生长结果

摘要： 以基砧为八棱海棠,中间砧为SH40、冀砧1号和冀砧2号的“信浓红”苹果树为试材,研究了“信浓红”嫁接在3种矮化中间砧上的生长结果表现。结果表明,3种砧穗组合的树高、行间枝展均无显著差异,SH40中间砧干径增长较慢;冀砧2号中心干主枝数增长较快,3种砧穗组合的枝类组成无显著差异;短枝比例均在50.0%~55.0%之间,中枝比例在8.0%~10.0%之间,长枝比例在35.0%~40.0%之间。SH40和冀砧2号短枝比例最高,为54.0%;冀砧1号中枝比例最高为10.0%;半成品苗栽植第5年单株产量达11.45 kg,显著高于SH40和冀砧1号。3个砧穗组合单果质量、硬度无显著差异,冀砧1号可溶性固形物和苹果酸含量最低。综合分析认为,以SH40、冀砧1号和冀砧2号为中间砧时,“信浓红”树体生长结果表现均较好。以冀砧2号做中间砧,初期产量高,结果表现更优。

摘要： 以‘鸡冠’בSH40’杂交后代作砧木嫁接‘天红2号’红富士苹果为试材,通过调查红富士树体的树高、干径、分枝、开花情况、果实品质等性状指标,分析‘鸡冠’בSH40’杂交后代作砧木对红富士苹果生长结果的影响。结果表明:‘天红2号’红富士苹果树体生长性状和果实性状均存在不同程度的分离,且变幅较大。树高变幅为165~430 cm,主要分布在301~400 cm;干径变幅为23.72~98.98 mm,主要分布在60.00~79.99 mm;主枝数量变幅为4~44,主要分布在21~35;单果质量变幅为134.0~266.1 g,主要分布在160.1~220.0 g;可溶性固形物含量变幅为11.83%~21.28%,主要分布在13.00%~13.99%;苹果酸含量变幅为0.13%~0.54%,主要分布在0.20%~0.34%。与对照相比,砧木34号和54号对红富士苹果树体致矮效果较好,果实品质略高于对照,可作为重点材料进一步研究。

摘要： 试验以'晨香'蜜光'阳光玫瑰'甜蜜蓝宝石'浪漫红颜'5个鲜食葡萄品种为试材,在日光温室和塑料大棚内开展设施鲜食葡萄高干水平棚架架形培养,调查当年的生长情况和第2年的结果情况,以评价这些品种对设施高干水平棚架模式的适应性.结果表明,5个品种的生长势均较强,当年新梢生长量达到455～540 cm,水平蔓木质化长度达到155～210 cm,地径或嫁接口粗度达到在1.38～1.85 cm.其中4个品种的成活率较高,'甜蜜蓝宝石'晨香'蜜光'阳光玫瑰'的成活率均在95％以上,'浪漫红颜'成活率为70％.定植后第2年,优质果率均在80％以上.

摘要： [目的]研究无花果适宜的整枝方式.[方法]以波姬红为试验材料,采用丛生形、单臂一字形、双臂一字形3种不同整枝树形,研究不同株形对无花果生长结果性状的影响.[结果]由于3种树形不同,枝条组成及果实数量存在差异,单株产量表现为单臂一字形>丛生形>双臂一字形.[结论]单臂一字形树体结构更为合理,营养贮存与运输更为均衡,单果重增加是产量提高的重要因素.

摘要： 为了对'映霜红'健康安全桃果生产合理施用有机肥提供科学依据,作者在生长季节追肥一致的基础上,设计空白、2000、2700、3200 kg/666.7 m24个有机肥施用量处理,测定桃树生长结果及土壤养分含量的变化,探索有机肥施用量对桃生长结果及土壤养分含量变化的影响.结果表明,随着连续施用有机肥及有机肥施用量的增加,土壤养分含量增加,桃树生长量、桃果产量、品质显著提升,进一步增大有机肥量,桃果产量、品质差异不显著.建议当地五六年生桃树采果后施用腐熟有机肥2700 kg/666.7 m2.

摘要： 本文就仁用杏(龙王帽)喷施FA—旱地龙对生长结果效应进行了研究.结果表明:叶面喷施FA—旱地龙,有效地调控了气孔开张度,提高了叶片组织含水量.促进了仁用杏的营养生长,新梢长度、粗度,叶片厚度明显增加.有效地促进了干物质积累,鲜果产量、出仁率有所提高.但对单仁重、脂肪含时无明显影响.其中,以喷施二次的800mg/L、1200mg/L效果优于单次喷施.

