CMOS感光元件

摘要： 这款无人机专为航拍设计,摄像头采用了Sony 1200万像素CMOS感光元件,可拍摄4K/60fps超清视频。该机出厂配备了4 300mAh锂电池,满电时可持续飞行约30min。

摘要： 这款无人机采用可折叠式机臂，收折后整机体积为196mm×196mm×65mm。该机内置Wi-Fi模块，支持手机APP进行操纵。其内置了1／3．06in CMOS感光元件，可拍摄4K／30fps超清视频。

摘要： 拿到尼康首款DX格式轻便相机C00LPIXA的第一印象是小巧玲珑，做工上乘，金属感十足（图1）。111mm×64．3mm×40.3mm的体形和仅为299g的重量，足以说明它是一款名副其实的轻便相机。与一些同胞兄弟不同的是它由日本本土制造，想必大家都知道尼康本土制造的机型已经越来越少，一般只限于高端单反机型。厂家为了提醒消费者它的出身，极少见地在机身的底部和肩部两个地方标注了“MADEINJAPAN”（图2）。然而吸引消费者的当属它在如此纤薄的机身内装载的1616万像素APS-C画幅的CMOS感光元件，还有EXPEED2高性能图像处理器。可以说在目前各厂家推出的图像传感器尺寸相同或类似的“大底”轻便数码相机中，COOLPIXA如果不是最轻便那也算是一款相当轻巧的机型。

摘要： 佳能PowerShotD20防水相机佳能PowerShotD20采用了1／23英寸、1210万像素的BSI—CMOS感光元件，搭载等效焦距为28-140mm、F3．9—4．8镜头，

摘要： 数码时代的单反相机，使用一块固定在机身内部的CCD或CMOS感光元件来成像，代替了以前需要经常更换的胶卷。

摘要： “再给我拍一张跳起来的照片吧!”采访拍摄快结束时，刘溪对摄影师提出了要求。两只闪光灯打亮了刘溪的发梢。闪耀的光芒从挥洒的身形中折回，射入镜头深处，相机里的CMOS感光元件于是永远地记录下了这份青春的跃动。

摘要： 有没有搞错？居然推荐双筒望远镜!DEV-50V可不是普通的望远镜，它实质上还是一部支持3D或Full HD拍摄的摄像机。其配备索尼独家的Exmor R CMOS感光元件、BIONZ图像处理器与G系列镜头，可实现AVCHD格式、60p的长时间录像，具有0．8～25倍的超高变焦倍率和10倍三向式光学防抖。

摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器模组的感光元件移动式光学防抖方法，包括：提供导电弹性体；提供位于图像传感器芯片支撑侧墙的触点，所述触点接触于导电弹性体的一端；所述导电弹性体的另一端电学连接至电路板；在对焦过程中，触点与图像传感器芯片一起移动，导电弹性体不移动，实现光学防抖。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶，其中将光刻胶去除；步骤四，针对对应逻辑区域，对刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；同时，针对对应像素区域，进行刻蚀阻挡层和深埋氧化硅薄膜层的干法刻蚀。

摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器模组的感光元件移动式光学防抖方法，包括：提供导电弹性体；提供位于图像传感器芯片支撑侧墙的触点，所述触点接触于导电弹性体的一端；所述导电弹性体的另一端电学连接至电路板；在对焦过程中，触点与图像传感器芯片一起移动，导电弹性体不移动，实现光学防抖。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光元件及制备方法，通过在感光二极管的上下方各形成一片布拉格反射镜，且两片布拉格反射镜构成了法布里-珀罗谐振腔，当特定光波的光线进入法布里-珀罗谐振腔内，可在两片布拉格反射镜之间不断进行反射,从而使得光线被局限于法布里-珀罗谐振腔之中而进一步被感光二极管层吸收，进而提高感光二极管的对特定波长光线的吸收效率。本发明相比较传统的采用感光二极管直接进行光电转换类型的CMOS感光元件对红光的感光效率可以从20％提升至60％；同时对特定光波以外的光线则影响较小，极大改善图像输出的质量。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光元件及制备方法，本发明通过在感光二极管层的上方形成了一布拉格反射镜，可有效地使光线在感光二极管层与布拉格反射镜之间进行反射，从而提高感光二极管层对光线的吸收效率，同时由于本发明提供的反射镜为布拉格反射镜，可有效的将感光二极管层反射回来的光线再次反射回去，进而进一步提高感光二极管层对光线的吸收效率。采用本发明所提供的CMOS感光元件，能够对于波长范围在600～750nm之间的红光感光效率，可从现有技术对红光光波的吸收效率能提高20％～30％，同时对于其他波长的光线，则影响较小，可以极大提升CMOS感光元件输出的图像质量。

摘要： 提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶；步骤四，执行刻蚀阻挡层刻蚀，以打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五，执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六，执行氧化硅去除步骤，以刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：第一步骤，使用对应逻辑电路区域的光罩进行第一次光刻工艺操作；第二步骤，对应逻辑电路区域的层堆结构进行第一次干刻工艺操作；第三步骤，对晶圆进行第一次清洗，以去除刻蚀副产物；第四步骤，使用对应像素电路区域的光罩进行第二次光刻工艺操作；第五步骤，对应像素电路区域层堆结构进行第二次干刻工艺操作；第六步骤，对晶圆进行第二次清洗，以去除刻蚀副产物。

摘要： 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，其中，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶，其中将光刻胶去除；步骤四，针对对应逻辑区域，对刻蚀阻挡层进行干法刻蚀；同时，针对对应像素区域，进行刻蚀阻挡层和深埋氧化硅薄膜层的干法刻蚀。

摘要： 本实用新型公开了采用3400万像素CMOS感光元件的装置，包括摄像头和夜间红外灯，还包括红外传感器，所述红外传感器采集检测范围内的红外信息，发送红外信息到主控模块和自控亮度模块；所述自控亮度模块：接收红外传感器发送的红外信息，触发探光器探测光信息，控制夜间红外灯开启；所述主控模块：接收红外传感器发送的红外信息，触发CMOS图像传感器开启；所述CMOS图像传感器：受控于主控模块，通过摄像头采集当前图像信息，通过主控模块发送至DSP数据处理模块；所述DSP数据处理模块：通过主控模块接收图像信息，提取图像信息中的数字、时间、地址信息发送至A/D转换模块；所述A/D转换模块：接收图像信息中的数字、时间、地址信息。

摘要： 本实用新型公开了一种应用于制作数码影像器材的感光CMOS元件，包括增益放大器、非晶硅热敏电阻、差分结构前置放大器，所述增益放大器末端安装有非晶硅热敏电阻；所述非晶硅热敏电阻上端设置着差分结构前置放大器；所述差分结构前置放大器通过导线与串行FLASH芯片相连；所述串行FLASH芯片左端设有场效应晶体管；所述场效应晶体管通过导线连接着金属氧化物半导体；所述金属氧化物半导体下端设置着传感器。本实用新型结构简单、设计合理、运算速度快，有效的将影像讯号转变为数字信号输出，而且耗能更低，适合运用推广。