石英晶体

摘要： 新品介绍137B29B传感器灵敏度为200 m V/psi,量程为25 psi,分辨率为0.002 psi,适用于低压测量与分析。137B29B传感器是一款高灵敏度、ICP^(■)铅笔式爆炸压力传感器,设计用于空中爆炸产生的爆炸压力和冲击波测量。空中爆炸常见于在航空航天、国防、采矿及/或爆炸研究等领域。137B29B传感器除能够提供到达时间、峰值压力和总脉冲等测量之外,由于其为双通道型号,还能额外确定冲击波的速度和到达时间(TOA)。137B29B传感器采用铝制外壳,电气接头为双通道4针接头。

摘要： 航天器表面环境污染是航天器环境工程和航天器环境保障的热门课题.以石英晶体作为污染感应器件,通过对晶体频率变化的测量达到真空环境污染的测量,研制成功了15 MHz温控污染监测仪.其频率稳定性优于士1 Hz/3 h,质量灵敏度优于4× 10-9 g/cm2,在-20～40°C温度范围内实现对探头连续控温且控温精度优于±0.25°C.软件系统具有数据收集、处理功能和良好的操作界面.该产品具有体积小、质量小、功耗低的特点.

摘要： 航天器表面环境污染是航天器环境工程和航天器环境保障的热门课题。以石英晶体作为污染感应器件,通过对晶体频率变化的测量达到真空环境污染的测量,研制成功了15 MHz温控污染监测仪。其频率稳定性优于±1 Hz/3 h,质量灵敏度优于4×10^(-9) g/cm^(2),在﹣20~40°C温度范围内实现对探头连续控温且控温精度优于±0.25°C。软件系统具有数据收集、处理功能和良好的操作界面。该产品具有体积小、质量小、功耗低的特点。

摘要： SMD石英晶体是利用石英的压电效应制成的一种表贴型频率元器件,主要由基座、石英振子、银胶、盖板4部分组成,其中银胶起着导电及固定石英振子的作用,广泛采用两点胶、四点胶技术.本文介绍了通过增加银胶点胶个数来提升石英晶体抗振性能的设计及相关对比验证试验,试验结果表明八点胶设计显著提升了石英晶体的抗振性能.

摘要： 通过对小尺寸石英晶体产品镀膜工序下片过程的研究,设计开发一种改善镀膜工序晶片吸附夹具的负压下片工装及方法,有效改善了晶片吸附在镀膜夹具上的问题,减少了晶片表面的颗粒杂质,消除了下片过程中手工反复敲击夹具的不良手法,保证了水晶片加工成产品时的品质.

摘要： 众所周知,在真空热处理诸多工艺中,真空退火是最具代表性的工艺之一.真空退火最常用的设备是真空退火炉.真空退火炉的工作原理是利用技术来对温度进行精准调控,温度调控精度的高低会对工件综合质量产生至关重要的影响.因此,真空退火炉智能温度控制系统的设计与探究一直以来都备受关注.本文以石英晶体真空退火炉为主要研究对象,对智能温度控制系统的相关内容进行深入分析和探究.

摘要： 光栅光谱仪的像质会受到入射光偏振特性的影响,为解决这一问题,通常在系统中加入消偏器来减小仪器的偏振响应.晶体材料的双折射特性在光学原理上可产生消偏效果,常被用来加工成各种类型的消偏器.基于矩阵光学原理对H-V消偏器及双巴比涅消偏器的Muller矩阵及残余偏振度理论表达式做了分析,给出了残余偏振度与工作波长、消偏器楔角、入射光瞳面积及入射光偏振角等参量之间的关系,在此基础上研制了一款应用于某光栅光谱仪的双巴比涅消偏器,经过计算,当楔角0.6°,入射光瞳直径20.6 mm时,双巴比涅消偏器在0.4～0.9 μm波长范围内残余偏振度优于3％,并且像分离满足使用要求,具有很强的工程实践性.

