激光驱动器
激光驱动器的相关文献在1981年到2022年内共计212篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、原子能技术
等领域,其中期刊论文83篇、会议论文18篇、专利文献3299952篇;相关期刊57种,包括东南大学学报(自然科学版)、电子元器件应用、光机电信息等;
相关会议16种,包括第四届全国脉冲功率会议、第六届数字化柔性装配技术论坛、TAEI2009(教育部中南地区高等学校电子电气基础课教学研究会第19届学术年会)等;激光驱动器的相关文献由376位作者贡献,包括蒋湘、王志功、周华等。
激光驱动器—发文量
专利文献>
论文:3299952篇
占比:100.00%
总计:3300053篇
激光驱动器
-研究学者
- 蒋湘
- 王志功
- 周华
- 林永辉
- 朱启华
- 胡东霞
- 代万俊
- 冯军
- 姜培
- 彭月平
- 景峰
- 王丽芳
- 郑万国
- 陈伟
- 向勇
- 吕凤年
- 朱恩
- 李连鸣
- 王文义
- 王欢
- 袁晓东
- 赵军普
- 邓学伟
- 魏晓峰
- 乔庐峰
- 刘光中
- 卓盛龙
- 叶亚琴
- 周维
- 姚世平
- 姚洪涛
- 张学治
- 张小民
- 徐建
- 朱海东
- 李洲强
- 杜明鲜
- 林叶
- 熊明珍
- 王鹏霞
- 罗欢
- 范滇元
- 袁强
- 陈莹梅
- 雷恺
- 顾皋蔚
- 黄立
- A·费尔戈里弗
- B·A·哈维
- B·R·唐
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徐明毅
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摘要:
本文总结了当前实现可控核聚变的各种途径。激光惯性约束核聚变具有驱动器和反应器分离,结构简单,易于控制的优势,可望用于火箭推进。本文设想了激光聚变推进器的主要构造,聚变靶丸的形状及构成,概括了其中的工程技术难点,并展望了人类利用月球聚变材料探索深空的远大前景。
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赵莉
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摘要:
随着光传输在国内外军事上作为一项顶尖技术的快速发展,所需求的光系统出现近喷施增长,其中光模块作为光纤传输系统中的"心脏",其各项指标决定了传输系统的整体性能.本文阐述了2.5Gbps速率光模块的工作原理,解析了部分电路的设计,介绍了光模块的调试过程.
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摘要:
欧司朗光电半导体日前宣布,已经推出了一款用于激光雷达系统的超高速激光驱动器,该激光驱动器采用了高功率多通道表面贴装(SMT)激光器。欧司朗联合氮化镓功率开关半导体领先开发商GaN Systems开发了上述设备。双方表示这种设备能够实现更长距离和更高分辨率的激光雷达架构。欧司朗已将SPL DS90A_3脉冲纳米级激光二极管芯片的峰值功率提高到120W。此外,欧司朗还计划在2019年推出四通道SMT激光器。其中每个通道能产生120W的功率。
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谢兴龙
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摘要:
惯性约束核聚变是获取聚变能的一种可能途径,随着更大型激光驱动器的建成,正在探索点火点附近的各种物理过程和实现点火的方式,以期未来可以实现真正的聚变点火,同时大型激光驱动器也推动了高能密度物理研究的发展,实验结果表明,当前惯性约束核聚变研究正处于困难和机遇共存的阶段,本文对惯性约束核聚变以及大型激光驱动器的发展历程进行回顾,并对实验的结果进行简单综述.
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朱铁柱;
莫太山;
叶甜春
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摘要:
设计了一款应用于无源光网络(PON)的突发模式激光驱动器及其双环功率控制电路.提出一种电荷补偿和动态偏置电路,减小了激光驱动器电流上升和下降时间,提高了输出电流能力;提出一种双环功率控制的反馈电路,解决了平均功率和消光比随温度变化的问题.基于0.18μm RF CMOS工艺完成流片,激光驱动器芯片面积为1600μm×800μm.测试结果表明,激光驱动器的输出偏置电流和调制电流分别可达90 mA.激光驱动器突发响应开启时间小于2 ns,关断时间小于1 ns,发送数据速率高达2.5 Gbit/s,抖动大小为41 ps.激光驱动器输出平均光功率稳定性为±0.26 dB,消光比稳定性为±1 dB.该激光驱动器满足了PON系统对激光器的输出功率和稳定性要求.%A burst-mode laser diode driver (LDD) with dual-loop power control circuit was designed for the passive optical network (PON) applications. The charge compensation and dynamic bias circuit was employed to reduce the rising and falling time of the output current and enlarge the output current capability. A dual-loop power control feedback circuit was proposed to avoid the variations of average power and the extinction ratio with temperature. The proposed laser diode driver was implemented in a 0.18μm RF CMOS technology and the chip area was 1600μm ×800μm. Experiment results show that the output bias current and the modulating current can reach 90 mA. The burst-on time of the LDD is less than 2 ns and the burst-off time is less than 1 ns with 2.5 Gbit/s data transmitting rate and 41 ps magnitude. The average power stability and the extinction ratio stability of the LDD is ±0.26 dB and ±1 dB, respectively. The proposed LDD meets the needs of the optical power and stability of the laser for PONs.
