省中

摘要： 西汉未央宫内有宫、殿、省三个区域,“殿省”即“殿中”与“省中”之合称。有汉一代,能出入殿中或省中,且与皇帝有近密关系的臣子可被称作近臣。依据宠、尊两种情感的多寡,可将近臣分为恩幸近臣与公卿近臣。恩幸近臣多任职省中或随侍皇帝左右,以佞幸或忠勇事主,其中之专权者往往趁皇帝久在省中时隔断省中与省外的信息沟通渠道;而公卿近臣多为受皇帝信任的中朝臣,在殿中理政,以才能事主,其中之专权者常通过对章奏的按核呈递稳固自身权力。

摘要： 西汉时期的“省中”“禁中”两词实乃异名同事,是帝王与皇族的寝居空间。未央宫内的省中多为黄门、中书等宦官值守,其区域主要包括温室省、清凉殿、白虎殿及后宫内皇后椒房、昭仪和婕妤等嫔妃居所等建筑。同时宫内还存在“殿中”区域,其与“省中”分别为两个独立无交叉的空间。“殿中”是皇帝与官员的议政和工作空间,多由尚书、中郎等士人在内值宿和工作,主要包括前殿、宣室殿、承明殿、玉堂殿、高门殿、兰台、少府官署等建筑。武帝以后,二者的区域范围和政治地位逐渐呈现扩大和提高的趋势,反映出统治阶级的腐化与皇权的扩张。

摘要： 汉代宫中"黄门"可表示禁门、禁省及禁内官署或天子近侍的官员与宦者,其名称出现于武帝时期,与当时的历法与服色修订有关.西汉未央宫内禁省包括温室殿、清凉殿、白虎殿、玉堂殿等,东汉洛阳南宫禁省有玉堂、嘉德、章德诸殿,北宫禁省则有德阳、崇德、章德等殿,出入凭借门籍、符节和棨等身份证明.两汉禁省区域逐渐扩增,成为国家重大事务的讨论决策地点,发动政变者往往利用或夺取禁省.

摘要： 汉代“省中”分为以宫省格局为参照的静态“省中”和皇帝出行时的动态“省中”,又皇帝之离宫剐馆、皇家苑囿亦有“省中”.令人或理所当然地认为“漏泄省中语”事发地在“省中”,通过对宫省格局的考察,可以发现两汉“漏泄省中语”事发地包含“省中”与“殿中”两大区域.“漏泄省中语”作为西汉时创立的一项罪名,其创立时间与“省中”概念的产生密切相关,又从秦朝“泄吾语”及秦汉时的“漏浅中事”罪中发展而来.

摘要： 東漢南北宫整體呈“(目)”形,宫牆之內有殿牆,由端門、神虎門、雲龍門等殿門出入,其內爲“殿中”.殿中區域以德陽、崇德、雲臺、嘉德等殿爲中心,又有朝堂、尚書臺、侍中寺、蘭臺、符節臺、謁者臺等機構,由光禄勳所領郎官宿衛.“禁中”在“殿中”深處,有牆相隔,由“禁門”出入,士人一般不得居止其中.“殿中”、“禁中”以“某某殿”爲中心的院落都稱“省”,其中事務由宦官負責,“給事省闥”的中常侍、小黃門尤爲重要.皇帝生活起居和日常辦公都在“禁中”,與殿中官員及公卿大臣溝通不便,爲宦官干政創造了條件.

摘要： 2018年1月30日,2018年全省中医药工作会议在沈阳召开。会议表彰了近五年来为我省中医药事业发展做出突出贡献的18个先进集体和28个先进个人,大连神谷中医医院荣获辽宁省中医系统2017年先进集体,院长王新荣获辽宁省中医系统先进个人。大连神谷中医医院建院于2005年。13年来,神谷人以广阔的眼界,超前的经营理念,借助传统中医药在养生保健和治疗慢性病方面的特色和优势,将精力和创业放在了开拓国外中医药市场上。

摘要： 2017年9月5日,为贯彻国家《促进中部地区崛起＂十三五＂规划》,湖北省政府印发《湖北省促进中部地区崛起＂十三五＂规划实施方案》（以下简称《实施方案》）,全文共四大部分。第一部分为指导思想。湖北省中部崛起目标是＂建成支点、走在前列＂,但目前在中部诸省中处于＂总体领先、局部落后＂的＂并跑＂向＂领跑＂转变阶段。围绕现状,

摘要： 2月25日,湖湘中医大讲堂启动仪式暨首届大师开讲在长沙隆重举行。湖南省卫生计生委副主任、省中医药管理局局长邵湘宁出席仪式并讲话,国医大师孙光荣、国家中医药高等学校教学名师常小荣两位专家开启大讲堂的第一讲。来自全省各地300余名同志现场聆听了大师们的精彩讲座。邵湘宁局长与孙光荣国医大师共同按下启动球,拉开了“湖湘中医大讲堂”活动的序幕。

