电子态

摘要： 纵观历史,人类对材料的认知不断推动着社会的进步和发展,这方面在过去一个多世纪对材料电学性质的研究上体现得尤为显著.我们可以将材料粗略地分为金属、半导体、绝缘体,也可以分为超导、非超导、磁性、非磁性等.不难发现,所有这些性质都源于同一种微观粒子:电子.随着研究的深入,科学家们开始期待在一种材料中能实现以上多种甚至所有可能的电子态.最近,以二维体系为代表的低维体系研究向我们展示了实现这一愿景的可能性.

摘要： 近几年来,单原子材料的研究呈现爆发式增长,已然成为材料科学和催化领域的明星材料和研究热点。然而,单原子材料作为拥有最大化原子利用率和超高本征活性的负载型催化材料,由于载体结构的复杂性,精确表征活性位点的配位结构、空间构型以及电子态分布等精细结构仍然是一项挑战。在原子尺度上对活性位点进行识别将为揭示各种电催化活性位点的结构-活性/选择性关系和机理奠定基础。

摘要： 应用B3LYP方法和6-311G(d,p)、6-311++G(d,p)、cc-pVTZ基组对全部(共6种)氯代乙烯阳离子进行了理论研究,优化了它们的电子基态的结构,计算了各自对应分子的垂直电离势(VIP)和绝热电离势(AIP).结果表明,与具有非平面结构的乙烯阳离子不同,六种氯代乙烯阳离子均为平面构型.与分子结构相比,离子的C—Cl键缩短,C=C键增长.计算的各个分子的VIP和AIP与实验值符合的很好.

摘要： 本文将椭圆形量子围栏作为二维无限深势阱来处理,找出能够恰当地描述电子势能的势能函数,并用定态薛定谔方程求解出围栏内电子的波函数及其概率密度,并给出椭圆形量子围栏的通解。

摘要： 在概述掺杂石墨烯的特性基础上,概括了掺杂石墨烯的制备方法,简单介绍了掺杂石墨烯的能源设备的应用,旨在为进一步合理设计改性掺杂石墨烯提供有益参考.

摘要： 电子态和声子模是半导体超晶格的基础和前提，通常来讲，半导体超晶格能够有效地控制并影响低维物理体系，是以“分子外延”和“能带工程”为基础的人工材料，拥有较强的微电子和光电子应用前景，早在上世纪末、半导体超晶格便能够有效地将器件、材料及物理有机地融合起来，成为半导体领域最为活跃的研究课题，本文以宏观的角度出发，探析并明确半导体超晶格的电子态与声子模的理论研究内涵，明确半导体超晶格的理论应用价值，进而为我国各项半导体超晶格实验及研究提供条件，奠定基础。

摘要： 一、引言为了提高光催化剂的催化效率,人们采用了多种方法对纳米TiO2进行改性,其中制备具有缺陷的还原型二氧化钛(黑色TiO2-x)使其具有高表面积是一种有效的方法。TiO2基体中的内在缺陷例如氧空位(V0)和Ti3+已被证明能够触发TiO2的可见光活性。陈等人已经报道了TiO2纳米颗粒的氢热处理可以在表面附近产生无定形层,形成有缺陷的黑色TiO2纳米颗粒。这种有缺陷的黑色TiO2纳米颗粒在光催化制氢反应中表现出优异的光活性和稳定性。理论计算表明,高空位浓度可能导致电子态的空位带低于导带,将带隙缩小到1.0 eV。除了其光学和电子性质外,有缺陷的TiO2的性能在很大程度上还取决于其形态和结构性质,如表面积,粒度和孔结构。

摘要： 理论研究了不同初始态对H2+电离以及高次谐波辐射的影响.结果表明,在单态模型下,电离几率和谐波辐射效率会随着H2+初始振动态或者初始电子态的增大而增强;在双态模型下,电离几率和谐波辐射效率会随着高振动态或者高电子态布局增大而增强.

