相移

摘要： 为解决测试装置不完善造成电源EMI滤波器插入损耗测量结果的严重失真问题,设计了一款基于同轴传输线结构的同轴探针,用于适配滤波器插针式的引出端。以此探针为基础,设计了一款测试工装,并将此测试工装与同轴“开口线”作为对照组,测试了滤波器样品的插入损耗。数据显示,非同轴结构的同轴“开口线”测试结果存在严重失真,不能满足准确测试的要求;而测试工装所获测试结果与标准数据基本一致。相对而言,同轴测试系统是准确测量插入损耗的解决方案。

摘要： 液晶空间光调制器的空间不均匀性和边缘场效应导致调制后相位存在畸变,为提高基于液晶空间光调制器的相移数字全息显微系统的测量精度,提出了二次相位标定相移数字全息的测量方法。首先,基于斐索干涉系统,以反射式液晶空间光调制器为被测对象,对其灰度与相移量的关系进行一次标定,并测量畸变波前相位;然后,利用二维图像插值算法及灰度化算法,设计出与液晶空间光调制器分辨率相等的畸变相位共轭灰度图;最后,将共轭灰度图加载在液晶空间光调制器上,获得理想调制相位,达到二次相位标定的目的。构建基于液晶空间光调制器的相移数字全息显微测量系统,对微透镜阵列进行测量实验,结果表明:二次标定前后微透镜阵列纵向矢高的相对测量误差由3.08%减少到1.15%,证明该方法能够有效提高相移数字全息的测量精度。

摘要： 针对永磁直线同步电机的精确运动控制问题,提出了一种在不影响推力的情况下抑制电机磁阻力的方法。首先,对具有横向和纵向磁通的双边磁通永磁直线同步电机机构进行分析,并对永磁体动子移动时的磁阻力变化进行推导;其次,通过在两个永磁体动子之间引入90°的相位差,以消除端部效应对推力谐波分量的影响,并通过电枢绕组的重新布置来保持原有的推力;最后,对适用的槽极结构进行了三维有限元模拟,并制作了原型样机并进行了磁阻力和推力测试。研究结果表明:与传统情况相比,所提方法的磁阻力波形峰值从149.7 N降低到24.3 N,降低了83.7%,从而以最小的机械改变为代价大幅降低了磁阻力,同时保持推力不变,验证了其有效性。

摘要： 双三相永磁同步电机具有两套绕组,两套绕组之间存在相移角。基于24槽/10极的电机方案,对0°、15°和30°,三种相移角的双三相永磁同步电机进行分析,结果表明,在正常条件下,30°相移的双三相电机性能最好。但是当其中一套绕组发生故障时,15°相移的双三相电机性能最好,因此15°相移的双三相电机具有更好的容错能力。

摘要： 针对多相交错并联高增益DC/DC变换器在传统固定相移(2π/M)控制方式下,变换器会随着相数M的增加其只能在有限占空比范围(M-1)/M≤D<1内实现各相电流均流的问题,依据在多相变换器拓扑内电容电荷平衡原理以及各相电流均流条件,提出了一种可变移相的自动均流控制策略.所提控制策略只需任意两相相邻相位差Φ满足2π(1-D)≤Φ≤2πD条件,即可使得任意M(M≥2)相交错并联高增益DC/DC变换器在占空比[0.5,1)范围内均能实现各相电流自动均流.此外,对多相变换器中的电容电压纹波、电感电流纹波、电压增益、各相电流以及开关器件的应力进行了详细分析.最后,以四相高增益DC/DC变换器为例进行了模态分析,并搭建了一台低压输入/高压输出、功率300 W的实验样机,实验结果验证了所提控制策略的有效性和正确性.

摘要： 以光学塑料(Acrypet VH 001)为研究对象,通过Moldflow软件分析计算了不同保压压力条件下光学材料的相移和迟滞值.采用正交实验获得最佳的保压压力值,然后在最佳的保压压力再调整保压曲线,在原有的优化基础上进一步优化双折射值,使得透镜所透过的光线达到更加完善.分析结果表明,合适的保压压力在材料凝结过程中可以极大地挖掘材料的品质,减小双折射的相移、迟滞值,对于提高光学制品的加工质量有着很大的帮助.

