电子束曝光机

摘要： 通过对MEBES 4700S电子束曝光机不同图形曝光模式特性的比较和分析，得到其在160MHz和320MHz曝光像素频率和不同设计栅格尺寸下的适用范围，以利用MEBES 4700S 生产具有期望精度值图形的掩模版，达到最佳的制版效果。%Through the comparison and analysis for the features of pattern exposure modes of MEBES 4700S exposure device,the applicable range is obtained under 160MHz and 320MHz pixel-incrementing rates and different design grids consideration,in order to gain desirable pattern precision and the best effect of making photomask by means of MEBES 4700S.

摘要： 介绍了用于新型电子束曝光机的30 kV精密高压稳压电源。该电源系统采用了直接调整和间接调整相结合的双闭环调整方案,采用了集中补偿和分散补偿相结合的系统补偿方式,成功地解决了既有高静态精度又有高动态稳定性的问题。为了保证高精度、高稳定性和低纹波电压等技术指标的实现,采取了多项合理的特定电路设计。针对电源系统输出直流高压这一特点,对关键技术采取了针对性的切实有效的技术处理,从而满足了高压电源的高可靠性和长期高稳定性的性能要求。各项技术指标均达到或超过原设计要求。%This paper recommends a high precision regulated power supply with 30 kV high voltage.The regulated power supply provides for a new type electron beam lithograph system.This power supply system adopts design scheme of double closed loop regulation and design scheme of centvalized compensation combined with dispersed compensation.It has successfully resoved the problem of the high static accuracy and the high dynamic stability.In order to ensure high stability and low ripple voltage to achieve,this regulated power supply takes on some reasonable and specific ciruit design items.In accordance with the technical requirments of the high voltage regulated power supply,some key techniques of high voltage have been properly handle.All its performance indexes satisfy or exceed the original desigh requirements.

摘要： 为保证电子束曝光机用高压电源既有高静态精度,又有高动态稳定性,采用直接调整和间接调整相结合的复合调整方案,同时采用集中补偿和分散补偿相结合的复合补偿方案.为实现高压稳压电源系统的高精密、高稳定和低纹波电压等技术指标,采取了多项合理的特定电路设计和有效的技术处理措施.通过各项性能指标的测试和长期实际工作运行,证明各项技术指标均达到或超过原设计要求,保证了电子束曝光机的制版精度.%In order to ensure the high static accuracy and the high dynamic stability of high-voltage power supply used for elctron beam exposure apparatus, two schemes of compound regulation (in combination with direct regulation and indirect regulation) and compound compensation (in combination with centralized compensation and dispersed compensation) are a-dopted in the high-voltage powe supply. Some reasonable circuit design items and effective processing measures are used to guarantee the achievement of high stabiliy and the low ripple voltage. The testing of the performace indexes and the practical usage show that the power supply can satisfy the high precision requivements of the electron beam exposure apparatus. All of its performance indexes can reach or exceed the original design reqirements.

摘要： 介绍了电子束曝光技术的原理。根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法。重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与运动方向敏感性的关系以及读出装置信号处理方法。在此基础上,对研制的电子束曝光系统精密工件台进行了直线性和垂直性实验测试,其测量分辨率达到0.6nm,测量重复性精度达到±0.06μm,测量绝对误差达到0.011μm。结果表明,采用双频激光测量系统可确保工件台系统测量和定位准确性。

摘要： 为使亚微米电子束曝光机的高速偏放系统寻址率达到6 MHz,噪声小于200μV的技术指标,从偏转放大器的设计、信号传输、D/A转换和系统的屏蔽、隔离等几方面考虑,对噪声的产生进行分析研究,采取相应的处理措施、实现机制及实验结果,提出了具体的噪声抑制技术解决方法.进而可使整机系统的技术指标得到很好的提高和改进.这项研究对今后该项目的研制有一定的参考意义.

摘要： 以前的传输片机械手由于采用双浮动滑板结构来实现各个状态的定位,长时间使用易导致机械磨损、弹簧应力疲劳等,出现机械手碰撞片夹或抓不到片等现象,难以实现高精度、高可靠性的定位.研究中的传输片机械手采用卡尔登直线运动机构配合两根导向动轴以达到长期运行的稳定性及可靠性,克服了原传输片机构存在的上述问题,且动作过程有所简化,机构体积大大缩小,动作可靠性和准确度显著提高.介绍了传输片机械手的功能、组成及其结构设计,叙述了传输片机械手的动作原理和系统控制流程.

