真空器件

摘要： 在我国广播传媒业快速发展的背景下,大功率发射机在广播信号接收中的作用越来越突出,通过对大功率发射机的维护,能够有效地提高广播信号的质量。在大功率发射机房的管理中真空器件的管理和维护具有重要意义,是确保大功率发射机安全稳定运行的基础,需要结合大功率发射机房真空器件的基本特点,做好相应的管理维护工作。因此,本文对大功率发射机房真空器件管理进行研究分析,旨在进一步提高管理工作质量。

摘要： 增强型相机(Intensified complementary metal-oxide-semiconductor,ICMOS)是一种将高量子效率的像增强器和大动态范围的CMOS耦合后的数字微光系统。这种增强型相机使像增强器这一传统真空器件具备数字化、信息化、远距离传输和资源共享等特点。本文论述了像增强器的3个核心组件:光电阴极、微通道板(Microchannel plates,MCPs)和荧光屏的基本原理、种类和重要参数,为增强型相机选择合适的像增强器提供一条有效的途径。

摘要： 陶瓷与金属的粘接问:陶瓷与金属粘接主要包括哪些粘接事项?答:陶瓷与金属的粘接包括:①以装饰防腐为目的的搪瓷、珐琅的制造;②在电子管、真空开关、核燃料管及高真空设备中陶瓷元件与金属件的密封;③陶瓷与金属复合材料的制造。电子管和其它高真空器件要在极低的压力下工作,而且要经受500°C以上的高温。另外,由于是异种材料的粘接,接头应能承受得住热膨胀应力的作用。粘接材料的选择及粘接工艺均需满足这几点要求。

摘要： 本文将红外测温技术与传统接触式测温技术进行了比较,通过综合研究分析其基本原理和实现过程,认为红外测温技术在对大功率广播发射机关键器件的指标下降和故障处理上,能起到很好的预防作用,具有广阔的应用前景.

摘要： 如果有人告诉我,他一生的职业生涯都会耗费在研究真空管上,我会说:“不可能,这太夸张了!”卡特·M.阿姆斯特朗(Carter M.Armstrong)就是这样的人,在他的职业生涯中,有40年左右都致力于研究真空器件。在马里兰大学时,他的博士生导师让他对电子束产生了兴趣,于是他从研究生时期就开始了真空器件的研究。之后,不管是在北卡罗莱纳州立大学、美国海军研究实验室、诺斯罗普·格鲁曼公司、利顿公司,还是最近在加州托伦斯的L3哈里斯公司,他的工作都和真空器件有关。在L3哈里斯公司,他是电子器.件部门的高级研发主管。

摘要： 微波功率放大器分为真空和固态两类,分别分析了两类器件的原理和特点,然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势.重点介绍了两种器件相结合的产物—微波功率模块,包括微波功率模块的产生过程和当前国内外的发展状况,并对未来的发展趋势进行了分析和预测.

摘要： 密封可靠性是影响真空器件工作性能和寿命的重要指标。为了保证真空器件抽气管道的有效密封,设计了一种操作简便的夹封装置。采用有限元仿真分析了该装置的关键受力部件,并进行了结构优化,最后通过实验验证了该装置的有效性。

摘要： 这些真空器件经历了冷战时期,推进了粒子物理学的发展,使癌症病人得到治疗,还使披头士乐队的音乐更动听。在一个由无数固态器件支撑的时代,我们还需要关注真空管吗?绝对需要!因为从丰富性、戏剧性和纯粹的辉煌来说,很少有技术能与真空管116年(还在延续)的历史媲美。●为了证明这一点,我整理了一份清单,列出了在过去六七十年里无疑改变了世界的真空器件。

