硅传感器

摘要： A silicon sensor auxiliary electrode was successfully synthesized by evenly coating CaF2 +SiO2 powder on the surface of ZrO2 ( MgO) solid electrolyte and roasting at 1400°C for 30 min in high purity Ar atmosphere. The effects of preparing conditions on the composition, crystal phase and morphology of the formed auxiliary electrode membrane after calcination were systematically investi-gated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and energy dispersive spectrometry. It is shown that SiO2 solid particles, CaO·MgO·2SiO2 solid solution and ZrSiO4 are the main components of the formed auxiliary electrode layer and no CaF2 exists in the layer. In addition, the influences of phase transformation on the film adhesive property and silicon sensor performance were also dis-cussed. The as-prepared silicon sensor which is used to detect silicon content in molten iron at 1450°C shows a better performance. When the silicon content ranges from 0. 5% to 1. 5% in liquid iron, the testing result based on this silicon sensor with a response time of 10 s and a steady time more than 20 s agrees well with the value based on the chemical analysis method.%以CaF2+SiO2作为硅传感器辅助电极材料,将其均匀涂覆于ZrO2( MgO)固体电解质表面,在高纯Ar气保护下,1400°C焙烧30 min制备得到定硅传感器.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及能量色散谱仪系统研究了制备条件对于焙烧后形成的辅助电极膜层组成、物相和微观形貌的影响.膜层中不存在CaF2,而是以SiO2固体颗粒、CaO·MgO·2SiO2固溶体及ZrSiO4为主.另外,探讨了辅助电极膜层中物相的变化对于膜层黏结性以及定硅性能的影响.在1450°C下对铁液中硅含量进行测试,传感器响应时间在10 s左右,稳定时间在20 s以上,而且传感器的重复性也很理想.当铁液中硅质量分数在0.5%~1.5%时,硅传感器测量值与化学分析法分析值相吻合.

摘要： 为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响，首先利用弹性力学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布，为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据；再利用 ANSYS 进行分析模拟，探究了传感器基座结构变形对应变膜应力差的影响；然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响，对基座结构进行适当优化，并对比仿真分析的结果；最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据．结果表明，传感器基座结构优化后，传感器硅芯片中心最大变形量从2．172μm 降低到1．819μm，输出误差从0．95％下降到0．60％．%In order to analyze the performance of silicon pressure sensor influenced by the deformation of sensor substrate,firstly,the stress distribution of pressure sensor quadrate in the thin diaphragm was deduced on the basis of elastic mechanics theory and plate-shell theory,which provided a basis for the arrangement of resisters in strain membrane.Secondly,the effect of substrate deformation on the stress difference of strain membrane was analyzed via a simulation in ANSYS environment.Then,in order to diminish the influence of sensor substrate deformation, an appropriate optimization of substrate structure was conducted,and a comparison of simulation results was made. Finally,experiments were carried out to test the outputs of the sensor before and after optimization.It is indicated that,after the optimization,the largest deformation of sensor chip center reduces from 2.1 72 μm to 1 .81 9 μm,and the output error decreases from 0.95% to 0.60%.

摘要： PX409S系列配备11／2 or 2”卫生级接头的微加工硅传感器非常适合食品加工、饮料或生物／制药应用以及工业应用中的压力或水平就地清洁的应用，这些应用需要坚固耐用、精度高的传感器。微加工硅传感元件可提供极其稳定的传感器，使传感器具有异常高的精度（0.08%）和广泛的温度补偿范围（-6．7°C～85°C，20°F-185°F）。其模块化结构可实现大多数配置和接头的快速交付。

摘要： 法国Analytical Pixels Technology公司新推出了一款采用纳米级硅束传感器检测物质的气相色谱仪，称为GCAP。纳米硅传感器的振动由压电交叉束引发，而振动频率则随与硅传感器接触的物质而改变。