摘要： In graphene, the strained effect and defects have abundant research values.First, for strained graphene, the energy gap appears under strain effect.We find single vacancy in strained graphene will induce a localized zero mode.The energies of the localized zero mode will split when two vacancies become close, and the energy gap can be used to measure the effective transition between the two vacancies.In addition, considering parent's electron interaction, there exists an effective Hubbard interaction between two electrons on a localized state.Based on these results, the zero modes induced by vacancies in strained graphene form Hubbard model.Therefore, the strained graphene is a potential platform for quantum simulating of Hubbard model.%石墨烯中的拉伸效应和杂质效应都有着丰富的研究价值.首先,通过拉伸可以使石墨烯的能谱出现能隙.在拉伸的石墨烯中引入单个空位缺陷时,可以在能隙中诱导出局域的零能隙间态.当引入2个空位缺陷时,零能隙间态会发生能级劈裂,能级劈裂的大小可以用来衡量2个缺陷之间有效的跃迁.另外,在考虑母体电子相互作用的情况下,缺陷诱导的零能局域态存在有效的在位哈伯德相互作用,其大小与局域态的局域程度有关.基于该性质,在拉伸石墨烯中引入缺陷阵列时,缺陷所诱导的零模之间形成有效的哈伯德模型,因此,具有缺陷阵列的拉伸石墨烯可以作为一个平台对哈伯德模型进行量子模拟.

摘要： 碳化硅具有优良的物理和化学性质,但是由于间接带隙的特点,其发光效率较低,因此对它发光特性的研究一直较少。对3C-SiC材料,人们相信当它的尺寸小到接近其玻尔半径(约2.7纳米)时,量子限制效应会凸现出来,从而使得发光波长可在紫蓝光范围内可调,可弥补多孔硅在发光波段上的不足。2005年,采用多晶3C-SiC靶材电化学腐蚀加随后在一些溶剂特别是在水溶液中的超声震荡,获得了尺寸在1-7纳米的3C-SiC悬浮液,量子限制效应导致其发光波长在420-540纳米范围内可调,且发光效率可达15％,可同一些常见的半导体发光材料相比拟。但是当尺寸变小时,表面的键合结构对颗粒的电子态产生了明显的影响,使在溶液中有可调谐蓝光发射的3C-SiC颗粒制成固体薄膜时,发光波长失去了原来的尺寸依赖关系且发光强度明显减弱,难以获得可调谐的蓝光发射。2007年，采用简单的微米尺度的颗粒在HN03和HF溶液中化学腐蚀加超声震荡的办法，制备了尺寸在1-8纳米的3C-SiC纳米颗粒。通过对不同pH值溶液中3C-SiC纳米颗粒的光致发光谱的研究，发现室温下碳终端的表面是疏水的，碳化硅颗粒表面会形成不同数量的-H和-OH键。有这样表面的碳化硅颗粒不仅展现了强的量子限制效应(带带复合)的发光，其波长在蓝光范围内可调，而且还展现了由-H和-OH键引起的表面态的发光，其波长在绿光范围。这是第一次从原子/分子的层次清晰地展示了3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的起源。随后选择了有三个强负电性-OH键的丙三醇分子作为表面钝化剂，通过理论计算和实验探索，实现了在3C-SiC纳米颗粒表面构筑稳定的几层甚至是单层的丙三醇分子键合层，在将其制成固体薄膜后，实现了强可调谐蓝光发射。把有丙三醇分子表面钝化的3C-SiC颗粒和多孔硅制成固体复合薄膜，可调谐发光波长可扩展到360-750纳米范围，覆盖了整个可见光波段。鉴于3C-SiC纳米颗粒表面水的裂解效应，进一步展示了其作为电化学阴极材料，实现了高效的氢气的制备。

摘要： 本文报道了用密度函数理论计算Ge电子态的方法和结果.我们用密度函数理论处理电子-电子相互作用,用赝势理论处理了电子-电子核相互作用,加上超原胞使理论可处理非周期几何的构型,使计算成为可能.同时在程序中使用重复循环计算最小化技术,可以弛豫原子的位置,使计算更为精确.通过以上方法成功计算出了Ge电子态结构.