摘要： 散射和传播是电磁波与目标相互作用时两个最基本的物理现象.在箔条干扰中,电磁波的传播效应是衡量箔条云团对敌方雷达波衰减能量的关键问题.本文针对一种坐标轴型箔条的应用需求,建立了箔条云和目标的合成回波模型,考虑了传播特性对目标散射回波的影响,并结合Oguchi方法对坐标轴箔条云的电磁波传播特性与箔条指向、位置、数量的关系进行了分析.仿真实验表明:坐标轴箔条云的电磁波传播特性不受其指向影响;在相同质量下,坐标轴箔条云的传播衰减约为传统箔条云的2.76倍,且不会出现相移,干扰性能更佳.此外,在给定仿真条件下,对不同数量的坐标轴箔条云在时间域和距离域上的干扰效果进行了分析,对坐标轴箔条的实际应用具有重要参考价值.

摘要： 建立了一种适用于复本征值情况下的弹性耦合简正波声场模型,给出了包含泄漏模态时弹性简正波的归一化和耦合系数表达式,耦合系数满足声能流守恒.利用该模型分析了倾斜弹性海底条件下声场的简正波相干耦合特性,发现考虑泄漏模态时,简正波耦合不仅会导致简正波幅度变化,而且也会带来附加相移.仿真计算表明:其一,在倾斜弹性海底条件下,考虑泄漏模态耦合附加相移影响后得到的声传播损失更接近有限元商用软件的计算结果;其二,耦合大大提升了界面波的幅度.此外,本文还分析了海洋环境参数变化对声传播损失的影响.

摘要： 双频条纹投影已经广泛应用于三维形貌测量,然而其相位展开的准确性受噪声影响较大.文中提出了一种改进的双频几何约束条纹,通过提高低频相位的频率,有效地提升了相位展开的鲁棒性.在三维测量过程中,首先,利用五步相移算法计算出双频条纹的高频相位和低频相位.然后,利用几何约束方法展开低频相位.最后,采用双频算法展开高频相位,进而重建出物体的三维形貌.仿真和实验结果均表明,相对于传统双频条纹,改进的双频条纹具有更高的鲁棒性和适用性.

摘要： 针对机器视觉难以对反射表面进行缺陷检测等问题,本文提出一种基于相位测量偏折术的缺陷检测方法.该方法以LCD屏幕作为结构光源,格雷码图案结合相移图案作为结构光,通过LCD屏幕投射到被测表面,使用单目相机捕捉结构光的反射图案.首先对相机捕捉的图案逐个像素进行解码,获得包裹相位和条纹级数;然后进行相位展开并消除误差,生成绝对相位图像;再使用Canny算子对图像进行边缘检测,将投影区域与非投影区域分割;最后在投影区域内使用Canny算子检测出缺陷的边缘,实现表面缺陷的检测与定位.实验结果表明:在环境亮度较低且恒定的条件下,相位测量偏折术可高效检测出反射表面上具有形变特征的缺陷,精度为0.1 mm,基本满足对反射表面上多种缺陷进行高精度、高效率、低成本检测的要求.

摘要： 本文分析了采样大啁啾理论(LCSBG)制作高信道数梳状滤波器时,信道间隔不准确、多信道无法同时与ITU-T标准频率对齐的问题,对间隔误差进行了理论计算和仿真验证。针对此问题,本文提出在采样间引入相移补偿的方案,并以80信道50GHz滤波器为例进行仿真验证,得到了信道间隔准确的梳状滤波器。为今后研制具有准确波长透过峰的多信道梳状滤波器打下了良好的理论基础。

摘要： 本文用传输矩阵法分析计算了相移长周期光纤光栅的传输谱特性.通过仿真试验分析了引入相移后长周期光纤光栅的透射谱.长周期光纤光栅中间位置引入相移π后,原来谐振波长处的波谷,现在变成了波峰,传输光谱曲线上的单一波谷变为对称的两个波谷.

摘要： 三维轮廓测量在汽车制造、口腔修复、文物保护等方面起着重要的作用.本文研究并开发出一种实用的光栅投影式三维测量系统.在小孔成像原理上提出了投影系统的一种线性隐式模型,同时提出了一种可靠的格雷码-相移组合编码方法,并针对解码过程中由于图像噪声的干扰而可能出现的错误提出了一种码值修正算法,增强了测量系统的稳定性.最后分别对石膏头像和牙模进行测量试验,实验结果表明该系统工作稳定、精度高,单视角测量点数为130万,测量范围为450 mm×400 mm,水平测量点距为0.5 mm.

