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激基复合物

激基复合物的相关文献在1992年到2022年内共计122篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学、物理学 等领域,其中期刊论文68篇、会议论文2篇、专利文献1470423篇;相关期刊34种,包括吉林师范大学学报(自然科学版)、太原理工大学学报、发光学报等; 相关会议2种,包括2005年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会暨第九次全国高分子液晶态与超分子有序结构学术论文报告会、第四届全国配位化学会议等;激基复合物的相关文献由325位作者贡献,包括李文连、初蓓、段春波等。

激基复合物—发文量

期刊论文>

论文:68 占比:0.00%

会议论文>

论文:2 占比:0.00%

专利文献>

论文:1470423 占比:100.00%

总计:1470493篇

激基复合物—发文趋势图

激基复合物

-研究学者

  • 李文连
  • 初蓓
  • 段春波
  • 许辉
  • 韩春苗
  • 吕昭月
  • 张志林
  • 朱文清
  • 熊祖洪
  • 蒋雪茵
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 刘宇; 檀笑风; 陈迁; 戴雷; 肖文平; 霍延平
    • 摘要: 为了获得低驱动电压、长寿命和高光效的有机电致发光二极管(OLED),本文介绍了一系列基于1,3,5-三嗪和7,7-二甲基-5,7-二氢茚并[2,1-b]咔唑的新型n型磷光主体材料DTRz、DBTRz和DCNTRz。首先,对它们的电化学性质、光物理性能及热稳定性进行研究,并进行密度泛函理论(DFT)计算。实验与计算分析结果表明:DTRz、DBTRz和DCNTRz具有较高的三线态能级(2.83,2.71,2.72 eV),较高的分解温度(411,499,419oC),随后与P型主体NBPBC(1∶1)混合后对其光致发光光谱进行研究,并以此为基础,以Pt(BBP)为客体掺杂剂进行了器件制备。器件结果分析表明,DCNTRz∶NBPBC为基础的器件的启动电压为2.1 V,最高外量子效率达14.3%,最大亮度达221589 cd·m^(-2),在1000 cd·m^(-2)下电流效率最高达46.5 cd·A^(-1),最大功率效率达45.7 lm·W^(-1)。特别是在4000 cd·m^(-2)下器件寿命(LT95)达282 h,比以DTRz∶NBPBC为基础的器件的寿命提高了54%,实现了同时具备低启动电压、高寿命和高光效等优越性能的绿光OLED。
    • 宁亚茹; 赵茜; 汤仙童; 陈敬; 吴凤娇; 贾伟尧; 陈晓莉; 熊祖洪
    • 摘要: 本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL).发现室温下m CBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing, ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与m CBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当m CBP:PO-T2T质量比从1∶4到1∶1再到4∶1时,器件中的RISC过程越来越强,这是由于器件更趋平衡有利于RISC过程的结果.当以两种激基复合物为主体掺入TBRb荧光客体材料,在m CBP:PO-T2T为主体的器件中得到了更高的外量子效率.本工作为制备高效率激基复合物发光器件提供了实验和理论参考.
    • 王超; 李向峰; 刘泽美; 赵波
    • 摘要: 将蓝光激基复合物mCP∶PO-T2T和磷光超薄层结合,分别制备了基于Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)结构的双色互补色和基于Ir(ppy)_(3)(~0.5 nm)/mCP∶PO-T2T/Ir(pq)_(2)acac(~0.5 nm)结构的三基色非掺杂白光有机发光二极管(White organic light emitting diodes,WOLED),以探索超薄层在激基复合物中的应用。所制备的双色互补色WOLED,其最大电流效率、功率效率和外量子效率分别为46.1 cd/A、43.9 lm/W和22.2%,而三基色WOLED所实现的最大电流效率、功率效率和外量子效率分别为66.8 cd/A、63.5 lm/W和24.2%。研究分析表明,从高能的蓝光激基复合物发光层向两侧低能的红光和绿光磷光超薄层有效的能量传递是实现非掺杂WOLED高效率的原因。
    • 王超; 李向峰; 刘泽美; 赵波
    • 摘要: 将蓝光激基复合物mCP:PO-T2T作为主体材料应用在有机发光二极管中,通过对掺杂剂Ir(pq)_(2)acac浓度的优化,实现了激基复合物到掺杂剂完全的或不完全的能量传递,获得了高效率的单色红光和白光有机发光二极管。所得基于激基复合物主体的红光器件最高外量子效率为21%,相比于传统CBP单主体红光器件提高了44%;降低掺杂浓度,利用激基复合物主体和掺杂剂之间的不完全能量传递,实现激基复合物主体和掺杂剂的同时发光,获得了最高电流效率、功率效率和外量子效率分别为41.2 cd/A、43.1 lm/W和19.5%的白光有机发光二极管。研究表明,这种基于激基复合物主体的器件结构中无势垒的电荷注入、平衡的电荷传输和复合以及高的三重态激子利用率是器件高效率实现的原因。
