温度处理

摘要： 柑橘采后贮藏过程中存在营养物质易流失、果实易腐烂、易受病原菌侵染等问题,从而导致极大的采后损失。温度是影响柑橘采后贮藏品质的主要因素之一,合适的温度处理不仅能够使果实在贮藏过程中保持营养价值和风味品质,还能给予果实良好的外观颜色,提高果实的抗病能力。综述了不同温度处理方式对柑橘果实采后生理生化和抗病能力的影响,以期为柑橘采后绿色贮藏技术的研究提供理论参考。

摘要： 慢性热应激下饲粮额外添加含硫氨基酸对肉鸡生产性能的影响梁文琪译朱勇文校摘要:慢性热应激可导致活性氧增加造成氧化损伤,补充含硫氨基酸(SAA)可被机体代谢为重要的抗氧化剂谷胱甘肽,缓解慢性热应激的不利影响。因此,本试验旨在探究饲粮添加SAA对热应激条件下28~35日龄肉鸡生长性能、体温、肠道通透性和氧化状态的影响。试验按2×2二因子试验设计,温度处理分别为慢性热应激组(HS组:每天高温33.3°C应激6 h,高温27.8°C应激18 h)和热中性(TN组:每天保持22.2°C,24h);饲粮处理分别为100%SAA水平组(育雏期、生长期和育肥期饲粮中分别为0.95%、0.87%和0.80%)和130%SAA水平组(育雏期、生长期和育肥期饲粮中分别为1.24%、1.13%和1.04%),共4个试验处理组,每个处理9个重复,每个重复栏18只。

摘要： 为探究短时高、低温胁迫对草地贪夜蛾的影响,将其3龄幼虫置于36°C和13°C下分别处理8、16、24、32 h,处理结束后观察其各龄生长发育及死亡情况,并比较其于-7°C胁迫下的耐寒性变化。结果表明,与对照组(27°C)相比,草地贪夜蛾3龄幼虫经高温不同时长处理后,其3~6龄幼虫发育历期显著延长,处理32 h组延长至13.496 d;处理8 h组蛹期缩短为8.428 d;处理24、32 h后化蛹率极显著降低。低温处理16、24、32 h后3龄幼虫发育历期均显著长于对照组,其中处理32 h组是对照组的1.543倍;3~6龄幼虫累计发育历期均显著延长;各处理蛹期显著缩短,蛹重极显著低于对照组。高、低温处理后3、4龄幼虫死亡率均显著增大。3龄幼虫经高、低温处理8 h于-7°C下胁迫的耐寒性显著提高。表明一定程度下短时高、低温处理可提高草地贪夜蛾耐寒性,但对其生长发育有不利的影响。

摘要： 【目的】人工无融合生殖系统的建立为水稻杂种优势固定提供了途径。当前人工无融合生殖系统在产生克隆种子的同时会伴随大量的四倍体种子,有必要开发简易高效的分选克隆种子方法。【方法】通过不同温度、盐浓度处理春优84和MiMe(同时突变PAIR1、REC8和OSD1获得的可将减数分裂转化成有丝分裂的材料)种子萌发的幼苗,观察它们形态学上的差异,确定最佳筛选条件。在最佳条件下,处理Fix材料(通过基因编辑技术同时突变PAIR1、REC8、OSD1和MTL基因获得的可固定杂种优势的材料)种子萌发的幼苗,根据形态差异分选克隆种子。利用流式细胞术确定分选的效率。【结果】无融合生殖材料Fix产生4.4%的克隆种子和95.6%的四倍体材料;而MiMe材料的后代全是四倍体。利用滤网在23°C、28°C和32°C水温条件下萌发春优84和MiMe种子48 h,MiMe材料的初生根直径在3种温度处理下均显著大于春优84,以28°C处理最优。在28°C水温条件下,利用0%、0.05%、0.1%、0.2%和0.5%NaCl溶液培养春优84和MiMe种子7 d,MiMe材料的根长、苗长与春优84无显著性差异,但春优84材料第1片完全叶在0.1%盐浓度下严重萎缩坏死,而MiMe材料受盐害影响较小。以28°C水温条件下先处理Fix种子48 h,先通过初生根根直径差异进行初次筛选,再利用0.1%NaCl溶液培养7 d,观察第1片完全叶形态差异再次分选,最后挑选出来的单株利用流式细胞术验证,分选效率达61.1%。将获得的克隆植株和四倍体对照种植田间,至成熟期表现明显的植株形态差异。【结论】在水稻苗期,对无融合生殖材料Fix进行温度及盐处理后,通过初生根、叶片等形态上差异可达到初步分选克隆植株的目标。