摘要： 回顾中国半导体设备的发展历史，可以说是“起步早、门类全、发展曲折”。所谓起步早，指的是从上世纪50年代中后期开始研制锗工艺半导体设备，60年代初中期自行制造我国第一条1Gz锗半导体三极管单机自动化生产线，60年代中期即研制了Φ35mm圆片、10μm线宽水平的硅平面工艺半导体设备；70年代末至80年代，我国就已研制了电子束曝光机、激光冗余修正仪、高能离子注入机、离子束外延设备、分子束外延设备、分步重复光刻机、超纯水处理系统等一批高水平的半导体设备。所谓门类全指的是从应用角度来讲，我国半导体设备涉及到集成电路、分立器件、高频功率器件、LCD、PDP、VFD、LED、太阳能电池、MEMS、电力电子器件、敏感器件、CCD、新型电子元件、光纤通信器件、光盘等各个领域；从产品品种角度来讲，

摘要： 介绍了nm级电子束曝光机激光定位精密工件台系统的结构组成、各部分技术措施及总体性能指标。该工件台采用HP5527激光干涉测量系统,测量分辨率达0.6nm,结构上成功将导向与承载分离,对承片台、机械手等进行重大创新。无论是整机性能还是关键技术单元均处于国内领先水平,是一台性能优良、高精度的电子束曝光机工件台。

摘要： 提出一种新型的电子束曝光数据格式,引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计,提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率,同时更便于对电子束曝光机的曝光控制.该设计已在电工所的科研项目"纳米级电子束曝光系统"中得到应用,被称之为EDF数据格式.

摘要： 为满足纳米级电子束曝光系统的要求,设计了高速图形发生器,该图形发生器包括硬件和软件两部分.硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描.通过图形发生器还可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正.配合精密定位的工件台和激光干涉仪,还可以实现曝光场的拼接和套刻.利用配套软件可以新建或导入通用格式的曝光图形,结果表明,该图形发生器能够与整个纳米级电子束曝光系统协调工作,刻画出纳米的图形.

摘要： 本文主要介绍基于扫描电子显微镜(SEM)纳米级实用化电子束曝光机系统的研究内容、主要技术指标及曝光工艺实验的结果.

摘要： 本文介绍了以CPLD(ComplexProgrammableLogicDevice,复杂可编程逻辑器件)和高精度数模转换芯片为核心器件构成的电子束曝光机定位误差实时补偿系统.着重讲述了使用CPLD对误差信号的变换过程、高精度D/A的使用.给出了Verilog程序源程序并讲述其处理过程.分析了本电子束曝光机定位误差实时补偿系统的特点.

摘要： 本文介绍了DB7亚微米电子束曝光机电定位系统的大面积、高密度印制电路板的设计,分析了在元器件布局、连线中的各种耦合干扰源,并提出相应的解决措施.

摘要： 可编程DSP芯片是一种具有特殊结构的微处理器,为了达到快速进行数字信号处理的目的,DSP芯片一般采用哈佛结构、流水线操作功能、单周期完成乘法的硬件乘法器、以及一套适合数字信号处理的指令集.由于DSP具有这样的特点,因此适合作为电子束曝光机图形发生器控制器.本文介绍了基于TMS320VC33DSP芯片的图形发生器控制器的研究.

摘要： 对于下一代曝光技术之一的电子束曝光技术,其性能很大程度上决定于电子光学系统,其中,偏转器的设计非常关键.针对基于JSM-35CF型扫描电镜的纳米级电子束曝光机,我们设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器.在设计中,我们用二阶有限元计算了八极静电偏转器的轴上场分布,结合具体电子光学系统对偏转器的激励强度、转角、及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差,结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.

摘要： 通过改进电子束曝光机图形控制器的硬件设计,使矢量扫描方式工作时S形扫描的图形各边的质量一致.

摘要： 本文重点介绍利用可变矩形束电子束曝光机精确制版中间掩模板或在硅片上直写图形时,如何通过校准子程序对电子束的形态及位置进行调整,使制版的精度要求得到保证.经过调整,使电子束扫描场的拼接精度和旋转精度获得明显提高,同时还可以对成型光阑的状况进行检测,并对成型光阑的旋转角度进行修正.

摘要： 本文主要论述0.1微米电子束曝光机实用化研究的内容.简介系统的组成及达到的主要性能指标.

摘要： 介绍扫描显像的基本原理,亚微米电子束曝光机对扫描显像系统的基本要求,扫描显像系统的基本组成部分和实现的功能.对今后扫描显像系统的设计提出了建议.