摘要： 中芯国际集成电路制造有限公司近日宣布成立视觉、传感器和3DIC中心（简称CVS3D）。中芯国际CVS3D整合、强化了中芯国际在硅传感器、通过硅通孔（TSV）技术和其他中端晶圆制程技术（MEWP）的上的研发和生产制造能力。

摘要： 仅靠硅来提高当今数码相机传感器的性能已变得越来越困难，不过，美国In—Visage公司新近研发的一种新材料或许可使数码相机的性能得到大幅提升。与传统的硅材料相比，这种由量子点组成的材料量子薄膜（Quantum Film）可提供比传统硅传感器高约4倍的性能和2倍的动态范围。

摘要： 据报道，美国InVisage公司新近研发了一种新材料，能够使数码相机的性能得到大幅提升。与传统的硅材料相比，这种由量子点组成的材料量子薄膜可提供比传统硅传感器高约4倍的性能和2倍的动态范围。

摘要： 仅靠硅来提高当今数码相机传感器的性能已变得越来越困难，不过，美国InVisage公司新近研发的一种新材料或许可使数码相机的性能得到大幅提升。与传统的硅材料相比，这种南量子点组成的材料量子薄膜（QuantumFilm）可提供比传统硅传感器高约4倍的性能和2倍的动态范同。

摘要： 本文简要介绍用曲线拟舍实现硅传感器温度补偿的几种算法,以达到更高的精度.

摘要： 研究了SiO辅助电极型快速定硅传感器的性能,试验结果表明:传感器插入铁液10~20秒,即可获得稳定的电动势,稳定电动势持续时间为30~60秒,能够实现铁水硅含量的快速测定.另外,本文对快速定硅传感器的工业应用前景也进行了探讨.

摘要： 针对两类三轴硅加速度传感器,文中从结构、工作机理到制作工艺过程都作了详尽的剖析.从公布的测试结果来看,多质量三轴技术所受限制较少,易满足大量程、抗干扰的要求;而单质量三轴设计体积优化,适合小量程或是对异轴灵敏度要求较底的场合.

摘要： 由于市场对差压变送器测量准确度的要求不断提高，导致差压变送器的静压影响误差越来越突出。从金属电容式的结构特点分析出发，并结合一定的试验，得出结论：金属电容式差压传感器由于其本身的结构特点决定，其静压影响误差不可消除或明显减小，只有通过静压补偿或采用硅差压传感器原理，才可实现较小的静压影响误差。

摘要： 由于市场对差压变送器测量准确度的要求不断提高，导致差压变送器的静压影响误差越来越突出。从金属电容式的结构特点分析出发，并结合一定的试验，得出结论：金属电容式差压传感器由于其本身的结构特点决定，其静压影响误差不可消除或明显减小，只有通过静压补偿或采用硅差压传感器原理，才可实现较小的静压影响误差。

摘要： 由于市场对差压变送器测量准确度的要求不断提高，导致差压变送器的静压影响误差越来越突出。从金属电容式的结构特点分析出发，并结合一定的试验，得出结论：金属电容式差压传感器由于其本身的结构特点决定，其静压影响误差不可消除或明显减小，只有通过静压补偿或采用硅差压传感器原理，才可实现较小的静压影响误差。

摘要： 由于市场对差压变送器测量准确度的要求不断提高，导致差压变送器的静压影响误差越来越突出。从金属电容式的结构特点分析出发，并结合一定的试验，得出结论：金属电容式差压传感器由于其本身的结构特点决定，其静压影响误差不可消除或明显减小，只有通过静压补偿或采用硅差压传感器原理，才可实现较小的静压影响误差。

摘要： 为研究MEMS的微摩擦需设计一种能够测量微米尺度样品摩擦特性的专用仪器,尤其是能进行微机构摩擦力和正压力测试的大范围、高灵敏度的微摩擦检测装置.本文给出了一种基于光反射法的微摩擦测试仪的设计方法,介绍了该仪器的设计原理、测力传感器的结构设计、仪器的标定方法.硅测力传感器采用MEMS工艺制作,具有变形量大、线性度好、灵敏度高等优点.实验结果表明,该测试仪能满足微机电系统微摩擦测试的需要.

