真空电子器件

摘要： 日盲区紫外光非视距通信具有抗干扰能力强、保密性好、全天候、全方位等优点。要使通信系统尽可能具有远传输距离和高传输速率,就要求紫外光源兼备大输出功率和高调制频率。近年来,基于电子束在真空中易于加速和方便调制的特点,利用高能电子束轰击荧光物质激发紫外光,为实现大功率和高调制频率日盲区紫外光通信光源提供了一种新型有效的解决方案。已有研究表明,真空电子日盲区紫外光源能够实现百毫瓦级输出功率和兆赫兹调制频率,有望解决日盲区紫外光非视距通信系统光源的瓶颈问题,推动相关技术的快速发展。针对日盲区紫外光通信核心部件—紫外光源的技术需求,本文介绍了紫外光源的国内外研究进展。

摘要： 真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势,可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源,对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件,输出窗击穿是器件失效的主要原因之一,而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状,在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向,以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。

摘要： 太赫兹波因其具有电子学与光子学的特性,所以在深空探测、无损检测、通信及安检等领域有巨大应用潜力。近些年,太赫兹技术的迅猛发展离不开太赫兹真空电子器件的不断进步。由于尺寸共度效应及电子束发射性能的限制,这类器件在迈向更高频段过程中遇到了不小的困难。针对这些问题,研究人员通过改良高频结构、控制加工精度、制备更优性能的材料、更精准的计算手段等一系列措施进行解决。本文介绍几种主流小型化太赫兹器件研究过程中的解决方案及最新进展,最后根据现阶段发展情况总结未来可能会遇到的问题及解决方法。

摘要： 轴向级联的相对论磁控管含有多个共轴排列的谐振单元,各级高频系统设置了相互连接的阳极外壳和阴极结构以构建类似的正交场分布,每级高频系统之间以耦合结构连接,通过器件内部的耦合机制实现相位锁定,可实现多端口锁相输出。基于轴向级联谐振系统的相位锁定条件,设计了基于脊圆波导结构直接耦合的二级轴向级联相对论磁控管,每一谐振单元采用8腔旭日型慢波结构,两级高频系统中的较小谐振腔通过预留有4个扇形开槽的脊圆波导连接段实现直接耦合,较大谐振腔底部设置径向提取波导结构。在0.38 T外加磁场和400 kV外加电压的条件下可实现S波段2.9 GHz的8端口TE_(10)模式锁相输出,单路微波功率高于100 MW,总功率高于0.8 GW,驱动电流4100 A,总效率约49%。两高频系统锁相过程时长12 ns,相位抖动小于±2.5°。

摘要： 21世纪是新材料推陈出新的时代,材料科学成为世界经济发展的重要承载。经过六十多年的发展,最初仅用于真空电子器件封接的陶瓷-金属封接技术已经逐步走向成熟,并广泛应用于集成电路封装、界面显微结构分析、高能物理、宇航、化工等众多行业及领域,具有远大的应用前景。虽然我国开展陶瓷-金属封接技术研究多年,有大量从事相关研究和生产的专家,取得了众多科研成果,但仍然与国外先进国家存在较大的差距,在生产线上也经常出现工艺及质量问题,陶瓷-金属封接技术接近成熟,但并不是真正成熟,这就要求陶瓷-金属封接领域的专家学者及从业技术人员不断地研究开发。

摘要： 由于带状电子注器件具有高功率、高效率、小型化、易加工的优势,带状电子注器件的研究逐渐成为热点,与此同时,带状电子注中Diocotron不稳定性也越来越受到关注。然而,在目前国内学术活动和日常教学中,并没有关于Diocotron的中文翻译,这给国内的学者造成诸多不便。因此,本文首先简要介绍带状电子注中Diocotron不稳定性的发展历史,产生的物理机理和抑制方法,然后根据Diocotron的英文表述,建议将Diocotron译为“扭曲分裂”。

摘要： 研究了一种光子晶体的慢波结构,通过对该结构的色散、场分布和粒子模拟计算,设计和仿真了一个0.28-THz的带状注返波管。在阴极电流密度仅10 A/cm^(2)(最小可低于6 A/cm^(2)),电压12.5 kV,磁场0.5 T的情况下,该结构通过与带状电子注浸没式互作用,输出功率为435 mW。在此基础上,采用了LIGA加工技术制备了该慢波结构。研究表明,光子晶体结构能有效提高互作用效率和降低起振电流密度,有效提高太赫兹真空电子器件阴极的使用寿命,是提高太赫兹真空辐射源性能的一种有效途径。

摘要： 真空电子陶瓷是微波真空电子器件的关键基础材料.本文从微波真空电子器件技术发展需求出发,介绍了真空电子陶瓷在高耐压、微波传输、微波衰减三个方面的重要应用,并对这三个方面的技术现状和发展趋势进行了评述.