摘要： 氧化锌作为一种半导体材料,具有合适的能带结构位置,高催化效率,低成本和环境可持续性,因而广泛用于光催化领域.然而,由于氧化锌的宽带隙,可见光吸收能力差以及光生电子-空穴对的快速复合,极大地影响了其光催化效率.通过引入氧空位调控光催化剂的结构被证明是一种可以改善光生载流子的分离,从而提高光催化性能的有效方法.本文以ZIF-8为前驱体,采用两步煅烧法合成了具有不同浓度氧空位分布的ZnO纳米光催化剂,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、X射线光电子能谱(XPS)、电子顺磁共振(EPR)、荧光光谱仪(PL)等手段系统地分析了合成的光催化剂的理化性质,并评价了它们在可见光下光催化氧化去除NO反应性能.EPR结果表明,样品中氧空位的浓度取决于温度处理的过程.通过两步煅烧法得到氧化锌中氧空位的含量高于一步直接煅烧法所得的样品.此外,随着煅烧温度升高,合成的氧化锌晶格越完好,其氧空位含量越少.UV-Vis DRS结果表明,两步煅烧法合成的ZnO与商业的ZnO及一步法直接煅烧合成的ZnO相比,其吸光范围从紫外光拓展到了可见光,表现出了更加优异的吸光性能.光催化反应结果表明,与商业氧化锌和一步直接煅烧法所得样品相比,两步煅烧法合成的样品表现出了更优异的光催化去除NO性能,并抑制了中间产物毒性NO2的产生,促进了NO的深度氧化.具体反应路径为:在光照过程中,光生电子很容易被氧空位俘获,与O2反应产生更多的超氧自由基(·O2?),从而将NO氧化成最终的产物硝酸盐.尤其有趣的是,先在350 oC煅烧2小时再400 oC煅烧1小时的两步法样品Z 350-400的NO去除效率分别比一步法样品Z 400(400 oC煅烧)和商用ZnO高出1.5和4.6倍.这表明以MOF材料衍生的具有适当量氧空位的金属氧化物为一种高效去除NO的光催化剂具有很好的应用前景.

摘要： SHORT VEGETATIVE PHASE(SVP)基因作为重要的开花抑制因子,受多种环境因子影响,参与多条花期调控途径.为了明确菊花CmSVP基因在花期调控中的功能,以日中性菊花金不凋为材料,通过PCR克隆CmSVP基因,分析CmSVP基因结构;采用qRT-PCR方法分析CmSVP在菊花不同时期的不同组织、不同光周期及不同温度条件下的表达模式.结果表明,CmSVP基因在gDNA上全长为4997 bp,由8个外显子和7个内含子构成.CmSVP在营养时期的表达水平高于生殖生长时期,其中在生长点茎尖处表达丰度最高,花序的表达量最低,推测CmSVP可能抑制成花.CmSVP基因表现出对光周期和温度的敏感性,特别是长日照(LD)及低温的双重作用能够显著抑制其表达.综上,菊花CmSVP基因与其他物种SVP同源基因结构类似,主要在营养时期表达,对温度和光周期敏感,可能通过温敏途径及光周期途径抑制菊花成花.

摘要： 本试验研究了不同温度对茼蒿种子萌发及相关生理特性的影响.试验结果表明,不同温度影响茼蒿种子的萌发,过高或过低均不利于其发芽.催芽温度超过25°C时,茼蒿种子的发芽率、主根长度和植株鲜重显著降低;低于15°C时芽苗发黄、长势较弱、抗性较差.由此可见,15～25°C为茼蒿种子较适宜的萌发温度.

