真空封装

摘要： 针对微机电系统(MEMS)器件在实际应用中出现的真空封装可靠性低的问题,进行了Au-Al共晶键合实验研究。重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明:当键合温度为300°C,Au层厚度为600 nm,Al层厚度为200 nm,采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳。

摘要： 在VIP真空绝热板行业,中硅会绝热材料分会副理事长单位--赛特新材是国内极少数具备集芯材生产、阻隔膜吸附剂制备及测试、真空封装及产品性能检测能力于一体的企业。受益于大容量高端冰箱、冷柜需求增长和国内外环保节能政策驱动,近年来赛特新材业绩增长迅速,主要客户覆盖LG、三星、东芝家电、惠而浦、海尔、美的等知名海内外家电生产商。根据最新财报数据显示,赛特新材2020年前三季度实现营业收入3.66亿元,同比增长23.41%;实现归母净利润7627.55万元,同比增长34.82%。

摘要： 针对小型密封磁选态铯束管封装效率低的问题,提出了基于TRIZ(发明问题解决理论)与QC实践相结合的解决方法.采用TRIZ创新方法理论,建立了问题求解模型,通过矛盾分析、物质-场分析和进化分析,给出了解决问题的创新方案对策.借助QC小组活动实践,经过多次PDCA循环,对创新方案对策进行了验证和巩固,获得了良好的铯束管封装效果.该项工作使铯束管的性能指标改善,成品率提高,生产周期缩短,研制成本降低,为满足铯原子钟市场大量供应需求奠定了基础.通过探索基于TRIZ与QC多方法融合解决技术问题的可行性,为进一步提升产品质量管理水平提供了支持.

摘要： 真空封装技术是延伸波长InGaAs探测器的主要封装方法之一,热电制冷器可为延伸波长InGaAs探测器焦平面提供低温环境.测试了基于真空封装技术无热负载条件下二级热电制冷器的性能,研究了二级热电制冷器在不同输入电流(功率)时冷、热端温差与热负载的关系,测试了二级热电制冷器在低温工况下的制冷性能以及二级热电制冷器处于不工作状态时的表观热导率.结果表明,热沉温度为274 K时,冷端可以达到221.4 K并实现77.5 K的冷、热端温差;当输入电流一定时,随着热负载的增加,冷、热端温差呈线性趋势减小,且斜率随着输入电流增大而增大;二级热电制冷器冷、热端温差在较高温度时更大,即制冷性能更好;当温度分别为233.1 K和249.8 K时,表观热导率分别为11.30 W/(m·K)和8.29 W/(m·K).

摘要： 在研究灵芝孢子粉采收和保鲜工艺的基础上,详细讨论了灵芝孢子粉生产过程中真空封闭设计方案,并探讨了灵芝孢子粉的日常保鲜方法.通过采收晾晒、真空封装保鲜设计、日常保鲜等方法,避免了保鲜方法不当而引起的药效流失,最大程度地保持灵芝孢子粉的疗效.

摘要： MEMS封装技术由集成电路封装技术发展和演变而来,但是又有其特殊性。本文分析了MEMS微组装工艺的特点,研究了表头组装工艺和产品真空封装工艺,并结合应用实例分析了关键控制点和目前存在的问题,希望对后续的研究工作有一定参考意义。

摘要： MEMS谐振式加速度计是通过检测谐振敏感器件谐振频率的变化量来实现对加速度的测量,具有高精度频率信号输出、量程范围大、精度高、抗干扰能力强、易于集成的特点,具有极佳的应用前景.介绍了MEMS谐振式加速度计的工作原理,归纳并探讨其在设计中所面临的关键技术问题,针对其设计、过程中存在的机械耦合、加工工艺和封装设计等关键技术,提出了静电刚度结构、SOICMOS技术以及圆片级真空封装将是MEMS谐振式加速度计性能提升的重要研究方向.