摘要： 如果你是一个热爱行走,喜欢冒险的人,一定不能错过这座总面积达810平方公里,有着2.25亿年地理和历史文化的国家公园,它就是位于美国亚利桑那州西部辽阔土地深处的石化林国家公园。石化林国家公园是世界上最大、最绚丽的石化森林集中地之一,以拥有大量不同密度的石化森林闻名。公园里的大部分树木都是类似于南洋杉的针叶树,它们生长在大约2.25亿年前的三叠纪时期。在三叠纪晚期,堆积在公园内河道中的倒伏树木定期被含有火山灰的沉积物掩埋,地下水溶解了火山灰中的二氧化硅,然后被原木吸收,在树干中形成石英晶体,逐渐取代了有机物。极少的氧化铁和其他物质与二氧化硅结合,在石化木中产生了不同的颜色。每一块石化木的颜色都各不相同,在多彩的沙漠里熠熠生辉。

摘要： 水晶头骨是指用石英晶体雕刻的人头模型。有些水晶头骨和人头一样大,但也有小一些或大一些的。玄论者(一般指持伪科学观点的人)声称,一些水晶头骨已有几千年历史。他们还经常把水晶头骨与中美洲古文化(尤其是玛雅文化)联系起来,甚至声称水晶头骨与玛雅长计历(玛雅历法)和玛雅预言有关。但真是这样吗?

摘要： 本文利用石英晶体谐振器的共振频率随被测物理量变化而变化的特点，采用两种方案:一种是膜片与壳体为同一材料加工而成；第二种方案是壳体用刚性强的材料加工而成，膜片采用弹性好的材料。研制了石英晶体谐振式压力传感器，通过用标准压力仪对传感器的每一分量进行标定，确定了其压力与传感器输出频率的线性关系。

摘要： 由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,通常的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求.因此文章提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层.ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体.控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30 μm,宽度为50 μm的深槽.该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义.

摘要： 为分析石英晶体横向场激励(lateral-field-excitation, LFE)压电传感器的频率温度特性,文中在厚度场激励(Thick-field-excitation, TFE)压电传感器计算频率温度系数方法基础上,增加一个电场方向的自由度,推导计算LFE压电传感器频率温度系数的公式,并使用该公式计算常用Y旋转切石英晶体横向场激励传感器的一阶、二阶和三阶温度系数,并将其与不考虑压电效应、厚度场激励的2种情况进行比较。通过计算发现,石英晶体在3种不同情况下的频率温度特性曲线基本重合,AT切和BT切石英晶体LFE压电传感器具有零温度系数。

摘要： 石英晶体串联谐振频率是石英晶体的重要参数之一。为精确测量串联谐振频率,根据石英晶体的电参数模型以及IEC标准上的π网络零相位法测试原理,分析了影响石英晶体串联谐振频率精度因素,设计了采用两点迭代法的π网络零相位测量系统。该测量系统对于测量频率大于80MHz的高频石英晶体较其他系统精度更高,实验表明对测量石英晶体串联谐振频率能达到±1.5ppm,而且整个测量系统的稳定性达到国际领先水平。

摘要： 压电式三向力传感器CL-YD-3310A/3302A利用石英晶体作敏感元件,采用垫圈式结构,上下压板通过中心螺杆螺母对传感器施加足够大的预紧力,使得三向力传感器坚固可靠且非线性小,再配接电荷放大器,将高阻电荷信号转换为低阻电压信号后,由数采实时采集动态力数据并处理.也可将多个三向力传感器组成测力平台或平板,测试大型构件动态载荷,如航天航空领域动态载荷测试及力限力控试验,汽车撞击试验墙、刀具切削力平台等.

摘要： 固/液界面上高分子的行为直接影响着界面的物理和化学性质.因此,研究界面高分子行为对于理解和调控界面性质至关重要.通过带有耗散测量功能的石英晶体微天平(QCM-D),系统研究了高分子在界面上的各种行为,主要包括:温度和溶剂组成诱导的高分子刷构象变化；pH、盐浓度以及离子种类诱导的接枝聚电解质链构象变化；高分子在界面上的接枝动力学；高分子与界面上磷脂膜间的相互作用；高分子的降解;聚电解质在界面上的“层层”组装等.研究结果表明,QCM-D不但能够提供界面高分子的质量变化以及高分子膜的厚度变化等信息,而且能够提供界面高分子的结构变化信息,二者结合可得到更多有意义的信息.因而,QCM-D是研究固/液界面高分子行为的一个有力工具.