摘要： 通过将二氧化钛(TiO2)和碳纳米管(CNTs)的复合物TiO2/CNTs涂覆在三维泡沫镍(Ni-F)基底上,得到了性能十分优异的的场发射阴极.它具有较低的开启电压E.n(0.40V//μm)和阐值电压Eth(0.75V//μm)、极高的场增强因子β(27767)以及优异的发光均匀性和稳定性.通过研究我们发现二氧化钛和碳纳米管复合物微薄膜的形成增强了边缘效应,同时微薄膜和泡沫镍多级结构的存在,也有效地削弱了场屏蔽效应,两个效应同时作用,使得制备而成的场发射阴极表现出了十分优异的场发射性能.另外,由于引入了化学性质稳定且具有抗氧性的二氧化钛层,复合材料的功函数得以降低,同时由于采用了具有良好粘附性、高比表面积和低接触电阻的三维泡沫镍衬底,使得这种性能得到极大提升的场发射材料在真空器件中成为极具潜力的复合材料.

摘要： 文中对广播电视台在维护工作中,用直流高压发生器对发射机中所采用的真空器件,以及各类安全用具等进行直流耐压试验在实际应用中的方法进行总结.

摘要： 通过将改进的Hummer法制备得到的氧化石墨烯(GO)进行冷冻干燥,并用水热法进行还原,然后干燥研磨,制备出性能良好的还原氧化石墨烯(RGO)场发射阴极材料.这种材料具有丰富的尖端和凸起,较低的开启电压(0.41V/nm)以及相当优异的场增强因子p(8696).通过测试,冷冻干燥法制备出的还原氧化石墨烯(RGO)具有较为优异的稳定性,不失为一种良好的场发射阴极材料.

摘要： 通过将改进的Hummer法制备得到的氧化石墨烯(GO)进行冷冻干燥,并用水热法进行还原,然后干燥研磨,制备出性能良好的还原氧化石墨烯(RGO)场发射阴极材料.这种材料具有丰富的尖端和凸起,较低的开启电压(0.41V/nm)以及相当优异的场增强因子p(8696).通过测试,冷冻干燥法制备出的还原氧化石墨烯(RGO)具有较为优异的稳定性,不失为一种良好的场发射阴极材料.

摘要： 通过将改进的Hummer法制备得到的氧化石墨烯(GO)进行冷冻干燥,并用水热法进行还原,然后干燥研磨,制备出性能良好的还原氧化石墨烯(RGO)场发射阴极材料.这种材料具有丰富的尖端和凸起,较低的开启电压(0.41V/nm)以及相当优异的场增强因子p(8696).通过测试,冷冻干燥法制备出的还原氧化石墨烯(RGO)具有较为优异的稳定性,不失为一种良好的场发射阴极材料.

摘要： 通过将改进的Hummer法制备得到的氧化石墨烯(GO)进行冷冻干燥,并用水热法进行还原,然后干燥研磨,制备出性能良好的还原氧化石墨烯(RGO)场发射阴极材料.这种材料具有丰富的尖端和凸起,较低的开启电压(0.41V/nm)以及相当优异的场增强因子p(8696).通过测试,冷冻干燥法制备出的还原氧化石墨烯(RGO)具有较为优异的稳定性,不失为一种良好的场发射阴极材料.

摘要： 通过将改进的Hummer法制备得到的氧化石墨烯(GO)进行冷冻干燥,并用水热法进行还原,然后干燥研磨,制备出性能良好的还原氧化石墨烯(RGO)场发射阴极材料.这种材料具有丰富的尖端和凸起,较低的开启电压(0.41V/nm)以及相当优异的场增强因子p(8696).通过测试,冷冻干燥法制备出的还原氧化石墨烯(RGO)具有较为优异的稳定性,不失为一种良好的场发射阴极材料.

摘要： 本文利用谐振腔法测量w波段有耗介质复介电常数和磁导率.通过测量加载有耗介质谐振腔的谐振特性,即谐振频率和品质因数,以及它们与介电常数e和损耗角正切值tanδ的对应关系,从而获得介质样品的复介电常数.

摘要： 本文利用谐振腔法测量w波段有耗介质复介电常数和磁导率.通过测量加载有耗介质谐振腔的谐振特性,即谐振频率和品质因数,以及它们与介电常数e和损耗角正切值tanδ的对应关系,从而获得介质样品的复介电常数.

