电子注入

摘要： 在有机发光二极管(OLEDs) 30多年的发展过程中,器件结构设计和功能材料开发是实现器件高效率发光的关键.倒置结构器件被认为是实现OLEDs器件高效率、长寿命的一种可行方案.但倒置器件以ITO为阴极造成了器件电子注入势垒过大,限制了倒置器件的进一步发展.本文以实现倒置器件电子注入原理的不同,分别介绍了n型掺杂、偶极层修饰和隧穿注入等方法在提高ITO阴极电子注入性能的相关研究工作.最后,对提高倒置器件电子注入性能的3种不同策略进行了总结和展望.

摘要： 常规有机发光二极管发光层中载流子浓度的不平衡,导致器件发光亮度、效率等性能不能达到最优.为了改善电子的注入和传输,采用Li2 CO3作为电子注入层,并将其掺入4,7-二苯基-1,10菲啰啉(Bphen)电子传输材料中,研究电子注入和传输能力的变化及其对器件发光性能的影响.结果表明:Li2 CO3作为有效的电子注入层,使器件的驱动电压降低1.0 V,发光亮度提高3倍,电流效率提高1倍.Li2 CO3掺杂Bphen能进一步改善电子传输性能,提高发光层中的电子浓度,进而改善发光亮度和效率.

摘要： 以B 3 PyMPM∶Cs/Al/HAT-CN作为电荷生成单元制备高效叠层绿色磷光有机电致发光器件,叠层器件的最大电流效率和最大流明效率分别为172.2 cd/A和111.0 lm/W,在5 mA/cm^2电流密度下,叠层器件的电压和亮度分别为传统器件的2.04倍和2.84倍.为了探究叠层器件性能优于传统器件的原因,研究了电荷生成单元内的电荷产生和注入过程,以及薄层铝对电子注入特性和电荷生成单元稳定性的影响.实验结果表明,电荷能够有效地在电荷生成单元内产生并顺利注入电子传输层中,B3PyMPM∶Cs和HAT-CN间Al薄层的插入能够进一步提高电子注入效率及器件结构的稳定性.

摘要： 本文通过介绍外加电场改变Pr0.7Ca0.3MnO3/Nb-SrTiO3结器件偏压势垒及电致改变器件超导与铁磁性能的实验来说明,电致触发引起改变器件材料本征性质的原因是材料中载流子发生了变化.以此引入并探讨电子注入以及形成自束缚电子驱动机制.因为零电压下被改变的材料本征性质仍然得以保留,则被注入的电子应该仍然停留在器件材料内部.从能带论的角度出发,停留在器件材料内部的被注入电子应该会改变材料的离子价态与能带并对于材料的本征性能电阻、超导和铁磁性质产生影响.发表的光电子能谱实验结果说明,氧化物器件电致电阻开关前后材料离子价态确实出现了变化.实验数据还展示,电触发状态的器件电阻值依赖于电触发的电压、电流或脉冲时间,这应该是展示触发引起的电阻值与注入电子数量相关.发表的电致电阻开关变换实验数据进一步说明电子注入以及形成自束缚电子驱动机制的合理性.仔细测量的实验数据中可以观察到自建偏压势垒的出现,这对于充分理解电致激发形成了亚稳态自束缚电子是关键的.通过对实验数据的系统整体思考和分析,确实构建了认识电致电阻开关变换驱动机制的合理框架.而该通过电子注入改变材料本征性质的新方法则打开了物理和材料学应用及研究的新领域.

摘要： 8-羟基喹啉锂用作有机电致发光器件的电子注入层能够提高阴极功函数,进而提高器件的发光效率.10 A的Liq薄膜足以降低有机电致发光器件中的开启电压并能有效提高器件效率,该现象可与LiF/Al作阴极的器件性能相比拟.利用不同阴极材料制作器件,讨论了8-羟基喹啉锂的电子注入机制,发现把Liq薄膜引入到Alq3和不同阴极之间后,器件的电流密度与所用阴极材料的种类无关.为了讨论电子在分界面上注入势垒的变化情况,对器件进行饱和光伏测试.测试发现Alq3/Liq/Al的分界面上真空能级的移动降低了电子注入势垒.推测此现象是由于在界面上形成了强偶极子,这也可能是有机电致发光器件中电子注入效率提高的机理之一.

