片式电容器

摘要： 10月10日,南昌市科技局下发《关于批复2022年南昌市工程技术研究中心、南昌市重点实验室组建名单的通知》,我校薛飞博士团队申报并获批组建“南昌市新型电子元器件与传感技术重点实验室”。据悉,南昌市新型电子元器件与传感技术重点实验室的成立,将重点研发微型化、多层片式电容器和小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件,并构建多层次联合创新体系,加大关键共性技术、前沿引领技术、现代工程技术研发力度,搭建产学研用紧密结合的协同创新和成果转化平台,形成差异化发展,为助推南昌市电子信息产业的高质量发展贡献力量。

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新系列vPoly Tan?表面贴装聚合物钽模塑片式电容器——T50系列电容器,在高温高湿条件下具有可靠性能。Vishay Polytech T50系列电容器采用牢固设计改进密封性,提高恶劣环境保护能力。器件可在+125°C高温下工作,在85°C、相对湿度85%条件下,经过500小时温湿度偏压(THB)测试,是工业、国防、航空航天和边缘计算应用等恶劣环境去耦、平滑和滤波电容的理想选择。

摘要： Vishay宣布,公司扩充其T55系列vPolyTan表面贴装聚合物钽模塑片式电容器,新增D外形(EIA 7343-31)尺寸器件,一位数ESR值由9 m?降至7 m?,6 m?的ESR值器件正在开发中。发布的电容器保留以前较大外型尺寸,一位数ESR值比D外型尺寸典型值低3 m?至5 m?。从而有助于降低压降、提高频率响应.

摘要： Vishay宣布,公司已扩充其T55系列vPolyTan表面贴装聚合物钢模塑片式电容器,新增加Z外形(EIA7343-19)尺寸器件。日前发布的Vishay Polytech电容器高度比标准V外形(EIA 7343-20)尺寸器件低0.1 mm,提高了封装密度,可用于设计更薄的成品。

摘要： 新系列vPolyTan多阳极聚合物表面贴装片式电容器T59提高了体积效率，可用于计算、通信和工业应用。T59系列使用了聚合物钽材料技术和Vishay专有的多阵列封装（MAP），具有超高的电容密度，并保持了一流的EsR性能。

摘要： VitramonVJ HIFREQHT系列是用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器（MLCC），其工作温度范围可以达到＋200°C。

摘要： ViShay宣布，推出能在大多数极端的汽车条件下工作的新系列汽车级轴向引线多层陶瓷片式电容器（MLCC）…K…H系列“HOTcap”器件。VishayBCcomponentsK…H系列“HOTcap”器件的工作温度可达＋175°C，

摘要： Vishay宣布,推出新系列vPoly Tan多阳极聚合物表面贴装片式电容器---T59。该电容器提高了体积效率,可用于计算、通信和工业应用。T59系列使用了聚合物钽材料技术和Vishay拥有专利的多阵列封装,具有业内最高的电容密度,并保持了一流的ESR性能。

摘要： Vishay Vitramon HV High Voltage系列是适用于高压工业和通信应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器（SMDMLCC），其可靠性高于标准器件，采用鲁棒性的串行电极设计，电压范围扩展到5kV，有1812到2225共4种标准EIA尺寸。新推出的MLCC具有更高的击穿电压，能提高碰到电压尖峰时的可靠性，串行电极设计降低了因机械裂纹导致的短路风险。

摘要： Vishay宣布,推出新系列vPoly Tan多阳极聚合物表面贴装片式电容器---T59。该电容器提高了体积效率,可用于计算、通信和工业应用。T59系列使用了聚合物钽材料技术和Vishay拥有专利的多阵列封装,具有业内最高的电容密度,并保持了一流的ESR性能。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 本发明公开了一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器，该钽芯子阴极的制备方法包括：包括：配制4～8组比重为1.0g/cm3～2.3g/cm3的硝酸锰溶液，每组硝酸锰溶液的比重均不相同，且在比重为1.5g/cm3～1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂；将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1～5次，每浸渍一次，立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解，形成空心状二氧化锰阴极层。本发明制备方法制备的片式钽电容器用钽芯子，形成有空心状二氧化锰结构的阴极层，有助于提高片式钽电容器用钽芯子的稳定性及可靠性；同时使片式钽电容器用钽芯子具有了超低等效串联电阻(ESR)。

摘要： 本发明涉及一种片式多层陶瓷电容器的封端浆料、片式多层陶瓷电容器及其制备方法。一种片式多层陶瓷电容器的封端浆料，按照质量百分含量包括如下组分：50％～70％的银、10％～30％的环氧树脂、10％～20％的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5％～10％的无水乙醇。上述片式多层陶瓷电容器的封端浆料能够制备出具有较好的抗弯曲能力的片式多层陶瓷电容器。