摘要： 本文利用谐振腔法测量w波段有耗介质复介电常数和磁导率.通过测量加载有耗介质谐振腔的谐振特性,即谐振频率和品质因数,以及它们与介电常数e和损耗角正切值tanδ的对应关系,从而获得介质样品的复介电常数.

摘要： 一种用于处理器件(特别是在所述器件中包含有机材料的器件)的处理设备被描述。所述处理设备包含处理真空腔室；用于有机材料的至少一个蒸发源，其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅，其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述有机材料，及具有一个或多个出口的至少一个分布管路，其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通；及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室，其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室被传送至所述维护真空腔室，及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。

摘要： 各包括冷冻机的多个真空排气泵与共用的压缩机连接。多个真空排气泵中的至少一个被运转以便重复包含如下步骤的动作，所述动作包括：通过冷冻机的阀的动作，汽缸的内部从低压状态转变到高压状态从而低压状态的气体被绝热压缩的步骤；以及移气器使绝热压缩的气体通过的步骤。多个真空排气泵中的至少另一个被运转以便重复包含如下步骤的动作，所述动作包括：通过冷冻机的阀的动作，汽缸的内部从高压状态转变到低压状态从而高压状态的气体被绝热膨胀的步骤；以及移气器使绝热膨胀的气体通过的步骤。

摘要： 本发明公开了一种真空电子器件内部真空度检测方法，包括：确定真空电子器件的加电方式和加电参数；将真空电子器件的标准样管与离子流测量系统连接；将标准样管进行抽真空，使标准样管内达到需要对标的真空度；测量标准样管在所对标的真空度下的阳极离子流；测试不同的对标真空度下的离子流，完成离子流与真空度对应关系的标定工作，得到离子流‑真空度标定表或离子流‑真空度量化模型；将真空电子器件的待测样管与离子流测量系统连接；测量待测样管的阳极离子流；对照离子流‑真空度标定表或将所测量的阳极离子流代入离子流‑真空度量化模型，获得待测样管的真空度。本发明能够对真空电子器件内部真空度进行高真空、高测量精度的无损检测。

摘要： 本发明涉及一种用于实现真空密封的复合电路板及真空微光成像器件。该复合电路板包含陶瓷基板层、聚酰亚胺层及FR4基板层，陶瓷基板位于真空侧的内层，聚酰亚胺层位于陶瓷基板层与FR4基板层之间；陶瓷基板层、聚酰亚胺层和FR4基板层均设有实现陶瓷基板层与FR4基板层之间电连接的过孔，过孔通过盲埋孔实现、采用铜浆填充。该真空微光成像器件包含输入窗、管壳和基底座。基底座包括位于真空腔体内的图像传感器和本发明的用于实现真空密封的复合电路板；陶瓷基板层用于焊接图像传感器；基底座下端有与图像传感器引脚数量相当的插针。本发明解决了真空密封中的耐高温和密封问题，可用于实现对微光成像器件的真空密封。

摘要： 本实用新型涉及一种用于实现真空密封的复合电路板及真空微光成像器件。该复合电路板包含陶瓷基板层、聚酰亚胺层及FR4基板层，陶瓷基板位于真空侧的内层，聚酰亚胺层位于陶瓷基板层与FR4基板层之间；陶瓷基板层、聚酰亚胺层和FR4基板层均设有实现陶瓷基板层与FR4基板层之间电连接的过孔，过孔通过盲埋孔实现、采用铜浆填充。该真空微光成像器件包含输入窗、管壳和基底座。基底座包括位于真空腔体内的图像传感器和本实用新型的用于实现真空密封的复合电路板；陶瓷基板层用于焊接图像传感器；基底座下端有与图像传感器引脚数量相当的插针。本实用新型解决了真空密封中的耐高温和密封问题，可用于实现对微光成像器件的真空密封。

