硅二极管

摘要： 在低电压穿越装置输出回路中串接整流硅二极管,利用二极管的阈值电压特性,解决给煤机变频器低电压穿越装置异常电流输出.经试验,通过串接整流硅二极管方法限制低电压穿越装置异常电流输出是可行的.

摘要： 位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购,该公司主要是对碳化硅(SiC)功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Monolith合作,过去三年中在开发了一系列技术和商业产品的同时,逐步增加了对Monolith公司的所有权。

摘要： 2017年5月17日,意法半导体2A-40A 1200V碳化硅（SiC）JBS（结势垒肖特基）二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。

摘要： 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体在混动汽车和电动汽车（EV,Electric Vehicles）市场发布了先进的高能效功率半导体器件,同时还公布了新产品AEC-Q101汽车质量认证时间表。电动汽车和混动汽车通过提高电能利用率来延长续航里程。

摘要： 新材料应变硅已成为目前高性能小尺寸半导体器件的研究热点，研究应变硅器件散射机制有利于理解载流子输运特性的物理机制。因此沟道和漏极区域分别建立了应变模型和散射模型，采用数值模拟方法对比研究了短沟道应变硅二极管中电子的输运特性。模拟结果表明，对于漏极区域中的散射模型，非弹性散射均促使器件的性能增强，而弹性散射则导致器件性能衰弱，这是由于应变诱导的能级分裂束缚了光学声子散射；相对于沟道区域，漏极区域的应变模型和散射机制对于短沟道硅二极管性能的影响较大。因此，对于短沟道半导体器件，除了探讨沟道区域应变和散射机制之外还需要分析漏极区域应变和散射机制的影响。

摘要： 日本松下公司近日开发出新款氮化镓二极管,新产品在额定电压1200V条件下,工作电流是传统碳化硅二极管的4倍,且开启电压较低,运行时电压仍然可维持较低水平。新型二极管采用最新研发的混合结构,由嵌入式低压组件和高电流组件组成,以应用于高电压条件下。传统硅材料二极管的开关损耗较大,另一方面,碳化硅和氮化镓材料在实

摘要： 2014年6月16日-英飞凌科技股份公司推出第五代1200vthinQ!碳化硅肖特基二极管，进一步扩展了碳化硅产品阵容、新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压，其浪涌电流承受能力提高了一倍以上，并且具备卓越的散热性能。

摘要： 美国马萨诸塞州的Allegro公司近日发布最新一代FMCA系列碳化硅肖特基势垒二极管（SiC—SBD），又称碳化硅金属-半导体二极管。FMCA系列的碳化硅二极管实现了较低漏电流和高温下高速开关功能。该技术由Allegro研发、由日本Sanken电气公司生产。该产品面向工业和计算机高端设备领域，包括服务器和高频整流电路等应用。

摘要： 正东芝公司旗下的半导体&存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调

摘要： 在温度测量领域,低温和超低温温度的精确测量一直是一个很重要的课题.本文对几种新型的低温温度传感器技术做了简单的介绍,并研制了新型的低温温度传感器并做了大量的试验.试验结果表明,这几种传感器可以替代热敏电阻和热电偶传感器在火箭发动机试验中的应用,其精度、稳定性、互换性、自热效应等特性都优于热敏电阻和供电偶传感器.

摘要： 在温度测量领域,低温和超低温温度的精确测量一直是一个很重要的课题.本文对几种新型的低温温度传感器技术做了简单的介绍,并研制了新型的低温温度传感器并做了大量的试验.试验结果表明,这几种传感器可以替代热敏电阻和热电偶传感器在火箭发动机试验中的应用,其精度、稳定性、互换性、自热效应等特性都优于热敏电阻和供电偶传感器.

摘要： 在温度测量领域,低温和超低温温度的精确测量一直是一个很重要的课题.本文对几种新型的低温温度传感器技术做了简单的介绍,并研制了新型的低温温度传感器并做了大量的试验.试验结果表明,这几种传感器可以替代热敏电阻和热电偶传感器在火箭发动机试验中的应用,其精度、稳定性、互换性、自热效应等特性都优于热敏电阻和供电偶传感器.

摘要： 在温度测量领域,低温和超低温温度的精确测量一直是一个很重要的课题.本文对几种新型的低温温度传感器技术做了简单的介绍,并研制了新型的低温温度传感器并做了大量的试验.试验结果表明,这几种传感器可以替代热敏电阻和热电偶传感器在火箭发动机试验中的应用,其精度、稳定性、互换性、自热效应等特性都优于热敏电阻和供电偶传感器.