摘要： 电真空器件面临着小型化、集成化的发展趋势.积极探索新型材料在电真空器件中的应用,实现小型化、集成化的电真空器件具有重要意义.超材料吸波结构具有小体积,易于加工等优点,将超材料吸波结构应用在电真空器件中,具有十分重要的应用前景.本文介绍了近几年超材料吸波结构的发展概况,并具体介绍了超材料吸波结构在行波管中的相应研究.

摘要： 毫米波行波管可以为高速无线通信提供高性能与实用化的功率放大器解决方案.国外正在开展多项基于毫米波行波管的高速无线通信技术的研究,工作频率范围在71～300GHz.本文综述了国内外71～235GHz的毫米波行波管的技术发展与研制水平,并结合作者所在团队的研究成果分析了研制该类器件所需要解决的慢波结构微加工、新型慢波结构设计和宽带低损耗输能等关键技术.

摘要： 本文对近年来真空电子器件研究中出现的一些新概念、新设想进行了介绍和评述.随着毫米波(mmW)和太赫兹(THz)频域的进一步开拓,对工作在这些频域真空电子器件的频率、功率、带宽、效率和微制造提出了更高的要求.带状电子注和多电子注是提高器件功率的重要途径;光子带隙技术和真空电子器件的结合为新型器件的发展提供了新的方法;陶瓷行波管的研制给我们带来全新的概念,特别是纳米真空三极管和光三极管概念的提出,为真空电子器件回归数字电路技术展示出令人鼓舞的前景.

摘要： 矩形栅结构作为真空电子器件中一类常用的慢波系统,具有重要的研究意义.近年来光子晶体被广泛用于太赫兹波段真空电子器件中,将其应用到三种矩形栅慢波结构中,为以后对于太赫兹光子晶体矩形栅慢波结构的设计提供参考.本文运用电磁仿真软件CST分别对太赫兹波段光子晶体矩形单栅、矩形双栅、交错矩形双栅慢波结构的色散特性和耦合阻抗进行计算和对比,结果表明:光子晶体矩形单栅频带宽,而光子晶体交错双栅结构耦合阻抗较大.

摘要： 与固态器件相比,真空电子器件的最大特点是电子在真空中的运动速率远大于在固体中的运动速率.然而,石墨烯的问世使这种现象发生了变化.现已发现,石墨烯中的电子不仅运动速率远高于传统半导体中的电子,而且存在各种奇特行为,使石墨烯的研究和应用备受关注.本文首先对普通晶体管材料和石墨烯中的电子行为进行比较,然后介绍石墨烯p_n结的特性和石墨烯逻辑开关的一些应用研究进展.

摘要： 带状电子注能否稳定传输往往是决定带状注真空电子器件成败的关键之一,本文研究了一种聚焦带状电子注的PCM-PQM结构,并采用三维电磁软件进行了仿真.仿真结果表明该结构产生的磁场Bz分量的方向呈周期性变化,使得带状电子注不会沿着固定的方向绕轴旋转,从而抑制了"Diocotron"不稳定性;另外,磁场Bv分量能够有效的聚焦带状电子注的宽边,保证了带状电子注在一定距离内的稳定传输.该研究工作为今后带状注真空电子器件的实验研究奠定了基础.

摘要： 针对超灵敏度检漏对极小型标准漏孔的需求,在纯石墨烯上人为控制的增加一些孔,便能提高测试气体的渗漏率,基于这种思想,以具有一定缺陷的氧化石墨烯(GO)作为渗透元件,制备极小型参考标准漏孔.本文旨在前人研究的基础上,以氦气作为实验气体,深入研究氧化石墨烯薄膜渗透率的测试技术,并研究了渗透率与厚度的关系,探讨了极小漏率氧化石墨烯薄膜的渗透机理,为研究超灵敏度检漏技术提供参考.

摘要： 针对超灵敏度检漏对极小型标准漏孔的需求,在纯石墨烯上人为控制的增加一些孔,便能提高测试气体的渗漏率,基于这种思想,以具有一定缺陷的氧化石墨烯(GO)作为渗透元件,制备极小型参考标准漏孔.本文旨在前人研究的基础上,以氦气作为实验气体,深入研究氧化石墨烯薄膜渗透率的测试技术,并研究了渗透率与厚度的关系,探讨了极小漏率氧化石墨烯薄膜的渗透机理,为研究超灵敏度检漏技术提供参考.