摘要： 为研究MEMS的微摩擦需设计一种能够测量微米尺度样品摩擦特性的专用仪器,尤其是能进行微机构摩擦力和正压力测试的大范围、高灵敏度的微摩擦检测装置.本文给出了一种基于光反射法的微摩擦测试仪的设计方法,介绍了该仪器的设计原理、测力传感器的结构设计、仪器的标定方法.硅测力传感器采用MEMS工艺制作,具有变形量大、线性度好、灵敏度高等优点.实验结果表明,该测试仪能满足微机电系统微摩擦测试的需要.

摘要： 为研究MEMS的微摩擦需设计一种能够测量微米尺度样品摩擦特性的专用仪器,尤其是能进行微机构摩擦力和正压力测试的大范围、高灵敏度的微摩擦检测装置.本文给出了一种基于光反射法的微摩擦测试仪的设计方法,介绍了该仪器的设计原理、测力传感器的结构设计、仪器的标定方法.硅测力传感器采用MEMS工艺制作,具有变形量大、线性度好、灵敏度高等优点.实验结果表明,该测试仪能满足微机电系统微摩擦测试的需要.

摘要： 本发明涉及一种用于检测导电和/或可极化粒子的传感器(10)，尤其是用于检测烟尘粒子(30)，传感器包括衬底(11)和至少两个电极层(12、13)，设有第一电极层(12)和布置在衬底(11)和第一电极层(12)之间的至少一个第二电极层(13)。至少一个绝缘层(14)形成于第一电极层(12)和至少一个第二电极层(13)之间的，至少一个开口(15，16)形成在第一电极层(12)中和至少一个绝缘层(14)中，第一电极层中开口(15)的至少一些部分和绝缘层(14)中开口(16)的至少一些部分彼此层叠布置，以便形成通向第二电极层(13)的至少一个通道(17、17'、17")。

摘要： 本发明涉及一种用于检测导电和/或可极化粒子的传感器(10)，尤其是用于检测烟尘粒子(30)，传感器包括衬底(11)，和至少两个电极层，(12、13)，第一电极层(12)和布置在衬底(11)和第一电极层(12)之间的至少一个第二电极层(13)。至少一个形成于第一电极层(12)和至少一个第二电极层(13)之间的绝缘层(14)，且在第一电极层(12)中和至少一个绝缘层(14)中形成至少一个开口(15，16)，第一电极层中开口(15)的至少一些部分和绝缘层(14)中开口(16)的至少一些部分彼此层叠布置，以便形成通向第二电极层(13)的至少一个通道(17、17'、17")。

摘要： 本发明提供了一种硅纳米线生物传感器的可再生方法及再生的硅纳米线生物传感器，采用二硫键还原剂溶液对检测过待测物的硅纳米线生物传感器的二硫键进行裂解，完全裂解后，通过共价连接的方法重新固定配体，并封闭未反应的巯基，获得再生的硅纳米线生物传感器。本发明所述的硅纳米线生物传感器的可再生方法简单、可操作性强，可实现硅纳米线生物传感器的再生，实现生物传感器的可重复性，提高传感器的准确性，减小生物分子检测差异，节约生产成本。

摘要： 一种转速传感器(100)，其具有带有测量尖端(110)的柱形传感器头(105)及舌状件(115)。该舌状件(115)设置在传感器头(105)的外直径(120)上且成形为：作为用于转速传感器(100)的扭转止动器与固定机构(300、305)的对应轮廓相互作用。舌状件可以由传感器的柱形的部分径向向外延伸且具有侧面以及端面。固定机构能够以一个或多个销的形式构成或者构成为一个或多个止挡面，其中舌状件与固定机构如此相互接触，使得阻止传感器的扭转。扭转止动器也可以构成为容纳孔中的凹槽，传感器的舌状件导入该容纳孔中。