摘要： 为贯彻落实《中医药法》,制定完善相关政策的配套文件。2017年2月9-10日,国家中医药管理局在长沙组织召开中医医术确有专长医师资格考核注册管理研讨会。国医大师孙光荣,国家中医药管理局医政司赵文华处长、法监司候卫伟处长,中国中医科学院副院长杨龙会出席会议,省卫生计生委副主任、省中医药管理局局长邵湘宁看望出席研讨会的领导及专家，省中医药管理局副局长李国忠出席会议。

摘要： 2月15日,湘西州民族中医院加挂湖南省民族中医医院牌子仪式隆重举行。省卫生计生委党组成员、省中医药管理局局长邵湘宁,州委副书记、州长龙晓华,州人大、州政府、州政协分管领导及州卫计、发改、财政等部门负责人出席仪式,州民族中医院领导班子全体成员及100余名干部职工参加仪式。州政府副秘书长张发权主持仪式。

摘要： 一种用于动态适配调度参数以实现功率节省的方法和装置。用户设备可以被配置有被调度的PDCCH传输与PDSCH传输之间的一个或多个偏移。用户设备可以从网络接收用于动态地改变这些偏移的指示。如果用户设备通过该指示的第一次传输而休眠，则在下一次接收到该指示之后，用户设备可以更新例如时域资源指派表中的偏移。用于动态地改变偏移的指示可以是包括更少时隙的偏移的指示。在用户设备所期望的下行链路传输的情况下，偏移的改变可以被禁用。网络节点可以被配置为根据配置的偏移和/或根据网络节点向用户设备指示的偏移来向用户设备发射下行链路业务。

摘要： 本发明公开一种虚拟机自省中的语义重构改进方法及系统，包括：获取目标虚拟机内核结构体中各个关键成员对应偏移量的所有候选项，并基于成员属性制定相关约束条件；目标虚拟机启动前，在VMM中透明修改其特定内核函数的指令代码，截获目标虚拟机中系统事件，以触发获取内核结构体中各个关键成员对应偏移量的操作；目标虚拟机启动过程中产生系统事件时，引发VM‑EXIT陷入至VMM，在VMM中基于所制定的约束条件对各个关键成员的偏移量候选项进行筛选；偏移量获取完毕后，在VMM中恢复对目标虚拟机中特定内核函数的修改，使目标虚拟机中的系统事件不再引发VM‑EXIT，并将所得偏移量提供给VMI应用程序完成目标虚拟机高层语义的重构。本发明通用性及可移植性强、执行效率高、自动化程度高。

摘要： 本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶硅区域（2），多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区（3）；在多晶硅区域上形成接触孔（4）；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。

摘要： 本发明公开一种虚拟机自省中的语义重构改进方法及系统，包括：获取目标虚拟机内核结构体中各个关键成员对应偏移量的所有候选项，并基于成员属性制定相关约束条件；目标虚拟机启动前，在VMM中透明修改其特定内核函数的指令代码，截获目标虚拟机中系统事件，以触发获取内核结构体中各个关键成员对应偏移量的操作；目标虚拟机启动过程中产生系统事件时，引发VM‑EXIT陷入至VMM，在VMM中基于所制定的约束条件对各个关键成员的偏移量候选项进行筛选；偏移量获取完毕后，在VMM中恢复对目标虚拟机中特定内核函数的修改，使目标虚拟机中的系统事件不再引发VM‑EXIT，并将所得偏移量提供给VMI应用程序完成目标虚拟机高层语义的重构。本发明通用性及可移植性强、执行效率高、自动化程度高。

摘要： 本发明公开了一种节省中低电压的VDMOSFET芯片面积的方法，能够在保证VDMOS器件的电学特性的同时，减小制造成本；首先在多晶硅上通过腐蚀形成有源区域（1a）和未腐蚀的区域（1b）；在有源区域（1a）上通过沉积形成多晶硅区域（2），多晶硅区域（2）包括多晶硅引线区域（2a）和多晶硅终端结构区域（2b）；在多晶硅引线区域（2a）下方、以及多晶硅引线区域（2a）与多晶硅终端结构区域（2b）之间的下方通过扩散形成N+源区（3）；在多晶硅区域上形成接触孔（4）；在有源区域（1a）上形成金属电极（5），所述金属电极（5）延伸覆盖所有接触孔（4），通过所述金属电极（5）与N+源区（3）连接；所述金属电极（5）与多晶硅终端结构区域（2b）部分重叠。