CMO

摘要： 现实主义评估目前已在西方学界获得了广泛的关注和运用,然而国内学界对这一政策评估理论和方法的把握和运用还付之阙如.本文依据相关研究成果,系统地梳理了现实主义评估的意涵与背景、理论基础、操作步骤以及分析了其对中国政策评估的启示.现实主义评估不仅可以丰富我国政策评估的理论体系和方法体系,也有助于我国政策评估研究超越实证主义评估和建构主义评估的窠臼和争论,并可为我国政策评估使用、连接评估和决策提供有益的借鉴.

摘要： 在2020年中国数学奥林匹克和2021年全国中学生数学奥林匹克决赛(以下均简称CMO)中,笔者各提供了一道复数赛题.本文详细介绍这两道赛题的创作过程,作为竞赛命题实践工作的积累,为数学竞赛的问题创作提供些许参考.

摘要： CMO,即首席营销官,是一家企业中最高层的营销负责人,他们是营销专家,消费者专家,帮助企业形象触达消费者,推动增长。同时,他们还影响着•家企业的对外关系、决策方向、价值观等。每年,《福布斯》都会发布一份全球最具影响力CM0报告,从“品牌表现”“个人对品牌知名度的贡献”以及“行业及公司内影响力”三大方面评估全球顶尖公司CM0的影响力。

摘要： 为了利用实时荧光定量PCR(quantitative Real-Time PCR,qRT-PCR)分析藜麦(Che-nopodium quinoa Willd)相关基因表达,提高结果的准确性,筛选出稳定表达的内参基因至关重要.我们分别利用geNorm、NormFinder和Bestkeeper程序分析了6个藜麦候选内参基因在NaCl胁迫下表达的稳定性,并用实时荧光定量PCR技术对藜麦盐胁迫相关基因P5 CS1和CMO基因相对表达量进行分析.结果表明,藜麦在NaCl胁迫下ACT-1和TUB-6做为内参基因表达最稳定,为最佳内参基因;藜麦P5 CS1基因表达水平上调6倍左右,CMO基因上调30～40倍.本研究为NaCl胁迫下藜麦基因表达分析提供了可靠的内参基因,并且对NaCl胁迫下P5 CS1和CMO基因表达情况做出初步分析.

摘要： 全球CDMO市场相对分散,在欧美医药外包服务产业转移和MAH制度红利下,现在是我国CDMO企业向第一梯队跨越的机会。在讲究专业分工的20世纪80年代,外包开始流行起来,并且发展到现在,在各个行业更是屡见不鲜。在生物医药领域,比较普遍的外包服务有CRA、CRO、CMO和CSO等。相信对于大部分人,甚至不少专业人士而言,到目前为止仍对CDMO一词还略显陌生。其实,CDMO属于医药外包服务继CMO以来.

摘要： 受疫情影响,从春节到阶段性复工期间,宅在家的大众纷纷开启自嗨模式,除了不断地刷短视频、看别人直播,甚至自己也做起直播。可以说,在这个特殊时期,与其他行业相比,线上娱乐迎来"大爆发"。数据显示,截至2020年3月抖音月活跃用户数达到5.18亿,同比增长14.7%;快手月活跃用户数达到4.43亿,同比增长35.4%;B站月活跃用户数达到1.21亿,同比增长32.5%。数据增长的背后依托的是源源不断的内容供给,那么疫情当前,作为线上内容孵化器的MCN机构,是如何把握内容和变现方面的趋势,不断去抓住线上线下的红利?为此我们专访了负责新片场CMO马睿,探讨新片场短视频的MCN发展之路。

摘要： 时隔三年,可口可乐管理层进行了架构调整,重新恢复全球首席营销官(CMO)的职位,由亚太区总裁Manolo Arroyo兼任。2017年,可口可乐曾撤销全球CMO,设立首席增长官一职,负责全球营销、公司战略以及客户和商务运营等工作。随着前首席增长官Francisco Crespo的退休,可口可乐除了重设CMO,公司战略、客户和商务运营也分别交由首席财务官John Murphy、首席运营官Brian Smith负责。

摘要： 在近40年的住房制度改革下,中国城镇住房体系逐渐由住房福利制度转变为商品房制度。当前中国的住房制度改革已经进入攻坚阶段,住房领域现存的问题更加复杂和敏感。2018年3月,两会政府报告提出更好解决群众住房问题,继续实行差别化调控,支持居民自住购房需求,建立健全长效机制。如何深化住房制度改革和建立长效机制是当前阶段的重要问题。

摘要： 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

摘要： 本发明提供一种高压CMOS的制造方法、高压CMOS和电子装置。所述方法包括：步骤S1，提供半导体衬底；步骤S2，在所述半导体衬底上形成从下到上层叠的栅介电层和栅极材料层；步骤S3，在所述栅极材料层上形成第一图案化掩膜层，以所述第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀所述栅介电层和栅极材料层，以形成第一栅极结构并露出所述半导体衬底上拟形成第一源漏极的区域；步骤S4，执行离子注入工艺，以形成第一源漏极，其中，所述离子注入工艺以所述第一图案化掩膜层、以及剩余的所述栅介电层和所述栅极材料层为掩膜。根据本发明，能够满足高压CMOS器件高静态击穿电压、超低特征导通电阻、高动态击穿电压以及大的安全工作区的需求。

