电子陷阱

摘要： 短视频这些年得以快速发展,但在技术加持和便利网络条件下,短视频雷同内容随处可见、浮躁肤浅符号蔓延、不良内容肆意传播,优质内容也因此被逐步埋没.对此,主管部门依据相应法律法规加强对短视频平台的监管,引导创作者和平台走上优质原创的内容之路,同时培养短视频用户的媒介素养,提高其批判思辨和理解能力,避开种种隐匿的电子陷阱,多方共同努力成就天朗气清的短视频网络空间.

摘要： 选取光电倍增结构探测器,在聚(3-己基噻吩)(P3HT)∶[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(PC_(61)BM)中掺入小比例碳60(C60)作电子陷阱,研究了在陷阱辅助作用下引入阴极空穴隧穿注入产生光电倍增的机理以及C_(60)浓度对器件光电性能的影响.当电子陷阱C60浓度为1.5wt.%时,-0.5V偏压下探测器在波长为455nm、光功率为0.21mW·cm^(-2)光照下外量子效率为436.4%,响应度为1.62A·W^(-1),比探测率为2.21×10^(13) Jones,线性动态范围约为100dB.光照下部分光生电子被活性层中的陷阱俘获,特别是在靠近阴极Al处的电子积累,将诱导阴极空穴隧穿注入,结合利用体异质结探测器低工作电压的优势,可大幅提高光电流,从而获得低工作电压、高比探测率的探测器.

摘要： 交联聚乙烯（XLPE）老化会引起内部陷阱特性的变化，进而造成空间电荷分布的变化，威胁直流电缆的安全运行。对160kV直流电缆切片进行了90°C和135°C不同程度的热老化试验，并利用电声脉冲法（PEA）探究了热老化对直流电缆空间电荷分布的影响。通过分析空间电荷的衰减规律并结合等温松弛理论，提出了利用PEA法分析绝缘材料陷阱特性的方法，并对老化前后试样内的陷阱特性进行了分析研究。研究结果表明，90°C热老化前期由于后交联反应，试样部分深陷阱转为浅陷阱，直流电缆内部空间电荷消散特性变好；但随着老化时间的进一步增加，试样内的陷阱深度及密度均有一定程度的增长，空间电荷积累量也随之增加。试样在135°C高温热老化情况下，内部发生强烈的热氧反应，结晶形态遭到严重破坏，陷阱能级及密度均大大增加。%The ageing of XLPE insulation can cause the change of trap energy properties, and further affect the distribution of space charge in the bulk of insulation. It would threaten the security of HVDC. In this paper, the slices from a 160kV DC cable were stressed at 90°C and 135°C, respectively. The space charge distributions of the samples were measured by the pulsed electro-acoustic (PEA) method. And then the space charge decay model was established. Combined with the isothermal relaxation theory, a method to analyze the trap energy properties of the insulation materials based on the PEA method was proposed. The results showed that due to the post-crosslinking in the 90°Cthermal process, parts of the deep electron traps were converted to shallow traps, which would benefit the dissipation of the space charge. However, as the aging time further increased, the density and level of the electron traps both had a certain degree of growth, resulting in the increase of the amount of space charge. Under the 135°C thermal stress, not only the crystalline morphology of the XLPE is greatly destroyed, but also the density and depth of the electron traps increased greatly because of the intense thermal oxidative degradation in the XLPE insulation.

摘要： 采用高温固相法制备了CaAl2O4∶Eu2+,Li+发光材料,并讨论了掺杂Li+对CaAl2 O4∶Eu2发光性质的影响.X射线衍射(XRD)和PL测试分析表明,在CaAl2O4:Eu2中掺入Li+后,Eu2+的发光有一定的增强,而余辉时间则延长了4倍左右.通过热释光谱测量,分析了其陷阱能级的数量并估算了陷阱能级深度.结果表明,掺杂Li+会在发光离子周围产生更多的电子陷阱,使陷阱的密度和深度增加,从而提高荧光粉的余辉性能.

摘要： 针对ZnO压敏电阻经受多次8/20雷电流冲击后交流老化特性变化的问题,通过对ZnO压敏电阻老化机理的理论分析,并对ZnO压敏电阻样品进行不同次数的冲击老化实验后再进行交流老化实验测量其静态参数的变化,发现适当次数的大电流冲击会增强ZnO压敏电阻的交流耐受能力;ZnO压敏电阻的U1mA和U0.1mA在交流老化过程中呈现小幅上升、缓慢下降、快速减小的趋势,非线性系数则呈现持续缓慢降低而后快速下降的趋势;根据实验结果,得出电子陷阱及离子迁移是交流老化初始和中期的主要老化机理,而热破坏在老化末期起主要作用.

