相生

摘要： 早期道家的宇宙生成论资料极为丰富,依据时代、学派、脉络、语境的不同,大致可分为四个类型。“他生”重点在于万物生成的根源,“相生”重点在于万物生成的原理,“自生”重点在于万物生成的自发,“化生”重点在于生成局限得以突破的可能。如果要讨论早期道家宇宙生成论,“他生”“相生”“自生”三条途径最为显著,而且自成系统。过去只重视“创生”“相生”,忽略了“自生”这条线索,显然是个缺憾,必然导致对中国古代生成论的简单化处理。

摘要： 一把锄头,一地草。锄头一生下来,就注定了和草是冤家——东边走,西边蹚,明晃晃的眼里容不下草。人有毫毛,地有草蓂,草和地是相伴相生的。草见到地就亲,地见到草就热,草和地就这么纠缠了一年又一年,草打腰子从来就没有断过。

摘要： 全长约1800公里的中国大运河沟通了北方的政治中心和南方的经济中心,这也注定了大运河的命运始终与漕运制度相伴相生。全长约1800公里的中国大运河沟通了北方的政治中心和南方的经济中心,这也注定了大运河的命运始终与漕运制度相伴相生。漕,即以水运粮。漕运制度曾是中国一项重要的经济制度,是利用水道调运粮食的一种专业运输,主要供宫廷消费、百官俸禄、军饷支付和民食调剂。

摘要： 《语文课程标准》提出在小学语文教学中要引导学生联系上下文,理解词句的意思,体会文章中关键词表情达意的作用.语言是由语言形式和思想内容两方面融合而成的,两者相辅相成,不可缺少.语文教学不仅要引导学生注重语言的工具性,掌握语言的表现形式,提升表达能力,还要注重和人文性之间的相生,注意句子的表达效果.因此在小学语文教学中要注重句子教学的相生性,将工具性和人文性整合在一起,提升学生的综合能力.

摘要： 写诗,是观照与呈现。我想应该是这样的,至少我相信如此,并且尝试着。那些心灵的律动、意识的波动,无不回应着外在的事物。写诗的人,推敲着文字,组合着词语,借此重新理解世界,认识自己。《流线》出版于2016年,是我写诗30年第一本诗集,汇集了15岁至45岁的创作。在那漫长的时光里,从小学到大学,到教研职业的展开与深人,我与我的诗也在不断互动,相磨后相生,相生后相磨,交替承续着这样的关系。

摘要： 海塔退潮后,有一条路直通海塔,塔上也有植物,在这世间,好像没有什么地方植物到达不了。即便在那荒漠里,也会有肉苁蓉、沙棘、胡杨、花棒、梭梭树、柳..唯独沙葱,绿洲退一-丈,它便近一尺,仿佛是为了替代草原的植被,又仿佛是在宣誓领地。似乎植物和动物一样,都有私欲,有间隙的生长空间,便葳蕤繁衍后代。万物相克相生,莫不如此。

摘要： 自1990年创立以来,广东省环境卫生协会与广东省改革开放事业、环境卫生事业相伴相生,在实现规模跨越式大发展的基础上,更是形成一条十分成熟产业模式之路。蓦然回首,三十年来的契而不舍,伴随着我国改革开放以来经济迅速增长,广东省环境卫生事业不断改善,业已创造了不少"奇迹"。

摘要： 以《敦煌乐谱》第一、第二组相同曲名的《倾杯乐》曲为例,将第一组乐曲由羽调式落角音还原为商调式落羽音,为正确认定 《敦煌乐谱》第一组乐曲调式打开一条新的通道.这些都是受了日本《三五要录谱》等乐谱中对壹越调、双调与水调曲的调式误判的启示,具体就是先对第一组乐曲的调式落音加以认定,再从音高调性与调式的关系上来进行这种调式的还原工作.

摘要： 本发明涉及气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。实施方式的气相生长装置具备：反应室；环状支架，其为设置于反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部、和具有与外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，其设置于环状支架的下方。

摘要： 一种喷头、气相生长装置以及气相生长方法，实施方式的喷头具备：混合室，被供给工艺气体；多个冷却部，分别隔着从混合室导入工艺气体的间隙设置在混合室的下方，且分别在内部具有沿水平方向设置的冷却孔；多个缓冲区域，设置在间隙的下方，从间隙导入工艺气体；以及喷淋板，设置在缓冲区域的下方，以规定的间隔配置有从缓冲区域导入工艺气体的多个贯通孔。