摘要： 本文通过介绍外加电场改变Pr（0.7）Ca（0.3）MnO3/Nb-SrTiO3结器件偏压势垒及电致改变器件超导与铁磁性能的实验来说明,电致触发引起改变器件材料本征性质的原因是材料中载流子发生了变化.以此引入并探讨电子注入以及形成自束缚电子驱动机制.因为零电压下被改变的材料本征性质仍然得以保留,则被注入的电子应该仍然停留在器件材料内部.从能带论的角度出发,停留在器件材料内部的被注入电子应该会改变材料的离子价态与能带并对于材料的本征性能电阻、超导和铁磁性质产生影响.发表的光电子能谱实验结果说明,氧化物器件电致电阻开关前后材料离子价态确实出现了变化.实验数据还展示,电触发状态的器件电阻值依赖于电触发的电压、电流或脉冲时间,这应该是展示触发引起的电阻值与注入电子数量相关.发表的电致电阻开关变换实验数据进一步说明电子注入以及形成自束缚电子驱动机制的合理性.仔细测量的实验数据中可以观察到自建偏压势垒的出现,这对于充分理解电致激发形成了亚稳态自束缚电子是关键的.通过对实验数据的系统整体思考和分析,确实构建了认识电致电阻开关变换驱动机制的合理框架.而该通过电子注入改变材料本征性质的新方法则打开了物理和材料学应用及研究的新领域.

摘要： 制备结构为ITO/MoO3(7nm)/NPB(40nm)/MCP:Fir6(30nm:8%)/MCP:Ir(piq)acac(3nm:1%)/Bphen(40nm)/CdS(x nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件.在常温下研究了CdS薄层对器件发光性能的影响.相同电压下,具有CdS薄层结构的器件电流密度明显提高,最大电流效率为14.81 cd/A(6V),最大亮度为8947 cd/m2,对应器件效率为3.93 cd/A.

摘要： 描述了DSSC的基本原理;从电子转移及分子动力学角度出发,通过染料生色团分子与半导体界面构造、电子从染料生色团注入到半导体以及回传电子转移过程介绍了DSSC之光化学与光物理理论研究.

摘要： 制备结构为ITO/Mo O3(7nm)/NPB(40nm)/MCP:Fir6(30nm:8%)/MCP:Ir(piq)acac(3nm:1%)/Bphen(40nm)/Cd S(x nm)/Li F(0.5nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件。在常温下研究了Cd S薄层对器件发光性能的影响。相同电压下,具有Cd S薄层结构的器件电流密度明显提高,最大电流效率为14.81 cd/A(6V),最大亮度为8947 cd/m2,对应器件效率为3.93 cd/A。

摘要： 为了实现窄能隙有机光敏剂的理性设计,有必要全面理解发生在二氧化钛/染料/电解质复杂界面的激发态演化动力学.本文通过构建分别以苯并噻二唑-苯甲酸(BTBA)和毗啶并噻二唑-苯甲酸(PTBA)为电子受体的有机给受体染料,借助超快瞬态吸收光谱测量与理论模拟,发现在实际的二氧化钛/染料/电解质界面存在激发态多步弛豫与多态电子注入的过程.密度泛函理论及含时密度泛函理论计算表明,二氧化钛表面的光激发产生的“热”激发态染料分子会通过分子片段间的扭转运动发生显著的多步结构弛豫,最终形成共轭骨架具有醌式结构、更加平面化的平衡构型.通过对飞秒瞬态吸收光谱进行目标分析,发现相对于以苯并噻二唑-苯甲酸为电子受体的染料,以吡啶并噻二唑-苯甲酸为电子受体的染料呈现出较慢的电子注入速率与较短的激发态寿命,导致总的电子注入产率较低,给出了基于该染料所制备的太阳电池的外量子产率峰值低的原因.