摘要： 采用mp2/aug-cc-pvdz方法对Ar分子离子的部分电子态的结构进行了abinitio计算，得到Ar分子离子较低的几个电子态为X∑、A∏、B∏u、C∑g，其中除基态X∑u为束缚态，A∏为弱结合分子外，另两个态均为排斥态。在mp2/aug-cc-pvdz水平上，X∑态的平衡键长为R=0.24969nm，离解能D=1.13eV，谐振频率ω=287.169cm。转动常数Be=0.138cm。A∏态的平稳键长为R=0.313nm，离解能D=0.086eV，谐振频率ω=95.765cm，转动常数B=0.0861cm。并用最小二乘法拟合得到了其分析势能函数。

摘要： 采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体米晶体，利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下，在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应，即光学常数的变化随光子能量呈现周期性变化的特征，大小与外加电场的平方成线性关系。

摘要： 采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体米晶体，利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下，在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应，即光学常数的变化随光子能量呈现周期性变化的特征，大小与外加电场的平方成线性关系。

摘要： 采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体米晶体，利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下，在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应，即光学常数的变化随光子能量呈现周期性变化的特征，大小与外加电场的平方成线性关系。

摘要： 采用两部退火方法生长了镶嵌在玻璃中的CdSeS半导体米晶体，利用分光光度仪和电调制光谱研究了纳米晶体的光吸收及电场作用下的电光响应。在直流偏置方波电场的调制下，在非共振区域观察到CdSeS纳米晶体的电光响应，即光学常数的变化随光子能量呈现周期性变化的特征，大小与外加电场的平方成线性关系。

摘要： 一种在发光态‑透光态‑阻光态‑反光态间相互转化的刚性/柔性可粘贴智能窗及其制备方法，属于电致发光技术领域。为五层结构，第一层为具有第一透明电极的第一透明基底，第一透明电极作为电致发光器件层的阳极；第二层为电致发光器件层；第三层为中间透明共电极层，作为电致发光器件层的阴极和电致变色器件层的阳极；第四层为电致变色器件层；第五层为具有第二透明电极的第二透明基底，第二透明电极作为电致变色器件层的阴极。该智能窗可以集自然光透过、保温隔热、室内照明、隐私保护等多种功能于一身，有望取代现有的窗帘、壁灯、化妆镜等传统室内设施。本发明可以很好地调节区域的光照强度，还可以控制区域温度，起到节能环保作用。

摘要： 本发明提供一种用户态队列自旋锁生成方法、装置、电子设备及存储介质，属于计算机技术领域，所述方法包括：将内核态下用户态不支持的宏定义函数配置为用户态下的接口函数，并配置最大CPU核数的第一宏定义函数和最大节点数的第二宏定义函数；配置分配及释放队列自旋锁的队列节点的操作函数，并配置队列节点的计算规则；队列节点是基于目标二维数组中的CPU核ID和CPU核上的节点ID确定的；配置队列节点的链表尾指针加解密规则；基于上述用户态下的接口函数、操作函数、计算规则及链表尾指针加解密规则，生成用户态下的队列自旋锁。本发明可以大大提升高并发高互斥场景下用户态自旋锁的性能。

摘要： 一种在发光态‑透光态‑阻光态‑反光态间相互转化的刚性/柔性可粘贴智能窗及其制备方法，属于电致发光技术领域。为五层结构，第一层为具有第一透明电极的第一透明基底，其中第一透明电极作为电致发光器件层的阳极；第二层为电致发光器件层；第三层为中间透明共电极层，作为电致发光器件层的阴极和电致变色器件层的阳极；第四层为电致变色器件层；第五层为具有第二透明电极的第二透明基底，第二透明电极作为电致变色器件层的阴极。该智能窗可以集自然光透过、保温隔热、室内照明、隐私保护等多种功能于一身，有望取代现有的窗帘、壁灯、化妆镜等传统室内设施。本发明一方面可以很好地调节区域的光照强度，另一方面可以控制区域温度，起到节能环保作用。