摘要： 针对超灵敏度检漏对极小型标准漏孔的需求,在纯石墨烯上人为控制的增加一些孔,便能提高测试气体的渗漏率,基于这种思想,以具有一定缺陷的氧化石墨烯(GO)作为渗透元件,制备极小型参考标准漏孔.本文旨在前人研究的基础上,以氦气作为实验气体,深入研究氧化石墨烯薄膜渗透率的测试技术,并研究了渗透率与厚度的关系,探讨了极小漏率氧化石墨烯薄膜的渗透机理,为研究超灵敏度检漏技术提供参考.

摘要： 针对超灵敏度检漏对极小型标准漏孔的需求,在纯石墨烯上人为控制的增加一些孔,便能提高测试气体的渗漏率,基于这种思想,以具有一定缺陷的氧化石墨烯(GO)作为渗透元件,制备极小型参考标准漏孔.本文旨在前人研究的基础上,以氦气作为实验气体,深入研究氧化石墨烯薄膜渗透率的测试技术,并研究了渗透率与厚度的关系,探讨了极小漏率氧化石墨烯薄膜的渗透机理,为研究超灵敏度检漏技术提供参考.

摘要： 通过对2010-2016年铝酸盐的应用性能检测数据的统计与分析,发现了四个异常波动的区域,对区域内铝酸盐制备过程的追查与分析,找到了引起异常波动的因素.解决各因素后铝酸盐应用性能检测数据的统计表明对引起铝酸盐质量波动的因素定位是准确的.铝酸盐应用性能检测数据的统计与分析,间接监测制备过程存在异常的变化,可以通过一定时间跨度内性能变化的趋势提前判断铝酸盐的工程化过程可能有什么因素影响了质量,提前采取措施来及时纠正,保障产品的进度.因此,数据统计和分析可以作为铝酸盐批量生产的特殊过程质量监控的一种手段.

摘要： 通过对2010-2016年铝酸盐的应用性能检测数据的统计与分析,发现了四个异常波动的区域,对区域内铝酸盐制备过程的追查与分析,找到了引起异常波动的因素.解决各因素后铝酸盐应用性能检测数据的统计表明对引起铝酸盐质量波动的因素定位是准确的.铝酸盐应用性能检测数据的统计与分析,间接监测制备过程存在异常的变化,可以通过一定时间跨度内性能变化的趋势提前判断铝酸盐的工程化过程可能有什么因素影响了质量,提前采取措施来及时纠正,保障产品的进度.因此,数据统计和分析可以作为铝酸盐批量生产的特殊过程质量监控的一种手段.

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法，具有以下步骤：A)提供生长衬底，带有设置于其上的半导体层用于产生工作中的有源区，B)施加分离结构在半导体层上，C)施加多个铜层在半导体层上的通过分离结构形成边界的区域中，D)去除分离结构，E)将保护层至少施加在铜层的横向表面上，F)在铜层上施加辅助衬底，G)去除生长衬底，H)将由半导体层、铜层和辅助衬底构成的复合结构分割为彼此分离的器件，以及一种借助这种方法制造的器件和器件布置。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。

摘要： 本发明是一种电子器件用外延基板，其具有：硅系基板；AlN初始层，其被设置于该硅系基板上；以及，缓冲层，其被设置于该AlN初始层上；前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上。由此，提供了一种电子器件用外延基板，其能够抑制缓冲层构造的V形凹坑，并改善制作电子器件时的纵向漏泄电流特性。

摘要： 本发明提供能够提高光提取效率，制造容易且可靠性高的带散射层的电子器件用基板的制造方法。包括：将玻璃原料或玻璃加热熔融而制造熔融玻璃的工序；将熔融玻璃连续地供给到容纳有熔融金属的熔融金属浴槽的浴面上而形成连续的玻璃带(6)的工序；将具有所需组成的玻璃粉末(M)供给到所述连续的玻璃带(6)上，并通过玻璃粉末(M)的熔融或烧结而形成散射层的工序；将所述带散射层的连续的玻璃带缓慢冷却的工序；和将缓慢冷却后的所述带散射层的连续的玻璃带切割而得到带散射层的玻璃基板的工序。

摘要： 提供了一种用于有机光电子器件的化合物、用于有机光电子器件的组合物、有机光电子器件及显示器件，所述化合物由化学式1表示，所述组合物包含所述化合物。化学式1的细节如说明书中所限定。

摘要： 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

摘要： 本发明涉及一种包含半导体层的有机电子器件，所述半导体层包含式(1)的化合物。

摘要： 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。