摘要： 过去的数十年,为了研究发展惯性约束核聚变,利用超短超强激光脉冲与低密度等离子体相互作用的激光尾波场加速电子研究领域有了很大进展.近来,通过利用二维的粒子模拟程序研究,发现一种新的方案实现激光尾波场加速电子过程中的电子注入增强.方案主要利用时间上保持一定间隔的双激光脉冲同轴同向地入射低密度等离子体.模拟结果显示,方案是可控的.当两束激光脉冲间隔接近第一束脉冲尾部的空泡的长度时,第二束脉冲后面的空泡中注入电子的数目最多.注入的电子数量比在利用相同能量的单激光脉冲情况下提高许多.

摘要： 有机发光二极体之载子注入能力显着影响整体元件的表现，在实验中比较不同电子注入层对银电极OLED元件之电流密度、效率与发光频谱之影响，实验中显示Cs2C03相较于Liq有着较佳的电子注入，Cs2C03对于电子注入的提升也明显反应在发光效率与功率效率。进一步探讨Cs2C03与Liq对于OLED元件的提升，经由电激发光光谱进行推论，Cs2C03与Liq可与金属银进行反应产生负型掺杂薄层，增进电子注入之能力，而Liq与铝金属尽管有着最佳的电子注入效果，但其不平衡的载子使其无法有效提升元件效率，因此阴极与阳极的注入搭配在OLED元件中扮演非常重要的角色。由于Cs2C03较高的制程温度与易潮解之材料特性，可能对于元件的寿命与稳定性造成影响，因此在元件寿命与元件效率之间的抉择也是未来必须思考的议题。

摘要： 制备了普通的有机电致发光器件(organic light-emittingdevice，OLED)，其结构为ITO／NPB／Alq3／Al。把碱金属氯化物(NaCl、KCl、RbCl)薄层插在Alq3中离Alq3／Al界面0nm、10nm、20nm、30nm处，实验发现碱金属氯化物溥层在Al／Alq3界面时，提高了器件的电子注入，从而提高器件的亮度和发光效率；当远离Al／Alq3界面时，KCl、RbCl薄层提高了器件的亮度和发光效率，NaCl薄层没有提高器件的亮度和效率。我们认为碱金属氯化物的加入引入了陷阱，这些陷阱俘获了载流子,减少了空穴泄露电流，同时又由于几种物质的禁带宽度有差异，导致了载流子注入势垒不一样，从而使得几种材料对器件性能的影响不一样。

摘要： 本文修正了返波管的小信号理论,并用来计算一例THz返波管的互作用计算,获得THz返波管的“热”谐振频率及慢波结构长度等重要参数。计算结果表明,与传统的关于返波管线路波在慢波结构的电子注入口端的幅度都大于它们在慢波结构的电子注出口端的幅度的认识不同,实际上无论线路波还是空间电荷波都是增长波,即它们在慢波结构的电子注出口端的幅度都远远大于它们在慢波结构的电子注入口端的幅度。结果表明，把返波管输出结构设计在慢波结构的电子注出口端将会大大提高返波管的功率,因而具有重大的现实意义。

摘要： The LID defect in CZ silicon consists of substitutional boronatom and stagger type oxygen dimer.The LID defect in mc silicon is related to the metalimpurities or their aggregation at the structural defects.Regeneration treatment is a good way to eliminate the LIDdefects.Electronic injection by forward bias is an economicindustrial way for the elimination of LID defects.

摘要： The LID defect in CZ silicon consists of substitutional boronatom and stagger type oxygen dimer.The LID defect in mc silicon is related to the metalimpurities or their aggregation at the structural defects.Regeneration treatment is a good way to eliminate the LIDdefects.Electronic injection by forward bias is an economicindustrial way for the elimination of LID defects.