摘要： 一种CMOS像素，该CMOS像素具有双转换增益读取电路，该双转换增益读取电路具有至少一个第一光电二极管(PD1)、扩散区域(FD)，该扩散区域具有第一电容(CFD)，该第一电容用于接收至少一个第一光电二极管(PD1)的电荷，其中，该双转换增益读取电路构造用于借助第一增益因子并且借助第二增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷，其中，CMOS像素具有至少一个第二光电二极管(PD2)，其中，该扩散区域(FD)还构造用于接收至少一个第二光电二极管(PD2)的电荷，并且该双转换增益读取电路构造用于借助至少一个第三增益因子和至少一个第四增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷。

摘要： 本发明公开了一种CMOS晶体管，包括衬底，以及在衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：依次叠置在衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；绕沟道区的至少部分外围形成的栅堆叠；叠置在第一源/漏区和第二源/漏区上的掺杂层，依次叠置在掺杂层上的金属硅化物层和第一金属层，以及形成在第一金属层两侧的第二金属层。本发明提供的CMOS晶体管在对应的第一源/漏区和第二源/漏区表面均叠置有掺杂层，其中，NMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的P或As，PMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的B，能够有效降低源漏接触电阻，从而提高器件性能。同时，本发明还提供一种CMOS晶体管的制备方法，以及一种电子设备。

摘要： 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

摘要： 本公开实施例提供一种电容器、CMOS图像传感器的制备方法及CMOS图像传感器。所述电容器的制备方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有具有间隔且电学相连的第一垫和第二垫；所述衬底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层内形成有沟槽，所述第一层间介质层上及所述沟槽内的侧壁和底部形成有电容层，所述电容层包括位于最下层的第一极板层以及最上层的第二极板层，所述沟槽内被所述电容层填充后形成第一开口；形成刻蚀缓冲层；去除所述第一开口之外区域的刻蚀缓冲层和电容层，暴露出第一层间介质层；以及形成第二层间介质层，在所述第二层间介质层内形成第一导电通道和第二导电通道，分别与所述沟槽底部的第二极板层和所述衬底内的第二垫电学相连。

摘要： 本发明提供了一种基于CMOS工艺的CMOS‑MEMS全集成热电堆芯片及制造方法，包括衬底、微电机系统以及专用集成电路系统，微电机系统和集成电路系统二者在衬底上呈分隔设置，且衬底上设置有隔离层；专用集成电路系统包括MOS管，微电机系统包括由多组热电偶串联形成的热电堆和热沉区，微电机系统所在的衬底的背部开设有空腔，隔离层将热电偶和热沉区二者与空腔分隔；热电偶与专用集成电路系统电连接，热沉区接地或悬空，且热沉区的内壁构成冷端边界并延伸至空腔的上方，从而使热沉区的内壁为热电堆的冷端，使热电堆的冷端和热端距离固定，进而提高了产品的一致性。

摘要： 本发明提供了一种CMOS图像传感器的列shading校正方法及CMOS图像传感器，校正方法包括如下步骤：S1：根据CMOS图像传感器的像素单元的列数选取若干个节点列；S2：上电读取像素单元的第一帧遮黑行，获取若干个节点列对应的遮黑行的数值；S3：根据节点列以及对应的遮黑行的数值获取横坐标为列数纵坐标为遮黑行数值的shading拟合曲线；S4：上电读取CMOS图像传感器的图像行，对输出的图像数据根据shading拟合曲线进行校正处理，得到校正后的图像数据。本发明提供的CMOS图像传感器的列shading校正方法及CMOS图像传感器，可以解决现有技术中CIS的列shading会引起暗电平校正偏差从而导致图像画面局部偏色的问题。

摘要： 本发明提供一种CMOS器件的接触孔刻蚀方法及CMOS器件制造方法，在经前端工艺形成器件层之后，在器件层的栅极和有源区上形成刻蚀停止层，在该刻蚀停止层上形成碳帽层，或者在刻蚀停止层中离子注入碳在刻蚀停止层表层形成富碳层，然后在刻蚀停止层上形成层间介质层。由于刻蚀停止层上方碳帽层或者富碳层的存在，当刻蚀至深度较浅的刻蚀停止层时，会在该刻蚀停止层中形成大量聚合物，该聚合物会保护刻蚀停止层被进一步刻蚀。因此在后续深度较深的接触孔的刻蚀过程中，能够有效保护深度较浅的接触孔不会出现过刻蚀现象，直至深度较深的接触孔刻蚀完成。避免出现过刻蚀现象，同时也能保证深度较深的接触孔能够充分刻蚀，避免出现刻蚀不足的现象。

摘要： 本申请实施例提供了一种CMOS图像传感器测试方法、装置及CMOS图像传感器测试机，涉及半导体测试技术领域。其中，该方法包括：通过应用层，响应于获取到的测试指令，向驱动层发送电压控制指令；通过驱动层，响应于电压控制指令，控制开关矩阵单元导通第一连接；当DUT处于工作状态，通过应用层，向驱动层发送测试指令；通过驱动层，控制开关矩阵单元根据测试指令导通第二连接和/或第三连接；通过应用层与驱动层的交互，基于第二连接对DUT进行图像测试，或者，基于第三连接对DUT进行电性测试。本申请实施例可以解决相关技术中利用通用ATE测试机搭配图像采集卡的组合方案测试CMOS图像传感器存在测试成本高的问题。