摘要： 为了筛选出兰州百合鳞片埋培繁殖的最适温度和鳞片层次,解决兰州百合种源不足、繁育周期长的问题,该文以兰州百合鳞片为材料,采用温度(20、25、30°C)和鳞片层次(外层、中层、内层)二因素完全随机区组设计,研究了二因素对兰州百合鳞片埋培繁殖效果的影响.通过对鳞片疑似发病率、分化率及小鳞茎分化数进行统计与分析,结果发现不同温度处理及各鳞片层次对鳞片疑似发病率、分化率及小鳞茎分化数的影响存在显著或极显著差异.结果表明:(1)温度越高,鳞片的疑似发病率越低,在埋培2周时,20°C处理下疑似发病率最高(38.67％),30°C处理下最低(10％);各层次鳞片的疑似发病率由高到低依次为外层>中层>内层.(2)在25、30°C处理下,小鳞茎分化率最高,埋培结束(6周)时分别为91.33％、90.89％;中层及内层鳞片小鳞茎分化率极显著高于外层鳞片.(3)30°C处理下鳞片形成小鳞茎数最多,在埋培6周时达到每片2.00粒;同时中层及内层鳞片小鳞茎分化数显著高于外层鳞片.综上结果表明,兰州百合鳞片埋培繁殖以选用中层(3～4层)、内层(5～7层)鳞片在25～30°C条件下繁殖效果最好.

摘要： 新化县炉观电站发电机组运行40余年,1#发电机组运行中推力瓦温度过高,推力瓦支撑面变化,大修修复其推力瓦偏心值后,机组运行正常.文章对此进行简要分析.

摘要： 人们对汽车座舱的空气质量关注度日益提高,空调滤清器在实际工况下的性能优劣起到关键作用.针对现有研究结果和现行标准中缺少温度处理后的性能试验,研究了空调滤清器在极端工作环境下的性能趋势,对空调滤清器进行了-40°C～120°C温度处理24h、高温100°C和低温-40°C不同处理时长后的性能试验,得出了高温会使压力降上升,分级过滤效率下降,储灰量下降的结论,为进一步提高车用空调滤清器的性能提供了参考,具有重要意义.

摘要： 引起牛肉过敏的主要过敏原是存在于血浆中的牛血清白蛋白，研究超高压协同温度处理对过敏原Bos d6抗原性和二级结构的影响.采用间接竞争ELISA、Ellman方法测自由巯基和ANS测定表面疏水,研究在温度25、40和55°C条件下,100～600MPa压力分别处理10min对过敏原Bos d6抗原性及三级结构的影响.超高压处理能有效降低过敏原Bos d6的抗原性及总巯基含量及其疏水性;但随着处理温度和压强的增加,蛋白表面巯基含量降低,二硫键断裂,同时疏水性降低,疏水基团包埋于分子内部.

摘要： 运用酶联免疫法测定了卡特兰在花芽分化期经3种不同温度处理其新叶内源激素的动态变化,结果表明:①25/20°C处理能显著的促进花芽分化,30/25°C处理花芽能正常分化,35/30°C处理抑制花芽分化；②25/20°C、30/25°C处理新生叶片中GA3、ZR、ABA含量增加,IAA含量减少,35/30°C处理抑制新生叶片中GA3、ZR、ABA含量,促进IAA含量,而较低的GA3、ZR、ABA含量和较高水平的IAA含量不利于花芽分化；③35/30°C处理使GA3/I从、GA3/ZR的比值处于一个较为稳定的状态,而这种状态不利于花芽分化.保持较低的IAA/ZR与IAA/ABA水平,有利花芽分化的继续进行.

摘要： 研究冰温及不同温度处理对湖景蜜露桃贮藏品质的影响,为冰温保鲜技术在南方软质型水蜜桃贮运保鲜上的应用提供依据.以宁波奉化湖景蜜露桃为试材,以冰点测定为主要依据,确定-0.8°C为其适宜的冰温贮藏温度;系统比较了冰温和3～4°C,(0±0.5)°C三种温度处理对不同贮期及货架期桃果理化指标(可溶固形物含量、可滴定酸含量、VC、组织电导率)、感官指标(褐变率、果肉明度L*、及感官评分)的影响;采用因子分析法,提取累计贡献率为91.703％的两个因子成分综合评价各处理对水蜜桃贮藏效果.试验结果表明:保鲜效果依次为:冰温＞(0±0.5)°C＞(3～4)°C,冰温可以显著推迟南方软质型水蜜桃冷害的发生,保持桃果品质,保鲜期可延长至40d.

摘要： 蜂花粉在贮存过程中温度过高或者贮存时间过长会影响其物理性状和化学组成,并进一步影响其保健功效,但目前并没有一个公认的评价蜂花粉新鲜度的指标和相关方法.本研究通过建立4°C、室温、35°C和50°C贮存条件下的茶蜂花粉新鲜度模型,对茶蜂花粉的色度变化进行研究,结果表明,茶蜂花粉色度中的a*和b*与贮存时间存在着良好的线性相关性,并且不同温度处理出现了不同的分离趋势,因此有可能可以作为茶蜂花粉新鲜度的定量指标.