摘要： 本发明提供了一种衬托器、一种气相生长装置及一种气相生长方法，所述衬托器用于所述气相生长装置，所述衬托器包括一底部和包围所述底部的侧部，所述底部和侧部限定有用以载置基底(例如半导体晶片)的凹坑，在所述衬托器的底部形成有顶杆孔，并且，所述衬托器还形成有一开口以及位于其底部的空心通道，所述开口通过所述空心通道与至少一个顶杆孔连通。使用本发明提供的气相生长方法，在气相生长过程中，由所述开口向所述空心通道内通入吹扫气体，吹扫气体流动到顶杆孔内，对位于顶杆孔下方的工艺气体具有阻挡作用，从而减少或避免工艺气体流动到基底的背面导致不必要的沉积。

摘要： 本发明提供了一种气相生长装置及气相生长方法，所述气相生长装置内部包括用于载置一基底(例如硅晶片)的衬托器，衬托器底部具有多个顶杆孔，另外所述气相生长装置还包括可沿所述顶杆孔升降的多个顶杆，顶杆中形成有用于通入吹扫气体的空心通道，此外，所述气相生长装置还包括用于通入工艺气体的第一进气口以及用于通入吹扫气体的第二进气口。在气相生长过程中，所述空心通道与顶杆孔互相连通，向所述顶杆内的空心通道通入一吹扫气体，吹扫气体对顶杆孔附近的其他气体例如工艺气体具有阻挡作用，因而减少或避免了工艺气体从顶杆孔与顶杆之间的间隙到达所述基底的背面，可以提高气相生长所得到的例如外延晶片的平坦度。

摘要： 本发明的一个实施方式提供能够提高膜的特性的再现性的气相生长装置及气相生长方法。实施方式的气相生长装置具备：反应室；设置于反应室中且用于载置基板的保持器；将包含硅和氯的第1源气体供给至反应室中的第1源气体流路；和吹扫气体流路，该吹扫气体流路将包含硅和氯且硅的原子浓度比第1源气体的硅的原子浓度低的吹扫气体供给至反应室中。

摘要： 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。

摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法，所述装置包括：第一生长组件，容纳有第一坩埚，所述第一坩埚用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二生长组件，容纳有第二坩埚，所述第二坩埚内设有盛放原料碳的空间；石墨管组件，所述第一坩埚和所述第二坩埚通过所述石墨管组件连接形成通路，硅溶液和所述碳经所述通路在所述第一坩埚和所述第二坩埚中流动扩散，并在所述第一坩埚内形成所述碳在所述硅溶液中的过饱和溶液，以液相生长得到所述碳化硅单晶。根据本发明可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的问题，而且有效地改善了碳化硅单晶的位错缺陷。

摘要： 实施方式的气相生长方法为使用了气相生长装置的气相生长方法，所述气相生长装置具有反应室、从反应室排出气体的排气泵、调整反应室的压力的压力调整阀、和包含设置于反应室与压力调整阀之间的第1部分及第2部分的排气配管，其中，通过向反应室中搬入第1基板，将第1基板按照成为规定温度的方式加热，以规定流量供给工艺气体并控制压力调整阀而将反应室的压力调整为规定压力，从而在第1基板的表面形成碳化硅膜，同时在第1部分及第2部分的至少任一者中堆积包含碳的副产物，将第1基板从反应室搬出，控制排气配管的压力，向排气配管的至少一部分供给包含含有氟的气体的气体而将副产物除去后，向反应室中搬入第2基板，在第2基板的表面形成碳化硅膜。

摘要： 实施方式的气相生长装置具备：反应室；基板保持部，设置于反应室之中，能够载置基板，具有能够具有规定的间隙地保持基板的外周的保持壁；过程气体供给部，设置于反应室的上方，具有第1区域和第2区域，该第1区域对反应室供给第1过程气体，该第2区域设置于第1区域的周围，能够对反应室供给与第1过程气体相比碳/硅原子比更高的第2过程气体，第2区域的内周直径为保持壁的直径的75％以上130％以下；侧壁，设置于反应室之中的、过程气体供给部与基板保持部之间的区域，内周直径为第2区域的外周直径的110％以上200％以下；第1加热器，设置于基板保持部的下方；第2加热器，设置于侧壁与反应室的内壁之间；及旋转驱动机构，使基板保持部旋转。

摘要： 本发明提供了一种气相生长装置及气相生长方法，所述气相生长装置内部包括用于载置一基底(例如硅晶片)的衬托器，衬托器底部具有多个顶杆孔，另外所述气相生长装置还包括可沿所述顶杆孔升降的多个顶杆，顶杆中形成有用于通入吹扫气体的空心通道，此外，所述气相生长装置还包括用于通入工艺气体的第一进气口以及用于通入吹扫气体的第二进气口。在气相生长过程中，所述空心通道与顶杆孔互相连通，向所述顶杆内的空心通道通入一吹扫气体，吹扫气体对顶杆孔附近的其他气体例如工艺气体具有阻挡作用，因而减少或避免了工艺气体从顶杆孔与顶杆之间的间隙到达所述基底的背面，可以提高气相生长所得到的例如外延晶片的平坦度。