电真空器件

摘要： 电真空器件在雷达发展史中有着举足轻重的地位,是雷达系统的核心器件之一.随着雷达系统的工作频率上升到太赫兹频段,电真空器件是最有可能在该频段产生大功率的辐射源,因此其可以被应用于太赫兹波段的雷达之中.首先对太赫兹波段的各个电真空器件的研究发展进行了介绍,还简要阐述了目前国内外应用电真空器件的太赫兹雷达,最后对太赫兹波段真空电子器件的发展和其在雷达中的应用进行了展望.

摘要： 江西景光电子有限公司前身为国营第740厂(又名江西景光电工厂),1966年支援国家三线建设由南京741厂部分车间搬迁到景德镇开始筹建,1970年验收投产,原为国家电子工业部部属企业,系老三线军工企业。公司主要研制生产核磁共振、芯片封装、激光应用、射频烘干用金属陶瓷发射管、超高频电子管、微波小陶瓷管、工业高频加热管等电真空器件产品,广泛应用于广播、电视、通讯、导航、冶金、矿山、化工、工业高频加热、激光、半导体、太阳能应用、雷达、军用飞机等领域,曾为国家卫星导弹发射、北京正负电子对撞机等尖端工程作出巨大贡献。

摘要： 无氧铜器件作为微波功率放大以及超导器件的核心器件,由于信号传输需求,封装环节经常在真空环境中进行,故如何对无氧铜电真空器件进行表面洁净成为真空封装工艺中的重点.在经过化学除油、酸洗、水洗工艺后利用热氮气对无氧铜进行表面烘干封存,经过镀膜、焊接工艺后进行实验室性能分析,对样品清洗后表面状态、表面元素、镀膜质量以及焊接性能等产品指标进行验证,均符合产品指标要求,该洁净工艺可行有效.

摘要： 本文介绍了发射器件及组件的特点,分析了电真空器件与固态器件的应用情况,并梳理了国内外微波功率行波管及模块应用的历史和现状.电真空器件虽然面临一些问题,但其优势也很明显.电真空器件是实现宽带大功率、毫米波、太赫兹功率的必经之路.本文进一步叙述了微波功率行波管及模块的发展趋势和具体研究内容,并具体分析了其典型应用.最后得出结论,电真空器件需求依然强盛,应用范围将继续拓展.

摘要： Based on a brief introduction,the application of photonic crystals in vacuum electron devices and the development prospect are introduced.New idea for the development of microwave vacuum electronics through combining photonic crystals with vacuum electronics is provided.%本文介绍了光子晶体的概念和结构特性,对近年来含有光子晶体的新型结构在电真空器件中的应用进行了详细地介绍和评述,展望了光子晶体的发展前景.光子晶体和真空电子器件的结合为微波电真空器件的发展提供的新思路.

摘要： 地址：成都市新都工业东区黄鹤路99号 邮政编码：610500 电话：028-8393 9071 传真：028-8395 8503 网址：http：//www.kaisaier.cn 市场联系人：秦刚 职务：市场营销部部长 电话：133 9818 9500 协会联系人：刘继君 职务：副总经理 电话：139 8185 7297 单位简介 成都凯赛尔电子有限公司成立于2003年,注册资本3755万元,公司占地30亩,建筑面积2万平方米,是专业生产电真空器件的高新技术企业。

摘要： 某公司使用TU1无氧铜棒生产电真空器件,封装过程中铜棒表面起泡.采用低倍检验、金相检验、化学成分分析、扫描电镜以及能谱分析等方法对起泡原因进行了分析.结果表明:TU1无氧铜棒在挤制过程中尾部切除不完全,存在皮下缩尾缺陷,皮下缩尾缺陷中的氧化物夹杂是导致铜棒表面起泡的主要原因.%A company used TU1 oxygen free copper bars to manufacture electric vacuum devices and the copper bars bubbled on the surface in the process of packaging.The surface bubbling reasons were analyzed by means of macroscopic examination,metallographic examination,chemical composition analysis,TEM analysis and energy spectrum analysis.The results show that the TU1 oxygen free copper bars had subcutaneous shrinkage defect because of the incomplete tail resection in the process of extrusion,and the oxide inclusions in the subcutaneous shrinkage defect was the main reason for the surface bubbling of the oxygen free copper bars.