摘要： 本发明涉及用于电流传感器(10)的传感器组件，其具有霍尔元件(30)和用于霍尔元件(30)的保持器(20)。保持器(20)是刚性的并且包括用于霍尔元件(30)的接纳区(24)，霍尔元件(30)以小公差接纳于接纳区中。传感器组件还具有两个用于磁芯(16)的支撑表面(22)。本发明还涉及具有这种传感器组件和磁芯(16)的电流传感器(10)，该磁芯具有至少一个间隙(S)，保持器(20)布置在该间隙中，从而霍尔元件(30)垂直于磁场线穿过间隙(S)所沿的方向延伸。本发明还涉及用于这种电流传感器(10)的保持器(20)，所述保持器的特征在于，它由机械硬质的非磁性材料，优选硬塑料或合成玻璃构成。最后，本发明涉及用于组装电流传感器(10)的方法。

摘要： 本公开涉及用于LIDAR传感器系统(10)的光学部件(5100)的各种实施方式。光学部件(5100)包括第一光电二极管(5110)，第二光电二极管(5120)和互连层(5114)，第一光电二极管(5110)在第一半导体结构中实现LIDAR传感器像素并且被配置成吸收第一波长区域中的接收光，第二光电二极管(5120)在第一半导体结构上方的第二半导体结构中实现相机传感器像素并且被配置成吸收第二波长区域中的接收光，互连层(5114)(例如，布置在第一半导体结构和第二半导体结构之间)包括被配置成电接触第二光电二极管(5120)的导电结构。第二波长区域的接收光具有比第一波长区域的接收光更短的波长。

摘要： 传感器单元(2)可以具备惯性传感器(22)、电波传感器(21)以及控制部(23)。控制部(23)可以根据由惯性传感器(22)检测出的重力方向，控制电波传感器(21)的电波的发送功率。

摘要： 本发明涉及一种用于检测导电和/或可极化粒子的传感器(10)，尤其是用于检测烟尘粒子(30)，传感器包括衬底(11)，和至少两个电极层，(12、13)，第一电极层(12)和布置在衬底(11)和第一电极层(12)之间的至少一个第二电极层(13)。至少一个形成于第一电极层(12)和至少一个第二电极层(13)之间的绝缘层(14)，且在第一电极层(12)中和至少一个绝缘层(14)中形成至少一个开口(15，16)，第一电极层中开口(15)的至少一些部分和绝缘层(14)中开口(16)的至少一些部分彼此层叠布置，以便形成通向第二电极层(13)的至少一个通道(17、17'、17")。

摘要： 本发明涉及一种用于检测导电和/或可极化粒子的传感器(10)，尤其是用于检测烟尘粒子(30)，传感器包括衬底(11)和至少两个电极层(12、13)，设有第一电极层(12)和布置在衬底(11)和第一电极层(12)之间的至少一个第二电极层(13)。至少一个绝缘层(14)形成于第一电极层(12)和至少一个第二电极层(13)之间的，至少一个开口(15，16)形成在第一电极层(12)中和至少一个绝缘层(14)中，第一电极层中开口(15)的至少一些部分和绝缘层(14)中开口(16)的至少一些部分彼此层叠布置，以便形成通向第二电极层(13)的至少一个通道(17、17'、17")。

摘要： 本发明涉及一种制造硅传感器结构的方法以及一种硅传感器。根据该方法，通过在单晶硅薄片(10)内蚀刻开口来形成至少一个弹簧元件轮廓(7)和至少一个与弹簧元件结构(7)连接的测震质量(8)的步骤。根据本发明，延伸通过该硅薄片深度的开口和沟槽(8)通过干蚀刻法制造，而用于控制该弹簧元件轮廓(7)弹簧常数的蚀刻方法以湿蚀刻法为根据。