摘要： 本发明公开了一种片式钽电容器用钽芯子及其阴极的制备方法和片式钽电容器，该钽芯子阴极的制备方法包括：包括：配制4～8组比重为1.0g/cm3～2.3g/cm3的硝酸锰溶液，每组硝酸锰溶液的比重均不相同，且在比重为1.5g/cm3～1.9g/cm3的硝酸锰溶液中添加非离子型表面活性剂；将阳极钽芯在每组硝酸锰溶液中连续浸渍1～5次，每浸渍一次，立即将浸渍后的钽芯进行高温水汽热分解，形成空心状二氧化锰阴极层。本发明制备方法制备的片式钽电容器用钽芯子，形成有空心状二氧化锰结构的阴极层，有助于提高片式钽电容器用钽芯子的稳定性及可靠性；同时使片式钽电容器用钽芯子具有了超低等效串联电阻(ESR)。

摘要： 本发明涉及一种片式高压铝电解电容器用电解液及其制备方法与片式高压铝电解电容器，该片式高压铝电解电容器用电解液按质量百分比包括如下组分：主溶剂38.5％～77.2％；辅助溶剂10％～20％；溶质5％～25％；防腐剂2.5％～5％；高温稳定剂5％～10％；消氢剂0.2％～1％及防水合剂0.1％～0.5％。溶质选自质量百分数为20％的2-正己基己二酸铵的乙二醇溶液、异癸二酸铵、丁基辛二酸、2-正已基乙二酸铵、癸二酸铵、癸二酸、壬二酸氢铵、壬二酸铵及五硼酸铵中的至少一种；高温稳定剂选自聚乙烯醇、聚乙烯醇缩乙醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇丁二酸脂及对氨基苯磺酸中的至少一种，其耐高温性能较好。

摘要： 本发明涉及一种片式多层陶瓷电容器的封端浆料、片式多层陶瓷电容器及其制备方法。一种片式多层陶瓷电容器的封端浆料，按照质量百分含量包括如下组分：50％～70％的银、10％～30％的环氧树脂、10％～20％的聚乙烯醇缩丁醛树脂及5％～10％的无水乙醇。上述片式多层陶瓷电容器的封端浆料能够制备出具有较好的抗弯曲能力的片式多层陶瓷电容器。

摘要： 本发明以不引起其金属粉末实际体积的减少和电连接恶化地，制造在烧结阀作用金属粉末形成的阳极芯体上形成电介质膜、固体电解质层、阴极侧电极膜而构成的电容器元件为课题。通过将阳极芯体的一个端面，通过导电性粘接剂可剥离地粘接到金属板的表面上，以这种状态，在上述阳极芯体上依次形成电介质膜、固体电解质膜、阴极侧电极膜，从而制成电容器元件，然后将该电容器元件从上述金属板上剥离、分离，以此解决上述课题。

摘要： 本实用新型公开了一种贴片式钽电容器装配工装，包括用以安装引线框架的下工装，所述下工装设有加工槽，所述下工装上侧盖设有用以固定引线框架的压盖，所述压盖设有与所述加工槽延伸方向相同的凹槽。本实用新型还公开了一种贴片式钽电容器。上述贴片式钽电容器装配工装通过结合现有点焊设备工装的特点，在原有的工装基础上加装压盖锁紧，充分保障引线框架在点焊过程中的牢靠固定。

摘要： 本实用新型涉及一种改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器，涉及新型片式固体电解质电容器制造技术领域。改善片式钽电容器失效模式的组合结构包括引线框架本体、固定于框架本体的基板、以及电路组件，引线框架本体设有阳极焊片和阴极焊片，电路组件的正极与阳极焊片连接，电路组件的负极与阴极焊片连接，电路组件包括至少两个电路并联设置于基板的电路单元，每个电路单元包括电路串联的钽芯和熔断器。改善片式钽电容器失效模式的组合结构及片式钽电容器能够提高了单只钽芯子抗外界和内在因素造成失效带来整机失效的容量损失和损伤周边元器件及整机停止工作的安全性。

摘要： 本发明提供了一种多层片式电容器，该电容器包括内部电极以及垂直于内部电极形成的外部电极，从而降低了寄生电容，并获得了无并联谐振频率的效果。此外，该MLCC具有电容器结构，其提供了沿电容器体中介电层的堆叠方向形成的第一表面和第二表面作为顶面和底面。因此，在具有相同尺寸的薄型电容器中，增加了内部电极层的数量，从而降低了ESR和ESL。此外，可很容易地制造嵌有MLCC的PCB。

摘要： 本发明提供了一种多层片式电容器，该电容器包括内部电极以及垂直于内部电极形成的外部电极，从而降低了寄生电容，并获得了无并联谐振频率的效果。此外，该MLCC具有电容器结构，其提供了沿电容器体中介电层的堆叠方向形成的第一表面和第二表面作为顶面和底面。因此，在具有相同尺寸的薄型电容器中，增加了内部电极层的数量，从而降低了ESR和ESL。此外，可很容易地制造嵌有MLCC的PCB。