摘要： 蜂花粉在贮存过程中温度过高或者贮存时间过长会影响其化学组成,并进一步影响其保健功效.本研究采用傅里叶变换红外光谱结合二阶导数谱和热扰动下的二维相关红外光谱技术对新鲜茶蜂花粉与3种不同温度处理3个月的茶蜂花粉进行比较研究,结果表明,茶蜂花粉中的蛋白质、脂类和糖类在贮存过程中发生了相应的变化,高温储存可能导致了蛋白质、脂肪酸和糖类的组成与结构变化.

摘要： 测试了Outlast腈纶纤维的温度调节性指标，观察不同温度处理前后纤维的表面形态，研究了不同温度处理后Outlast腈纶和棉混纺纱的机械性能和弹性。结果表明：Outlast腈纶纤维的确具有调温性，在100～200°C范围内，随着温度的升高，混纺纱的断裂强力、伸长率、断裂功都呈现下降趋势，120°C以后，混纺纱的定伸长弹性率和定负荷弹性率都开始下降。

摘要： HART协议作为现场变送器的现场总线协议,目前在现场变送器中的应用逐渐广泛,随着数字化仪表和系统在工业流程中的广泛应用,将具有广阔的前景。温度信号是工业控制中的主要检测信号,主要有热电阻信号和热电偶信号。随着数字化技术的发展和用户的需要,统一的处理技术和为用户提供优良的产品成为一种发展趋势。本设计中采用ADI(Analog Devices,Inc.,)公司的AD7793和MICROCHIP公司的PIC30F2012组成的核心数字处理系统的解决方案,温度处理的仪表测量精度达到0.05%,同时具有HART通信协议,成为目前符合较高性价比的实现技术方案。

摘要： 观赏植物可以通过一定的技术措施控制其提前或延迟花期，具体概括为“三处理，三控制”，即温度处理、光照处理、激素处理；水肥控制、生长期控制、控制营养分配。

摘要： 凋亡是细胞死亡方式的一种，它可以清除因环境应激而受到损伤的细胞。温度(也称作热休克)作为一种环境应激，能影响卵母细胞的发育。温度对卵母细胞发育的影响是通过细胞内部热休克蛋白的产生来实现的，而对于热休克蛋白的诱导及调节机制迄今仍在研究中。本文以成熟卵母细胞为研究对象，设置3个温度处理，运用AnnexinV.FITC凋亡检测试剂盒分别检测其凋亡情况，旨在测出不同温度下卵母细胞的凋亡，从而获得卵母细胞体外培养乃至胚胎发育的最适温度。

摘要： 采用连续水浸提、盆栽试验，研究经不同温度和促释材料活化的磷矿粉磷素动态释放特性及肥效。结果表明：(1)与磷矿粉相比，促释磷矿粉连续浸提水溶性磷累积量显著提高，提高幅度最大的是经加温处理的wz促释磷矿粉，较未加温处理提高了42.95%，是磷矿粉的2.13倍。表明活化磷矿粉经加温处理能明显促进磷矿粉水溶性磷的释放。(2)肥效实验表明。促释磷矿粉显著优于磷矿粉。WZ处理的效果较佳，经加温活化处理后的肥效最佳，不亚于SP。

摘要： 包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。描述了基板温度控制系统、电子器件处理系统、及包括沟槽引导式光纤温度控制和测量的方法作为许多其它的构想。

摘要： 为了提高处理炉内的温度均热区域的测定的作业性并且提高加热器的热平坦区长度的可靠性，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有：处理室，其对以保持于保持件上的状态被装入的基板进行处理；温度计测器，其计测上述处理室内的温度；输送装置，其至少将上述基板输送到上述保持件；以及控制器，其在计测上述处理室内的温度之前，使上述输送装置移动到预先设定的位置，在计测上述处理室内温度时，在安装有上述温度计测器的状态下使上述输送装置升降，同时获取来自上述温度计测器的温度。

摘要： 本发明中，可以容易地进行为在连续炉(3)中按所期望的温度曲线对玻璃基板(2)进行热处理，而对各炉(31～33)的设定温度的调整作业。使用模型以矩阵推定在改变各炉(31～33)的设定温度时，连续炉(3)的各观测点处的玻璃基板(2)的温度变化，使用该矩阵的逆矩阵算出补偿值，并根据该算出值补偿设定温度以使玻璃基板(2)的温度在上述各观测点处变为所期望的温度曲线的温度。