摘要： 本文主要介绍了高能电子束纳米曝光系统重点环节的研制方案,在部分研制工作完成的基础上,进行了初步曝光实验,并就其结果进行了理论分析.

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。本发明经过两次曝光处理，两次曝光的效果叠加避免了束斑拼接处由于能量不足导致的断点，使得整个图形均匀曝光。并且，不需要增加曝光剂量，能够保证较小的线条尺寸。

摘要： 本公开涉及一种孔径光阑系统、电子束曝光装置以及电子束曝光装置系统。一种电子束装置的孔径光阑系统，包括：多个孔径光阑板，所述多个孔径光阑板中的每个孔径光阑板包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括至少一个允许电子束穿过的通孔，所述第二区域设置在所述第一区域的外部并包括第一对准键和第二对准键，其中所述多个孔径光阑板中的两个光阑板包括布置在相互交叠的位置并且尺寸相同的所述第一对准键，所述多个孔径光阑板中的除所述两个孔径光阑板之外的孔径光阑板包括布置为与所述第一对准键交叠并且面积大于所述第一对准键的面积的所述第二对准键。

摘要： 在以连续的速度使被曝光物和电子束照射点相互相对地移动的电子束曝光方法中，通过使在所述被曝光物上形成所述电子束照射点的电子光学系统的透过率发生变化，使所述被曝光物以多个电子束照射强度曝光。

摘要： 限制散射角型电子束曝光方法,使用具有散射区的掩膜,并设置限制孔,以控制由所述掩膜散射通过的散射电子数量,根据通过掩膜的电子束内的电子散射角度的差别形成散射的反差,进行图案曝光;根据图案密度,通过改变掩膜散射区域的厚度,控制散射电子的散射角度,并调整通过限制孔的散射电子数量,利用通过所述限制孔的散射电子修正曝光,在图案曝光的同时执行邻近效应修正;还有用于这种方法的掩膜和电子束曝光系统。

摘要： 本发明涉及一种分段掩膜图案转印型电子束曝光方法,其中预定图案被分为多个分区,在每个所述分区形成分段图案,依次地对每个所述分区进行曝光,完成整个所述指定图案的投影;包括如下步骤;对分区执行曝光,并且在其上面转印分段图案,用各个所述分段图案的反转图案的散焦电子束对所述分段图案的每个投影区域执行纠正曝光,从而纠正由于图案曝光所造成的邻近效应。本发明可以容易地在光刻步骤中为邻近效应纠正进行纠正曝光调节。

摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版图图形是所述第一版图图形沿第一版图图形中的线条长度方向平移预设距离得到的。本发明经过两次曝光处理，两次曝光的效果叠加避免了束斑拼接处由于能量不足导致的断点，使得整个图形均匀曝光。并且，不需要增加曝光剂量，能够保证较小的线条尺寸。

摘要： 本申请提供了一种电子束偏转装置、扫描电子显微镜以及电子束曝光机，所述电子束偏转装置包括：壳体，具有电子束的入射端和出射端，所述入射端和所述出射端限定了所述电子束的传输通道；偏转组件，位于在所述壳体内，且围绕所述传输通道设置；电子束通过孔，位于所述入射端，且与所述传输通道连通，用于限定进入所述传输通道的电子束的尺寸。本申请提出的电子束偏转装置，可以减少偏轴电子对电子束束斑尺寸的影响。

摘要： 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。

摘要： 本申请提供了一种电子束偏转装置、扫描电子显微镜以及电子束曝光机，所述电子束偏转装置包括：壳体，具有电子束的入射端和出射端，所述入射端和所述出射端限定了所述电子束的传输通道；偏转组件，位于在所述壳体内，且围绕所述传输通道设置；电子束通过孔，位于所述入射端，且与所述传输通道连通，用于限定进入所述传输通道的电子束的尺寸。本申请提出的电子束偏转装置，可以减少偏轴电子对电子束束斑尺寸的影响。

摘要： 本发明公开了一种电子束曝光机用电子束静电偏转器控制系统及方法。本发明采用主控制器、静电偏转信号控制器和静电偏转信号发生器，实现了静电偏转器的系统控制，采用层级控制关系，通过层级的控制信号传递控制参数，系统采用统一的通讯协议和接口，用户可仅掌握顶层控制命令即可实现系统操控；静电偏转信号发生器中信号的线性放大增益可调，使得系统功能设计和性能调整具有很大的自由度；此外，系统在控制参数作用下，将原始的扫描信号实时转化生成为静电偏转器各个偏转电极上施加所需的高压偏转信号，保证了扫描信号生成速度，实现了各个偏转电极上高压偏转信号的系统控制。