面和下切面沿四根所述光纤纤芯的中心线所在的平面上下对称设置。本实用新型大大缩小了光纤的体积占用，同时解决了需要利用光纤V槽基板固定才能使光纤按周期排布的问题，去除光纤V槽基板后，光通道的空间占用大大降低；在四芯光纤的基础上，在各光纤纤芯的头部均加工楔形透镜，将垂直模场压缩，使得模场进一步缩小，能够有效的提升与硅光芯片之间的耦合效率。

摘要： 多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。

摘要： 多晶硅回收组件包括被配置成清洗多个多晶硅主体的多晶硅清洗装置。还包括的是在多晶硅主体的清洗期间从多晶硅主体中生成的多个多晶硅芯片，其中，多个多晶硅芯片的每一个具有从0.1mm到25.0mm的最长尺寸长度。另外包括的是被配置成将多个多晶硅芯片从多晶硅清洗装置发送到主芯片排放管道的多晶硅装置排放管道，其中，主芯片排放管道定向为以向下坡度远离多晶硅装置排放管道。另外还包括的是流体源，该流体源流体地耦合至主芯片排放管道并配置成将流体注入到主芯片排放管道中以将多个多晶硅芯片驱动通过主芯片排放管道。