摘要： 本文用Iraffinity-1红外光谱仪测定石英晶体的Q值，必需建立这台红外光谱仪的Q值/α3585值关系曲线，我公司请日本NDK公司进行了Q值标定，找出了我公司Iraffinity-1红外光谱仪测得的石英晶体α3585值与日本NDK公司IR-700红外分光光度计测得的α3585值的校正曲线，建立了BJCP的Q值/α3585值与日本NDK公司的Q值/α3585值的对应关系曲线。

摘要： 随着玻璃工业的发展，玻璃熔窑大型化，需要在现有高级硅砖理化指标的基础上提高一个档次，方能满足大型玻璃熔窑的要求，如大碹用砖、蜂窝状高级硅砖、浮法玻璃窑用的L型吊墙砖、卡脖吊墙砖等。rn 我们二十多年来跟踪德国DIDIER公司(现RHI公司)的理化指标和品种的发展，开拓思路，于20世纪末进行研究试验，主要内容：1、精选原料和确定制备方法。选用不同产地三种硅石：硅石A、硅石B、硅石C，以及铁鳞、石灰、粘结剂等为原料，通过特定工艺，确保硅石SiO2含量超过99.2%;2、成型和干燥工艺。精心设计模具，确保外形尺寸公差<1mm;调节硅石A硅石B的4种不同颗粒配比和成型工艺，确保砖坯显气孔率<19%和干燥后水分≤0.5%：3、烧成工艺。rn 根据石英晶体矿相随温度转换的规律，确定最佳升温曲线、烧成温度和保温时间，确保真密度≤2.33g/cm3，形成以方石英为主相、鳞石英为次相、残余石英为微量地矿相结构。

摘要： 根据石英110度热释光技术原理,重点探讨了石英高温预处理对石英热释光的影响,推导了热释光测量方法的数学表达式,利用前人的实验数据获得了一系列技术参数,并用前人的实验结果对本文的理论模型进行了验证.

摘要： 根据石英110度热释光技术原理,重点探讨了石英高温预处理对石英热释光的影响,推导了热释光测量方法的数学表达式,利用前人的实验数据获得了一系列技术参数,并用前人的实验结果对本文的理论模型进行了验证.

摘要： 一种音叉型石英晶体谐振片，设有根部、和从根部向一个方向伸出的一对脚部。各脚部的至少一个主面上形成有沟槽和坎部。坎部是因沟槽的形成而成形的，坎部的宽度在厚度方向上不同。坎部由宽度较宽的宽壁部、和宽度较窄的窄壁部构成。

摘要： 本发明提供了一种石英晶体镀膜厚度控制方法，根据镀膜前的石英晶体起始振荡频率和镀膜后的石英晶体振荡频率计算镀膜厚度；其特征在于，减少因石英晶体片温度升高而使石英晶体振荡频率升高所引起的厚度测量误差。本发明中的石英晶体镀膜装置，操作方便，工作效率提高。本发明中的石英晶体膜厚控制仪采用人机界面，方便操作人员实时监控镀膜过程，并对成膜数据进行分析，提高了镀膜工艺的可控性。使用本发明，可以将镀膜厚度的误差降低为现有技术的四分之一以下，大大提高了镀膜厚度的精确性。

摘要： 本发明公开了一种用于石英晶体谐振器温度计的石英晶体板及其制备方法，石英晶体板，其切型表示为(yxwl)Φl/θl，其中：y表示初始板的厚度方向平行y轴，x表示初始板的长度方向平行于x轴，w表示绕着板宽度轴逆时针旋转Φl角度，得到第一次旋转后的板，l表示再绕着第一次旋转后的板的长度方向逆时针旋转θl的角度，得到第二次旋转后的板，特点是：14.7°＜Φl＜17.8°，5.6°＜θl＜11.5°，优点在于通过选择特定的石英晶体板的切型，使切割得到的石英晶体板具有在较宽的范围内具有良好的线性温频关系，可以用于制备石英晶体谐振器温度计。

摘要： 本发明提供了一种石英晶体振荡器及制造该石英晶体振荡器的方法，其中，石英晶体振荡器包括连接基座、振荡器专用IC芯片、晶体谐振器成品，连接基座是一体成型制成，连接基座中设有IC装配槽、导通电路、第一振子电极和第二振子电极，晶体谐振器成品包括谐振器基座、谐振器上盖和封装内的石英晶体振子，谐振器基座下设有第一电极线路和第二电极线路，石英晶体振子与由基座内部线路实现第一电极线路及第二电极线路中的电连接，将谐振器基座盖合在连接基座上，第一电极线路与第一振子电极实现电连接，第二电极线路与第二振子电极实现电连接。应用该技术方案旨在能够解决现有技术中生产制造石英晶体振荡器因工序繁复导致生产效率低下的情况。