摘要： 短脉冲线圈电流励磁是高频电真空器件中实现超强磁场的重要技术途径之一,此时器件内将不可避免地产生涡流并进一步对内部磁场分布构成影响.针对使用短脉冲磁场时涡流对电真空器件内磁分布的影响进行了研究,分析了线圈电流脉冲宽度、金属电导率和金属厚度等对涡流的影响,结果表明:随着线圈电流脉冲宽度的减小、金属电导率和金属厚度的增加,涡流对内部磁场的影响也随之增加,导致管内空间无法有效励磁.提出了两种抑制涡流影响的措施,包括采用高电阻率导体进行薄层电镀和对管壁金属纵向切槽开缝.计算结果表明,这两种方法能够有效抑制涡流对器件内部磁场分布的影响,具有良好的实用性.%Excitation of magnetic field with short pulse current coils is one of the important technological approaches for achieving ultra-strong magnetic field in high frequency vacuum electronic devices,in which eddy-current would be excited at the same time and influence the distribution of magnetic field inside the tube.Impact of eddy-current on the distribution of short pulse magnetic field is studied in this paper,the effects of pulse duration,conductivity and thickness of the metallic structure on eddy-current are analyzed.The results show that the influence of eddy current on the internal magnetic field increases with the decrease of the pulse width of the coil current,the increase of the conductivity and the thickness of the metal,which leads to failure of ef-fective excitation of magnetic field inside the tube.Two methods for suppressing eddy current are proposed including electroplated coating of good conductor on high-resistivity metallic material and longitudinal slotting,the calculation results show that the two methods could effectively depress the influence of eddy-current on the distribution of magnetic field in the device.

摘要： 某公司在使用无氧铜TU1棒生产电真空器件过程中，铜棒表面起泡。采用低倍检验、金相检验、化学成分分析、扫描电镜和能谱分析等理化分析方法，检测结果表明：TU1棒在挤制过程中尾部切除不完全，存在皮下缩尾缺陷，皮下缩尾中的氧化夹杂为导致铜棒表面起泡的主要原因。

摘要： 大功率微波电真空器件具有工作频率高、峰值和平均功率大等特点.近年来,借助材料科学、微加工方法和技术的进步,电真空器件的频率正在向毫米波、亚毫米波甚至太赫兹频段快速发展.大功率、高频段电真空器件同时具有更高的效率,更大的带宽在雷达和国防探测领域有着广阔的应用前景.本文介绍了大功率、高频段电真空器件在雷达和国防领域的几个重点发展方向包括8mm、3mm波段毫米波器件集中式和分布式子阵组合系统应用、太赫兹频段器件应用、高功率微波系统应用和长脉冲发射技术.最后展望了未来的需求和发展趋势.

摘要： 本文通过对真空器件生产中玻壳结构的优点的叙述,得出了电真空器件玻壳制备工艺研究的必要性.经过对原有玻璃——可伐封接的火焰封接工艺与现有高频封接工艺的对比,提出了高频封接的方式为基础的试验方向.经过实践与理论结合,有了初步的封接研究结果.基于以上结果,最终取得了可较好实现电真空器件玻壳制备的现代车床自动化控制封接工艺方法,并进行了一定的总结.

摘要： 基于氦质谱检漏仪的结构和原理,设计了适用于电真空器件气密性检测的检漏平台.电真空器件的结构特点及测量精度要求决定了氦罩法和喷吹法是电真空器件氦质谱检漏技术中最常用方法,氦罩法是对总漏率进行测定,而总漏率超出允许值后用喷吹法进行漏孔的准确定位.双回路复杂结构和复杂串联漏孔的定位,表明了氦质谱喷吹法在电真空器件检漏中的影响因素必须遵循的喷吹检漏原则.同时,温度、临时密封材料(酒精、真空封泥、橡胶件)和设备材料吸附等因素会带来一定的测量误差.

摘要： 基于氦质谱检漏技术,介绍了氦质谱检漏仪的结构和基本原理,设计了与氦质谱检漏仪匹配的检漏平台和辅助检漏平台.针对电真空器件不同的外部尺寸和内部结构的特点,设计了特殊结构的模具和通用模具.