摘要： 本实用新型公开了一种真空电子器件真空除气设备，包括基板，所述基板的顶部固定连接有真空除气机箱，所述基板顶部的左侧固定连接有真空泵，所述真空泵的进风口与真空除气机箱连通。本实用新型通过设置固定机构，可以对防护套进行固定，防护套通过密封套对连接块和连接头进行保护，防止连接块和连接头与外部物体出现碰撞的现象，从而避免连接块和连接头连接处出现泄漏的现象，解决了现有的真空电子器件真空除气设备不能对连接处进行防护的问题，该真空电子器件真空除气设备，具备可以对连接处进行防护的优点，使用者在使用时连接处不会被外部物体碰撞出现泄漏的现象，从而提高了真空电子器件真空除气设备的实用性。

摘要： 本申请公开了一种基于出气率的电真空器件的真空度检测方法，包括以下步骤：(1)确定电真空器件的出气率q0；(2)建立电真空器件的出气率模型；(3)将步骤(1)确定的出气率q0代入步骤(2)建立的出气率模型，计算得出真空计临界压力值P0；(4)读取真空计的压力值P；(5)将步骤(4)读取的压力值P与步骤(3)计算的真空计临界压力值P0进行比较，判断电真空器件内部真空度是否达到设计值。本申请通过建立电真空器件的出气率模型，实现电真空器件出气率的间接获取，从而实现了电真空器件真空度的检测，本申请解决相关技术中密封的电真空器件真空度变化无法观察的的技术问题。

摘要： 本发明涉及电子真空器件制造技术领域，且公开了一种利用真空吸力自夹紧的电子真空器件除气用密封组件，包括密封插槽，所述密封插槽的内部插接有真空罩，所述密封插槽的内侧壁固定连接有吸筒，所述吸筒的顶部开设有吸槽，所述吸筒的内侧壁固定连接有极板组，所述吸筒的内侧壁滑动连接有活塞块。阻尼板对真空罩的外壁进行夹持，提升真空罩的密闭性，且密封插槽内的真空程度越大，活塞块上升的位置也就越大，使活塞块将滑座内抽出的空气量也就越大，使两个内驱动块向内的位移量也就越大，使内驱动块带动阻尼板向外对真空罩施加的压力也随之提升，进而使该装置可以根据真空程度进行自适应夹持力度，提升装置的整体密闭性。

摘要： 本发明涉及一种真空保持装置，包括真空腔、柔性异型芯管和压板，所述真空腔的尾部开设有通孔，所述异型芯管紧贴在真空腔的尾部，异型芯管的尾部设有连通内外的狭缝，所述压板固接在真空腔上，压板中部开设与异形芯管外形吻合的通槽，压板通过通槽将异型芯管紧压在真空腔上。本发明还涉及一种真空器件，与真空保持装置配合使用，它在前端面上设有两个凸起，当真空器件密封装配在压板上时，两个凸起顶压在异型芯管尾部狭缝的两侧，迫使狭缝张开。本发明采用纯机械结构，无需连接气路。在取下真空器件的同时保持真空，无需破空，极大的节省了再次抽真空的时间，节省了工作成本，提高了工作效率。

摘要： 本实用新型涉及一种真空保持装置，包括真空腔、柔性异型芯管和用于装配真空器件的压板，所述真空腔的尾部开设有通孔，所述异型芯管紧贴在真空腔的尾部，异型芯管的尾部设有连通内外的狭缝，所述压板固接在真空腔上，压板中部开设与异形芯管外形吻合的通槽，压板通过通槽将异型芯管紧压在真空腔上。本实用新型还涉及一种真空器件，与真空保持装置配合使用，它在前端面上设有两个凸起，当真空器件密封装配在压板上时，两个凸起顶压在异型芯管尾部狭缝的两侧，迫使狭缝张开。本实用新型采用纯机械结构，无需连接气路。在取下真空器件的同时保持真空，无需破空，极大的节省了再次抽真空的时间，节省了工作成本，提高了工作效率。