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潘彦君;
孙向明;
黄光明;
叶竞波;
龚达涛;
董业民;
杨文伟;
杨苹
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摘要:
介绍了一种低功耗高速垂直腔表面发射激光器(VCSEL)驱动器的设计。该芯片设计使用国产0.13μm SOI CMOS工艺,能提供6~8mA可调调制电流及4~7mA可调偏置电流。驱动电路采用多级级联放大并结合无源电感并联峰化技术,用以拓展带宽。测试结果表明,该电路在1.2V单电源工作电压下,最高工作速率可达5Gbit/s,总功耗仅为48mW。
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栾晓雨;
罗欢;
陈静;
黎沁
- 《中国职业安全健康协会2017年学术年会》
| 2017年
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摘要:
对于大型激光驱动器的安全运行维护而言,实时安全管理和预先安全管理是两种非常重要的安全管理模式,本文从实际遇到的问题出发,提出了利用数字化技术实现大实时三维安全管理应用方案;同时,将数字化技术引入作业前安全分析和在建实验室安全规划评估中,数字化技术的应用有效提高了作业效率,最大化消除了全流程存在的安全隐患.
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Chen Ying-Mei;
陈莹梅;
Zhang Yu-Nan;
张玉楠;
Wang Peng-xia;
王鹏霞
- 《全国第17次光纤通信暨第18届集成光学学术会议》
| 2015年
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摘要:
给出了一种采用IBM0.13μm BiCMOS工艺实现的用于40Gb/s激光驱动器和光接收机前端放大器芯片设计.其中激光驱动器电路主要由输入缓冲级、预放大级和输出级电路组成,预防大级电路采用串联电阻负反馈结构,输出级电路加入预加重结构来扩展带宽.光接收机前端放大器由跨阻前置放大器和限幅放大器构成,跨阻放大器采用改进型RGC结构,限幅放大器采用三级Cherry-Hooper级联结构.测试结果表明:激光驱动器和光接收机前端放大器可以工作在40Gb/s的速率等级,激光驱动器输出调制电流大于7mA,光接收机前端放大器单端输出摆幅为183.2mV,电源电压为3.3V时,功耗分别为195mW和120mW.
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罗欢;
熊召;
周海;
曹庭分;
袁晓东;
刘长春;
叶海仙
- 《第六届数字化柔性装配技术论坛》
| 2014年
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摘要:
激光驱动器具有规模大,零件多,洁净、精度要求高,部分装配空间狭小的特征,由此其数字化装配仿真验证所面临的难点与关键点也不一样.以靶场变形镜安装工艺仿真验证为例,详细介绍了基于delmia软件平台激光驱动器数字化装配仿真验证的三大关键技术—顺序装配仿真建模技术、增强仿真建模技术、不同工位仿真验证的快速扩展技术,实现了对工艺、工装详细的仿真验证,丰富了工艺仿真验证的内涵,并以此为基础,针对驱动器的特点,实现了不同工位仿真验证的快速扩展.
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- 《全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议》
| 2008年
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摘要:
采用Jazz 0.35um SiGe BiCMOS工艺设计2路并行LDD,其工作频率为3.318Gb/s,采用电容交叉耦合技术拓展带宽,可同时驱动2路激光器.采用隔离技术,降低通路之间的干扰,后仿真结果表明该驱动器可提供调制电流20~90mA,阈值电流0~30mA.
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陈伟;
蒋湘;
杜明鲜;
王丽芳
- 《第五届中国通信集成电路技术与应用研讨会》
| 2007年
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摘要:
本文中介绍了一种速率为1.25Gbit/s的激光二极管驱动器的设计。为了保持工作中的稳定平均输出功率和恒定消光比,采用了温度补偿电路和自动功率控制电路。介绍了调制主通道的结构和其他功能模块的结构和实现原理,并介绍了部分电路和仿真结果。芯片采用0.35μm BiCMOS工艺实现,实测结果表明在+3.3V供电电压,1.25Gbit/s速率下,电路输出眼图清晰,可以提供5~85mA调制电流。可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。