消光
消光的相关文献在1986年到2023年内共计2174篇,主要集中在化学工业、轻工业、手工业、物理学
等领域,其中期刊论文178篇、会议论文6篇、专利文献297843篇;相关期刊124种,包括天文学进展、兵工学报、火工品等;
相关会议6种,包括第5届环保型水性树脂涂料技术研讨会、中国工程热物理学会2004年多相流学术会议、2004中国粉末涂料与涂装年会等;消光的相关文献由3860位作者贡献,包括李蓉玲、邓传东、陈明付等。
消光—发文量
专利文献>
论文:297843篇
占比:99.94%
总计:298027篇
消光
-研究学者
- 李蓉玲
- 邓传东
- 陈明付
- 贺敏
- 冯涛
- 蔡贽骏
- 张皓
- 徐斌
- 童乃斌
- 李勇
- 鲍远志
- 徐瑗聪
- 罗云波
- 许文涛
- 黄昆仑
- 孙小国
- 翁世兵
- 王杰红
- 王勇
- 张涛
- 方文彬
- 秦文伟
- 詹伟东
- 谢静
- 陈龙
- 叶南飚
- 吕跃文
- 孙宾
- 徐祎
- 文国华
- 欧阳征标
- 王晨光
- 王精峰
- 王维平
- 葛晨鑫
- 陈晓芳
- 杜玮辰
- 王永垒
- 田启兵
- 翟丽鹏
- 肖露露
- 郑光金
- 陈爽
- 黄险波
- 余涛
- 刘亮
- 周文乐
- 庞浩
- 廖兵
- 张哨峰
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杨欣桐;
李刚;
姜圣毅;
尹曹勇
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摘要:
采用碱性蚀刻液与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)发生水解反应的化学蚀刻方法对遮光片内孔壁进行消光处理,实验设置预实验和正交试验法,在高温条件下进行预实验对PET膜进行蚀刻,再对遮光片进行消光。通过分光光度计检测PET膜的透光率,扫描电子显微镜观察经过蚀刻后的遮光片是否呈现出凹凸雾面状态。结果表明,预实验中氢氧化钠溶液蚀刻后的PET膜较氢氧化钠与碳酸钠混合液蚀刻后PET膜透光率低,且氢氧化钠与碳酸钠混合液蚀刻的PET膜透光率较原PET膜的透光率相差不大,且经氢氧化钠蚀刻后的遮光片内孔壁呈现凹凸雾面状态。当蚀刻液为氢氧化钠溶液,反应温度为80°C,反应时间为15 min时,遮光片的内孔壁雾面程度越大,消光效果最佳。
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白家振;
洪勇波;
王亚红;
王念贵
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摘要:
用KH-570改性的纳米二氧化硅、丙烯酸化环氧大豆油、衣康酸二甲基丙烯酸缩水甘油酯和1-羟基环己基苯甲酮反应,成功制备出纳米二氧化硅改性的丙烯酸化环氧大豆油UV固化膜,探讨了KH-570改性纳米二氧化硅加入量对丙烯酸化环氧大豆油UV固化膜性能的影响.结果表明,随着改性纳米二氧化硅含量的增加,膜的拉伸强度、柔韧性和热稳定性先变好后变差.当KH-570改性纳米二氧化硅的质量分数是1.5%时,均匀分散在高分子链之间的纳米颗粒具有消光和增韧的作用,对UV固化膜的热稳定性也具有促进作用.