摘要： MEMS谐振式加速度计是通过检测谐振敏感器件谐振频率的变化量来实现对加速度的测量,具有高精度频率信号输出、量程范围大、精度高、抗干扰能力强、易于集成的特点,具有极佳的应用前景。介绍了MEMS谐振式加速度计的工作原理,归纳并探讨其在设计中所面临的关键技术问题,针对其设计、过程中存在的机械耦合、加工工艺和封装设计等关键技术,提出了静电刚度结构、SOICMOS技术以及圆片级真空封装将是MEMS谐振式加速度计性能提升的重要研究方向。

摘要： 红外CCD成像器件在高温环境下工作,暗电流噪声大大增加,严重影响探测灵敏度.对此,使用半导体制冷和真空封装技术设计了探测器制冷组件,使CCD探测器稳定工作在合适温度,以相对较小的体积和功耗显著地提高红外器件的探测灵敏度.本文对探测器制冷组件整体结构、半导体制冷器选型、冷端耦合结构和热端散热结构进行了研究,最终在高温65°C环境下工作时,CCD探测器制冷温度达到-27°C,组件重量0.8kg.

摘要： 以气相SiO2粉体为芯材,合金箔为高温阻隔膜,通过真空封装机制备真空封装/微孔粉体复合隔热板,研究了真空封装/微孔粉体复合隔热板在不同温度下的热导率,并采用电炉模拟其在使用条件下的隔热性能.结果表明:真空封装/微孔粉体复合隔热板具有优异的隔热性能,600°C热导率为0.043W·m-1·K-1;通过电炉模拟试验,炉内温度为1450°C,隔热材料厚度为20mm时,采用硅酸铝纤维板时冷端温度为272°C,采用真空封装/微孔粉体复合隔热板时冷端温度为128°C;经稳态传热计算可知,采用硅酸铝纤维板时表面的热流密度为8405W·m-2,散热量为134w;采用真空封装/微孔粉体复合隔热板时表面的热流密度为5721W·m-2,散热量为92w.

摘要： 本文从MEMS器件的真空封装要求出发，着重介绍了MEMS真空葑装中的器件级真空封装、圆片级真空封装以及真空吸气剂的应用三项关键技术。通过对真空封装关键技术进行介绍，从而为MEMS真空封装研究提供一些技术参考和路线。最后结合各种技术的特点，提出把吸气剂应用于晶片键合的微腔室中，先进行圆片级真空封装，然后再器件级封装的方案。

摘要： 红外CCD成像器件在高温环境下工作,暗电流噪声大大增加,严重影响探测灵敏度.对此,使用半导体制冷和真空封装技术设计了探测器制冷组件,使CCD探测器稳定地工作在合适的温度,以相对较小的体积和功耗显著地提高红外器件的探测灵敏度.本文对探测器制冷组件整体结构、半导体制冷器选型、冷端耦合结构和热端散热结构进行了研究,最终在高温65°C环境下工作时CCD探测器制冷温度达到-27°C,组件重量0.8kg.

摘要： 研究了一种全解耦硅微陀螺仪，构建了两模态简化运动模型，推导简化驱动位移和敏感位移方程。用Ansys软件进行了模态分析，仿真表明，两模态实现较好解耦。利用国内DDSOG工艺对微陀螺进行了加工，并采用平行封焊工艺实现真空封装，最高品质因数达到30000。设计了闭环自激驱动电路和敏感信号检测电路。对加工出的陀螺样品进行了耦合误差测试，结果表明全解耦硅微陀螺仪的最小耦合误差等效输入角速度为31o/s，相比半解耦结构减小了13.9倍。对全解耦陀螺的小型化样机进行了系统性能试验，结果表明零偏稳定性为14.31°/h，相比半解耦结构提高了4.2倍。

摘要： 加工工艺是限制微陀螺性能提高的关键因素,本文对典型解耦型微机械陀螺原理分析基础上,与加工工艺结合进行结构设计,利用溶片工艺进行加工制作,对所加工的微陀螺通过显微测量和测试来分析加工工艺的偏差,以及由此对最终微陀螺所带来的影响,结果表明这种影响较大,同时通过真空度试验可以看出,对微陀螺进行真空封装可以大大改善性能。

摘要： 本文对紫外固化环氧树脂封装的商品蓝光有机发光器件进行了打开封装后在高真空(10-5Pa)环境下的寿命实验，同时对未开封的同样器件在大气环境下进行了的同样参数的寿命实验。实验结果表明，高真空下未封装器件的加速寿命为1675h，而大气下封装器件的加速寿命为1224h。这一结果表明在高真空环境下，有机发光器件的寿命有明显的提高，这证明了水蒸气和氧气通过紫外固化环氧树脂封装材料的渗透是影响紫外环氧树脂封装有机电致的发光器体(OLED)寿命的重要因素;封装器件内的吸气片不能完全吸收经封装渗透进入器件内的水蒸气和氧气。除了水蒸气和氧气渗透封装的因素外，OLED的寿命过程还存在其他的重要影响因素。