摘要： 本发明的温度传感器(120)测量处理器内部的特定位置的温度。整体热量测量部(130)测量处理器的整体热量。温度推测部(140)根据温度传感器(120)的特定位置的检测温度，推测处理器中产生的多个热点的温度，求处理器的最高温度。温度推测部(140)按照处理器的整体热量的大小，切换并参照被存储在存储部(160)中的最大负载时温度推测系数(162)和个别负载时温度推测系数(164)，代入用于将传感器温度变换为热点的温度的温度推测函数。动作频率控制部(150)在温度推测部(140)推测的处理器的最高温度超过了界限温度的情况下，进行降低处理器的动作频率的控制。

摘要： 包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。描述了基板温度控制系统、电子器件处理系统、及包括沟槽引导式光纤温度控制和测量的方法作为许多其它的构想。

摘要： 为了提高处理炉内的温度均热区域的测定的作业性并且提高加热器的热平坦区长度的可靠性，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具有：处理室，其对以保持于保持件上的状态被装入的基板进行处理；温度计测器，其计测上述处理室内的温度；输送装置，其至少将上述基板输送到上述保持件；以及控制器，其在计测上述处理室内的温度之前，使上述输送装置移动到预先设定的位置，在计测上述处理室内温度时，在安装有上述温度计测器的状态下使上述输送装置升降，同时获取来自上述温度计测器的温度。

摘要： 本发明提供热处理装置、温度控制系统、热处理方法、温度控制方法。热处理装置具有：处理容器；基板保持部，该基板保持部能够在处理容器内沿一个方向以规定间隔保持多个基板；加热处理容器的加热部；以及冷却部，该冷却部包括供给气体的供给部、以及沿一个方向分别设置于互不相同的位置的多个供给口，通过供给部经由各供给口向处理容器供给气体而冷却处理容器。冷却部设置为能够独立地控制供给部经由各供给口供给气体的供给流量。

摘要： 本发明涉及锰钢中间产品的温度处理方法，该产品的合金包括：3wt％至12wt％的锰；下组中的一种或多种合金化元素：硅、铝、镍、铬、钼、磷、硫、氮、铜、硼、钴、钨；小于1wt％的可选的碳；可选的一种或多种微合金化元素，其总含量小于0.45wt％；和其余的铁组分和不可避免的杂质。温度处理包括第一温度处理过程和后续的第二温度处理过程。第一温度处理过程是高温过程，其中钢中间产品在第一保持期内经受高于临界温度限值的第一退火温度，临界温度限值CTT＝(856‑SK*锰含量)摄氏度，SK是斜率值；第二温度处理过程是退火过程，其中钢中间产品暴露于低于第一退火温度的第二退火温度。

摘要： 本申请实施例提供一种温度处理电路，包括：感测单元，用于响应全温度区间的温度变化，输出表征当前温度的第一数字信号；第一数字信号中部分位用于指示当前温度所处的子温度区间，全温度区间被划分为多个连续的子温度区间；多个运算单元，每一子温度区间对应一个运算单元；每一运算单元均与感测单元连接，用于根据接收的相应子温度区间的补偿参数对第一子数字信号进行补偿，输出对应每一子温度区间的第二数字信号；选择单元，分别与多个运算单元及感测单元连接，用于根据第一数字信号中部分位，输出与当前温度所处的子温度区间对应的第二数字信号；所述全温度区间中各子温度区间对应的第二数字信号连续。

摘要： 本发明涉及锰钢中间产品的温度处理方法，该产品的合金包括：锰，其在3wt％≤Mn≤12wt％范围内；下组中的一种或多种合金化元素：硅(Si)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、磷(P)、硫(S)、氮(N)、铜(Cu)、硼(B)、钴(Co)、钨(W)；小于1wt％的可选的碳(C)；可选的一种或多种微合金化元素，其总含量小于0.45wt％；和其余的铁组分(Fe)和不可避免的杂质。对钢中间产品的温度处理包括第一温度处理过程和后续的第二温度处理过程。第一温度处理过程是高温过程，其中钢中间产品在第一保持期内经受高于临界温度限值的第一退火温度，临界温度限值定义：CTT＝(856‑SK*锰含量)摄氏度，SK是斜率值；第二温度处理过程是退火过程，其中钢中间产品暴露于低于第一退火温度的第二退火温度。