摘要： The LID defect in CZ silicon consists of substitutional boronatom and stagger type oxygen dimer.The LID defect in mc silicon is related to the metalimpurities or their aggregation at the structural defects.Regeneration treatment is a good way to eliminate the LIDdefects.Electronic injection by forward bias is an economicindustrial way for the elimination of LID defects.

摘要： 本文从分子结构的化学修饰角度出发,在PPV的测链上引入具有电子传输性的基团(1,3,4-噁二唑),从而合成集电子、空穴传输性于一身的新型PPV衍生物,制备单层的LED,简化器件的制备工艺.

摘要： 本文从分子结构的化学修饰角度出发,在PPV的测链上引入具有电子传输性的基团(1,3,4-噁二唑),从而合成集电子、空穴传输性于一身的新型PPV衍生物,制备单层的LED,简化器件的制备工艺.

摘要： 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。

摘要： 本发明涉及包含一种或多种包含金属离子的化合物的新颖电子传递组合物，这种电子传递组合物在有机电子器件中，特别是在光电二极管中的用途以及这种有机电子器件，特别是光电二极管。

摘要： 本申请公开了一种压电晶片离子注入的方法、由所述方法制备的注入片以及由所述注入片制备的压电薄膜及电子元器件，所述方法首先在压电晶片的非工艺面制备应力吸收层，所述应力吸收层能够吸收压电晶体翘曲所产生的应力，使得压电晶体在离子注入过程中保持平整而不发生变形，从而获得注入层以及分离层均为平整度较高的注入片，基于所述注入片所制备分离层的TTV可达5nm以下。

摘要： 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。

摘要： 本发明涉及包含一种或多种包含金属离子的化合物的新颖电子传递组合物，这种电子传递组合物在有机电子器件中，特别是在光电二极管中的用途以及这种有机电子器件，特别是光电二极管。

摘要： 通过在利用硼原子与氧原子等将多个芳香族环连结而成的多环芳香族化合物的特定位置(具体而言为邻位)上导入烷基，而提供适于电子输送材料的化合物，例如提供发光效率及元件寿命优异的有机EL元件。

摘要： 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。

摘要： 本发明的课题在于提供一种新颖的电子传输材料或电子注入材料、有机电场发光元件、显示装置及照明装置。通过提供利用硼原子与氧原子等将多个芳香族环连结而成的新颖的多环芳香族化合物，而增加有机EL元件用材料的选择项，另外，通过将新颖的多环芳香族化合物用作有机电场发光元件用材料，而提供优异的有机EL元件，由此解决所述课题。

摘要： 本发明公开了一种电子注入层用组合物、电子注入层、光电器件及显示装置，属于显示技术领域，该电子注入层用组合物包括Mg和LiF，其中，Mg和LiF的质量比为(1~9):(9~1)。本发明实施例提供的电子注入层用组合物，可用于制备光电器件的电子注入层，通过控制该电子注入层用组合物中各组分的比例及该电子注入层的厚度，可有效改善光电器件的效率和寿命，同时改善显示效果，减少发光区域因蒸镀过程中，杂质堆积产生的黑点等不良现象。

摘要： 本发明涉及一种包括空穴注入层和具有零价金属的电子注入层的有机电致发光器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极层、至少一个电子传输层、至少一个电子注入层、阴极层和发光层，其中发光层被布置在阳极层与阴极层之间，其中至少第一电子传输层和注入层被布置在发光层与阴极层之间，其中电子注入层被布置成与第一电子传输层直接接触，其中第一电子传输层被布置得更靠近阳极层并且电子注入层被布置得更靠近阴极层，其中至少第一电子传输层包含有机膦基质化合物和第一零价碱金属；并且电子注入层包含碱土金属和/或稀土金属的第二零价金属，和碱金属卤化物。