摘要： 本文采用两种不同的Mo粉处理工艺,将Mo粉中团聚体打开,获得粒度较小的Mo粉体,然后,找出适合处理后的Mo粉丝网印刷工艺.结果发现,Mo粉通过湿磨工艺处理后,D50可以降至1.78μm.用该种粉体金属化后的95％Al2O3陶瓷,其金属化层致密、均匀,封接强度较干磨工艺处理Mo获得的金属化封接强度提高了2.5倍,达到350MPa以上.为此，本文重点研究金属化粉体处理工艺对陶瓷金属化封接强度的影响，旨在为电真空器件工程化生产提供参考价值。

摘要： 本文通过比较95％Al2O3瓷和高纯A12O3瓷Mo-Mn金属化前后的抗折强度,发现金属化层有助于提高瓷本身的抗折强度.约25pm厚的金属化层使95％Al2O3;瓷的抗折强度提高20％左右,使高纯A12O3瓷抗折强度的提高则高达70％.实验通过扫描电镜及光学显微镜观察分析,认为金属化层提高瓷件抗折强度的主要原因是金属化层通过塑性变形吸收了来自裂纹扩展的大量能量.本文从陶瓷材料断裂方式和状态角度，来解释氧化铝瓷Mo-Mn金属化层对改善氧化铝陶瓷抗折强度的原因，希望试验结果能为电真空器件制管者设计提供更多的材料性能参考。

摘要： 采用金相制备、扫描电镜、能谱分析等手段,对陶瓷-金属封接部件常见的失效现象进行了分析,梳理了造成封接部件失效的主要原因,并提出了相应的控制措施.

摘要： 采用金相制备、扫描电镜、能谱分析等手段,对陶瓷-金属封接部件常见的失效现象进行了分析,梳理了造成封接部件失效的主要原因,并提出了相应的控制措施.

摘要： 采用金相制备、扫描电镜、能谱分析等手段,对陶瓷-金属封接部件常见的失效现象进行了分析,梳理了造成封接部件失效的主要原因,并提出了相应的控制措施.

摘要： 采用金相制备、扫描电镜、能谱分析等手段,对陶瓷-金属封接部件常见的失效现象进行了分析,梳理了造成封接部件失效的主要原因,并提出了相应的控制措施.

摘要： 本发明涉及一种应用于真空电子器件钎焊封接的电真空银基合金钎料及其制备方法，属于钎焊材料技术领域。本发明提供了一种新型的低银电真空钎料，钎料的化学成分及质量百分比为：Ag 55％-58％，Sn 0％-4％，In 0％-8％，Cu余量，所述的钎料中至少含有Sn或In。本发明提供的电真空钎料银含量低，不含低蒸气压元素，并且钎焊性能和加工性能优异，能够加工成厚度为0.05-0.15mm的预成型焊片，可以替代BAg72Cu电真空钎料用于真空电子器件的钎焊、封接，降低电真空钎料的成本。

摘要： 一种用于处理器件(特别是在所述器件中包含有机材料的器件)的处理设备被描述。所述处理设备包含处理真空腔室；用于有机材料的至少一个蒸发源，其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅，其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述有机材料，及具有一个或多个出口的至少一个分布管路，其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通；及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室，其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室被传送至所述维护真空腔室，及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。

摘要： 一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成；两层吸气金属，使得键合后腔体成为真空，CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成，有源区为CMOS器件的主要部分；CMOS晶圆内纵向布置有硅基底背部穿孔后金属填充部分，硅基底背部穿孔后金属填充部分的底部设置有与孔连接的晶粒和传感或致动部件，钝化层和金属层依次设置在CMOS晶圆上方，金属键合点设置在金属层和MEMS晶圆之间，MEMS晶圆内设置有MEMS晶圆腔体。本发明的优点：取消了薄膜吸气剂层，用金属吸气层代替其功能，还有导电作用，也可作为垂直电极，使得工艺更加简单。

摘要： 一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成；两层吸气金属，使得键合后腔体成为真空，CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成，有源区为CMOS器件的主要部分；CMOS晶圆内纵向布置有硅基底背部穿孔后金属填充部分，硅基底背部穿孔后金属填充部分的底部设置有与孔连接的晶粒和传感或致动部件，钝化层和金属层依次设置在CMOS晶圆上方，金属键合点设置在金属层和MEMS晶圆之间，MEMS晶圆内设置有MEMS晶圆腔体。本实用新型的优点：取消了薄膜吸气剂层，用金属吸气层代替其功能，还有导电作用，也可作为垂直电极，使得工艺更加简单。