摘要： 本文对紫外固化环氧树脂封装的商品蓝光有机发光器件进行了打开封装后在高真空(10-5Pa)环境下的寿命实验，同时对未开封的同样器件在大气环境下进行了的同样参数的寿命实验。实验结果表明，高真空下未封装器件的加速寿命为1675h，而大气下封装器件的加速寿命为1224h。这一结果表明在高真空环境下，有机发光器件的寿命有明显的提高，这证明了水蒸气和氧气通过紫外固化环氧树脂封装材料的渗透是影响紫外环氧树脂封装有机电致的发光器体(OLED)寿命的重要因素;封装器件内的吸气片不能完全吸收经封装渗透进入器件内的水蒸气和氧气。除了水蒸气和氧气渗透封装的因素外，OLED的寿命过程还存在其他的重要影响因素。

摘要： 本文对紫外固化环氧树脂封装的商品蓝光有机发光器件进行了打开封装后在高真空(10-5Pa)环境下的寿命实验，同时对未开封的同样器件在大气环境下进行了的同样参数的寿命实验。实验结果表明，高真空下未封装器件的加速寿命为1675h，而大气下封装器件的加速寿命为1224h。这一结果表明在高真空环境下，有机发光器件的寿命有明显的提高，这证明了水蒸气和氧气通过紫外固化环氧树脂封装材料的渗透是影响紫外环氧树脂封装有机电致的发光器体(OLED)寿命的重要因素;封装器件内的吸气片不能完全吸收经封装渗透进入器件内的水蒸气和氧气。除了水蒸气和氧气渗透封装的因素外，OLED的寿命过程还存在其他的重要影响因素。

摘要： 本文对紫外固化环氧树脂封装的商品蓝光有机发光器件进行了打开封装后在高真空(10-5Pa)环境下的寿命实验，同时对未开封的同样器件在大气环境下进行了的同样参数的寿命实验。实验结果表明，高真空下未封装器件的加速寿命为1675h，而大气下封装器件的加速寿命为1224h。这一结果表明在高真空环境下，有机发光器件的寿命有明显的提高，这证明了水蒸气和氧气通过紫外固化环氧树脂封装材料的渗透是影响紫外环氧树脂封装有机电致的发光器体(OLED)寿命的重要因素;封装器件内的吸气片不能完全吸收经封装渗透进入器件内的水蒸气和氧气。除了水蒸气和氧气渗透封装的因素外，OLED的寿命过程还存在其他的重要影响因素。

摘要： 真空密封装置包括：外筒部(501B)，其具有前端面，该前端面能够与容器的外表面气密地抵接以覆盖真空密封的容器的排气孔；和主体部(501A)，其在外筒部(501B)的轴心延伸的方向上可进退地设置于外筒部(501B)内。另外，真空密封装置包括：驱动器(503)，其能够使外筒部(501B)和主体部(501A)在外筒部(501B)的轴心延伸的方向上进退；和用于对主体部(501A)的前端部(51)进行加热的加热器(504)。在主体部(501A)的前端部(51)的外周面与外筒部(501B)的内周面之间，形成有与外筒部(501B)的前端面连通的排气空间(58)。

摘要： 本发明涉及抽真空密封装置及具有该抽真空密封装置的冰箱。抽真空密封装置可包括：壳体，其前壁上设置有沿横向方向延伸的条状开口，以插入储物袋的袋口；真空泵，设置于壳体内，配置成经由插入壳体内的袋口对储物袋抽真空；和封口装置，安装于壳体内，且临近条状开口，配置成封闭储物袋的袋口。本发明的抽真空密封装置及冰箱中因为具有真空泵和封口装置，可使用户方便地进行抽真空操作和封口操作，也使用户可根据自己的需求单独地选择封口操作，或同时进行抽真空和封口操作。