摘要： 本发明涉及一种玻璃态液晶性环氧树脂的制造方法，其具备将液晶性环氧树脂冷却而使其转变为玻璃状态的工序。

摘要： 本发明实施例涉及皮肤管理领域，公开了一种皮肤本态数据库的构建方法、电子设备及存储介质，通过采集志愿者皮肤本态的样本数据；对样本数据进行统计，得到按不同维度统计的样本统计数据；对样本数据采用描述性统计分析方法，或进一步包括如下至少一种数据分析方法进行处理，得到样本分析数据：差异性分析方法、相关性分析方法和数学模型分析方法；将所述样本数据、所述样本统计数据和所述样本分析数据存储到预先搭建的数据库中，生成皮肤本态数据库。本方案能够利用构建的皮肤本态数据库，管理较为丰富的与皮肤本态相关的综合数据。

摘要： 本发明提供了一种三态内容存储寻址器及电子设备，涉及计算机技术领域。其中，包括控制单元、交换单元、比较单元，以及至少两个存储单元，每个存储单元与交换单元连接，比较单元与交换单元连接，控制单元接收查询请求后，根据查询请求确定对应的至少一个目标存储单元并向交换单元发送连接信号，交换单元可以根据连接信号在比较单元与目标存储单元之间建立查询连接，基于该查询连接存储单元可以向比较单元提供查询数据，比较单元可以从查询数据中进行查询，获得查询结果，在控制单元控制下，交换单元可以根据查询请求选择性连接比较单元与存储单元，无需为每个存储单元配置一个比较电路，空间占用小、工艺成本低，还降低工作热量、耗能，延长寿命。

摘要： 本申请实施例提供了一种登录态同步方法、装置、电子设备及计算机存储介质，包括：获取第一应用系统的登录态标识，并在登录态标识表征目标用户已登录第一应用系统的情况下，执行将从第一应用系统获得的登录态标识设置在第二应用系统的域名或主域名下的第一操作；和/或在登录态标识表征目标用户已登出第一应用系统的情况下，执行将第二应用系统的域名或主域名下的登录态标识移除或设置为空值的第二操作。据此，本申请可在无需借由第三方系统进行中间校验的情况下，实现不同域名下的系统登录态同步。

摘要： 本发明涉及一种高三线态能级激子限域/电子传输材料及其制备方法与应用。本发明所述的激子限域/电子传输材料在螺芴的3、6位连接，具有较高的三线态能级(≥2.8eV)，有利于三线态激子的限域与阻挡；三联吡啶配合螺芴的N原子取代，有利于增加电子传输能力；该材料的整个分子成非平面结构，避免分子间聚集和相互作用，该材料具有很好的热稳定性，玻璃化转变温度超过180°C。使用该材料制成的器件发光效率提高显著。

摘要： 本申请涉及叶轮机技术领域，公开一种冷态叶片模型的生成方法、电子设备及存储介质。其中，冷态叶片模型的生成方法包括以下步骤：将叶片的热态气动模型的有限元点与热态强度模型的有限元点之间建立映射关系，根据映射关系以及热态强度模型的有限元点在冷热状态下的变化量，计算得到热态气动模型的有限元点在冷热状态下的变化量；将热态气动模型的有限元点与热态气动模型的有限元点在冷热状态下的变化量叠加，以得到有序的冷态叶片模型。通过本申请的方法，可以得到由有序点组成的冷态叶片模型。并且，本申请的冷态叶片模型生成方法，操作简单，成功率高，对冷态叶型有限元杂乱点的分布规则要求很低，得到的叶型尖部与根部的准确性较好。

摘要： 本实用新型公开了一种电子开关开态和断态供电电路，包括串接于火线和零线之间的开关主回路，在主回路中顺序联接有负载LOAD、半导体开关Q1，以及与半导体开关Q1联接的控制电路，在半导体开关Q1与控制电路之间联接有电子开关开态和断态控制部分供电电路，所述的半导体开关Q1为交流开关、能实现电流触发或电压触发或光信号触发的双向晶闸管或双向可控硅或光控双向可控硅。本实用新型电路具有负载功率扩充简单，只需选择不同功率的半导体开关即可完成；整流电路选用成本低的整流器桥，流过的电流小，几乎不发热、且可靠性高；断态功耗极低，特别适合控制节能灯的电子开关；电路实现简单、经济适用。