摘要： 设计了基于EALCD的数字全息干涉系统。凭借EALCD实时读写图像、高衍射效率的特点，采用双曝光技术分别记录物体变形前后的全息图，并叠加后写入EALCD，快速实现全息再现，成功获得了全息干涉图。结合全息干涉理论，实现物体微小变形高精度的测量，并将相移术与全息十涉术相结合，利用四个干涉图法，最终求得物体变形产生的位相差。

摘要： 干涉法直接测量量块长度时的位相差是一个重要的误差来源.我国现在位相测量方法是堆积法,该方法需要很好的研合水平,而且重复性差.提出了一种利用牛顿环来测量光反射位相差的新方法.将一个特制的小透镜分别放置在被测量块和平晶上,在小透镜的下表面和量块或平晶上表面之间形成等厚干涉的同心圆环,即牛顿环.分析牛顿环的图象可以测量反射相移和位相差.使用该方法研制的测量装置对量块和平晶表面的光反射位相差进行了测量试验,其测量结果的标准不确定度小于5 nm.

摘要： 运用迈克尔逊干涉仪的原理,可以十分容易地建立实时错位散斑斜率测量与条纹投射三维形状测量系统.通过一个压电陶瓷相移器,还能够在错位散斑斜率测量与条纹投射形状测量方法中实现自动相移技术下的相位测量.经过去除噪声、试验结果的计算机自动评价,测量数据的质量明显提高.使用这些技术,比较成功地完成了两项测试实验:铝合金蜂窝板结构的内部缺陷检测和牙齿咬合面的形状测量,并给出了相应的实验结果和结论.

摘要： 现代的微波电路绝大部分都是用微带线进行互连和传输信号的,微带线的相移是关键的参数指标之一.本文基于PBG周期性结构电磁波频率特性的响应,研究了各种PBG地结构微带线的移相特性.PBG地结构微带相位响应的研究在节省电路元、器件,天线的共形和馈电移相网络以及小型化研究方面都有很好的应用前景。

摘要： 对于高精度加工,工件的微小面形偏差的精确测量非常重要。比较了微小面形的两类光学测量仪器,重点介绍了瞬态干涉测量方法。分析了干涉测试中相位展开方式,并将其应用于工件面形的测量中,用单张干涉图实现干涉波前的恢复,获取工件的面形信息。利用GLAD软件进行仿真,模拟了干涉仪对工件面形测量得到的波面干涉条纹图,并利用相位展开方法,读入干涉图样,进行工件的面形重构,获得了初步的仿真测量结果。对比了波面重构前后的工件面形,分析了重构面形失真的原因。

摘要： 对于高精度加工,工件的微小面形偏差的精确测量非常重要。比较了微小面形的两类光学测量仪器,重点介绍了瞬态干涉测量方法。分析了干涉测试中相位展开方式,并将其应用于工件面形的测量中,用单张干涉图实现干涉波前的恢复,获取工件的面形信息。利用GLAD软件进行仿真,模拟了干涉仪对工件面形测量得到的波面干涉条纹图,并利用相位展开方法,读入干涉图样,进行工件的面形重构,获得了初步的仿真测量结果。对比了波面重构前后的工件面形,分析了重构面形失真的原因。

摘要： 对于高精度加工,工件的微小面形偏差的精确测量非常重要。比较了微小面形的两类光学测量仪器,重点介绍了瞬态干涉测量方法。分析了干涉测试中相位展开方式,并将其应用于工件面形的测量中,用单张干涉图实现干涉波前的恢复,获取工件的面形信息。利用GLAD软件进行仿真,模拟了干涉仪对工件面形测量得到的波面干涉条纹图,并利用相位展开方法,读入干涉图样,进行工件的面形重构,获得了初步的仿真测量结果。对比了波面重构前后的工件面形,分析了重构面形失真的原因。

摘要： 本发明涉及用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备。通过以下步骤制备包含透明衬底和在透明衬底上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯：通过使用含有稀有气体和氮气的溅射气体和包括至少两个硅靶的多个靶在衬底上沉积半色调相移膜，将具有不同值的电力施加至所述硅靶，进行反应性溅射，和沿衬底轴在水平方向旋转所述衬底。该半色调相移膜具有令人满意的光学性质的面内均匀性。