摘要： 本申请公开了一种基于出气率的电真空器件的真空度检测方法，包括以下步骤：(1)确定电真空器件的出气率q0；(2)建立电真空器件的出气率模型；(3)将步骤(1)确定的出气率q0代入步骤(2)建立的出气率模型，计算得出真空计临界压力值P0；(4)读取真空计的压力值P；(5)将步骤(4)读取的压力值P与步骤(3)计算的真空计临界压力值P0进行比较，判断电真空器件内部真空度是否达到设计值。本申请通过建立电真空器件的出气率模型，实现电真空器件出气率的间接获取，从而实现了电真空器件真空度的检测，本申请解决相关技术中密封的电真空器件真空度变化无法观察的的技术问题。

摘要： 本申请公开了一种基于出气率的电真空器件的真空度检测方法，包括以下步骤：(1)确定电真空器件的出气率q0；(2)建立电真空器件的出气率模型；(3)将步骤(1)确定的出气率q0代入步骤(2)建立的出气率模型，计算得出真空计临界压力值P0；(4)读取真空计的压力值P；(5)将步骤(4)读取的压力值P与步骤(3)计算的真空计临界压力值P0进行比较，判断电真空器件内部真空度是否达到设计值。本申请通过建立电真空器件的出气率模型，实现电真空器件出气率的间接获取，从而实现了电真空器件真空度的检测，本申请解决相关技术中密封的电真空器件真空度变化无法观察的的技术问题。

摘要： 本发明公开了一种电真空器件多级钎焊用钎料及其制备方法。本发明所述钎料各化学成分及质量百分比为：Mn 35‑40％、Ni 9‑11％、B 0.01‑0.03％、Ti 0.01‑0.04％，其余为Cu。本发明通过对钎料成分的限定，特别是对钎料中硼和钛总量的限定，多级冷轧工艺，避免了传统热轧过程中酸洗的影响，制备钎料在多级钎焊中焊接效果较好，焊缝无漏气或开裂现象。

摘要： 本申请实施例提供一种防腐蚀性铜及电真空器件，属于电真空设备材料领域。在防腐蚀性铜中，铜晶界数量≤10个/cm2；该防腐蚀性铜为晶畴为Cu(111)、Cu(200)和Cu(220)其中一种的单晶铜，单晶铜的XRD测试的单晶峰强＞3*103。电真空器件具有真空作业元件，该真空作业元件的材质为该防腐蚀性铜。本申请的防腐蚀性铜在单位面积内具有特定的铜晶界数量，且其晶畴具有特定的单晶取向以及单晶峰强，使得铜材料自身具有较好的防腐蚀性能，能够有效改善真空作业元件的腐蚀问题，提高真空作业元件的散热性能和使用寿命。

摘要： 本实用新型公开了一种电真空器件用新型折边焊片结构，包括上环、下环和挡片，所述上环、下环和挡片三者一体成型，所述上环、下环和挡片的截面呈阶梯状或T型。所述上环和挡片之间设置有倒角。所述下环和挡片之间设置有倒角。所述下环和上环的宽度相同。所述上环、下环和挡片的厚度均为0.1mm。本实用新型结构简单、使用方便、生产效率提升、成本降低，独特的折边设计保证真空管焊接密封性和焊接强度，消除了焊接接头现象。

摘要： 本申请公开了一种绝缘陶瓷部件，涉及绝缘陶瓷领域，用于电真空器件，包括绝缘陶瓷体和耐压涂层；绝缘陶瓷体的表面包括耐压面和用于与电极接触的结合面，耐压面具有台阶状结构，并通过台阶状结构与结合面连接；耐压涂层分布于台阶状结构的各个表面。本申请在绝缘陶瓷体的耐压面上，与结合面相结合的区域为台阶状结构，台阶状结构存在高低不平的表面，即在耐压面上与结合面相结合的区域为凹凸不平的结构，绝缘陶瓷部件在应用过程中，涂敷耐压涂层的台阶状结构可以更有效抑制二次电子的产生，从而提升绝缘陶瓷部件的耐压性能。本申请还提供一种电真空器件。