溅射靶材

摘要： 宁波江丰电子材料股份有限公司于2005年创办,专注于半导体材料领域金属材料及溅射靶材的技术攻关与开发生产。近年来,公司一直坚持科技创新,成效显著。大力引育天下英才建设人才活力迸发的科技创新领跑企业人才是科技创新的主体。为响应中央人才工作会议提出的“下大气力全方位培养、引进、用好人才”的战略要求,在浙江省及宁波市的支持下,江丰电子目前已集聚国家、省重点人才计划专家17人。公司打造了一支百余名高层次人才组成的创新雁阵,并荣获省领军型创新创业团队。

摘要： 本文采取一次热压烧结和二次热等静压烧结相结合,研究了烧结温度和压力对超高纯钨坯体(纯度99.9995%)的致密化行为。提高烧结温度和压力显著改善钨坯体的致密度,在1850°C、200MPa二次热等静压烧结中钨坯体的致密度达100%。钨坯体晶粒尺寸主要取决于烧结温度,而与烧结压力无明显相关性。据此优化出两阶段烧结工艺并制备出近全致密高纯钨靶材,其致密度达97%,晶粒尺寸19.43μm,达到面向12英寸晶圆用先进制程的技术需求。

摘要： 溅射靶材是半导体芯片的配线材料。采用5NAl和TU1-Cu分别作为溅射靶材的复层和基层材料,通过爆炸复合法实现焊接结合,通过渗透和探伤检测有无爆炸缺陷,金相分析爆炸前后的组织变化,硬度分析爆炸前后的硬度变化,粘结强度分析结合质量。结果表明,爆炸焊接后除起爆点外,结合质量良好。5NAl板材作为复层,爆炸焊接后边缘部位减薄严重;爆炸焊接后5NAl板材与TU1-Cu板材之间存在明显的爆炸波纹,爆炸焊接前后组织无明显变化;爆炸焊接后5NAl板材与TU1-Cu板材离界面较近的母材硬度较大,随着距离的增大,硬度趋于原始态的硬度;爆炸焊接后结合强度大于70 MPa。爆炸焊接法制备的溅射靶材可以满足后续加工及使用要求。

摘要： 氧化物靶材是一种关键性镀膜基材,主要用于磁控溅射制备TFT薄膜,并将其应用于晶体管等器件中透明电极、半导体沟道层,同时也广泛应用于显示面板领域。为满足高性能器件对薄膜的要求,氧化物靶材逐渐向高致密、大尺寸、异形化方向发展。以显示行业中氧化物靶材作为重点,介绍了氧化物靶材制备流程,主要从素坯成型、烧结工艺两个角度对氧化物靶材进行总结,分析了烧结工艺对靶材参数与溅射薄膜电阻率、光学透射率及粗糙度等方面的影响,最后阐述了国内外氧化物靶材市场的现状及发展趋势。

摘要： 本文从专利分布和技术布局的角度出发,以高纯溅射靶材为主题,在全球专利数据库中采用关键词、国际专利分类号,对全球专利申请进行了检索,得到相关的文献数据,而后利用手工筛选相应文献数据,通过研究分析揭示了高纯溅射靶材全球专利申请状况及其技术进展。

摘要： 采用感应等离子技术对喷涂靶材用钽粉进行球化处理,以不规则冶金级钽粉为实验原料,研究了等离子气体流量、等离子功率、载气流量和送粉速率对钽粉球化率的影响。使用扫描电子显微镜(SEM)对粉末形貌进行表征,并采用Image J软件图像处理与分析方法进行粉末球化率测试。结果表明,感应等离子工艺参数的变化可以显著改变粉体球化率,当使用气体流量适当增加、等离子功率增加、载气流量适当降低、送粉速率降低时有利于粉末化率的提高,当优选的球化工艺为氢气流量PG3、等离子功率15 kW、载气流量CG3、送粉速率FR2时,可得到高品质球形钽粉。