摘要： 使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比，含氧量更多。据此，成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此，能够减少由相移掩膜反射的反射光，防止由反射光引起的图案形成精度的降低，从而能够实现微细且高精度的图案形成。

摘要： 一种检验相移式光掩模的相移角的方法。首先，取得一类型的相移式光掩模的相移角对应一工艺能力特征值的校正曲线。接着，将待检验的该类型相移式光掩模的图案转移至一光致抗蚀剂层上以形成光致抗蚀剂图案，并测量上述工艺能力特征值。然后依照上述校正曲线，由该工艺能力特征值推得该相移式光掩模的实际相移角，以供检验。

摘要： 本发明提供一种具有相位控制性良好且通过使用氯氧气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料具有透明基板、及形成于透明基板上的相移膜，相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％，相移膜从透明基板侧开始依次包含下层与上层，上层含有过渡金属、硅、氮和/或氧、或者含有硅、氮和/或氧，下层含有铬、硅、氮和/或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比为10以上。

摘要： 本发明涉及相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模。相移掩模坯料，包括透明基板、在透明基板上形成的刻蚀保护膜、和与刻蚀保护膜接触地形成的相移膜，其中曝光光是ArF准分子激光。刻蚀保护膜包含含有铪和氧、或者铪、硅和氧的材料，并具有1至30nm的厚度和相对于曝光光不小于85％的透射率，并且相移膜包含含有硅且不含铪的材料，并具有50至90nm的厚度。

摘要： 本发明公开了一种非易失可编程光学相移系统、相移器设计方法以及基于该相移器的光学相移方法，其中，相移器包括依次叠设于半导体基底上的下包层、光波导以及相变材料薄膜层，其中，相变材料薄膜层具n个沿波导方向并排设置的相变单元，当输入工作光波时，相移器在工作光波下非晶态与晶态消光系数差不大于0.1，n个相变单元中的第i个相变单元在完全晶态和完全非晶态间转变所引起的工作光波的相位差为2π/2i，i＝1,2,3……,n。上述相移器设置n个呈一定规律变化的相变单元，以一定的状态组合方式实现整个波导的0‑2π间以2π/2n(n为相变材料单元总数)为步进的任意总相移量，可以实现2n种相变，大大减少了相变单元的数量，简化相移器结构以及相移单元的控制系统。

摘要： 本发明涉及用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备。通过以下步骤制备包含透明衬底和在透明衬底上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯：通过使用含有稀有气体和氮气的溅射气体和包括至少两个硅靶的多个靶在衬底上沉积半色调相移膜，将具有不同值的电力施加至所述硅靶，进行反应性溅射，和沿衬底轴在水平方向旋转所述衬底。该半色调相移膜具有令人满意的光学性质的面内均匀性。

摘要： 本发明提供了一种相移掩模板，将透光区分为不透光区两侧分别相邻的第一透光区和第二透光区，且第一透光区和第二透光区交替分布，由于第一透光区的厚度与第二透光区的厚度之间形成有预设高度差，分别通过第一透光区和第二透光区的两条光束之间形成180度的相位差，使得第一出射光束与第二出射光束抵消于相移掩模板下方的晶圆表面上的暗区图案处，以修正暗区图案，使得在晶圆表面形成的暗区图案的条纹宽度一致，提高了晶圆表面的光刻图形的图像分辨率。本发明还提供了一种相移掩模光刻设备以及一种相移掩模板的制作方法，具有上述技术效果。

摘要： 使构成相移层的多级区域的最上层与其下的层相比，含氧量更多。据此，成为曝光光入射侧的最上层的反射率降低。因此，能够减少由相移掩膜反射的反射光，防止由反射光引起的图案形成精度的降低，从而能够实现微细且高精度的图案形成。

摘要： 一种检验相移式光掩模的相移角的方法。首先，取得一类型的相移式光掩模的相移角对应一工艺能力特征值的校正曲线。接着，将待检验的该类型相移式光掩模的图案转移至一光致抗蚀剂层上以形成光致抗蚀剂图案，并测量上述工艺能力特征值。然后依照上述校正曲线，由该工艺能力特征值推得该相移式光掩模的实际相移角，以供检验。