摘要： Polytetrafluoroethylene(PTFE), polyethylene(PE), polymethyl methacrylate(PMMA) and other similar medium materials are widely used for making of output window of high power microwave(HPM), due to their favorable wave-transparent and mechanical properties. But there are few studies conducted on the influence of different processing technologies on dielectric properties of these materials. In this article, the basic dielectric parameters of different medium materials processed with different technologies are measured with high-pressure bridges and high resistance meters, and the surface electrical trap densities of these materials at the low energy level of 0. 8-0. 9 eV are measured with the adoption of electrostatic induction method. Medium breakdown experiments with waveguides under S band, 800 MW and 100 ns microwave pulse are conducted, and the effects of different material surface finishes on window surface breakdown are studied. The results show that, the baking technology to some extent reduces materials' resistance to breakdown, and causes more dielectric losses; the scratches parallel to the direction of electric field form the channel for material surface breakdown, leading to more serious breakdown.%聚四氟乙烯、聚乙烯、有机玻璃等介质材料因其良好的透波性能和优异的机械性能被广泛用作高功率微波的输出窗口,但关于窗口加工处理工艺对材料介电性能的影响却少有研究.利用高压电桥及高阻计对不同介质材料不同工艺下的基本介电参数进行了测量,利用静电感应法对不同介质材料表面0.8～0.9 eV浅能级的电子陷阱密度分布进行了测试,利用波导口开展了S波段800 MW、百ns微波脉冲作用下的介质击穿实验,考察了材料表面粗糙度、划痕对介质窗表面击穿的影响.结果表明:烘烤工艺在一定程度上降低了材料的耐击穿性能,增加了介质损耗；平行于电场方向的划痕形成了材料表面击穿的通道,而该通道的存在又进一步加剧了击穿的发生.

摘要： 介电常数分别为2.6的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）及介电常数为16的偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物（P（VDF-TrFE））两种不同的有机绝缘材料,通过溶液旋涂的方法在P型硅衬底上制备了不同结构的复合栅介质膜并测试了它们的高频C-V特性及漏电特性。实验结果表明Si-PMMA-P（VDF-TrFE）-Ag结构绝缘膜上单位面积电容达到了35nF/cm2,40V电压下漏电流随着扫描次数的增加逐渐由7.29×10-7 A/cm2降低至3.44×10-7 A/cm2。而Si-P（VDF-TrFE）-PM-MA-Ag结构栅介质膜测得的单位面积电容仅为15nF/cm2,在相同电压下的单位面积漏电流为1.93×10-8 A/cm2。在此基础上分析了电子陷阱以及电场强度对双层栅绝缘膜C-V、I-V特性的影响。%Based on solution processing,use two kinds of materials which have different dielectric constant,2.6 for PMMA and 16 for P（VDF-TrFE）.Fabricate two different structures of double-layer insulating films on P type silicon substrates and test their high frequency C-V characteristic and leakage characteristics.For Si-PMMA-P（VDF-TrFE）-Ag structure,the capacitance per unit is 35nF/cm2 and leakage current under 40V decrease gradually from 7.29×10-7A/cm2 to 3.44×10-7A/cm2 with the number of scans increase.When comes to the Si-P（VDF-TrFE）-PMMA-Ag structure,the capacitance measured is only 15nF/cm2,and the leakage current is 1.93×10-8A/cm2 at the same voltage.Based on this we analysis the influence of electron traps and electric field strength for the C-V and I-V characteristics in double layer insulating films.

摘要： 由单电子晶体管(single-electron transistor,简称SET)构成的存储器具有体积小、容量大、功率消耗低等优点,可望成为继CMOS存储器之后纳米级的新型存储器.本文介绍了几种基于单电子晶体管的存储单元结构,并以单电子陷阱存储单元为例,提出了一个存储器参数优化选择的计算方法,能够改进器件的工作可靠性.利用SIMON仿真器还对这些单电子存储器进行了比较研究.

摘要： 探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关.通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义.

摘要： 从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130～20°C范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或/和氧空位)的电子松弛过程。发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.

