硅技术

摘要： 美国纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)在4H-碳化硅(SiC)横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在IEEE Transactions OnElectron Devices。需求背景在功率集成电路应用中,由于SiC具有3MV/cm击穿临界电场,比硅大一个数量级,SiC器件正在寻求取代成熟的硅技术。SiC基器件面临的一个挑战是如何同时实现低导通电阻与高击穿电压。

摘要： 德国汉诺威-橡胶增强材料生产商赢创工业公司(Evonik Industries A.G.)开发了一种硅/硅烷技术,用于天然橡胶化合物,据称该技术有助于降低中型卡车和公共汽车轮胎的滚动阻力。赢创声称测试表明,与传统的炭黑增强天然橡胶化合物相比,使用其硅石/硅烷技术可以节省多达8%的燃油,同时缩短制动距离,从而在潮湿或积雪覆盖的道路上提高驾驶安全性。Evonik指出,当与合成橡胶配合使用时,二氧化硅对乘用车轮胎滚动阻力的影响已被充分记录。

摘要： 目前显示行业高端消费品要求产品具有更快的反应速度，更高的解析度，更好的稳定性，LTPS（低温多晶硅技术的缩写）正是在这样的市场需求下诞生的新兴技术，它的应用给用户带来了更好的使用体验，是目前显示领域炙手可热的先进技术。

摘要： 近日,北京成禾佳信联合青州利民携手举办了“活性硅技术在生态农业上的发展与应用”现场观摩及技术交流会,融地美研发者国际知名生态农业专家、俄罗斯科学院首席研究员马提琴可夫·弗拉基米尔教授（Prof.VladimirMatichenkov）亲临寿光指导,同时来自生产一线的经营者、蔬菜种植大户、基层技术员约计100余人共同检阅了融地美应用效果,融地美用实力赢得认可和称赞.

摘要： 2018年2月5日，陶氏宣布全新品牌陶熙TM（DOWSIL TM）即将正式进入中国市场。陶熙TM将为中国消费者提供更有效的业务解决方案和有机硅技术。

摘要： 2018年1月9日,中国电子材料行业协会组织行业专家对中国恩菲和中硅高科共同承担的“超高纯四氯化硅技术研发项目”进行成果鉴定。该项目于2015年10月10日得到河南省科技厅审批,随后,中国恩菲依托中硅高科,发挥强大的研发团队和持续的技术研发能力,结合已有四氯化硅提纯工艺技术,经过2年潜心研发,

摘要： 兴发集团7月22日晚间发布公告，旗下湖北兴瑞化工有限公司拟投资6.88亿元建设有机硅技术改造升级项目。该项目将依托已掌握先进的有机硅单体生产工艺和节能降耗技术，对现有有机硅单体生产装置上进行技术改造升级，并配套建设辅助环保设施等，最终形成360 kt/a有机硅单体产能。

摘要： 意法半导体（以下简称ST）近期发布了一款2-40A 1200V的SiCJBS二极管，具有高转换率、高回收率、恒温特性，广泛用于碳化硅技术领域。

摘要： 针对915MHz应用，MRF13750H晶体管能提供750W连续波（CW），比同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。

摘要： 美国陶氏化学公司（Dow）董事长兼CEO Andrew Liveris近日宣布，计划投资1亿美元新建一座研发中心。旨在促进原道康宁公司旗下有机硅技术与有机化学品的融合研发。该研发中心计划集合有机硅技术与陶氏先进材料科学及有机化学品技术，以跨学科的研发思路打造未来产品技术。

摘要： 据美国半导体工业协会预测,未来3-4年,全球消耗集成电路晶体管达10亿只,到底什么样的应用消耗如此多的晶体管?电路设计上会有什么困难?本文对此进行了探讨.

摘要： 提供一种构图的SOI/SON复合结构及形成该结构的方法。在该SOI/SON复合结构中，构图的SOI/SON结构夹在Si表层与半导体衬底之间。形成该构图的SOI/SON复合结构的方法包括其中将SOI和SON结构一起形成的共有处理步骤。本发明还提供一种用于形成包括掩埋导电/SON结构的复合结构的方法，以及一种用于形成仅包括掩埋的空隙平面的复合结构的方法。

摘要： 本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。

摘要： 提供一种构图的SOI/SON复合结构及形成该结构的方法。在该SOI/SON复合结构中，构图的SOI/SON结构夹在Si表层与半导体衬底之间。形成该构图的SOI/SON复合结构的方法包括其中将SOI和SON结构一起形成的共有处理步骤。本发明还提供一种用于形成包括掩埋导电/SON结构的复合结构的方法，以及一种用于形成仅包括掩埋的空隙平面的复合结构的方法。

摘要： 本发明提供一种基于两个系列的集成热电偶(6和7)的使用的、性能改进的、微型化的硅热流传感器，所述集成热电偶(6和7)位于一个加热器(4)的两侧，它们都集成在一多孔硅薄膜(2)上，该多孔硅薄膜(2)位于一个孔(3)的顶部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)为所述传感器元件提供非常好的热隔离，这使得将所述加热器(4)保持在一个特定温度所需的功率非常低。其下有一个孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成过程是一个两步式单电化学过程，它以这样一个事实为基础，即阳极电流相对低时，我们处于多孔硅的形成状态，当此电流超过某个值时，我们就转到电抛光状态，所述过程以一低电流开始以形成多孔硅(2)，然后它被转到电抛光条件来形成位于其下的孔(3)。在此对采用所提出的方法的不同类型的热传感器装置，如流传感器，空气传感器，红外检测器，湿度传感器和热电功率发生器进行了描述。本发明还提供一种采用与形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技术形成微射流通路(16)的方法。

摘要： 本发明公开了一种电场耦合定向凝固技术回收金刚线切割硅粉制备高纯硅的方法，将金刚线切割硅粉废料研磨，以HF：H

摘要： 本发明提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本发明硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本发明为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。

摘要： 本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。

摘要： 对拉伸性应变的硅层进行图案化以形成在第一衬底区域中的第一组鳍以及在第二衬底区域中的第二组鳍。该第二组鳍覆盖有拉伸性应变的材料，并且执行退火以使在该第二组鳍中的拉伸性应变的硅半导体材料弛豫并在该第二区域中产生多个弛豫的硅半导体鳍。该第一组鳍覆盖有掩模，并且在这些弛豫的硅半导体鳍上提供硅锗材料。然后，将来自该硅锗材料的锗驱入这些弛豫的硅半导体鳍中以在该第二衬底区域中产生多个压缩性应变的硅锗半导体鳍(从中形成多个p沟道鳍式FET器件)。去除该掩模以显露出在该第一衬底区域中的多个拉伸性应变的硅半导体鳍(从中形成多个n沟道鳍式FET器件)。

摘要： 设计用于适应各种全球无线电标准的宽带宽无线电系统，更具体地说，涉及一种系统和方法，其包括紧凑型接收机阵列设计，以支持使用硅通孔来增加移动宽带服务的需要，从而将SiGe BiCMOS中的前端模拟功能与CMOS中的后端电路互连。

摘要： 本实用新型提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本实用新型硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本实用新型为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。