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袁秉鉴
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摘要:
以氯化银、碘化银和硫酸钡的悬浮液光度法为例,研究了沉淀物光度法测定的可能性及其规律,研究表明,在严格遵守“精密度法则”,即“保持影响测量各因素对同一测定系列各个样品影响一致性”的条件下,以阿拉伯胶作稳定剂,将沉淀制成稳定的悬浮液即可用光度法测定。每种悬浮液都有自己的消光光谱,有色沉淀的悬浮液既有反射光谱又有选择性吸收光谱。具有一定消光强度的反射光或吸收光,都可用于相关物质的含量测定,只是不同波长的灵敏度和值域不同。测定结果都表明 :“在入射光值域内,消光强度的改变量ΔA正比于消光物质的含量改变量ΔC:ΔA = kΔC。”
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童徐圆;
汤明麟;
邱锋利;
应明友;
邵盛君;
赵琨;
刘义
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摘要:
以乙二醇、二甘醇、新戊二醇为多元醇,对苯二甲酸为多元酸,三羟甲基丙烷为扩链剂,经酯化、缩聚、复配等工序,制得不含TMA的消光粉末涂料用聚酯树脂.采用高效液相色谱一质谱法(HPLC-MS)检测游离TMA的含量,采用红外光谱(FI-IR)、核磁共振氢谱(HNMR)进行结构表征,采用差动热分析仪器(DSC)、扫描电镜(SEM)分析固化动力学参数、涂膜微观结构.结果 表明,不含TMA的消光粉末涂料用聚酯树脂中游离TMA含量为0;活化能Ea=89.87 KJ/mol、反应级数n=0.893、指前因子A=4.16×108;聚酯树脂与颜填料配伍性、消光性能、机械性能好,粉末涂料微观结构致密.
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摘要:
强力击退反光摄影消光神器消光罩可以在透过窗户拍摄时,消除白天的眩光和夜间的反射。无论你是通过酒店的窗户、高层的观景台、巴士的窗户还是动物园的围墙拍摄,照片都会产生很大的变化,即使在你开始编辑之前,它也会把一张坏照片变成一张好照片!因为消光罩采用防水桂胶材料,柔软不伤机,良好的延展性让它能适配市场上大部分机型。
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童徐圆;
汤明麟;
邱锋利;
应明友;
邵盛君;
赵琨;
刘义
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摘要:
以乙二醇、二甘醇、新戊二醇为多元醇,对苯二甲酸为多元酸,三羟甲基丙烷为扩链剂,经酯化、缩聚、复配等工序,制得不含TMA的消光粉末涂料用聚酯树脂。采用高效液相色谱-质谱法(HPLC-MS)检测游离TMA的含量,采用红外光谱(FI-IR)、核磁共振氢谱(HNMR)进行结构表征,采用差动热分析仪器(DSC)、扫描电镜(SEM)分析固化动力学参数、涂膜微观结构。结果表明,不含TMA的消光粉末涂料用聚酯树脂中游离TMA含量为0;活化能Ea=89.87 KJ/mol、反应级数n=0.893、指前因子A=4.16×10^(8);聚酯树脂与颜填料配伍性、消光性能、机械性能好,粉末涂料微观结构致密。
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邬树楠(文/图)
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摘要:
很多用户使用手机拍摄夜景或在交通工具上拍摄时都会遇到杂光的困扰,尤其现在手机摄像头普遍凸起较高,想避免玻璃的反光、室内灯光的杂光难之又难,针对此问题,高坚品牌推出了一款十分方便使用的手机消光罩,我们一起来体验一下这款产品的特点。
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沈建琪;
蔡小舒;
郭小爱
- 《中国工程热物理学会2004年多相流学术会议》
| 2004年
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摘要:
消光起伏法(TFS)是一种新的颗粒测量方法,可用来同时测量两相流中颗粒的粒径分布和体积浓度.由于在测量原理和结构上非常简单,这种方法可用来实现在线、实时测量.然而,在实际测量中,消光起伏法对颗粒粒径分布的分辨率还比较低,而且对高浓度颗粒系的测量必须考虑颗粒相互作用效应.本文提出一种新的数据处理方法——消光起伏相关光谱法(TFCS),通过对消光起伏信号在不同相关时间参数下进行相关计算来得到消光起伏光谱,以期提高消光起伏法对颗粒粒径分布的分辨率.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
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臧春雨;
曹望和;
牛春晖;
崔承甲
- 《第四届中国功能材料及其应用学术会议》
| 2001年
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摘要:
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.