    • 徐汀
    • 摘要: 碳基有机半导体光电器件,特别是有机发光二级管(OLED),易于从分子层级进行调控设计,近年来已经逐步实现产业化。由于OLED元器件所制造的产品价格较为昂贵,以及OLED器件的结构和制备工艺复杂且使用寿命不够长和效能还有待提高,因此研究如何能够降低能耗、简化结构、提高稳定性,对于推广OLED器件具有重要意义。综述了3类新型OLED器件结构,即超薄发光体OLED、叠层OLED和激基复合物主体OLED的研究进展,并对不同结构的特点和优劣势进行了分析总结,这对推动器件结构研发和科研思路启发起到积极作用。
    • 周林箭; 管胜婕; 曾俊杰; 张勇
    • 摘要: 在本研究工作中,向PVK材料中掺入了与其能级结构相似的小分子材料BCPO,形成PVK:BCPO混合发光层.与纯PVK发光层相比,PVK:BCPO混合发光层的电子传输能力大大改善.一方面,发光层中电子与空穴两种载流子的传输更加平衡,并使得器件的内电阻大大减小.另一方面,发光层/电子传输层界面附近的电荷堆积明显减弱,激基复合物发光被显著抑制,器件的紫光发光效率得到有效提高.
    • 董贺; 朱龙山; 刘思驿; 袁曦; 华杰
    • 摘要: 利用电子传输型受体分子PO-T2T分别与空穴传输型给体分子mCP、TAPC实现蓝光混合型激基复合物及红光界面型激基复合物的构建,并通过调节给体TAPC薄层位置制备了无需发光染料、结构简单、光谱稳定的高效白色有机电致发光器件.器件的发光亮度超过14000 cd/m2,最大电流效率、外量子效率分别为17.7 cd/A、6.3%.当电压由5 V增加到10 V时,器件的电致发光光谱稳定,CIE仅从(0.368,0.458)变为(0.368,0.449).这些结果表明,应用全激基复合物发光、无发光染料的结构,对实现发射光谱稳定、简化器件结构和提高WOLEDs效率都具有显著作用.
    • 林武滔
    • 摘要: 针对激基复合物(exciplex)给体/受体结构往往比较复杂、制备成本高、二者完全分离造成三线态激子利用率不佳的问题,本研究选择乙烯基修饰的三苯基三嗪单元作为电子受体单元,分别与电子给体单元10-苯基-10H-吩噻嗪(P-TZ))和3,6-二叔丁基-9-苯基咔唑(B-CZ)进行组合形成Exciplex,并通过研究该系列化合物的吸收发射性能,综合分析该类激基复合物的发光行为,为激基复合物的设计提供理论依据.
    • 赵源; 吕昭月; 邓鉴; 曾国庆
    • 摘要: 研究了传统荧光材料香豆素C545T在激基复合物3DTAPBP/TPBi和非激基复合物CBP/TPBi体系中发光机制,器件结构为ITO/MoO3/3DTAPBP/C545T/TPBi/LiF/Al和ITO/MoO3/CBP/C545T/TPBi/LiF/Al.3DTAPBP,CBP和TPBi分别是有机材料2,2'-Bis(3-(N,N-di-p-tolylamino)phenyl)biphenyl,4,4'-bis(N-carbazolyl)-2,2'-biphenyl,1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene的简称.薄膜3DTAPBP,CBP和TPBi的光致发光峰分别为415,411和380 nm;异质结薄膜3DTAPBP/TPBi的光致发光光谱有两个发光峰:412和490 nm,412 nm的峰可认为是3DTAPBP的发光,但490 nm的发光既不来自3DTAPBP,也不来自TPBi,是3DTAPBP与TPBi界面形成激基复合物产生的发光;而异质结薄膜CBP/T PBi的光致发光光谱表现为CBP和T PBi发光的叠加,未产生新的发光峰,因此CBP/T PBi界面不能形成激基复合物.把C545T插入激基复合物3DTAPBP/TPBi和非激基复合物CBP/TPBi界面,器件的电致发光光谱表明发光主要来自C545T.器件中,C545T与其两侧的材料相互扩散,形成掺杂体系,即C545T与3DTAPBP、TPBi,或与CBP、TPBi形成掺杂体系,掺杂体系中客体发光机制通常有两种:主体与客体之间的能量传递和客体直接捕获载流子形成激子发光.在激基复合物3DTAPBP/TPBi体系中,主体3DTAPBP/TPBi的发光涵盖了客体C545T的激发光谱,光谱重叠面积大,且器件的电流密度-电压曲线几乎不随C545T厚度(浓度)的增加而变化,因此发光机制主要是来自3DTAPBP/TPBi与C545T之间的能量传递.而在非激基复合物CBP/TPBi体系中,主体CBP/TPBi的发光与客体C545T的激发光谱重叠面积相对较小,能量传递较弱,同时器件的电流密度-电压曲线随C545T厚度(浓度)的增加向高电压方向移动,说明C545T捕获载流子复合发光,使得C545T越厚驱动电压越高,因此非激基复合物体系中,C545T发光机制以直接捕获载流子为主.
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