焊料
焊料的相关文献在1985年到2023年内共计3917篇,主要集中在金属学与金属工艺、无线电电子学、电信技术、化学工业
等领域,其中期刊论文362篇、会议论文19篇、专利文献3536篇;相关期刊192种,包括中国电子商情·通信市场、大众商务、现代材料动态等;
相关会议18种,包括第九届河南省汽车工程技术学术研讨会、2010中国高端SMT学术会议、第十五届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会等;焊料的相关文献由5665位作者贡献,包括戴长虹、川崎浩由、贺会军等。
焊料
-研究学者
- 戴长虹
- 川崎浩由
- 贺会军
- 胡强
- 苏明斌
- 张富文
- 上岛稔
- 吉川俊策
- 何繁丽
- 严孝钏
- 王志刚
- 马鑫
- 刘永长
- 徐骏
- 苏传猛
- 陈旭
- 周健
- 大西司
- 杜昆
- 苏传港
- 顾小龙
- 相马大辅
- 西村哲郎
- 李明
- 佐藤勇
- 吴建新
- 蔡科彪
- 川又勇司
- 黄守友
- 六本木贵弘
- 朱学新
- 薛烽
- 徐金华
- 李银娥
- 余黎明
- 刘希学
- 尚建库
- 晏弘
- 熊华平
- 肖勇
- 赵朝辉
- 陈钦
- 鹤田加一
- 吴建雄
- 王大勇
- 冼爱平
- 周继扣
- 堺丈和
- 安宁
- 庄司孝志
-
-
A.MALEKAN;
S.E.MIRSALEHI;
M.FARVIZI;
N.SAITO;
K.NAKASHIMA
-
-
摘要:
研究不同焊料厚度(20,35,50,65,100μm)和保温时间(5,20,80,320,640 min)下Hastelloy-X样品的瞬间液相(Transient liquid phase,TLP)连接,以获得最优连接参数。电子探针显微分析(EPMA)和电子背散射衍射(EBSD)显微组织分析表明,非热凝固区(ASZ)中心的共晶相为Ni_(3)B、Ni_(2)Si和CrB,扩散影响区(DAZ)形成MoB、CrB_(2)和Mo_(2)B_(5)析出相。结果表明,减小焊料厚度、增加保温时间有助于完成等温凝固、降低DAZ中析出相的密度,这使接头性能更加均匀。随着保温时间的增加,硼和硅的扩散距离变长,导致DAZ中富Cr硼化物消除,并在接头界面形成富Mo硅化物。随着保温时间的延长,ASZ和DAZ中脆性相的消除导致其硬度降低,使得接头区域的硬度分布更加均匀。最优连接参数为:金属焊料厚35μm,保温时间640 min。
-
-
-
马艳艳;
赵鹤然;
田爱民;
康敏;
李莉莹;
曹丽华
-
-
摘要:
高可靠集成电路多采用AuSn20焊料完成密封,在熔焊过程中焊缝区域往往产生密封空洞,这对电路的气密性和盖板焊接强度产生影响,从而造成可靠性隐患.介绍了 AuSn20焊料密封陶瓷外壳的过程,阐述了两种从不同方向制样和观察密封空洞的方法,列举了环状空洞、扇形空洞、气泡状空洞等几种典型空洞,并阐述了这几种空洞的微观形貌、形成机理及抑制措施.
-
-
马艳艳;
赵鹤然;
康敏;
李莉莹;
曹丽华
-
-
摘要:
AuSn20焊料环是高可靠密封工艺中一种常用的密封材料,采用差示扫描量热法对进口AuSn20焊料环进行熔化和凝固温度的检测,探明其熔化温度为280°C,凝固温度为277°C,AuSn20焊料环纯度很高几乎无杂质.通过对进口和国产AuSn20焊料环的表面状态形貌进行对比,发现均为AuSn和Au5Sn的均匀分布状态,未见明显区别.采用进口AuSn20焊料密封电路,通过研磨、抛光等步骤,制备了焊缝区域截面,并观察了截面微观形貌,通过能谱分析探测了截面上的元素成分,结合金锡二元相图,确定共晶反应后焊缝区域化合物以AuSn和Au5Sn为主,同时观察到管壳、盖板与焊料环界面上形成了(Ni,Au)3Sn2,并进一步推演了AuSn20焊料密封反应过程.