摘要： 击穿性能是电介质材料最基本的要求,提高材料的电气强度是电介质研究最为重要的任务之一.理想电介质的本征击穿强度远高于实际材料的水平,工程击穿问题的研究实际上是集中在对缺陷体系的研究.就物理机理而言,电子陷阱与散射模型似乎应给于更多地关注.添加剂不仅可用于改善和平衡凝固态聚合物电介质的综合性能,它也可以用采明显的提高材料的击穿强度.特别是纳米材料和技术研究的扩大与深入,一方面为击穿研究的发展奠定了一个新的物质基础,另一方面也促进了击穿机理研究的深化.氧化物纳米添加剂/聚酰亚胺基耐电晕漆包线漆、浸渍漆明显地提高了原漆的电压耐受寿命;纳米添加剂也提高了电缆绝缘的工作场强或可靠性.纳米金属粒子也可能明显提高聚合物的电导和击穿性能,本文用散射-陷阱模型对此作了讨论.绝缘结构的时间与空间节律不仅在宏观上具有主宰能力,在介观上也显示出了某种端倪.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在超短脉冲激光作用下,测量了不同组份卤化银乳剂的光电子衰减曲线,分析了光电子的产生与衰减过程.通过测量卤化银光作用过程的时间分辨谱,对卤化银材料中碘化物掺杂剂对光生光电子随时间衰减过程的影响进行了研究.

摘要： 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。

摘要： 本申请提供了一种利用来自片上光子源的光子对GaN电子器件中的深陷阱进行抽吸的技术。在各个实施例中，利用配置为在高电子迁移率晶体管操作期间产生光子的片上集成光子源来提供对GaN高电子迁移率晶体管中的深陷阱进行光学抽吸的方法。在一个方面中，片上光子源为SoH‑LED。在各个附加的实施例中，提供了将光子源集成在高电子迁移率晶体管的漏电极中的集成方案，从而将具有欧姆漏极的常规高电子迁移率晶体管转化为具有混合光子欧姆漏极(POD)的晶体管、简称为POD晶体管或PODFET。

摘要： 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。

摘要： 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。

摘要： 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定负电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择N型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备P型外延层；在外延层上形成N+源区、N+漏区和P+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成N+源极、N+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持正偏置，阱区负偏置，衬底负偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持负偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获负电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定负电荷陷阱检测与判定的目的。

摘要： 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。

摘要： 本发明公开了一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法，利用电子束蒸发沉积系统在硅衬底表面顺序蒸镀隧穿层、存储层、阻挡层和上电极，然后将沉积了薄膜的样品翻转，在硅衬底背面沉积下电极，形成电荷陷阱存储器件。该方法操作简单，薄膜质量高，厚度可控。

摘要： 本申请提供了一种利用来自片上光子源的光子对GaN电子器件中的深陷阱进行抽吸的技术。在各个实施例中，利用配置为在高电子迁移率晶体管操作期间产生光子的片上集成光子源来提供对GaN高电子迁移率晶体管中的深陷阱进行光学抽吸的方法。在一个方面中，片上光子源为SoH‑LED。在各个附加的实施例中，提供了将光子源集成在高电子迁移率晶体管的漏电极中的集成方案，从而将具有欧姆漏极的常规高电子迁移率晶体管转化为具有混合光子欧姆漏极(POD)的晶体管、简称为POD晶体管或PODFET。

摘要： 本发明属于有机光电倍增探测器技术领域，公开了一种基于双电子陷阱辅助的有机光电倍增探测器及其制备方法，探测器包括依次设置的阳极层、阳极修饰层、活性层和阴极层，其中，活性层为材料为掺杂ZnO纳米颗粒的聚3‑己基噻吩:苯基‑C70‑丁酸甲酯材料，即P3HT:PC70BM:ZnO NPs。本发明将可作为电子陷阱的无机ZnO纳米颗粒掺入含有电子受体有机光电倍增探测器的活性层溶液中，组成双电子陷阱，在增加电子陷阱的同时，巧妙的克服了掺入无机ZnO纳米颗粒溶液与原有P3HT:PC70BM溶液不互溶的缺点，实现了双电子陷阱辅助的高性能有机光电倍增探测器，提升了器件的性能。

摘要： 本发明属于有机光电倍增探测器技术领域，公开了一种基于双电子陷阱辅助的有机光电倍增探测器及其制备方法，探测器包括依次设置的阳极层、阳极修饰层、活性层和阴极层，其中，活性层为材料为掺杂ZnO纳米颗粒的聚3‑己基噻吩:苯基‑C70‑丁酸甲酯材料，即P3HT:PC70BM:ZnO NPs。本发明将可作为电子陷阱的无机ZnO纳米颗粒掺入含有电子受体有机光电倍增探测器的活性层溶液中，组成双电子陷阱，在增加电子陷阱的同时，巧妙的克服了掺入无机ZnO纳米颗粒溶液与原有P3HT:PC70BM溶液不互溶的缺点，实现了双电子陷阱辅助的高性能有机光电倍增探测器，提升了器件的性能。