摘要： 本发明涉及抽真空密封装置及具有该抽真空密封装置的冰箱。抽真空密封装置具有储物袋供应装置，其中，储物袋供应装置包括：盒体，其前部具有沿横向方向延伸的储物袋出口；卷轴安装构件，可拆卸地安装于盒体内，配置成安装储物袋卷的卷轴，且允许卷轴相对于盒体绕一沿横向方向延伸的轴线转动；第一辊轴，可绕一沿横向方向延伸的轴线转动地安装于卷轴安装构件的前方；和第二辊轴，可绕一沿横向方向延伸的轴线转动地安装于卷轴安装构件的前方，且第一辊轴和第二辊轴同时转动以促使储物袋卷的储物袋经由储物袋出口向储物袋供应装置外移动。可使用户方便地进行取放储物袋的操作，取袋方便。

摘要： 本发明涉及抽真空密封装置及具有该抽真空密封装置的冰箱。抽真空密封装置可包括：壳体；储物袋供应装置，设置于壳体内，配置成使其内放置的一个或多个储物袋从壳体的前方一个一个地移动出壳体；和切断装置；其中，切断装置包括：滑块，沿横向方向可滑动地安装于壳体内；切断刀，安装于滑块，以随滑块沿横向方向移动，切断移动出壳体的储物袋和壳体内的储物袋，从而使移动出壳体的储物袋与壳体内的储物袋分开。能够在储物袋供应装置取出需要的储物袋后，方便地分开内侧和外侧的储物袋。

摘要： 一种真空密封封装，具有将第一主体部和第二主体部经由中空部接合而成的封装主体部、以及设置在中空部内的吸气剂材料和电子器件，在经由连通中空部的内部和外部的贯通孔将中空部抽成真空的状态下，用密封部件密封封装主体部，其中，吸气剂材料以及电子器件与第一导体焊盘以及第二导体焊盘连接，第一导体焊盘经由热传导材料与第三导体焊盘连接，第二导体焊盘与形成在配线基板上的第四导体焊盘电连接。

摘要： 本实用新型公开了一种抽真空密封装置及配合抽真空密封装置使用的真空袋，该真空袋的袋体边沿的宽度为A，抽真空密封装置中定位杆到刀片插孔中心的距离为B，定位杆到凸台边的距离为C,满足C＜A＜B,袋体的正面和反面之间设有可防粘连的凹凸细纹膜，抽真空密封装置可以在袋体靠近袋体边沿上的任何位置进行抽真空，抽完真空后，按下触动开关，使电热丝上电接通，可以自动将用于抽真空的刺孔加热密封。

摘要： 一种真空封装结构及其封装方法、用于真空封装的装置，所述真空封装结构包括：底座；盖帽，所述盖帽顶部具有一开口，所述开口上方覆盖有红外滤光片，所述盖帽、红外滤光片与底座形成真空腔体；红外探测器芯片，位于所述真空腔体内贴合于底座的表面；吸气剂层，位于所述真空腔体内，两端分别焊接于所述底座表面。真空封装结构无需排气管，精简了元器件，显著缩小了红外探测器体积。并且，红外探测器芯片与底座完全贴合，芯片基材温度均匀性良好，有效保证了探测器性能。

摘要： 一种真空封装结构及其封装方法、用于真空封装的装置，所述真空封装结构包括：底座；盖帽，所述盖帽顶部具有一开口，所述开口上方覆盖有红外滤光片，所述盖帽、红外滤光片与底座形成真空腔体；红外探测器芯片，位于所述真空腔体内贴合于底座的表面；吸气剂层，位于所述真空腔体内，两端分别焊接于所述底座表面。真空封装结构无需排气管，精简了元器件，显著缩小了红外探测器体积。并且，红外探测器芯片与底座完全贴合，芯片基材温度均匀性良好，有效保证了探测器性能。

摘要： 本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。

摘要： 本发明涉及一种红外感测器真空封装结构，包括壳体、红外芯片、吸气剂、光学窗和金属上盖，所述光学窗通过焊料片固定在所述金属上盖顶部，所述金属上盖底部开设有凹槽，所述吸气剂固定在所述凹槽内，所述金属上盖底部通过焊料片固定在所述壳体顶部，所述壳体顶部设置有开口且开口内制备有金属焊盘，所述红外芯片固定在所述开口内并利用金丝与金属焊盘连接，所述壳体底部设置有与所述金属焊盘连接的引脚；本发明的优点是：能够完全满足吸气剂的激活条件,从而能够发挥吸气剂的最大吸气效果,有效避免制成的红外探测器由于真空度不足而造成的响应度不佳、影响模糊，有效提高了产品的合格率，并且成本低廉。