-
-
黄小光;
张典豪;
叶贵根
-
-
摘要:
焊料良好的力学行为是微电子芯片高可靠性的重要保证.在交变温度载荷作用下,焊料层的蠕变特性往往直接决定电子芯片的使用寿命.因此开展焊料蠕变行为测试,了解电子芯片热疲劳失效机理是力学专业学生理解并应用力学理论解决工程实际问题的有效尝试.该文结合国家新旧能源转换背景,研发了一组芯片焊料蠕变测试与损伤检测平台,开展了SnAgCu焊料蠕变性能及微电子功率模块的热疲劳失效行为研究,为工科学生创造了良好的创新型实践条件.教学实践结果表明,此次实验有助于学生掌握材料蠕变行为的检测原理、过程以及在微电子芯片热疲劳评估中的应用,加深了学生对专业知识在工程实际应用的认识,提升了学生的学习兴趣.
-
-
刘洪涛
-
-
摘要:
金锡焊料熔封作为典型的高可靠气密封装方式,广泛应用于航空航天、船舶舰艇、导弹雷达、装甲坦克等装备系统器件.鉴于金锡焊料环对成分和质量有严格的控制要求,在实际应用中会由于管壳、盖板母材及其镀层的参与造成对共晶点的偏离,得到更为复杂的焊接状态.为深入剖析封装机理、提高封装质量,对影响共晶界面形貌最为重要的温度因素展开研究.设定不同峰值温度,通过扫描焊接样品截面,观察界面化合物状态和分布,研究密封过程中工艺参数对封焊区微观形貌的影响,得到焊缝厚度、树枝晶化合物厚度、Ni元素扩散距离等界面状态随峰值温度变化的趋势,为进一步提高金锡焊料熔封可靠性提供理论参考.
-
-
吴文辉
-
-
摘要:
随着高温半导体SiC、GaN功率器件不断增加和对其寿命要求的提高,器件需承受500°C以上的工作温度,同时电子元器件在封装技术和组装技术上的多层级工艺温度控制需求,都对互连材料提出了更严苛的要求.传统高温互连材料(主要包含高铅焊料和金基焊料)因钎焊温度高和固相线温度低已不能满足高温应力环境要求.介绍了瞬态液相烧结(Transient Liquid Phase Sintering,TLPS)的原理,从TLPS不同体系的制备、烧结工艺和性能、可靠性研究进行综述,提出TLPS研究过程中存在的问题,并对TLPS技术发展做出展望.
-
-
刘璇;
徐红艳;
李红;
徐菊;
Hodúlová Erika;
Kova(r)íková Ingrid
-
-
摘要:
功率半导体由于其工作电压高、电流大、放热量大等特点,已逐渐向小型化、高致密化发展.新一代宽禁带半导体器件因其优异的性能可以提高工作温度和功率密度,展现出较好的应用前景,这对与之匹配的电力封装材料提出了更高的要求.随着工作温度的不断升高,高温环境下失稳和运行环境不稳定等安全问题亟需解决,对功率半导体芯片封装接头的高温可靠性提出了更高的要求.且由于污染严重的高铅焊料不满足环保要求,高温无铅焊料的研制与对相应连接技术的研究成为当前的研究重点.瞬态液相扩散连接(Transient liquid phase bonding,TLP bonding)技术通过在低温下焊接形成耐高温金属间化合物接头,以满足"低温连接,高温服役"的要求,在新一代功率半导体的耐高温封装方面有良好的应用前景.针对TLP技术的耐高温封装材料有Sn基、In基和Bi基等.目前TLP连接材料主要有片层状、焊膏与焊片三种形态.其中片层状TLP焊料应用最早,且国内外对于其连接机理、接头性能和可靠性已有较为成熟的研究.近些年开发的基于复合粉末的焊膏与焊片形态TLP焊料具有相对较高的反应效率,但仍需大量理论与实验研究来验证其工业应用前景.本文综述了TLP连接用Sn基与In基焊料的特点,重点阐述了不同形态焊料在TLP连接机理、接头微观组织、力学性能与结构可靠性等方面的国内外研究现状及进展,并且认为接头中缺陷问题的研究以及不同服役条件下物相转化机制和接头失效机理的研究对高可靠性接头的制备具有重要意义.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
黄晖;
王秋良
- 《第七届全国超导学术研讨会》
| 2003年
-
摘要:
钎焊连接是Bi2223/Ag高温超导带材实际应用最多的连接工艺,包括焊接温度、焊料和中间层设计等工艺环节.本文首先对PIT工艺制备的Bi2223/Ag高温超导带材开展了热处理温度-Ic影响试验,通过实验筛选出适合Bi系带材的焊接加热温度.用Sn96CuAg、Sn60PbAg、Sn60PbSb等三种焊料进行了Bi2223/Ag高温超导带材钎焊实验,研究了钎焊工艺对焊接接头低温电阻影响,建立焊接接头电阻数学表达公式,并利用数学模型讨论了焊接中间层设计优化问题.
-
-