摘要： 本发明有关于一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，包含有：(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷、(B)含硅氢键的聚硅氧烷、(C)含保护机能填料组合、及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂，其中该保护机能填料组合可选择为一高导热材料、一阻燃剂、一耐老化材料、一抗紫外线材料、一阻气材料、一热膨胀抑制材料及/或一耐高温材料，可使用于发光二极管元件的底座、灯杯及/或封装体的材料配方，以有效提升发光二极管元件的使用寿命及稳定性者。

摘要： 本申请提供的一种硅基二极管的制作方法、硅基二极管以及二极管器件，通过向所述槽体的底部注入第一浓度硼离子，以及向所述槽体的侧壁底部注入第二浓度硼离子，所述第一浓度低于所述第二浓度，该结构在较短的沟槽侧壁上制备了NMOS区，侧壁P+的存在可以有效耗尽该处的电场，防止反向耐压时被过早击穿，同时P+可以提升器件的抗浪涌能力；沟槽底部和顶部P区降低阳极注入效率，同时正向开启时可以激活NMOS注入电子，进一步降低阳极的注入效率，使该器件具备耐高压，高软度，正向电压低，反向峰值电流低特性。

摘要： 本发明公开了硅基PIN光电二极管制作方法及其硅基PIN光电二极管，其中，硅基PIN光电二极管制作方法，包括以下步骤：S1、氧化：氧化硅基晶圆，形成SiO2薄膜层；S2、一次光刻：光刻光敏区区域；S3、硼扩散：掺杂光敏区并进行硼扩散处理；S4、LPCVD：采用LPCVD淀积Si3N4薄膜，形成Si3N4薄膜层；S5、二次光刻：光刻保护环区域。通过本发明的技术方案，可以提高光电二极管响应度以及降低暗电流，从而提高硅基光电二极管的光电性能，满足不断提高的应用需求。

摘要： 本发明具硅基座的发光二极管包含一硅基座及一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述电源控制集成电路取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管。

摘要： 本发明有关于一种可应用于发光二极管元件的聚硅氧烷组合物，包含有：(A)含烯基的笼状、网状或链状的聚硅氧烷、(B)含硅氢键的聚硅氧烷、(C)含保护机能填料组合、及(D)含烯氢硅烷化反应的催化剂，其中该保护机能填料组合可选择为一高导热材料、一阻燃剂、一耐老化材料、一抗紫外线材料、一阻气材料、一热膨胀抑制材料及/或一耐高温材料，可使用于发光二极管元件的底座、灯杯及/或封装体的材料配方，以有效提升发光二极管元件的使用寿命及稳定性者。

摘要： 一种用于有机光电二极管的化合物、包括其的用于有机光电二极管的组成物、有机光电二极管及显示装置。所述用于有机光电装置的化合物由化学式1与化学式2表示。在化学式1与化学式2中，各取代基的定义与说明书公开的内容相同。

摘要： 本说明书提供一种由化学式1表示的杂环化合物、一种包括其的有机发光二极管、一种用于有机发光二极管的有机材料层的组成物以及一种制造有机发光二极管的方法。

摘要： 提供了发光二极管溶剂、包含发光二极管溶剂的发光二极管墨以及用于制造显示器的方法。发光二极管墨包含发光二极管溶剂以及分散在所述发光二极管溶剂中并且各自包括多个半导体层和围绕所述半导体层的外表面的绝缘膜的发光二极管，其中所述发光二极管溶剂是具有7至15的pKa的有机溶剂。

摘要： 本实用新型涉及具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具，其中具硅基座的发光二极管包含一硅基座及一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述电源控制集成电路取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管。

摘要： 本实用新型公开了一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管硅芯，其包括一个或多个硅芯单元结构；其中硅芯单元结构为方柱形状，其顶面为台阶面，底面为平面，四个单元结构侧面与底面垂直；台阶面处向内扩散形成等厚度的P+型杂质扩散层，底面处向内扩散形成等厚度的N+型杂质扩散，P+型杂质扩散层和N+型杂质扩散层之间为N‑型硅单晶层。本实用新型通过对硅芯结构进行改进，在其中心的台面四周设置了下凹的平台面并通过扩散P+型杂质从而形成了P型杂质扩散结屏蔽栅，借助于P型杂质扩散结屏蔽栅的静电屏蔽效应可以显著提高器件的PN结反向击穿电压性能，而且无需额外增加硅单晶电阻率和硅本征层厚度。