摘要： 溅射靶材是平板显示、新能源及光伏行业不可或缺的重要基材,市场需求量大。为了有效拓展市场,金堆城钼业股份有限公司(以下简称“金钼股份”)成立钼铌合金靶材科研项目团队。经过两年的不懈努力,攻克了大规格钼铌合金靶材制粉、烧结、加工等关键工艺难题,掌握了大尺寸靶材的核心制备技术。该项目小组在小规格钼铌靶材的基础上展开了大规格钼铌合金平面靶材、管状靶材的开发。项目组成员通过原料的纯化解决了钼铌合金应用面板行业的第1个“卡脖子”问题——高纯;通过特殊热处理解决了作为阻挡层的钼铌合金能否有效发挥耐湿性的第2个关键问题——均质;通过工艺标准化控制解决了钼铌合金能否成功应用于面板行业的问题——大尺寸。

摘要： 专利名称:一种钼镍铜多元合金溅射靶材及其制备方法专利申请号:CN201911037789.7公开号:CN110670032A申请日:2019.10.29公开日:2020.01.10申请人:金堆城钼业股份有限公司本发明公开了钼镍铜多元合金溅射靶材及其制备方法,由以下质量组分组成:Ni 5%~45%,Cu 1%~10%,余量为Mo,以上组分的质量分数之和为100%。

摘要： 近日,位于余姚经济开发区阳明工研院的宁波创润新材料有限公司新厂房内,一排低氧超高纯钛锭在经过8小时2000°C的电子束真空熔炼后,整齐地码放在整洁的地面上。创润新材料公司是一家生产半导体级低氧超高纯钛和低氧高纯钛粉的国家高新技术企业,产品广泛应用于半导体溅射靶材、军工、航空航天等领域。

摘要： "这是一个芳华的时代,这是一个属于中国的时代,如果让我再选一次,我还会回到祖国。"说这番话的人是姚力军博士,作为掌握"超大规模集成电路制造用溅射靶材技术"的极少数华人专家之一,2005年夏天,他在宁波余姚创立了江丰电子。

摘要： 采用热压、放电等离子烧结及直接热压等热压烧结工艺制备了钌金属溅射靶材,通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响,并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明:通过工艺优化利用三种方法均能制备出相对密度达到99％以上的高密度钌靶；随着制备温度的升高钌靶氧含量降低,晶粒尺寸增大；热压工艺制备周期最长,钌靶表面有晶粒粗大层,放电等离子烧结与直接热压工艺都具有快速、近净成型的特点。

摘要： 本文对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法.

摘要： 本文简要介绍了靶材的主要性能要求、制备工艺、应用分类和发展概况.靶材的分类方法很多。根据材料的种类，包括金属及合金靶材、无机非金属靶材、半导体靶材、复合靶材等。无机非金属靶材又分为氧化物、氮化物、碳化钨、氟化物等。根据不同的几何形状，靶材分为平面靶和旋转靶。目前最常用的分类方法是根据靶材的应用进行划分。

摘要： 本文简要介绍了靶材的主要性能要求、制备工艺、应用分类和发展概况.用加速的离子轰击固体表面，离子和固体表面原子交换动量，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，这一过程称为溅射。被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的源(Source)材料，通常称为靶材。平面靶材的制备工艺主要包括熔炼铸造法和粉末烧结法.旋转靶材的制备工艺主要包括挤压、等离子喷涂和粉末烧结。

摘要： 以CuInGaSe2(CIGS)太阳能薄膜及其靶材为研究对象,概述了CIGS薄膜的各种制备方法,包括沉积法、置换法、蒸镀法及各种溅射法,介绍了溅射法制备CIGS薄膜所用靶材的加工工艺,分析并预测得出合金一靶溅射将成为工艺主流,而合金熔铸法将成为溅射靶材合理的制备工艺。