摘要： 本发明提供了一种石英晶体振荡器及制造该石英晶体振荡器的方法，其中，石英晶体振荡器包括连接基座(10)、IC芯片(20)、晶体谐振器(30)和封盖片(40)，连接基座一体成型制成，连接基座的装配槽(11)的槽底分设为IC装配位置和谐振器装配位置，IC芯片固定设置在IC装配位置上，晶体谐振器包括谐振器基座(31)和石英晶体振子(32)，石英晶体振子装配在谐振器基座内，谐振器基座盖合在谐振器装配位置上，封盖片密封封盖在装配槽的槽口上以形成密闭空腔。应用本发明的技术方案旨在能够解决现有技术中生产制造石英晶体振荡器的工序繁复导致的生产效率低下、生产设备成本高的问题。

摘要： 本发明涉及飞行器污染物检测技术领域，尤其是涉及一种石英晶体温控探头、石英晶体微量天平及其使用方法。石英晶体温控探头包括晶片基座、冷却套、加热装置、石英晶片、温度传感器、第一进液管和第一出液管；冷却套下方有冷却槽；第一进液管和第一出液管均与冷却槽连通；加热装置在晶片基座的内部；晶片基座在冷却套的上方；石英晶片在晶片基座上；温度传感器在冷却套上。石英晶体微量天平包括温度控制系统、信号采集系统、冷却系统和温控探头；温控探头分别与温度控制系统、信号采集系统和冷却系统连接。本发明解决了石英晶片不能主动降温的问题；能够达到的温度很低，制冷功率大，降温速度快，节约试验成本。

摘要： 一种音叉型石英晶体谐振片，设有根部、和从根部向一个方向伸出的一对脚部。各脚部的至少一个主面上形成有沟槽和坎部。坎部是因沟槽的形成而成形的，坎部的宽度在厚度方向上不同。坎部由宽度较宽的宽壁部、和宽度较窄的窄壁部构成。

摘要： 一种台面型石英晶体振动件及石英晶体装置。此台面型石英晶体振动件包含：振动器，所述振动器为具有两个主要表面的四边形形状；一对激励电极，所述激励电极位于所述两个主要表面上；薄部分，所述薄部分位于所述四边形形状之外；以及一对引出电极。所述薄部分的厚度比所述振动器的厚度薄。所述一对引出电极是从所述激励电极向预定方向引出。所述激励电极在预定方向上的第一长度的中心相对于在所述预定方向上的第二长度的中心偏心。所述第二长度包含所述振动器的长度以及所述薄部分的长度。所述第一长度的中心朝向引出电极的相对侧偏心了25微米到65微米。

摘要： 本实用新型涉及一种石英晶体谐振器，包括盖板、石英晶片、导电胶和底座，所述的盖板为塑料盖板，所述的石英晶片为镀过电极的石英晶片，所述的底座包括塑料主体和导电引脚，所述的导电引脚与塑料主体通过纳米注塑成型工艺结合在一起，所述的镀过电极的石英晶片通过导电胶固化在容纳室内，且与导电引脚相连接；所述的盖板为可透光塑料盖板，所述的盖板的四周上设置有容纳底座上凸起的凹槽，所述的塑料主体为不透光塑料主体，所述的不透光塑料主体上设置有容纳石英晶片的容纳室和与凹槽对应的凸起，所述的盖板和底座通过激光焊接固定在一起，将石英晶片密封。本实用新型产品在晶体行业打破了金属与陶瓷封的局限，给客户使用的产品带来更多的选择性。

摘要： 本实用新型涉及一种石英晶体引脚整形机构及石英晶体套片机构，其中石英晶体引脚整形机构包括相互夹紧配合、以将弯曲的石英晶体引脚导正的左整形块和右整形块；左整形块包括左侧容纳腔，右整形块包括右侧容纳腔，左侧容纳腔与右侧容纳腔相扣和形成用于容纳石英晶体头部的腔体；左整形块还包括用于容纳石英晶体引脚的左侧导正槽，右整形块还包括用于与左侧导正槽相配合挤压石英晶体引脚、以将石英晶体引脚导正的右侧导正挤压块，右侧导正挤压块形状与左侧导正槽内部形状相适配。本实用新型通过采用左整形块和右整形块相互夹紧配合，以将弯曲的石英晶体引脚导正，达到对石英晶体引脚整形的效果，便于对石英晶体进行套片等操作。