摘要： 对感染混合潜稳性病毒的富士、金冠苹果树进行发生理生化及生长结果指标检测，并与脱除病毒的同品种树作了比较。结果发现，在生理生化方面：病毒树内含物质GA、CTK、IAA、RNA和蛋白质含量降低，DNA含量升高；总光合强度及净光合强度下降，呼吸强度升高。在生长结果方面：病毒树生长量包括树高、干径、冠径和一年生枝长充减弱，坐果率和产量降低；果实的可溶性因形物、总糖、还原糖及Ca、Fe、Mn含量下降。

摘要： 研究设施栽培中树形对幼树光截获能力和生长结果的影响。以一、二年生油桃沪油004为试材,设计4种树形、在生长季节用不同浓度梯度的多效唑树冠叶面喷施处理的方法。(1)树形对冠层消光系数(K)的影响表现为主干形>Y形>开心形>十字形,十字形和开心形叶面积指数(LAI)之间无明显差异,但都稍高于主干形而极显著大于Y形；冠层光直接辐射透过系数(Tr)和光散射辐射投过系数(TDP)的大小Y形>开心形>十字形>主干形。(2)多效唑处理后,幼树单株平均果实数和平均单果重均表现为主干形多于Y形,而多效唑处理每667m2平均产量则以主干形较高。设施栽培中采用主干形,树冠形成早期光截获能力较高。多效唑对不同树形的生长结果均产生一定的影响。

摘要： 本文介绍了黄金梨在湖北宣恩的表现,包括植物学特征、果实性状、生长结果习性和物候期;并介绍了优质高效栽培技术。

摘要： 本文对赵县范庄园艺场黄金梨、大果水晶梨进行了叶片、新梢、果实生长发育的观察,结果表明,叶片生长高峰为4月9日至4月15日;新梢生长高峰为4月6日至4月30日;果实体积增长高峰为4月15日至4月25日.在叶片生长高峰前约两周进行追肥灌水,可促使叶片加厚和叶面积增加,促进新梢及叶片生长.由于果实迅速增大期又是花芽大量分化期,因此,在此之前约15d进行追肥灌水,可为果实发育提供良好的营养条件。

摘要： 本文介绍了绿宝石梨在辛集的栽培表现及高接优质丰产技术。 　　绿宝石是郑州果树研究所培育出的优质早熟梨新品种,由新世纪和早酥杂交而成,2002年春天作为授粉品种,通过高接引入试验园。高接后第二年亩产量为17 650kg,亩收入2 540元;2004年亩产达到2 750kg,亩收入达8 400元,好果率达90％;2005年亩产量3 150kg,亩收入8 200元,好果率70％左右。2005年产量比上年有所增加,但由于没有用网架绑缚枝条,春天风大,枝条长,枝磨叶扫严重,好果率比上年有所下降,总收入与去年持平。通过连续三年的试验观察,该品种生长结果表现良好,不仅早熟,而且优质、丰产、抗病,经济效益好于主栽品种黄金和黄冠。

摘要： 本文介绍了黄冠梨在甘肃景泰的表现,包括生长结果习性、果实性状、物候期;同时介绍了黄冠梨在本地的丰产优质栽培技术。

摘要： 秋季结合有机肥加施锌铁肥、硼砂,可有效促进黑奥林葡萄树体生长和果实发育,并可大大减轻黄化和落花落果现象的发生.

摘要： 一种生长诱导系统，其为了抑制在每个生长阶段添加细胞因子的成本而诱导生长，包括：向源自生物体的生长诱导对象灌注培养液的第一培养槽；向分泌细胞因子的分泌体灌注培养液的第二培养槽；和具有检测部、存储部和控制部的生长诱导控制装置，其中，存储规定生长诱导步骤的生长诱导方案，在控制部中，经由检测部检测生长诱导对象的生长状况，基于生长诱导方案，根据生长诱导对象的生长状况，控制将含有分泌体所分泌的细胞因子的培养液供给至生长诱导对象的流量。

摘要： 本发明提出了一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法。该生长设备设置温度控制系统和后加热系统；温度控制系统通过加热功率实现对加热系统的稳定控制；后加热系统为在熔融坩埚上端设置后加热金属片；保温系统为在熔融坩埚上端设置多重刚玉保温罩，籽晶提拉夹杆贯穿于后加热金属片与多重保温罩；就生长方法而言，升温过程中，在较低的温度下，加热功率维持较长的时间；结合籽晶夹杆的提拉速度、温度场的设计以及生长过程中不同状态下对降温速率进行调整；后期确定了最佳的热处理温度的升温、恒温和降温的方法。本发明涉及的生长设备以及其生长方法能够提供一种高质量、大尺寸的YVO4晶体。

摘要： 本发明提供了一种用于半导体晶棒生长的导流筒、生长装置及生长方法，涉及半导体材料制备技术领域。该导流筒由导流筒本体以及设置在所述导流筒本体外表面的硅涂层构成，其中，主要由高纯硅材料制成的硅涂层表面粗糙度较现有的碳化硅涂层有明显降低，表面平整致密，对于光热反射率较高，可减少导流筒对于光热的吸收，降低光热损失；同时硅的导热系数明显低于碳化硅的导热系数，故在导流筒本体表面设置硅涂层，可有效减少在半导体晶棒拉制过程的热量损失，有利于热场内温度的保持，同时降低半导体晶棒生长功率，达到了节能降耗的目的，可大幅度降低单晶拉制的生产成本。本发明还提供一种半导体晶棒生长装置，包括上述导流筒。

摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置，所述碳化硅单晶生长用坩埚包括：第一坩埚主体；第一盖体，设置于所述第一坩埚主体上；第二坩埚主体，设置于所述第一坩埚主体内，并与所述第一盖体形成一容纳腔；第二盖体，位于所述容纳腔内，将所述容纳腔形成相对设置的原料腔和生长腔；原料容纳部，位于原料腔内；所述第二坩埚主体、第二盖体，原料容纳部之间的孔隙率不同。根据本发明提供的碳化硅单晶生长用坩埚是设计和优化温度场的有利工具，能够有效改善优化生长腔室内部的温度场分布，提高碳化硅单晶的质量。

摘要： 一种生长诱导系统，其为了抑制在每个生长阶段添加细胞因子的成本而诱导生长，包括：向源自生物体的生长诱导对象灌注培养液的第一培养槽；向分泌细胞因子的分泌体灌注培养液的第二培养槽；和具有检测部、存储部和控制部的生长诱导控制装置，其中，存储规定生长诱导步骤的生长诱导方案，在控制部中，经由检测部检测生长诱导对象的生长状况，基于生长诱导方案，根据生长诱导对象的生长状况，控制将含有分泌体所分泌的细胞因子的培养液供给至生长诱导对象的流量。

摘要： 本发明提出了一种引上法生长YVO4晶体的生长设备及基于该生长设备的生长方法。该生长设备设置温度控制系统和后加热系统；温度控制系统通过加热功率实现对加热系统的稳定控制；后加热系统为在熔融坩埚上端设置后加热金属片；保温系统为在熔融坩埚上端设置多重刚玉保温罩，籽晶提拉夹杆贯穿于后加热金属片与多重保温罩；就生长方法而言，升温过程中，在较低的温度下，加热功率维持较长的时间；结合籽晶夹杆的提拉速度、温度场的设计以及生长过程中不同状态下对降温速率进行调整；后期确定了最佳的热处理温度的升温、恒温和降温的方法。本发明涉及的生长设备以及其生长方法能够提供一种高质量、大尺寸的YVO4晶体。

摘要： 本发明提供了一种液相生长氮化铝的生长结构及生长方法，包括底部带有氮化铝籽晶的石墨棒、碳化钽多孔过滤网以及碳化钽坩埚和碳化钛坩埚构成的复合嵌套坩埚；其中，所述复合嵌套坩埚放置在石墨发热坩埚中；所述碳化钽坩埚嵌套在所述碳化钛坩埚内，二者嵌套空隙中填入氮化铝料源；所述碳化钽多孔过滤网包括盖板和焊接下沉过滤网，二者之间通过多条碳化钽支撑柱连接，所述盖板上设置有供所述石墨棒通过的圆孔。本发明通过在坩埚夹层中加热氮化铝粉末并通过籽晶轴中心通入高温裂解氮，使得籽晶在近液面进行生长；生长过程中变换高温位置和生长气氛生长高质量氮化铝单晶；从而解决了高温下高速生长带来的多型、杂晶、液相包裹物等问题。

摘要： 本申请提供一种用于单晶硅棒生长的导流装置、生长设备及单晶硅棒生长的方法，涉及单晶硅棒生长技术领域。导流装置包括主导流筒和可拆卸地安装于主导流筒内侧的辅助导流筒；主导流筒具有第一内侧壁，辅助导流筒具有第一外侧壁，第一外侧壁能够与第一内侧壁的至少部分接触，以限制辅助导流筒与主导流筒在主导流筒的高度方向的相对运动；辅助导流筒具有第二内侧壁，第一外侧壁与第一内侧壁的至少部分接触时，第二内侧壁限定出用于单晶硅棒生长的通道，通道的内径小于主导流筒的内径。其无需采用多个不同尺寸的导流筒来满足不同目标直径单晶硅棒的生长，能够节约成本。

摘要： 本发明提供能够提高生长诊断模型的精度的生长诊断系统、生长诊断服务器以及生长诊断方法。生长诊断系统(10)的偏离判定部(83)将由生长诊断模型计算出的作物(502)的生长状态值即推定生长状态值与基于由摄像机(120)获取到的场圃(500)或作物(502)的图像计算出的作物(502)的生长状态值即检测生长状态值进行比较。模型修正部(84)根据偏离判定部的比较结果来修正生长诊断模型。

摘要： 本发明涉及一种植物生长促进剂的制造方法、植物生长促进剂及植物生长促进方法。所述植物生长促进剂的制造方法包含准备修饰蓝细菌的步骤(步骤S01)，所述修饰蓝细菌的在蓝细菌中参与外膜(5)与细胞壁(4)的结合的蛋白的功能受到抑制或丧失；以及使所述修饰蓝细菌分泌参与植物的生长促进的分泌物的步骤(步骤S02)。