摘要： 在不同产业相对比较之下，半导体产业对于溅射靶材、蒸发源材料的要求是最高的，半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组成之一。本文主要介绍了靶材的分类，半导体行业用靶材的种类及制备工艺以及未来半导体行业用靶材的发展趋势。

摘要： 本发明提供一种用于溅射设备的可旋转靶材座装置，其中该靶材座装置适于在该靶材座装置上接收实体靶材圆柱，该可旋转靶材座装置包含：靶材座圆柱(4)，该靶材座圆柱(4)具有侧面(3)、中间部(12)、第一末端区(7)及与该第一末端区相对的第二末端区(9)，其中该第一末端区及该第二末端区至少之一具有基本上等于或小于该中间部的外径的最大外径。

摘要： 一种溅射设备的可旋转靶材装置，该可旋转靶材装置包括：可旋转靶材基座(4)，用于托持固体靶材圆柱(5)，该固体靶材圆柱具有内轴向面(54)、外轴向面(55)以及至少一个前面(56)，该前面连接该内轴向面与该外轴向面；其中该可旋转靶材基座包括弹性组件(23；230)、第一面(3)以及第二面(250；81)，该第一面适合该固体靶材圆柱的该内轴向面的形状，该第二面用以托持该固体靶材圆柱外部的该弹性组件。

摘要： 一种含金属铜‑氧化铜的粉末(10)，由金属铜粉末(11)、氧化铜粉末(12)和不可避免的杂质组成，其中，金属铜粉末(11)的平均粒径大于氧化铜粉末(12)的平均粒径，并且所述含金属铜‑氧化铜的粉末(10)具有在金属铜粉末(11)的外周部附着有氧化铜粉末(12)的结构的复合粒子(15)。并且，在金属铜粉末(11)的外周部形成有凹部，复合粒子(15)也可以为在形成于金属铜粉末(11)的外周部的所述凹部中填充有氧化铜粉末(12)的结构。

摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧的产生且能够抑制裂纹和裂缝产生的溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶。本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理。

摘要： 溅射靶材(2)由纯度为99.999质量％以上的铝和不可避免的杂质构成。在将板表面(21)的平均晶粒直径设为Ds[μm]，将板厚的1/4的深度(22)处的平均晶粒直径设为Dq[μm]，并将板厚的1/2的深度(23)处的平均晶粒直径设为Dc[μm]时，满足下述式，并且平均晶粒直径在板厚方向上连续地变化，Ds≤230Dq≤280Dc≤3001.2≤Dq/Ds1.3≤Dc/Ds。

摘要： 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。

摘要： 本发明的目的是提供一种圆筒形陶瓷溅射靶材及将该圆筒形陶瓷溅射靶材接合在背衬管上的圆筒形陶瓷溅射靶，由此能够抑制出现电弧、出现结节、出现裂纹的问题，其中所述问题只通过将各种块体特性(晶粒径、相对密度、电导率等)单独设置在适当的范围内是无法防止的。提供一种圆筒形陶瓷溅射靶材，在圆筒形陶瓷溅射靶材上，在靶的轴向上分成四份区域，再将四份区域中的每个在圆周方向上以0°、90°、180°和270°的间隔来划分区域，当在所划分出的每个区域上测量色差ΔE*ab时，色差ΔE*ab不到1.0。

摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧的产生且能够抑制裂纹和裂缝产生的溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶。本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理。

摘要： 溅射靶材(2)由纯度为99.999质量％以上的铝和不可避免的杂质构成。在将板表面(21)的平均晶粒直径设为D

摘要： 提供一种新颖的金属氧化物或新颖的溅射靶材。溅射靶材包含导电材料及绝缘材料。绝缘材料包含含有元素M1的氧化物、氮化物或氧氮化物。元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr、Be和B中的一种或多种的元素。导电材料包含含有铟及锌的氧化物、氮化物或氧氮化物。使用导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶材沉积金属氧化物膜。